專利名稱：薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非晶硅薄膜檢測(cè)裝置，尤其涉及一種薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
在生產(chǎn)非晶硅光伏板中，其中一個(gè)比較重要的工序?yàn)榛瘜W(xué)氣相沉積，是為了將非 晶硅(a-Si)沉積到氧化錫玻璃表面。a-Si太陽(yáng)電池基本結(jié)構(gòu)為pin結(jié)。摻硼形成p區(qū)， 摻磷形成n區(qū)，i為非雜質(zhì)或輕摻雜的本征層(因?yàn)榉菗诫sa-Si是弱n型)。重?fù)诫s的p、 n區(qū)在電池內(nèi)部形成內(nèi)建勢(shì)，以收集電荷。同時(shí)兩者可與導(dǎo)電電極形成歐姆接觸，為外部提 供電功率。由于該過(guò)程的復(fù)雜性及加工設(shè)備的自動(dòng)化程度，產(chǎn)品流出生產(chǎn)線均為成品。但 是無(wú)法準(zhǔn)確地分析產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化率是否與硅層有關(guān)系。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明提供一種薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，目的是為了準(zhǔn)確 地分析光伏板產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化率是否與硅層有關(guān)系。為達(dá)上述目的本發(fā)明薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置由下述結(jié)構(gòu)構(gòu)成光伏板，在光伏板 的一側(cè)設(shè)有光源，光伏板的另一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電體，光伏板設(shè)有導(dǎo)電體一側(cè)的表面設(shè)有測(cè)試區(qū) 域，測(cè)試區(qū)域外周為無(wú)硅層，無(wú)硅層通過(guò)導(dǎo)線與信號(hào)發(fā)生器的正極連接，導(dǎo)電體的一端與測(cè) 試區(qū)域接觸，導(dǎo)電體的另一端通過(guò)導(dǎo)線與信號(hào)發(fā)生器的負(fù)極連接，信號(hào)發(fā)生器通過(guò)信號(hào)線 將模擬量值送給信號(hào)處理裝置，信號(hào)處理裝置根據(jù)接收的模擬量值計(jì)算測(cè)試區(qū)域轉(zhuǎn)換率。所述的光源設(shè)在光伏板的下方，導(dǎo)電體設(shè)在光伏板的上方，導(dǎo)電體為銀針，銀針另 一端與導(dǎo)線之間設(shè)有銅片，銅片與固定桿一端固定，固定桿的另一端插在支架的滑動(dòng)槽內(nèi)。所述的光伏板設(shè)在平臺(tái)360度轉(zhuǎn)動(dòng)的滾輪上。所述的光源為1000W/平方米的照度。所述的光源固定在平臺(tái)下方的燈架上。所述的光源與調(diào)壓變壓器連接。所述的信號(hào)發(fā)生器輸出模擬量值為測(cè)試區(qū)域的開(kāi)路電壓、測(cè)試區(qū)域的短路電流、 測(cè)試區(qū)域的最大工作電壓和測(cè)試區(qū)域的最大工作電流。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)效果通過(guò)本發(fā)明可以準(zhǔn)確地分析光伏板產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化率是否與硅層 有關(guān)系，通過(guò)在光伏板上幾個(gè)測(cè)試區(qū)域轉(zhuǎn)化率的測(cè)試，可以知道該光伏板硅層沉積的過(guò)程 中是否均勻，組件功率低是否與硅層有關(guān)系。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、光伏板；2、光源；3、銀針；4、測(cè)試區(qū)域；5、信號(hào)發(fā)生器；6、導(dǎo)線；7、銅片； 8、信號(hào)處理裝置；9、固定桿；10、支架；11、滾輪；12、燈架；13、平臺(tái)；14、信號(hào)線；15、調(diào)壓變
壓器；16、無(wú)硅層。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖所示本發(fā)明薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，由下述結(jié)構(gòu)構(gòu)成光伏板1，在光伏板1 的一側(cè)設(shè)有光源2，光伏板1的另一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電體，光伏板1設(shè)有導(dǎo)電體一側(cè)的表面設(shè)有測(cè) 試區(qū)域4，測(cè)試區(qū)域4外周為無(wú)硅層16，無(wú)硅層16通過(guò)導(dǎo)線6與信號(hào)發(fā)生器5的正極連接， 導(dǎo)電體的一端與測(cè)試區(qū)域4接觸，導(dǎo)電體的另一端通過(guò)導(dǎo)線6與信號(hào)發(fā)生器5的負(fù)極連接， 信號(hào)發(fā)生器5通過(guò)信號(hào)線14將模擬量值送給信號(hào)處理裝置8，信號(hào)處理裝置8根據(jù)接收的 模擬量值計(jì)算測(cè)試區(qū)域轉(zhuǎn)換率。