專利名稱：基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種在基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)，尤其是指一種在基板上制作金屬線路的方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來由于電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品需求漸增，因此電子產(chǎn)品進(jìn)入多功能及高效能發(fā)展等方向。尤其是可攜式電子產(chǎn)品種類日漸眾多，需求使用量日漸增加，也使得電子產(chǎn)品的體積與重量的規(guī)模也越來越小，因此在電子產(chǎn)品中基板及其金屬線路間的設(shè)計(jì)重要性亦隨的增加。因此，基板及其金屬線路間絕緣性、以及避免制作金屬線路時濕式蝕刻對基板產(chǎn)生影響等問題，變得值得重視。公知技術(shù)中，欲在金屬基板(如鋁基板)表面制作金屬線路時，由于后續(xù)工藝中蝕刻等步驟往往會造成鋁基板的侵蝕作用，故而大幅降低了鋁基板的實(shí)用性。為解決此問題，若使用此鋁基板時必須使用金屬膠及涂布印刷方式來制作金屬線路。然而，用此方式制作的金屬線路會導(dǎo)致導(dǎo)電度低及無法制作所欲形成的金屬線路，進(jìn)而應(yīng)用上受到很大的限制。中國臺灣申請第94117337號公開一種攜帶式電子裝置外殼及其制造方法，其揭示使用類鉆石薄膜層形成于鋁基材表面以作為保護(hù)電子裝置外殼的用途；然而，該所屬領(lǐng)域并非如本發(fā)明應(yīng)用在電路基板。另，中國臺灣申請第94221298號公開一種可于導(dǎo)熱基材表面設(shè)置絕緣散熱層的特征，其中該導(dǎo)熱基材可為一金屬材料或一陶瓷材料，該絕緣散熱層可為陶瓷材料、納米碳管等。然而，若使用該申請的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于基板及其金屬線路的制作時，仍會造成因濕式蝕刻對基板的侵蝕，且無法有效抑止金屬線路與基板之間的電性絕緣。據(jù)此，如何改善基板制作方法以增加金屬線路層與金屬基板之間的電性絕緣，防止金屬基板于后續(xù)制作金屬線路工藝中，因濕式蝕刻所造成的破壞，進(jìn)而提升在基板上制作金屬線路的方法實(shí)為重要的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)，以增加后續(xù)工藝中金屬線路層與金屬基板之間的電性絕緣，并防止金屬基板于后續(xù)制作金屬線路工藝中，因濕式蝕刻所造成的破壞，進(jìn)而解決公知金屬基板無法形成薄膜線路的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的基板制作方法，包括下列步驟提供一金屬基板；形成一氧化層于金屬基板的至少一表面；形成一化學(xué)阻障層于氧化層上；形成一中間層于化學(xué)阻障層上；形成一金屬層于中間層上，其中該金屬層可為銅或其合金，以濕式蝕刻或光罩蝕刻的方式，移除部分的中間層及金屬層，使金屬層形成一金屬線路層；在未移除的金屬線路層上亦可經(jīng)表面處理形成鎳、金、銀、錫或其合金的一表面金屬層，用以增加金屬線路層與芯片的黏著性；以及其后再形成一芯片層于部分表面金屬層上。
此外，根據(jù)本發(fā)明的方法，可依實(shí)際需要，于該金屬基板的另一表面還包括形成一氧化層；形成一化學(xué)阻障層于氧化層上；形成一中間層于化學(xué)阻障層上； 形成一金屬層于中間層上，其中，該金屬層可為銅或其合金，以濕式蝕刻或光罩蝕刻的方式移除部分的中間層及金屬層，使金屬層形成一金屬線路層，在未移除的金屬線路層上亦可經(jīng)表面處理形成鎳、金、銀、錫或其合金的一表面金屬層，用以增加金屬線路層與芯片的黏著性；以及其后再形成一芯片層于部分表面金屬層上。于此，根據(jù)本發(fā)明的方法，可在金屬基板兩側(cè)皆制作金屬線路的結(jié)構(gòu)，亦可依需要形成復(fù)數(shù)個通孔貫穿于整體結(jié)構(gòu)中，以增加其散熱效果。本發(fā)明提供的基板的制作方法，包括下列步驟提供一金屬基板；形成一氧化層于金屬基板的至少一表面；形成一化學(xué)阻障層于氧化層上；形成一中間層于化學(xué)阻障層上；形成一金屬層于該中間層上，其中該金屬層可為銅或其合金，以濕式蝕刻或光罩蝕刻的方式移除部分的中間層及金屬層，使金屬層形成一金屬線路層，并使部分化學(xué)阻障層露出；壓合一絕緣黏著層及一金屬層于露出的化學(xué)阻障層上；進(jìn)行蝕刻以移除部分的金屬層，使金屬層亦形成一金屬線路層；在未移除的金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于部分表面金屬層上；至于表面金屬層可為鎳、金、銀、錫或其合金。