專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高頻貼片電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電阻器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種高頻電阻器及其制造方法。
背景技術(shù)：
貼片電阻器又名片式固定電阻器，一般具有耐潮濕、耐高溫、可靠度高、外形尺寸 均勻、適合表面貼裝工藝(簡(jiǎn)稱(chēng)SMT)等特點(diǎn)。由于能大大的減少產(chǎn)品外觀尺寸，貼片電阻 器在各種電器中得到了廣泛的應(yīng)用。高頻貼片電阻器是應(yīng)用于微波高頻通信電路組件中的 一類(lèi)基礎(chǔ)電子元器件。在高頻電阻器的制造工藝上，電阻器的初始阻抗一般低于目標(biāo)阻抗，為了使高頻 電阻器的特征阻抗達(dá)到預(yù)期目標(biāo)阻抗值，根據(jù)電阻體阻值與橫截面積成反比的關(guān)系，一般 可以通過(guò)減小電阻體的橫截面積來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)整阻值的目的，從而獲得預(yù)期目標(biāo)阻抗值?，F(xiàn)有技術(shù)中，中國(guó)專(zhuān)利CN101288134A公開(kāi)了一種具有平面結(jié)構(gòu)的匹配式高頻電 阻器。該專(zhuān)利給出了高頻電阻器的平面式結(jié)構(gòu)，包括襯底、電阻層、用于饋入高頻能量的輸 入印制導(dǎo)線(xiàn)和用于接地的觸點(diǎn)電連接的接地印制導(dǎo)線(xiàn)。為了使高頻電阻器的特征阻抗達(dá)到 預(yù)期目標(biāo)阻抗，電阻層上具有內(nèi)切切口。該專(zhuān)利提供了一種切口居于電阻體本體內(nèi)部的內(nèi) 切切口，用以減小電阻體橫截面積。一個(gè)顯而易見(jiàn)的缺陷在于，此種內(nèi)切切口對(duì)于減小高頻 電阻體橫截面積是有限的，因此，具有內(nèi)切切口的高頻電阻器的調(diào)阻范圍較小，尤其是對(duì)于 初始阻抗較低的電阻體通過(guò)內(nèi)切方式調(diào)整其阻值，其特征阻抗將很難達(dá)到預(yù)期目標(biāo)阻抗的 要求。進(jìn)一步說(shuō)，采用內(nèi)切方式其技術(shù)工藝控制難度相對(duì)較大，在技術(shù)可實(shí)現(xiàn)性上存在難 度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種高頻貼片電阻器及其制造方 法，從而制備出具有較大調(diào)阻范圍的高頻貼片電阻器。本發(fā)明提供一種高頻貼片電阻器，包括基片、背電極、面電極、電阻體和第一側(cè)導(dǎo) 電極；其中，所述背電極和面電極分別設(shè)置于基片的下表面和上表面，所述面電極由輸 入端電極和接地端電極構(gòu)成；所述電阻體跨接于所述輸入端電極和接地端電極之間，且具有外切切口 ；所述第一側(cè)導(dǎo)電極在所述基片的側(cè)面，且與所述面電極的接地端電極和所述背電 極相連接。優(yōu)選的，所述外切切口為U型外切切口。優(yōu)選的，還包括覆蓋于電阻體上的內(nèi)保護(hù)層。優(yōu)選的，還包括覆蓋于內(nèi)保護(hù)層上的外保護(hù)層。優(yōu)選的，所述基片為電子陶瓷襯底。優(yōu)選的，所述高頻貼片電阻器還包括第二側(cè)導(dǎo)電極，所述第二側(cè)導(dǎo)電極在所述基
3片的側(cè)面，與所述面電極的輸入端電極和所述背電極相連接。優(yōu)選的，所述第一、第二側(cè)導(dǎo)電極包括導(dǎo)電層、隔熱層和焊接層。本發(fā)明還提供一種高頻貼片電阻器的制造方法，包括在陶瓷基片上設(shè)置橫向和縱向切槽，將所述陶瓷基片劃分為多個(gè)矩形單元；在基片反面的各矩形單元上分別設(shè)置背電極；在基片正面的各矩形單元上分別設(shè)置面電極，所述面電極由輸入端電極和接地端 電極構(gòu)成；在基片正面的各矩形單元上分別設(shè)置連接輸入端電極和接地端電極的電阻體，所 述電阻體具有外切切口；將基片沿縱向或橫向切槽分割為多個(gè)條形基片單元，在基片單元的端面上分別形 成第一側(cè)導(dǎo)電極；將各條形基片單元分割為多個(gè)矩形單元。優(yōu)選的，在基片正面的各矩形單元上分別形成覆蓋電阻體的保護(hù)層。優(yōu)選的，所述外切切口為U型外切切口。本發(fā)明制備的高頻貼片電阻器包括基片、背電極、面電極、電阻體和第一側(cè)導(dǎo)電 極；其中，為了使特征阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗相匹配，電阻體上具有外切切口，即從電阻體邊 緣開(kāi)始起切，將電阻體的一部分面積從電阻體中直接切除，可以較大程度地減小電阻體的 橫截面積，因此本發(fā)明的高頻貼片電阻器具有較大的調(diào)阻范圍，有利于高頻電阻器的特征 阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗相匹配。