本實(shí)施例光源2設(shè)在光伏板1的下方，導(dǎo)電體設(shè)在光伏板1的上方，導(dǎo)電體為銀針 3，銀針3另一端與導(dǎo)線6之間設(shè)有銅片7，銅片7與固定桿9 一端固定，固定桿9的另一端插 在支架10的滑動(dòng)槽內(nèi)，光伏板1設(shè)在平臺(tái)13上360度轉(zhuǎn)動(dòng)的滾輪11上，光源2為1000W/ 平方米的照度，光源2固定在平臺(tái)13下方的燈架12上，光源2與調(diào)壓變壓器15連接。本發(fā)明的工作原理測(cè)試區(qū)域轉(zhuǎn)化率=測(cè)試區(qū)域的開(kāi)路電壓(Voc) X測(cè)試區(qū)域的 短路電流(Isc) X測(cè)試區(qū)域的填充因子/(入射光的能量密度X太陽(yáng)能電池的面積)。測(cè)試區(qū)域的填充因子=測(cè)試區(qū)域的最大工作電壓(Vmax) X測(cè)試區(qū)域的最大工作 電流(Imax)/(VocXIsc)信號(hào)發(fā)生器輸出幾路模擬量值，分別為組件的開(kāi)路電壓Voc、組件的短路電流 Isc、組件的最大工作電壓Vmax和組件的最大工作電流Imax。由于入射光的能量密度和太 陽(yáng)能電池的面積是固定的，所以不需要采集。信號(hào)處理裝置根據(jù)信號(hào)發(fā)生器輸出的幾路模 擬量值可以得出轉(zhuǎn)化率。信號(hào)發(fā)生器為KEITHLEY 2400 SourceMeter信號(hào)發(fā)生器。
權(quán)利要求
薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于由下述結(jié)構(gòu)構(gòu)成光伏板，在光伏板的一側(cè)設(shè)有光源，光伏板的另一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電體，光伏板設(shè)有導(dǎo)電體一側(cè)的表面設(shè)有測(cè)試區(qū)域，測(cè)試區(qū)域外周為無(wú)硅層，無(wú)硅層通過(guò)導(dǎo)線與信號(hào)發(fā)生器的正極連接，導(dǎo)電體的一端與測(cè)試區(qū)域接觸，導(dǎo)電體的另一端通過(guò)導(dǎo)線與信號(hào)發(fā)生器的負(fù)極連接，信號(hào)發(fā)生器通過(guò)信號(hào)線將模擬量值送給信號(hào)處理裝置，信號(hào)處理裝置根據(jù)接收的模擬量值計(jì)算測(cè)試區(qū)域轉(zhuǎn)換率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于所述光源設(shè)在光伏板的 下方，導(dǎo)電體設(shè)在光伏板的上方，導(dǎo)電體為銀針，銀針另一端與導(dǎo)線之間設(shè)有銅片，銅片與 固定桿一端固定，固定桿的另一端插在支架的滑動(dòng)槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于所述的光伏板設(shè)在平臺(tái) 360度轉(zhuǎn)動(dòng)的滾輪上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于所述的光源為1000W/平 方米的照度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于所述的光源固定在平臺(tái) 下方的燈架上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于所述的光源與調(diào)壓變壓 器連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，其特征在于所述的信號(hào)發(fā)生器輸出 模擬量值為測(cè)試區(qū)域的開(kāi)路電壓、測(cè)試區(qū)域的短路電流、測(cè)試區(qū)域的最大工作電壓和測(cè)試 區(qū)域的最大工作電流。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非晶硅薄膜檢測(cè)裝置，尤其涉及一種薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置。薄膜轉(zhuǎn)換率的檢測(cè)裝置，由下述結(jié)構(gòu)構(gòu)成光伏板，在光伏板的一側(cè)設(shè)有光源，光伏板的另一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電體，光伏板設(shè)有導(dǎo)電體一側(cè)的表面設(shè)有測(cè)試區(qū)域，測(cè)試區(qū)域外周為無(wú)硅層，無(wú)硅層通過(guò)導(dǎo)線與信號(hào)發(fā)生器的正極連接，導(dǎo)電體的一端與測(cè)試區(qū)域接觸，導(dǎo)電體的另一端通過(guò)導(dǎo)線與信號(hào)發(fā)生器的負(fù)極連接，信號(hào)發(fā)生器通過(guò)信號(hào)線將模擬量值送給信號(hào)處理裝置，信號(hào)處理裝置根據(jù)接收的模擬量值計(jì)算測(cè)試區(qū)域轉(zhuǎn)換率。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)效果通過(guò)本發(fā)明可以準(zhǔn)確地分析光伏板產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化率是否與硅層有關(guān)系，判斷在硅層沉積的過(guò)程中是否均勻，組件功率低是否與硅層有關(guān)系。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101833069SQ201010171730
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月14日
發(fā)明者李健 申請(qǐng)人:沈陽(yáng)漢鋒新能源技術(shù)有限公司