專利名稱：液晶顯示基板及其制造方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種液晶顯示基板及其制造方法和液晶顯示
O
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱 TFT-IXD)是目前常見(jiàn)的平板顯示器，TFT-IXD的主要部件是液晶面板，液晶面板由兩塊液晶顯示基板對(duì)盒而成，即通常所稱的彩膜基板和陣列基板。TFT-IXD的陣列基板上形成有矩陣形式排列的電路圖案，陣列基板結(jié)構(gòu)通常包括像素區(qū)域和像素區(qū)域之外的接口(PAD)區(qū)域。像素區(qū)域是在襯底基板上形成橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，圍設(shè)形成矩陣形式的像素單元，每個(gè)像素單元中設(shè)有TFT開(kāi)關(guān)和像素電極。 TFT開(kāi)關(guān)的源電極連接數(shù)據(jù)線，漏電極連接像素電極，柵電極連接?xùn)啪€，在源電極和漏電極與柵電極之間設(shè)置有源層。接口區(qū)域中是將柵線和數(shù)據(jù)線延長(zhǎng)引出，以便與驅(qū)動(dòng)線路連接。上述像素區(qū)域和接口區(qū)域中的導(dǎo)電圖案之間以絕緣層保持絕緣隔離，為實(shí)現(xiàn)以絕緣層間隔的導(dǎo)電圖案的電連接，一般在絕緣層中形成過(guò)孔。典型的一種陣列基板結(jié)構(gòu)是柵線上覆蓋有柵絕緣層；有源層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極形成在柵絕緣層上，且覆蓋在鈍化層之下；漏電極上方的鈍化層中形成漏電極過(guò)孔，以便像素電極通過(guò)漏電極過(guò)孔與漏電極電連接；在接口區(qū)域中的柵線和數(shù)據(jù)線上方分別形成柵接口過(guò)孔和數(shù)據(jù)接口過(guò)孔，以便將柵線和數(shù)據(jù)線露出來(lái)連接驅(qū)動(dòng)線路。在進(jìn)行本發(fā)明的研究過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)存在如下缺陷在采用掩膜光刻工藝來(lái)刻蝕各過(guò)孔時(shí)，漏電極過(guò)孔和數(shù)據(jù)接口過(guò)孔是刻蝕鈍化層而形成，柵接口過(guò)孔是刻蝕鈍化層和柵絕緣層而形成，因此，在刻蝕完成鈍化層中的各過(guò)孔后，還需要另行對(duì)柵絕緣層中的過(guò)孔進(jìn)行刻蝕。但是，在刻蝕柵絕緣層中過(guò)孔時(shí)，漏電極過(guò)孔和數(shù)據(jù)接口過(guò)孔實(shí)際上已經(jīng)刻蝕完成而露出數(shù)據(jù)線和漏電極，進(jìn)行柵絕緣層刻蝕時(shí)會(huì)發(fā)生對(duì)數(shù)據(jù)線和漏電極的過(guò)刻現(xiàn)象。即數(shù)據(jù)接口過(guò)孔和漏電極過(guò)孔刻蝕過(guò)刻比率較大，數(shù)據(jù)線和漏電極會(huì)刻蝕掉原有厚度的30% 50%，影響線電阻或產(chǎn)生不良，降低液晶顯示器的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種液晶顯示基板及其制造方法和液晶顯示器，以避免在液晶顯示基板刻蝕過(guò)孔下材料時(shí)發(fā)生的過(guò)刻現(xiàn)象，提高液晶顯示器的質(zhì)量。本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的流程，其中，在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層流程中對(duì)待刻蝕薄膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕的步驟中至少包括在所述待刻蝕薄膜上形成樹(shù)脂材料層；在所述樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于所述第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離；
進(jìn)行加熱處理以使所述樹(shù)脂材料層塌陷，從而使所述第一過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋所述第一過(guò)孔的底面，且使所述第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距；