本發(fā)明還提供一種高頻貼片電阻器的制造方法，從而制造出 具有較大調(diào)阻范圍的高頻貼片電阻器。本發(fā)明提供的高頻貼片電阻器適合于微波射頻結(jié)構(gòu) 和片式化，同時(shí)利用本發(fā)明提供的高頻貼片電阻器的制造方法，可以大規(guī)模、高效率的制造 高頻貼片電阻器。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器外形結(jié)構(gòu)示意圖1 ；圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器除去外保護(hù)層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的面電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器第一側(cè)導(dǎo)電極結(jié)構(gòu)示意圖1 ；圖5為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器基片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器的背電極在基片單元上的分布示意 圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器的面電極在基片單元上的分布示意 圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器的電阻體在基片單元上的分布示意 圖9為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器的切口示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器的外保護(hù)層在基片單元上的分布示 意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的縱向切割后條形基片單元示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的第一側(cè)導(dǎo)電極結(jié)構(gòu)示意圖2 ；圖13為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的橫向切割后矩形基片單元示意圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的高頻貼片電阻器外形結(jié)構(gòu)示意圖2 ；圖15為本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的背電極結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式參見(jiàn)如圖1、圖2、圖3、圖4、圖9和圖14所示，本發(fā)明所提供的高頻貼片電阻器包 括基片1、背電極2、面電極3、電阻體4、保護(hù)層5、外保護(hù)層6和第一側(cè)導(dǎo)電極7。其中，基片1優(yōu)選采用氮化鋁、氧化鈹或96 99%的氧化鋁陶瓷；背電極2設(shè)置在基片1的下表面，優(yōu)選采用厚膜絲印方式印刷于基片背面，至少覆 蓋到基片1的下表面的一部分。背電極2提供了部分承載焊接的功能，增加了焊接的可靠 性，同時(shí)也便于采取輔助性散熱措施。面電極3設(shè)置在基片1的上表面，面電極3是由微波射頻信號(hào)輸入端電極31和信 號(hào)接地端電極32構(gòu)成的，其中，輸入端電極31用以饋入高頻微波信號(hào)，接地端電極32—端 與電阻體4連接，另一端與第一側(cè)導(dǎo)電極7相連接，并部分地被外保護(hù)層6覆蓋，面電極3 優(yōu)選采用厚膜絲印工藝印刷在基片1的上表面。第一側(cè)導(dǎo)電極7在基片1的側(cè)面，且與面電極3的信號(hào)接地端電極32和背電極2 相連接。第一側(cè)導(dǎo)電極7優(yōu)選包括三層，由內(nèi)至外分別為導(dǎo)電層71、隔熱層72和焊接層73。導(dǎo)電層71優(yōu)選由熱固性樹(shù)脂銀漿或?qū)щ姖{料形成，更優(yōu)選采用濺射方式或蒸發(fā) 鍍膜方式形成。隔熱層72優(yōu)選采用電鍍方式或?yàn)R射方式形成的鎳或鎳合金金屬層，防止了在表 面貼裝技術(shù)(簡(jiǎn)稱(chēng)SMT)的焊接的過(guò)程中可能產(chǎn)生的側(cè)導(dǎo)端頭開(kāi)裂或熔融，從而有效防止焊 接工藝對(duì)內(nèi)電極的影響。焊接層73是優(yōu)選采用電鍍方式或?yàn)R射方式形成的錫層或其他可焊金屬層，利用 可焊金屬易于和焊接釬料潤(rùn)濕的特性，保證了電阻器的焊接可靠性和穩(wěn)定性。第一側(cè)導(dǎo)電極7采用的三層結(jié)構(gòu)僅是一種優(yōu)選方式，但不僅限于此。