此外，根據(jù)本發(fā)明的方法，可依實(shí)際需要，于該金屬基板的另一表面還包括形成一氧化層；形成一化學(xué)阻障層于氧化層上；形成一中間層于化學(xué)阻障層上；形成一金屬層于中間層上，其中該金屬層可為銅或其合金；以濕式蝕刻或光罩蝕刻的方式移除部分的中間層及金屬層，使金屬層形成一金屬線路層，并使部分化學(xué)阻障層露出；壓合一絕緣黏著層及一金屬層于露出的化學(xué)阻障層上；進(jìn)行蝕刻以移除部分的金屬層，使金屬層亦形成一金屬線路層；在未移除的金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于部分表面金屬層上；至于表面金屬層可為鎳、金、銀、錫或其合金。于此，根據(jù)本發(fā)明的方法，可在該金屬基板兩側(cè)皆制作金屬線路的結(jié)構(gòu)，亦可依需要形成復(fù)數(shù)個通孔貫穿于整體結(jié)構(gòu)中，以增加其散熱效果。換言之，根據(jù)本發(fā)明在基板上制作金屬線路的方法，可選擇性地將金屬線路層形成于絕緣黏著層上，由此增加金屬線路層與下方金屬基板之間的電性絕緣。根據(jù)本發(fā)明的方法，若有需要，還可包括形成防焊層于金屬線路層上，該防焊層使用種類沒有限制，較佳為一類鉆碳層，以增加在基板上制作金屬線路整體結(jié)構(gòu)的散熱性及耐用性。根據(jù)本發(fā)明的方法，中間層是以蒸鍍法或?yàn)R鍍法形成于化學(xué)阻障層上，而該中間層的使用材料沒有限制，其是用以增加化學(xué)阻障層與后續(xù)制作的金屬線路層或芯片層的附著性，較佳為使用鉻、鈦、鉬、鎢、或其合金。根據(jù)本發(fā)明的方法，絕緣黏著層的使用材料沒有限制，只要可耐高溫如250°C以上的熱固性樹脂皆可，較佳為使用至少一選自由環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、酚醛樹脂、氨基樹脂及硅脂樹脂所組成群組的熱固性樹脂。再者，根據(jù)本發(fā)明的方法，金屬基板可包括一鋁金屬基板或一鋁基復(fù)合材料基板； 而形成于金屬基板上的氧化層可為于金屬基板的表面以陽極化處理方式形成，或直接于金屬基板的表面以涂布氧化物的方式形成，該氧化層較佳為氧化鋁。
根據(jù)本發(fā)明的方法，化學(xué)阻障層的形成方式?jīng)]有限制，較佳為由化學(xué)氣相沉積法、 物理氣相沉積法或涂布法形成于氧化層上；其中，化學(xué)氣相沉積法可包括等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法或微波等離子體化學(xué)氣相沉積法，至于物理氣相沉積法可包括蒸鍍法、濺鍍法或陰極電弧(cathodicarc)。根據(jù)本發(fā)明的方法，化學(xué)阻障層的使用種類及厚度沒有限制，只要其可防止氧化層或金屬基板于后續(xù)工藝中，因濕式蝕刻而造成的破壞，較佳地使用厚度為0. 01 50 μ m 的氧化物、碳化物、氮化物、環(huán)氧化物、硅膠或聚亞酰胺。其中，碳化物可使用如類鉆碳膜或鉆石膜；氮化物可使用如氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、或氮化硼(BN)；氧化物為二氧化硅 (SiO2)、二氧化鈦(TiO2)，氧化鈹(BeO)。特別是類鉆碳膜作為化學(xué)阻障層時，亦可視需要添加一摻雜物，該摻雜物的濃度小于20原子百分比(at0m%)，包括氟、硅、氮、硼或其混合物， 以增加化學(xué)阻障層的附著性。根據(jù)本發(fā)明的方法，氧化層的厚度沒有特別限制，較佳為3 100 μ m。在該氧化層的表面還包括有封孔處理的步驟，其中該封孔處理包括使用Ni (CH3COO)2或NiF2等無機(jī)金屬鹽類，使其與氧化層產(chǎn)生水合作用后，將該氧化層表面所具有的孔洞填平，以增加金屬基板與后續(xù)制作金屬線路層間的絕緣性。本發(fā)明提供的根據(jù)前述方法所制作的基板結(jié)構(gòu)，其包括一金屬基板；一氧化層形成于金屬基板的一表面；一化學(xué)阻障層形成于氧化層上；一中間層形成于化學(xué)阻障層上；一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式， 將一金屬層形成于中間層上后，再移除部分的中間層及金屬層而形成；一表面金屬層形成于該金屬線路層表面；以及一芯片層形成于部分表面金屬層上；其中，在氧化層的表面還包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，可依實(shí)際需要，于該金屬基板的另一表面還包括一氧化層；一化學(xué)阻障層形成于氧化層上；一中間層形成于化學(xué)阻障層上；一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，將一金屬層形成于該中間層上后，再移除部分的該中間層及該金屬層而形成；一表面金屬層形成于金屬線路層表面；以及一芯片層形成于部分表面金屬層上；其中，在氧化層的表面還包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)。