對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，其中，還包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，形成在樹(shù)脂材料層中，所述第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于所述第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離，且所述第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示器，其中包括本發(fā)明所提供的液晶顯示基板。本發(fā)明提供的液晶顯示基板及其制造方法和液晶顯示器，利用了樹(shù)脂材料高溫塌陷變形的特性，使較小的過(guò)孔在塌陷變形時(shí)堵塞，而較大過(guò)孔保留一定的孔徑，在較大過(guò)孔下材料被刻蝕時(shí)，較小過(guò)孔會(huì)由于堵塞而保護(hù)下面的材料不發(fā)生過(guò)刻，從而能夠避免過(guò)刻損傷的出現(xiàn)，提高液晶顯示器的質(zhì)量。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的液晶顯示基板的制造方法的局部流程圖；圖2A為加熱前樹(shù)脂層形狀的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為加熱后樹(shù)脂層形狀的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A為形成有過(guò)孔的樹(shù)脂層在加熱前的形狀示意圖；圖;3B為形成有過(guò)孔的樹(shù)脂層在加熱后的形狀示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的液晶顯示基板的制造方法流程圖；圖5A為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖一；圖5B為圖5A中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6A為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖6B為圖6A中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7A為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖三；圖7B為圖7A中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖8A為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板中第一過(guò)孔處的放大結(jié)構(gòu)示意圖；圖8B為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板中第二過(guò)孔處的放大結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板的局部側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖四；圖IOA為本發(fā)明實(shí)施例二所制備陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖五；圖IOB為圖IOA中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例三提供的液晶顯示基板的制造方法流程圖；圖12A 12D分別為本發(fā)明實(shí)施例三所制備液晶顯示基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例四提供的液晶顯示基板的制造方法流程圖；圖14A 14C分別為本發(fā)明實(shí)施例四所制備液晶顯示基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記I-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；
4-柵絕緣層；62-摻雜半導(dǎo)體層；9-鈍化層；12-第三過(guò)孔；40-接口區(qū)域；
5-數(shù)據(jù)線；61-半導(dǎo)體層；
7-源電極；8-漏電極； 10-第一過(guò)孔；11-第二過(guò)孔; 13-像素電極；30-像素區(qū)域; 50-光刻膠層。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的流程，其中，在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層流程中對(duì)待刻蝕薄膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕的步驟中至少包括在待刻蝕薄膜上形成樹(shù)脂材料層；在樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離；進(jìn)行加熱處理以使樹(shù)脂材料層塌陷，從而使第一過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋第一過(guò)孔的底面，且使第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距；對(duì)透過(guò)第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，利用了樹(shù)脂材料在高溫下會(huì)塌陷變形的特點(diǎn)。 