第一側(cè)導(dǎo)電 極7也可以設(shè)置為一層，即僅由導(dǎo)電層71構(gòu)成。特別地，當(dāng)?shù)谝粋?cè)導(dǎo)電極7僅設(shè)置一層導(dǎo) 電層時(shí)，優(yōu)選采用蒸發(fā)鍍膜方式形成。電阻體4位于基片1的上表面，跨接在微波射頻信號(hào)輸入端電極31和信號(hào)接地端 電極32之間，優(yōu)選采用矩形結(jié)構(gòu)。為獲得預(yù)期目標(biāo)阻抗，電阻體4的橫截面上至少有一個(gè)外切切口 41用來(lái)減小電阻 體4的橫截面積。電阻體外切切口 41優(yōu)選為“U”型結(jié)構(gòu)的外切切口。首先，該U型結(jié)構(gòu)的 外切切口從電阻體邊緣開(kāi)始起切，即將電阻體的一部分面積從電阻體中直接切除，可以較 大程度地減小電阻體橫截面積，因此本發(fā)明的高頻貼片電阻器具有較大的調(diào)阻范圍，有利 于高頻電阻器的特征阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗相匹配。同時(shí)，由于本發(fā)明的高頻電阻器的調(diào)阻
5范圍較大，因此，高頻電阻器的初始阻抗可以設(shè)置得較低，從而產(chǎn)品工藝控制更加容易，有 利于產(chǎn)品合格率的提高。其次，采用“U”結(jié)構(gòu)的外切切口，電阻器工作時(shí)分布在電阻體切槽 周?chē)碾娏鞅痪鶆虻胤植嫉健癠”型切槽切割后剩余電阻體的橫截面上，在高頻功率條件下 產(chǎn)生的熱量被比較均勻地分布到的剩余電阻體的橫截面上，避免出現(xiàn)“過(guò)熱點(diǎn)”導(dǎo)致的產(chǎn)品 燒毀。再次，由于“U”形外切切口切除了目標(biāo)電阻體多余部分的橫截面，減少了對(duì)饋入信號(hào) 的干擾和影響，進(jìn)而使高頻電阻體的微波特性更穩(wěn)定。電阻體4優(yōu)選采用光刻掩膜、濺射或 絲網(wǎng)印刷方式制備，并以激光修阻修切后形成。保護(hù)層5覆蓋在電阻體4的上表面，優(yōu)選采用介質(zhì)玻璃材料，在激光修切過(guò)程中保 護(hù)電阻體4，防止電阻體4表面產(chǎn)生切口裂紋，保證了電阻阻值和性能的穩(wěn)定。外保護(hù)層6覆蓋在保護(hù)層5的上表面，優(yōu)選采用高介電常數(shù)介質(zhì)漿料，更優(yōu)選采用 熱固性樹(shù)脂漿料，并通過(guò)絲網(wǎng)印刷而成，很好地保護(hù)了電阻體4、切口 41和與電阻體4相連 接的面電極3。在實(shí)施第一側(cè)導(dǎo)電極隔熱層和焊接層時(shí)，外保護(hù)層6有效地保護(hù)了電阻體4 和切口 41免受酸性或堿性電鍍液的侵蝕。本發(fā)明還優(yōu)選包括第二側(cè)導(dǎo)電極8，第二側(cè)導(dǎo)電極8與面電極3的微波射頻信號(hào) 輸入端電極31和背電極2相連，特別地，當(dāng)優(yōu)選方案設(shè)置第二側(cè)導(dǎo)電極8時(shí)，為避免產(chǎn)品失 效，如圖15所示，背電極2相應(yīng)地被設(shè)置為左右兩個(gè)小電極21、22構(gòu)成，背電極的結(jié)構(gòu)并不 僅限于此。第二側(cè)導(dǎo)電極8與第一側(cè)導(dǎo)電極7的結(jié)構(gòu)和材料相同。本發(fā)明還提供一種高頻貼片電阻器的制造方法，如圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖 10、圖11、圖12和圖13所示，步驟包括取具有橫向切槽11和縱向切槽12的基片1，這些切槽有助于后面工序?qū)⑵浞指顬?矩形小單元；在基片1背面的每個(gè)矩形單元中形成背電極2 ；在基片1正面的每個(gè)矩形單元中形成面電極3，面電極3由輸入端電極31和接地 端電極32兩個(gè)小電極構(gòu)成；在已形成面電極3的每個(gè)矩形單元中形成電阻體4，電阻體4跨接在面電極3的左 右兩個(gè)小電極31和32之間；為了達(dá)到預(yù)期目標(biāo)阻抗，電阻體4的橫截面上至少有一個(gè)切口 41，電阻體切口 41 被設(shè)置為“U”型結(jié)構(gòu)；在已形成電阻體的矩形單元上形成保護(hù)層5，保護(hù)層5覆蓋在電阻體4的上表面；在保護(hù)層5的上表面設(shè)置外保護(hù)層6，從而在實(shí)施第一側(cè)導(dǎo)電極7的隔熱層72和 焊接層73時(shí)，外保護(hù)層6能有效地保護(hù)電阻體4和切口 41免受酸性或堿性電鍍液的侵蝕， 外保護(hù)層6優(yōu)選采用絲網(wǎng)印刷而成；將已經(jīng)形成外保護(hù)層的制品沿劃槽11方向?qū)⒒?折成條狀基片單元；在條狀基片單元的至少一個(gè)側(cè)面形成第一側(cè)導(dǎo)電極7的導(dǎo)電層71 ；將條狀基片單元沿劃槽12的方向?qū)⒒?折成粒狀矩形基片單元；將粒狀矩形基片單元進(jìn)行電鍍，在第一側(cè)導(dǎo)電極7的表面形成隔熱層72和焊接層 73，制得高頻貼片電阻器。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高頻貼片電阻器及其制造方法。本發(fā)明制備的高 頻貼片電阻器包括基片1、背電極2、面電極3、電阻體4和第一側(cè)導(dǎo)電極7;其中，為了使特