于此，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，可在該金屬基板兩側(cè)皆制作金屬線路的結(jié)構(gòu)，亦可依需要形成復(fù)數(shù)個通孔貫穿于整體結(jié)構(gòu)中，以增加其散熱效果。本發(fā)明提供的基板結(jié)構(gòu)，還包括—金屬基板；一氧化層形成于金屬基板的一表面；一化學(xué)阻障層形成于氧化層上；一中間層形成于化學(xué)阻障層上；一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式， 將一金屬層形成于中間層上后，再移除部分的中間層及金屬層而形成；一絕緣黏著層及一金屬線路層壓合于露出的化學(xué)阻障層上；一表面金屬層形成于金屬線路層表面；以及一芯片層形成于表面金屬層上；其中，在氧化層的表面還包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)。此外，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，可依實(shí)際需要，于該金屬基板的另一表面還包括一氧化層；一化學(xué)阻障層形成于氧化層上；一中間層于化學(xué)阻障層上；一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，將一金屬層形成于中間層上后，再移除部分的中間層及金屬層而形成；一絕緣黏著層及一金屬線路層壓合于露出的化學(xué)阻障層上；一表面金屬層形成于金屬線路層表面；以及一芯片層形成于表面金屬層上；其中，在氧化層的表面還包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)。于此，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，可在該金屬基板兩側(cè)皆制作金屬線路的結(jié)構(gòu)，亦可依需要形成復(fù)數(shù)個通孔貫穿于整體結(jié)構(gòu)中，以增加其散熱效果。換言之，根據(jù)本發(fā)明在基板上制作金屬線路的結(jié)構(gòu)，可選擇性地將金屬線路層形成于絕緣黏著層上，由此增加金屬線路層與下方金屬基板之間的電性絕緣。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，中間層的使用材料沒有限制，其是用以增加化學(xué)阻障層與后續(xù)制作的金屬線路層或芯片層的附著性，較佳為使用鉻、鈦、鉬、鎢或其合金。絕緣黏著層的使用材料沒有限制，只要可耐高溫如250°C以上的熱固性樹脂皆可，較佳為使用至少一選自由環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、酚醛樹脂、氨基樹脂及硅脂樹脂所組成群組的熱固性樹脂。 再者，本發(fā)明的表面金屬層包括鎳、金、錫、銀或其合金，其可避免因高溫接合時，造成芯片層的損壞。再者，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，金屬基板可包括一鋁金屬基板或一鋁基復(fù)合材料基板； 而形成于金屬基板上的氧化層可為于金屬基板的表面以陽極化處理方式形成，或直接于金屬基板的表面以涂布氧化物的方式形成，該氧化層較佳為氧化鋁。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，化學(xué)阻障層的使用種類及厚度沒有限制，只要其可防止氧化層或金屬基板于后續(xù)工藝中，因濕式蝕刻而造成的破壞，較佳地使用厚度為0. 01 50 μ m 的氧化物、碳化物、氮化物、環(huán)氧化物、硅膠或聚亞酰胺。其中，碳化物可使用如類鉆碳膜或鉆石膜；氮化物可使用如氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)或氮化硼(BN)；氧化物為二氧化硅 (SiO2)、二氧化鈦(TiO2)或氧化鈹(BeO)。特別是類鉆碳膜作為化學(xué)阻障層時，亦可視需要添加一摻雜物，該摻雜物的濃度小于20原子百分比(at0m% )，包括氟、硅、氮、硼或其混合物，以增加化學(xué)阻障層的附著性。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，氧化層的厚度沒有特別限制，較佳為3 100 μ m。在該氧化層的表面具有封孔處理的結(jié)構(gòu)，其包括使用Ni (CH3COO) 2或NiF2等無機(jī)金屬鹽類，使其與氧化層產(chǎn)生水合作用后，將該氧化層表面所具有的孔洞填平，以增加金屬基板與后續(xù)制作金屬線路層間的絕緣性。根據(jù)本發(fā)明基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)，可有效增加金屬線路層與金屬基板之間的電性絕緣，并防止金屬基板于后續(xù)制作金屬線路工藝中，因濕式蝕刻所造成的破壞，進(jìn)而解決公知金屬基板無法形成薄膜線路的問題，并提升在基板上制作金屬線路的實(shí)用性。