在形成孔徑不同的兩類(lèi)過(guò)孔后，利用樹(shù)脂材料的變形來(lái)暫時(shí)封堵孔徑較小的一類(lèi)過(guò)孔，從而實(shí)現(xiàn)了兩類(lèi)過(guò)孔下材料的分別刻蝕，避免了對(duì)暫時(shí)封堵過(guò)孔下材料的過(guò)刻。樹(shù)脂材料層可以為液晶顯示基板上的已有絕緣層，最終保留在基板上，或者也可以是在刻蝕過(guò)程中臨時(shí)采用的，例如光刻膠層，最終需要將該樹(shù)脂材料層去除。下面通過(guò)實(shí)施例分別進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例一圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的液晶顯示基板的制造方法的局部流程圖，該制造方法包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的流程，其中，形成絕緣層的流程至少包括如下步驟步驟110、在樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離；步驟120、進(jìn)行加熱處理以使樹(shù)脂材料層塌陷，從而使第一過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋第一過(guò)孔的底面，且使第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距；步驟130、對(duì)透過(guò)第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕；步驟140、對(duì)樹(shù)脂材料層進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉第一過(guò)孔的底面來(lái)貫穿第一過(guò)孔。本實(shí)施例的技術(shù)方案采用了樹(shù)脂材料作為絕緣層，并利用了樹(shù)脂材料高溫塌陷的特性。樹(shù)脂材料作為一種理想的可替代無(wú)機(jī)薄膜的材料具有很多優(yōu)勢(shì)，例如低介電常數(shù)、高透過(guò)率、均勻度高和工藝簡(jiǎn)單等。樹(shù)脂材料可以分為光敏樹(shù)脂材料和非光敏樹(shù)脂材料。選用光敏樹(shù)脂材料時(shí)，可以通過(guò)涂膠、曝光、顯影和固化后直接在光敏樹(shù)脂材料中形成過(guò)孔， 選用非光敏樹(shù)脂材料時(shí)，可以通過(guò)涂膠、曝光、顯影、刻蝕和固化后在非光敏樹(shù)脂材料中形成過(guò)孑L。樹(shù)脂材料作為有機(jī)材料的一個(gè)特性就是在高溫下會(huì)發(fā)生塌陷變形的現(xiàn)象，如圖2A 所示為加熱前的樹(shù)脂層的形狀，圖2B所示為加熱后的樹(shù)脂層的形狀，塌陷后樹(shù)脂層會(huì)略微變寬。樹(shù)脂層的塌陷程度可以通過(guò)加熱時(shí)的溫度高低和時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制。圖3A和圖;3B為形成有過(guò)孔的樹(shù)脂層在加熱前后的形狀示意圖，在樹(shù)脂材料塌陷后，樹(shù)脂層過(guò)孔的底面邊緣會(huì)向內(nèi)延伸，通過(guò)控制溫度和時(shí)間可以使底面邊緣延伸至完全連接以覆蓋過(guò)孔的底面。 本實(shí)施例即利用了樹(shù)脂材料的這一特性。當(dāng)某個(gè)絕緣層需要形成兩類(lèi)過(guò)孔，其中第二類(lèi)過(guò)孔下的材料需要進(jìn)一步刻蝕，而第一類(lèi)過(guò)孔下的材料此時(shí)不需要被刻蝕時(shí)，就產(chǎn)生了防止第一類(lèi)過(guò)孔下材料過(guò)刻的需求。 本實(shí)施例的技術(shù)方案，以樹(shù)脂材料的塌陷特性使第一過(guò)孔的底面被延伸的邊緣填充，則可以保護(hù)第一過(guò)孔下方的材料不發(fā)生過(guò)刻。第二過(guò)孔由于其邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離，所以當(dāng)?shù)谝贿^(guò)孔的底面邊緣因塌陷延伸而相連時(shí)，第二過(guò)孔的底面邊緣雖然延伸卻還未相連，可以透過(guò)第二過(guò)孔刻蝕其下方的材料。所以，采用本實(shí)施例的技術(shù)方案可以有效解決存在兩類(lèi)過(guò)孔下不同刻蝕需求時(shí)，避免發(fā)生過(guò)刻現(xiàn)象的問(wèn)題。既保證了通過(guò)同一步驟刻蝕形成兩類(lèi)過(guò)孔而簡(jiǎn)化工藝，又能夠避免過(guò)刻來(lái)保證液晶顯示器的質(zhì)量。本發(fā)明的液晶顯示基板可以是陣列基板或彩膜基板，當(dāng)存在上述不同類(lèi)過(guò)孔的刻蝕需求時(shí)就可以采用上述實(shí)施例的方案來(lái)避免過(guò)刻。