6征阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗相匹配，電阻體4上設(shè)置外切切口，即從電阻體邊緣開(kāi)始起切，將電 阻體的一部分面積從電阻體中直接切除，可以較大程度地減小電阻體橫截面積，因此本發(fā) 明的高頻貼片電阻器具有較大的調(diào)阻范圍，有利于高頻電阻器的特征阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗 相匹配。 對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一 致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
一種高頻貼片電阻器，其特征在于，包括基片、背電極、面電極、電阻體和第一側(cè)導(dǎo)電極；其中，所述背電極和面電極分別設(shè)置于基片的下表面和上表面，所述面電極由輸入端電極和接地端電極構(gòu)成；所述電阻體跨接于所述輸入端電極和接地端電極之間，且具有外切切口；所述第一側(cè)導(dǎo)電極在所述基片的側(cè)面，且與所述面電極的接地端電極和所述背電極相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻貼片電阻器，其特征在于，所述外切切口為U型外切切
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻貼片電阻器，其特征在于，還包括覆蓋于電阻體上的內(nèi) 保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻貼片電阻器，其特征在于，還包括覆蓋于內(nèi)保護(hù)層上的 外保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的高頻貼片電阻器，其特征在于，所述基片為電子陶 瓷襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的高頻貼片電阻器，其特征在于，所述高頻貼片電阻 器還包括第二側(cè)導(dǎo)電極，所述第二側(cè)導(dǎo)電極在所述基片的側(cè)面，與所述面電極的輸入端電 極和所述背電極相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的高頻貼片電阻器，其特征在于，所述第一、第二側(cè) 導(dǎo)電極包括導(dǎo)電層、隔熱層和焊接層。
8.一種高頻貼片電阻器的制造方法，其特征在于，包括在陶瓷基片上設(shè)置橫向和縱向切槽，將所述陶瓷基片劃分為多個(gè)矩形單元；在基片反面的各矩形單元上分別設(shè)置背電極；在基片正面的各矩形單元上分別設(shè)置面電極，所述面電極由輸入端電極和接地端電極 構(gòu)成；在基片正面的各矩形單元上分別設(shè)置連接輸入端電極和接地端電極的電阻體，所述電 阻體具有外切切口；將基片沿縱向或橫向切槽分割為多個(gè)條形基片單元，在基片單元的端面上分別形成第 一側(cè)導(dǎo)電極；將各條形基片單元分割為多個(gè)矩形單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，還包括在基片正面的各矩形單元上 分別形成覆蓋電阻體的保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述外切切口為U型外切切口。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種高頻貼片電阻器包括基片、背電極、面電極、電阻體和第一側(cè)導(dǎo)電極；其中，為了使特征阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗相匹配，電阻體上具有外切切口，即從電阻體邊緣開(kāi)始起切，將電阻體的一部分面積從電阻體中直接切除，可以較大程度地減小電阻體的橫截面積，因此本發(fā)明的高頻貼片電阻器具有較大的調(diào)阻范圍，有利于高頻電阻器的特征阻抗與預(yù)期目標(biāo)阻抗相匹配。本發(fā)明還提供一種高頻貼片電阻器的制造方法，從而制造出具有較大調(diào)阻范圍的高頻貼片電阻器。本發(fā)明提供的高頻貼片電阻器適合于微波射頻結(jié)構(gòu)和片式化，同時(shí)利用本發(fā)明提供的高頻貼片電阻器的制造方法，可以大規(guī)模、高效率的制造高頻貼片電阻器。
文檔編號(hào)H01C17/24GK101923928SQ20101014192
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者張飛林 申請(qǐng)人:四平市吉華高新技術(shù)有限公司