圖IA至II是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的制作方法及其結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的剖視圖。圖3A至31是本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的制作方法及其結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明再一較佳實(shí)施例的剖視圖。附圖中主要組件符號說明100 金屬基板，110、115、210、410 氧化層，120,220,420 封孔結(jié)構(gòu)，130,230,430 化學(xué)阻障層，140,240,440中間層，145,475絕緣黏著層，150,250,350金屬層，155、255、355、 455,555金屬線路層，160,260,460表面金屬層，170,270,470芯片層。
具體實(shí)施方式
以下，將詳述本發(fā)明基板的制作方法，及根據(jù)該方法所制作基板的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例1請參閱圖IA至1H，為本發(fā)明基板的制作方法，及根據(jù)該方法所制作結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式。首先，如圖IA所示，提供一金屬基板100，該金屬基板100的材質(zhì)可使用鋁金屬基板或鋁基復(fù)合材料基板，在本實(shí)施例中是使用鋁金屬基板。其后，如圖IB所示在該金屬基板100 其中的一表面形成一氧化層110，用以增加金屬基板100與后續(xù)制作金屬線路層間的絕緣性。形成該氧化層110的方式可包括使用電化學(xué)方式，亦即將該金屬基板100浸泡于酸液中，將該金屬基板100其中的一表面進(jìn)行陽極化處理。換言之，根據(jù)本較佳實(shí)施例中所使用的鋁金屬基板，在其表面進(jìn)行陽極化處理后，可形成一氧化鋁的氧化層于該金屬基板其中的一表面。形成氧化層110的方式亦可依選擇使用不同的方式，例如使用涂布氧化物的方式后再利用電化學(xué)形成該氧化層，或僅浸泡該金屬基板于一欲形成氧化物的溶液中(未通電)等方式。氧化層110的厚度沒有特別限制，只要可有效達(dá)成金屬基板100與后續(xù)制作金屬線路層間的絕緣性，若氧化層110的厚度小于3 μ m,其難以有效地避免金屬基板100與后續(xù)制作金屬線路層155間的絕緣性，故根據(jù)本實(shí)施例，可形成約3 IOOym厚的氧化層。接著，如圖1C，在氧化層110的表面還包括有一封孔處理以形成一封孔結(jié)構(gòu)120的步驟，其中該封孔處理包括使用Ni (CH3COO)2或NiF2等無機(jī)金屬鹽類，使其與氧化層110產(chǎn)生水合作用后，將該氧化層110表面所具有的孔洞填平，以增加金屬基板100與后續(xù)制作金屬線路層155間的絕緣性。根據(jù)本實(shí)施例所形成氧化鋁的氧化層，在由上述封孔處理的步驟后，可形成氫氧化物(如Ni (OH)2或Al (OH)3)或氟化物(AlF3),將該氧化層110表面所具有的孔洞填平的封孔結(jié)構(gòu)120。其后，如圖1D，形成一化學(xué)阻障層130于氧化層110上，形成化學(xué)阻障層130的方式可為化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或涂布法?；瘜W(xué)氣相沉積法可包括等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法或微波等離子體化學(xué)氣相沉積法，至于物理氣相沉積法可包括蒸鍍法、濺鍍法或陰極電弧。根據(jù)本實(shí)施例是使用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法來形成化學(xué)阻障層 130于氧化層110上。化學(xué)阻障層130的使用種類及厚度沒有限制，只要其可防止氧化層 110或金屬基板100于后續(xù)工藝中，因濕式蝕刻而造成的破壞，較佳地使用厚度為0. 01 50ym的氧化物、碳化物、氮化物、環(huán)氧化物、硅膠或聚亞酰胺；其中，碳化物可使用如類鉆碳膜或鉆石膜；氮化物可使用如氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、或氮化硼(BN)；而氧化物可使用二氧化硅(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)或氧化鈹(BeO)。