根據(jù)不同的設(shè)計(jì)需要，液晶顯示基板上的導(dǎo)電圖案和絕緣層可以有多種設(shè)計(jì)形式，下面以一種典型的陣列基板結(jié)構(gòu)來(lái)具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案。實(shí)施例二圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的液晶顯示基板的制造方法流程圖，在本實(shí)施例中具體是制造陣列基板的過(guò)程，包括如下步驟步驟410、在襯底基板1上形成像素區(qū)域30和接口區(qū)域40的柵線2和柵電極3， 襯底基板1為透明基板，通?？梢圆捎貌ＡЩ澹瑬啪€2和柵電極3采用非透光導(dǎo)電材料制成，例如金屬材料。圖5A為所制備陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖一，圖5B為圖5A中的 A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；步驟420、在形成上述圖案的襯底基板1上覆蓋柵絕緣層4 ；步驟430、在柵絕緣層4上形成像素區(qū)域30和接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5，以及形成像素區(qū)域30的有源層、源電極7和漏電極8，其中有源層包括半導(dǎo)體層61和摻雜半導(dǎo)體層 62，源電極7和漏電極8之間的摻雜半導(dǎo)體層62被刻蝕掉以形成TFT溝道，圖6A為所制備陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖二(俯視圖中未示出絕緣層)，圖6B為圖6A的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；步驟420和步驟430中可以通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱PECVD)等方法連續(xù)沉積柵絕緣層4、半導(dǎo)體薄膜和N型半導(dǎo)體薄膜，并可以采用磁控濺射沉積源電極7和漏電極8的金屬層。通過(guò)雙色調(diào)掩膜板刻蝕形成數(shù)據(jù)線5、有源層、源電極7和漏電極8的圖案。
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步驟440、在形成上述圖案的襯底基板1上覆蓋鈍化層9，該鈍化層9為樹(shù)脂材料層，可以通過(guò)涂覆(coating)工藝涂抹一層均勻的樹(shù)脂材料，鈍化層9之下的柵絕緣層4、數(shù)據(jù)線5等材料層均為待刻蝕薄膜；步驟450、在鈍化層9中形成第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11，如圖7A和7B所示，本實(shí)施例中，第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11均為圓形，第二過(guò)孔11的直徑大于第一過(guò)孔10的直徑， 滿足第二過(guò)孔11邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔10邊緣之間的最短距離的要求；樹(shù)脂材料可以采用非光敏樹(shù)脂材料或光敏樹(shù)脂材料。則在樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的步驟可以有兩種操作形式一種形式為在樹(shù)脂材料層上涂覆光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影操作形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，進(jìn)行刻蝕操作以刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的樹(shù)脂材料絕緣層，形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；另一種形式為在樹(shù)脂材料層上進(jìn)行曝光顯影材料，形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的圖案，其中，采用光敏樹(shù)脂材料作為樹(shù)脂材料，即直接采用類(lèi)似光刻膠的材料作為絕緣層， 省去了一次刻蝕的步驟。鈍化層9優(yōu)選采用光敏樹(shù)脂材料制成，則可以通過(guò)曝光顯影工藝直接形成設(shè)定大小和位置的第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11，第一過(guò)孔10的直徑優(yōu)選為2至5微米或2至4微米，第二過(guò)孔11的直徑優(yōu)選約為10微米。具體應(yīng)用中，并不限于鈍化層9采用類(lèi)似光刻膠的材料制成，其他需要形成兩個(gè)過(guò)孔的絕緣層也可以采用類(lèi)似光刻膠的光敏樹(shù)脂材料制備。步驟460、進(jìn)行加熱處理，優(yōu)選是將鈍化層9在200至300°C的溫度下烘烤進(jìn)行加執(zhí).
y 、人 加熱步驟可利用原有的鈍化層9固化加熱步驟但提高原有的固化溫度。經(jīng)加熱后鈍化層9塌陷，使第一過(guò)孔10的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋第一過(guò)孔10的底面，且使第二過(guò)孔11的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距，如圖8A和8B分別為第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔 11處的放大結(jié)構(gòu)示意圖，第一過(guò)孔10的底面雖然被樹(shù)脂覆蓋，但是第一過(guò)孔10中的樹(shù)脂材料層厚度遠(yuǎn)小于鈍化層9的厚度。步驟470、對(duì)透過(guò)第二過(guò)孔11露出的柵絕緣層4進(jìn)行刻蝕，以形成第三過(guò)孔12 ；本步驟中，柵絕緣層4 一般采用無(wú)機(jī)絕緣材料或樹(shù)脂材料制成，可進(jìn)行干刻，采用六氟化硫(SF6)、氯氣(Cl2)和氧氣(O2)等氣體先刻蝕接口區(qū)域40的柵絕緣層4，一般需進(jìn)行30%左右的過(guò)刻確保接口區(qū)域40第三過(guò)孔12的柵絕緣層4完全被刻蝕掉，使柵線2暴露出來(lái)。步驟480、對(duì)鈍化層9進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉第一過(guò)孔10的底面來(lái)貫穿第一過(guò)孔10， 如圖9所示；第一過(guò)孔10底面被覆蓋的部分在刻蝕完成柵絕緣層4之后再刻蝕掉。由于通過(guò)變形所覆蓋的底面厚度要遠(yuǎn)小于樹(shù)脂材料鈍化層9的原有厚度，約為幾百埃米到幾千埃米， 所以可以在較短時(shí)間內(nèi)刻蝕掉，鈍化層9雖然整體有所減薄，但是影響很小。另外，樹(shù)脂材料的刻蝕可采用氧氣和SF6等氣體，因此不會(huì)刻蝕數(shù)據(jù)線5和漏電極8的金屬材料，刻蝕完成后形成內(nèi)徑約為5微米的第一過(guò)孔10。步驟490、在形成上述圖案的襯底基板1上形成像素電極13，像素電極13穿過(guò)第一過(guò)孔10與漏電極8電連接，如圖IOA和IOB所示。在本實(shí)施例中，像素區(qū)域30的漏電極8和接口區(qū)域40數(shù)據(jù)線5上的第一過(guò)孔10 僅需要刻蝕掉鈍化層9材料，接口區(qū)域40柵線2上的第二過(guò)孔11需要刻蝕掉鈍化層9和柵絕緣層4的材料，因此分屬于兩類(lèi)過(guò)孔。對(duì)于第二過(guò)孔11，還存在于第二過(guò)孔11下刻蝕柵絕緣層4形成第三過(guò)孔12的需求，此時(shí)需要防止第一過(guò)孔10下的數(shù)據(jù)線5和漏電極8 發(fā)生過(guò)刻而損壞?；谏鲜鲂枨?，本實(shí)施例采用樹(shù)脂材料制備鈍化層9，且制備圓形的第二過(guò)孔11的直徑大于第一過(guò)孔10的直徑。當(dāng)鈍化層9高溫坍塌變形時(shí)，鈍化層9厚度變薄， 第一過(guò)孔10的孔徑會(huì)被堵塞，使數(shù)據(jù)線5和漏電極8被暫時(shí)保護(hù)起來(lái)，雖然第二過(guò)孔11的孔徑也會(huì)由于變形而縮小，但是不會(huì)被堵塞，仍然可以露出下方的柵絕緣層4。此時(shí)可以先通過(guò)第二過(guò)孔11刻蝕接口區(qū)域40的柵線2，避免漏電極8和數(shù)據(jù)線5過(guò)刻。本實(shí)施例的技術(shù)方案，仍然能夠在同一步驟中完成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的刻蝕， 而第一過(guò)孔底面的刻蝕，由于堵塞部位較薄所以增加的刻蝕時(shí)間不多，因此技術(shù)方案整體未過(guò)多增加時(shí)間成本。實(shí)施例三圖11為本發(fā)明實(shí)施例三提供的液晶顯示基板的制造方法的流程圖，本實(shí)施例采用光刻膠這種光敏樹(shù)脂材料作為樹(shù)脂材料層，在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層流程中對(duì)待刻蝕薄膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕的步驟中至少包括步驟111、在待刻蝕薄膜上形成樹(shù)脂材料層，即形成光刻膠層50，待刻蝕薄膜可以為任意需要刻蝕過(guò)孔的薄膜，本實(shí)施例以實(shí)施例二所示的典型陣列基板結(jié)構(gòu)為例，此處待刻蝕薄膜為鈍化層9 ；步驟112、在光刻膠層50中形成第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11，如圖12A所示，第二過(guò)孔11邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔10邊緣之間的最短距離，如前述實(shí)施例二所示的情況，第一過(guò)孔10形成在像素區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層過(guò)孔的位置，第二過(guò)孔11形成在接口區(qū)域?qū)?yīng)柵線2的位置；在光刻膠層50中形成過(guò)孔的工藝可以利用已有的曝光掩膜刻蝕工藝。