根據(jù)本實(shí)施例是使用一類鉆碳膜作為化學(xué)阻障層130。此外，當(dāng)如本實(shí)施例使用類鉆碳膜作為化學(xué)阻障層130時，亦可視需要添加小于20原子百分比(at0m%)的摻雜物，該摻雜物可包括氟、硅、氮、硼或其混合物， 以增加類鉆碳膜作為化學(xué)阻障層130時的附著性。最后，如圖IE至1H，分別形成一中間層140于化學(xué)阻障層130上，以及形成一金屬層150于中間層140上。如圖IF至1G，以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，移除部分的中間層140及金屬層150，使金屬層150形成一金屬線路層155。在金屬線路層155上亦可以表面處理形成鎳、金、銀、錫或其合金的表面金屬層160，用以增加金屬線路層155與芯片 170的黏著性。根據(jù)本實(shí)施例，中間層140可以蒸鍍法或?yàn)R鍍法形成于化學(xué)阻障層130上， 而該中間層140主要用以增加化學(xué)阻障層130與后續(xù)制作的金屬線路層155的附著性，故在中間層140的使用上，較佳為鉻、鈦、鉬、鎢或其合金。而金屬層150可為銅或其合金，以濕式蝕刻或光罩蝕刻的方式形成金屬線路層155后，并提供表面金屬層160于金屬線路層 155上，以形成一芯片層170于部分表面金屬層160上，并使芯片層170與金屬線路層155 彼此電性連接。再者，根據(jù)本實(shí)施例，可選擇性地在金屬基板100的另一表面上還形成一氧化層 115，但僅在金屬基板100的一側(cè)制作金屬線路，如圖II所示。根據(jù)本實(shí)施例，還可包括形成一防焊層(圖中未示)于金屬線路層上，該防焊層使用種類沒有限制，較佳為一類鉆碳層，以增加在基板上制作金屬線路整體結(jié)構(gòu)的散熱性及耐用性。實(shí)施例2請參閱圖2，為本發(fā)明另一基板的制作方法，及根據(jù)該方法所制作結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式。本實(shí)施例的制作方法及其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，其差異僅在于實(shí)施例1是在金屬基板 100其中的一表面上制作金屬線路，本實(shí)施例是在金屬基板100的另一表面上形成一氧化層210、一化學(xué)阻障層230、一中間層240及一金屬層，其中，該氧化層210的表面亦可包括有一封孔處理220的結(jié)構(gòu)，而金屬層亦以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，以形成一金屬線路層255，并提供一表面金屬層沈0于金屬線路層255上，以形成一芯片層270于部分表面金屬層260上。于此，根據(jù)本實(shí)施例的方法及根據(jù)該方法所制作的結(jié)構(gòu)，亦可達(dá)成如實(shí)施例1所欲達(dá)成的目的及功效。再者，根據(jù)本實(shí)施例，可選擇地形成復(fù)數(shù)個通孔(圖未示)貫穿于整體結(jié)構(gòu)中，以增加其散熱效果。實(shí)施例3請參閱圖3A至;3H，為本發(fā)明又一基板的制作方法，及根據(jù)該方法所制作結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式。本實(shí)施例圖3A至3D的制作方法及其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1圖IA至ID相同。其差異僅在于，如圖3E至3H，先形成一中間層140于化學(xué)阻障層130上，以及形成一金屬層150于中間層140上后，經(jīng)由濕式蝕刻或光罩蝕刻的方式移除部分中間層140和金屬層150以使金屬層150形成一金屬線路層155，并使化學(xué)阻障層130露出。其后，壓合另一金屬層350及一絕緣黏著層145于露出的化學(xué)阻障層130上，再將金屬層350以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式形成一金屬線路層355，最后在未移除的該金屬線路層155、355表面形成一表面金屬層160，最后形成一芯片層170于部分表面金屬層160上。上述金屬層150，350可為銅或其合金。再者，根據(jù)本實(shí)施例，可選擇性地在金屬基板100的另一表面上還形成一氧化層 115，但僅在金屬基板100的一側(cè)制作金屬線路，如圖31所示。根據(jù)本實(shí)施例，絕緣黏著層 145的使用材料只要可耐高溫如250°C以上的熱固性樹脂皆可，較佳為使用至少一選自由環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、酚醛樹脂、氨基樹脂、及硅脂樹脂所組成群組的熱固性樹脂。在本實(shí)施例中是使用環(huán)氧樹脂。