步驟113、加熱處理以使光刻膠層50塌陷，從而使第一過(guò)孔10的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋第一過(guò)孔10的底面，且使第二過(guò)孔11的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距；步驟114、對(duì)透過(guò)第二過(guò)孔11露出的材料進(jìn)行刻蝕，此時(shí)從第二過(guò)孔11露出的材料是接口區(qū)域中的鈍化層9，如圖12B所示；步驟115、對(duì)光刻膠層50執(zhí)行去除工藝，以去除掉第一過(guò)孔10的底面來(lái)貫穿第一過(guò)孔10 ；對(duì)光刻膠層50的去除工藝可以采用刻蝕工藝，也可以灰化去除部分光刻膠層50 的厚度使第一過(guò)孔10貫穿。步驟116、對(duì)透過(guò)第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11露出的材料進(jìn)行刻蝕，此時(shí)從第一過(guò)孔10露出的是像素區(qū)域中的鈍化層9，從第二過(guò)孔11露出的材料是接口區(qū)域中的柵絕緣層 4，如圖12C所示；步驟117、去除光刻膠層50，如圖12D所示。后續(xù)可以完成其他膜層的制備。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，仍然可以利用樹(shù)脂材料高溫塌陷的特性來(lái)分別對(duì)兩類(lèi)過(guò)孔進(jìn)行刻蝕，避免第一過(guò)孔下材料過(guò)刻的問(wèn)題。實(shí)施例四圖13為本發(fā)明實(shí)施例四提供的液晶顯示基板的制造方法的流程圖，本實(shí)施例采用光刻膠這種光敏樹(shù)脂材料作為樹(shù)脂材料層，在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層流程中對(duì)待刻蝕薄膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕的步驟中至少包括步驟131、在待刻蝕薄膜上形成樹(shù)脂材料層，即形成光刻膠層50，待刻蝕薄膜可以為任意需要刻蝕過(guò)孔的薄膜，本實(shí)施例以實(shí)施例二所示的典型陣列基板結(jié)構(gòu)為例，此處待刻蝕薄膜為鈍化層9 ；步驟132、在光刻膠層50中形成第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11，第二過(guò)孔11邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔10邊緣之間的最短距離，如前述實(shí)施例二所示的情況，第一過(guò)孔10形成在像素區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層過(guò)孔，第二過(guò)孔11形成在接口區(qū)域?qū)?yīng)柵線2的位置；步驟133、對(duì)透過(guò)第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11露出的材料進(jìn)行刻蝕，此時(shí)刻蝕的是像素區(qū)域和接口區(qū)域中的鈍化層9，如圖14A所示；步驟134、加熱處理以使光刻膠層50塌陷，從而使第一過(guò)孔10的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋第一過(guò)孔10的底面，且使第二過(guò)孔11的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距，如圖 14B所示；實(shí)際上光刻膠層50會(huì)塌陷在鈍化層9中，由于光刻膠層50的厚度通常遠(yuǎn)超過(guò)基板上已有各層的厚度，所以光刻膠層50的塌陷可以遮蓋第一過(guò)孔10的底面。步驟135、對(duì)透過(guò)第二過(guò)孔11露出的材料進(jìn)行刻蝕，此時(shí)從第二過(guò)孔11露出的材料是接口區(qū)域中的柵絕緣層4 ；步驟136、去除光刻膠層50，如圖14C所示。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，仍然可以利用樹(shù)脂材料高溫塌陷的特性來(lái)分別對(duì)兩類(lèi)過(guò)孔進(jìn)行刻蝕，避免第一過(guò)孔下材料過(guò)刻的問(wèn)題。實(shí)施例五本發(fā)明實(shí)施例五提供一種液晶顯示基板，包括襯底基板，襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，還包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，形成在樹(shù)脂材料層中，第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離，且第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距。本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示基板可以為陣列基板也可以為彩膜基板，可采用本發(fā)明液晶顯示基板的制造方法來(lái)制備，通過(guò)樹(shù)脂材料的高溫塌陷特性，對(duì)較小的第一過(guò)孔進(jìn)行暫時(shí)封堵，在對(duì)第二過(guò)孔下材料進(jìn)行刻蝕時(shí)保護(hù)第一過(guò)孔下的材料不被過(guò)刻。本發(fā)明的液晶顯示基板可以具體為陣列基板，參見(jiàn)圖IOA和IOB所示，導(dǎo)電圖案和絕緣層具體包括柵線2、柵電極3、柵絕緣層4、數(shù)據(jù)線5、有源層、源電極7和漏電極8、鈍化層9和像素電極13。其中，柵線2和柵電極3形成在襯底基板1的像素區(qū)域30和接口區(qū)域40中；柵絕緣層4覆蓋在形成柵線2和柵電極3的襯底基板1上；數(shù)據(jù)線5形成在柵絕緣層4上，位于像素區(qū)域30和接口區(qū)域40中；有源層、源電極7和漏電極8形成在柵絕緣層4上，位于像素區(qū)域30中，有源層具體包括半導(dǎo)體層61和摻雜半導(dǎo)體層62 ；鈍化層9覆蓋在形成數(shù)據(jù)線5的襯底基板1上，鈍化層9為樹(shù)脂材料層，鈍化層9中形成有第一過(guò)孔10 和第二過(guò)孔11，柵絕緣層4中還形成有第三過(guò)孔12，第三過(guò)孔12位于第二過(guò)孔11下；像素電極13形成在鈍化層9上，像素電極13穿過(guò)第一過(guò)孔10與漏電極8電連接。上述液晶顯示基板中，第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔11的形狀為圓形，第一過(guò)孔10的直徑優(yōu)選為2至5微米，或更優(yōu)選為2至4微米，第二過(guò)孔11的直徑優(yōu)選約為10微米。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，利用樹(shù)脂材料在一定的高溫狀態(tài)下會(huì)發(fā)生塌陷變形的性質(zhì)，通過(guò)設(shè)計(jì)掩模板過(guò)孔刻蝕的尺寸，曝光后在像素區(qū)域和周邊電路的接口區(qū)域形成大小不一致的過(guò)孔，由于兩類(lèi)過(guò)孔的尺寸大小不相同，第二過(guò)孔的尺寸是第一過(guò)孔尺寸的幾倍以上，通過(guò)控制固化工藝的溫度，使樹(shù)脂材料發(fā)生塌陷變形，使第一過(guò)孔被樹(shù)脂材料覆蓋， 形成類(lèi)似部分曝光的效果，而第二過(guò)孔由于尺寸大而不會(huì)被完全覆蓋。從而實(shí)現(xiàn)了避免過(guò)孔下數(shù)據(jù)線和漏電極被過(guò)刻的問(wèn)題，同時(shí)，由于固化后樹(shù)脂材料發(fā)生變形，因此實(shí)際上還能減小刻蝕后過(guò)孔的孔徑。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示器，其包括本發(fā)明所提供的液晶顯示基板。 通過(guò)對(duì)工藝的簡(jiǎn)單改進(jìn)，可以避免過(guò)刻問(wèn)題，提高液晶顯示器的質(zhì)量。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的流程， 其特征在于，在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層流程中對(duì)待刻蝕薄膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕的步驟中至少包括在所述待刻蝕薄膜上形成樹(shù)脂材料層；在所述樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于所述第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離；進(jìn)行加熱處理以使所述樹(shù)脂材料層塌陷，從而使所述第一過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋所述第一過(guò)孔的底面，且使所述第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距； 對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕之后，還包括對(duì)所述樹(shù)脂材料層執(zhí)行去除工藝，以去除掉所述第一過(guò)孔的底面來(lái)貫穿所述第一過(guò)孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在對(duì)所述樹(shù)脂材料層執(zhí)行去除工藝， 以去除掉所述第一過(guò)孔的底面來(lái)貫穿所述第一過(guò)孔之后，還包括對(duì)透過(guò)所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕； 去除所述樹(shù)脂材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于在進(jìn)行加熱處理以使所述樹(shù)脂材料層塌陷之前還包括對(duì)透過(guò)所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕；在對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕之后還包括去除所述樹(shù)脂材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的流程包括在所述襯底基板上形成像素區(qū)域和接口區(qū)域的柵線和柵電極； 在形成上述圖案的襯底基板上覆蓋柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成像素區(qū)域和接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線，以及形成像素區(qū)域的有源層、 源電極和漏電極；在形成上述圖案的襯底基板上覆蓋鈍化層，所述鈍化層為所述樹(shù)脂材料層； 在所述鈍化層中形成所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，并進(jìn)行加熱處理； 對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成第三過(guò)孔； 