實(shí)施例4請參閱圖4，為本發(fā)明再一基板的制作方法，及根據(jù)該方法所制作結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式。本實(shí)施例的制作方法及其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例3相同，其差異僅在于實(shí)施例3是在金屬基板 100其中的一表面上依實(shí)施例3的方式制作金屬線路。故根據(jù)本實(shí)施例，可在金屬基板100的另一表面上形成一氧化層410 ；—化學(xué)阻障層430形成于氧化層410上；一中間層440于化學(xué)阻障層上；一金屬線路層455，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，將一金屬層形成于中間層440上后，再移除部分的中間層440及金屬層而形成；一絕緣黏著層445及一金屬線路層555壓合于露出的化學(xué)阻障層430上；一表面金屬層460形成于金屬線路層455、555 表面；以及一芯片層470形成于部分表面金屬層460上；其中，在氧化層的表面還包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)420。于此，根據(jù)本實(shí)施例的方法及根據(jù)該方法所制作的結(jié)構(gòu)，亦可達(dá)成如實(shí)施例3所欲達(dá)成的目的及功效。再者，根據(jù)本實(shí)施例，可選擇地形成復(fù)數(shù)個通孔(圖中未示)貫穿于整體結(jié)構(gòu)中， 以增加其散熱效果。上述實(shí)施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請的權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種基板的制作方法，包括提供一金屬基板；形成一氧化層于該金屬基板的至少一表面； 形成一化學(xué)阻障層于該氧化層上； 形成一中間層于該化學(xué)阻障層上； 形成一金屬層于該中間層上；以及以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，移除部分的該中間層及該金屬層，使該金屬層形成一金屬線路層；其中，于該氧化層的表面包括有一封孔處理的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括在未移除的該金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于部分該表面金屬層上；其中，該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其合金。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，包括壓合一絕緣黏著層及一金屬層于露出的該化學(xué)阻障層上； 進(jìn)行蝕刻以移除部分的該金屬層，使該金屬層亦形成一金屬線路層； 在未移除的該金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于部分該表面金屬層上； 其中，該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其合金。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該中間層是以蒸鍍法或?yàn)R鍍法形成于該化學(xué)阻障層上。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該氧化層是于該金屬基板的該表面以陽極化處理方式形成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該氧化層是于該金屬基板的該表面以涂布一氧化物的方式形成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該化學(xué)阻障層是以化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或涂布法形成于該氧化層上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該化學(xué)氣相沉積法包括等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法或微波等離子體化學(xué)氣相沉積法。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該物理氣相沉積法包括蒸鍍法、濺鍍法或陰極電弧。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該化學(xué)阻障層為氧化物、碳化物、氮化物、環(huán)氧化物、硅膠或聚亞酰胺。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該碳化物為類鉆碳膜或鉆石膜。