對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉所述第一過(guò)孔的底面來(lái)貫穿所述第一過(guò)孔； 在形成上述圖案的襯底基板上形成像素電極，所述像素電極穿過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏電極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一所述的制造方法，其特征在于，所述加熱處理包括在 200°C至30(TC的溫度下烘烤加熱所述樹(shù)脂材料層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一所述的制造方法，其特征在于，在樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔包括在樹(shù)脂材料層中形成圓形的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述第一過(guò)孔的直徑為2至5微米， 所述第二過(guò)孔的直徑為10微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉所述第一過(guò)孔的底面來(lái)貫穿所述第一過(guò)孔包括采用六氟化硫和氧氣對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，以刻蝕掉所述第一過(guò)孔的底面來(lái)貫穿所述第一過(guò)孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成第三過(guò)孔包括采用六氟化硫、氯氣和氧氣對(duì)透過(guò)所述第二過(guò)孔露出的柵絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成第三過(guò)孑L ο
10.一種液晶顯示基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，其特征在于，還包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，形成在樹(shù)脂材料層中，所述第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于所述第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離，且所述第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案和絕緣層包括 柵線和柵電極，形成在所述襯底基板的像素區(qū)域和接口區(qū)域中；柵絕緣層，覆蓋在形成所述柵線和柵電極的襯底基板上； 數(shù)據(jù)線，形成在所述柵絕緣層上，位于所述像素區(qū)域和接口區(qū)域中； 有源層、源電極和漏電極，形成在柵絕緣層上，位于所述像素區(qū)域中； 鈍化層，覆蓋在形成所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上，所述鈍化層為所述樹(shù)脂材料層，所述鈍化層中形成有所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述柵絕緣層中還形成有第三過(guò)孔，所述第三過(guò)孔位于所述第二過(guò)孔下；像素電極，形成在所述鈍化層上，所述像素電極穿過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏電極電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示基板，其特征在于所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的形狀為圓形，所述第一過(guò)孔的直徑為2至5微米，所述第二過(guò)孔的直徑為10微米。
13.一種液晶顯示器，其特征在于包括權(quán)利要求10 12任一所述的液晶顯示基板。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶顯示基板及其制造方法和液晶顯示器。該方法中至少包括在待刻蝕薄膜上形成樹(shù)脂材料層；在樹(shù)脂材料層中形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，第二過(guò)孔邊緣之間的最短距離大于第一過(guò)孔邊緣之間的最短距離；進(jìn)行加熱處理以使樹(shù)脂材料層塌陷，從而使第一過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸相連后遮蓋第一過(guò)孔的底面，且使第二過(guò)孔的底面邊緣向內(nèi)延伸并保持間距；對(duì)透過(guò)第二過(guò)孔露出的材料進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明利用樹(shù)脂材料高溫塌陷變形的特性，使較小的過(guò)孔在塌陷變形時(shí)堵塞，而較大過(guò)孔保留一定的孔徑，在較大過(guò)孔下材料被刻蝕時(shí)，較小過(guò)孔會(huì)由于堵塞而保護(hù)下面的材料來(lái)避免過(guò)刻。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102237306SQ201010168708
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月6日
發(fā)明者周偉峰, 謝振宇 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司