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，該類鉆碳膜具有一摻雜物，該摻雜物包括氟、硅、 氮、硼或其混合物，該摻雜物的濃度小于20原子百分比。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該氮化物為氮化鋁、氮化硅或氮化硼。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該氧化物為二氧化硅、二氧化鈦或氧化鈹。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該封孔處理是以一無機(jī)金屬鹽類，使其與該氧化層產(chǎn)生水合作用。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，該無機(jī)金屬鹽類包括Ni(CH3COO)2或NiF2。
17.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，包括形成一防焊層形成于該金屬線路層上。
18.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，于該金屬基板的另一表面包括 形成一氧化層；形成一化學(xué)阻障層于該氧化層上形成一中間層于該化學(xué)阻障層上； 形成一金屬層于該中間層上；以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，移除部分的該中間層及該金屬層，使該金屬層形成一金屬線路層；在未移除的該金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于部分該表面金屬層上；其中，于該氧化層的表面包括有一封孔處理的步驟，且該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其合金。
19.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，于該金屬基板的另一表面包括 形成一氧化層；形成一化學(xué)阻障層于該氧化層上形成一中間層于該化學(xué)阻障層上； 形成一金屬層于該中間層上；以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，移除部分的該中間層及該金屬層，使該金屬層形成一金屬線路層；壓合一絕緣黏著層及一金屬層于露出的該化學(xué)阻障層上； 進(jìn)行蝕刻以移除部分的該金屬層，使該金屬層亦形成一金屬線路層； 在未移除的該金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于部分該表面金屬層上；其中，于該氧化層的表面包括有一封孔處理的步驟，且該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其合金ο
20.如權(quán)利要求18或19所述的方法，其中，包括有形成復(fù)數(shù)個通孔貫穿于該金屬基板、 該氧化層、及該化學(xué)阻障層。
21.一種基板結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板；一氧化層形成于該金屬基板的至少一表面； 一化學(xué)阻障層形成于該氧化層上； 一中間層形成于該化學(xué)阻障層上；以及一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，將一金屬層形成于該中間層上后，再移除部分的該中間層及該金屬層而形成；其中，該氧化層的表面包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，包括 一表面金屬層形成于該金屬線路層表面；以及一芯片層形成于部分該表面金屬層上； 其中，該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其合金。
23.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，包括一絕緣黏著層及一金屬線路層壓合于露出的該化學(xué)阻障層上； 一表面金屬層形成于該金屬線路層表面；以及一芯片層形成于部分該表面金屬層上； 其中，該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其合金。
24.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該中間層包括鉻、鈦、鉬、鎢或其合金。
25.如權(quán)利要求23所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該絕緣黏著層包括至少一選自由環(huán)氧樹脂、 不飽和聚酯樹脂、酚醛樹脂、氨基樹脂及硅脂樹脂所組成群組的熱固性樹脂。
26.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該金屬基板包括一鋁金屬基板或一鋁基復(fù)合材料基板。
27.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該氧化層為氧化鋁。
28.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該化學(xué)阻障層為氧化物、碳化物、氮化物、環(huán)氧化物、硅膠或聚亞酰胺。
29.如權(quán)利要求觀所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該碳化物為類鉆碳膜或鉆石膜。
30.如權(quán)利要求四所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該類鉆碳膜具有一摻雜物，該摻雜物包括氟、硅、氮、硼或其混合物，該摻雜物的濃度小于20原子百分比。
31.如權(quán)利要求觀所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該氮化物為氮化鋁、氮化硅或氮化硼。
32.如權(quán)利要求觀所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該氧化物為二氧化硅、二氧化鈦或氧化鈹。
33.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該金屬層包括銅或其合金。
34.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該氧化層的厚度為3 ΙΟΟμπι。
35.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該化學(xué)阻障層的厚度為0.01 50 μ m。
36.如權(quán)利要求21所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，包括有一防焊層形成于該金屬線路層上。
37.如權(quán)利要求22所述的基板結(jié)構(gòu)，于該金屬基板的另一表面包括 一氧化層；一化學(xué)阻障層形成于該氧化層上； 一中間層形成于該化學(xué)阻障層上；一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，將一金屬層形成于該中間層上后，再移除部分的該中間層及該金屬層而形成； 一表面金屬層形成于該金屬線路層表面；以及一芯片層形成于該表面金屬層上；其中，該氧化層的表面包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)，且該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其I=I 巫 ο
38.如權(quán)利要求23所述的基板結(jié)構(gòu)，于該金屬基板的另一表面包括一氧化層；一化學(xué)阻障層形成于該氧化層上； 一中間層形成于該化學(xué)阻障層上；一金屬線路層，是以一濕式蝕刻或一光罩蝕刻的方式，將一金屬層形成于該中間層上后，再移除部分的該中間層及該金屬層而形成；一絕緣黏著層及一金屬線路層壓合于露出的該化學(xué)阻障層上； 一表面金屬層形成于該金屬線路層表面；以及一芯片層形成于該表面金屬層上；其中，該氧化層的表面包括有一封孔處理的結(jié)構(gòu)，且該表面金屬層為鎳、金、銀、錫或其
39.如權(quán)利要求37或38所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，包括有復(fù)數(shù)個通孔貫穿于該金屬基板、 該氧化層及該化學(xué)阻障層。
全文摘要
一種在基板的制作方法，包括提供一金屬基板；形成一氧化層于金屬基板的一表面；形成一化學(xué)阻障層于氧化層上；形成一中間層于化學(xué)阻障層上；形成一金屬層于中間層上，以蝕刻的方式移除部分的中間層及金屬層以形成一金屬線路層；形成一表面金屬層；以及其后再形成一芯片層于表面金屬層上。此外，本發(fā)明亦可以蝕刻的方式移除部分的中間層及金屬層，使金屬層形成一金屬線路層并使部分化學(xué)阻障層露出后；再壓合一絕緣黏著層及一金屬層于露出的化學(xué)阻障層上；進(jìn)行蝕刻以移除部分的金屬層，使金屬層亦形成一金屬線路層；在未移除的金屬線路層表面形成一表面金屬層；以及形成一芯片層于表面金屬層上。本發(fā)明并提供一種根據(jù)前述方法制作的基板結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L23/522GK102237287SQ20101016878
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者宋健民, 甘明吉, 胡紹中 申請人:中國砂輪企業(yè)股份有限公司