專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通常，在制作發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)時，采用固晶膠將發(fā)光二極管晶粒固定于基座上。然，由于固晶膠的導(dǎo)熱性能相對較低，從而發(fā)光二極管晶粒在工作狀態(tài)下所產(chǎn)生的熱量不能被迅速傳遞到基座上，降低整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能，縮短發(fā)光二極管晶粒的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種具較佳散熱性能的發(fā)光二極管。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光二極管晶粒、封裝體及基座，該發(fā)光二極管晶粒固定于該基座上，該封裝體包覆該發(fā)光二極管晶粒，該發(fā)光二極管晶粒與該基座之間設(shè)置一導(dǎo)熱襯底，該導(dǎo)熱襯底包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面，發(fā)光二極管晶粒貼附于導(dǎo)熱襯底的第一表面上，發(fā)光二極管晶粒與導(dǎo)熱襯底貼合處為接觸面，導(dǎo)熱襯底的第一表面的面積大于發(fā)光二極管晶粒的接觸面的面積，導(dǎo)熱襯底的第二表面固定在基座上。上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管晶粒與基座之間設(shè)置導(dǎo)熱性能較佳的導(dǎo)熱襯底，且導(dǎo)熱襯底的面積相對較大，從而發(fā)光二極管晶粒所產(chǎn)生的熱量可以較快的傳遞到基座上，提高整個發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的散熱性能，延長其使用壽命。下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖1為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的的電流-發(fā)光強(qiáng)度曲線圖。圖3為現(xiàn)有技術(shù)的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的電流-發(fā)光強(qiáng)度曲線圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)基座上表面下表面收容孔內(nèi)壁面底面發(fā)光二極管晶粒接觸面導(dǎo)熱襯底
第一表面131第二表面132粘貼材料14封裝體15

具體實施例方式請參閱圖1，本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10，包括基座11、導(dǎo)熱襯底13、發(fā)光二極管晶粒12及封裝體15?；?1包括上表面110及下表面111，上表面110與下表面111相對設(shè)置?；?11內(nèi)凹形成一收容孔112，基座11于收容孔112的外圍形成一內(nèi)壁面113，基座11于收容孔112的底部形成一底面114。該收容孔112提供發(fā)光二極管晶粒12及封裝體15的容置空間，其上寬下窄，基座11的內(nèi)壁面113自上表面110向底面114方向并沿徑向向內(nèi)傾斜。導(dǎo)熱襯底13由高導(dǎo)熱材料制成，例如硅、陶瓷或者銅等金屬材料。導(dǎo)熱襯底13呈薄板狀，其包括相對設(shè)置的第一表面131及第二表面132，第一表面131位于導(dǎo)熱襯底13的頂端，第二表面132位于導(dǎo)熱襯底13的底端。發(fā)光二極管晶粒12貼附于導(dǎo)熱襯底13的第一表面131上，發(fā)光二極管晶粒12與導(dǎo)熱襯底13貼合處為接觸面121。導(dǎo)熱襯底13的第一表面131的面積大于發(fā)光二極管晶粒12的接觸面121的面積，優(yōu)選地，導(dǎo)熱襯底13的第一表面131的面積不小于發(fā)光二極管晶粒12的接觸面121的面積的兩倍。當(dāng)導(dǎo)熱襯底13的材料為硅，導(dǎo)熱襯底13與該發(fā)光二極管晶粒12采用金屬接合方法(metal bonding)結(jié)合在一起。當(dāng)導(dǎo)熱襯底13的材料為陶瓷，導(dǎo)熱襯底13與該發(fā)光二極管晶粒12的結(jié)合方法可以采用金屬結(jié)合方法、溶膠凝膠方法或者涂布方法其中一種。當(dāng)導(dǎo)熱襯底13的材料為金屬，導(dǎo)熱襯底13與該發(fā)光二極管晶粒12的結(jié)合方法可以采用蒸鍍、 電鍍、化學(xué)鍍或者金屬接合。發(fā)光二極管晶粒12與導(dǎo)熱襯底13 —并收容于基座11的收容孔112內(nèi)，且導(dǎo)熱襯底13的第二表面132固定在基座11的底面114上，導(dǎo)熱襯底13與基座11之間通過粘貼材料14(固晶膠或者銀膠)固定。封裝體15填充于基座11的收容孔112中，且包覆發(fā)光二極管晶粒12及導(dǎo)熱襯底13。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10工作時，發(fā)光二極管晶粒12所產(chǎn)生的熱量依次傳遞到導(dǎo)熱襯底13、粘貼材料14及基座11，并最終通過基座11散發(fā)。由于導(dǎo)熱襯底13相對粘貼材料14具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)，發(fā)光二極管晶粒12所產(chǎn)生的熱量可以迅速傳遞到導(dǎo)熱襯底13 的整個第一表面131上，且導(dǎo)熱襯底13的第一表面131的面積大于發(fā)光二極管晶粒12的接觸面121的面積，這使得導(dǎo)熱襯底13與粘貼材料14之間通過導(dǎo)熱襯底13具有面積較大的熱接觸界面，熱量可以較為分散的通過導(dǎo)熱襯底13傳遞到粘貼材料14，進(jìn)而傳遞到基座 11，從而提高整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的熱傳導(dǎo)效率，延長發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的使用壽命。下面以具體實驗數(shù)據(jù)說明本發(fā)明的較佳實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10比現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能強(qiáng)，其中發(fā)光二極管晶粒12的尺寸規(guī)格均為lmmXlmm， 導(dǎo)熱襯底13的第一表面面積為2. 25mm2。從圖2和圖3可以看出，在相同的測試條件下，本發(fā)明的較佳實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10的飽和電流為900mA，而現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的飽和電流僅為450mA。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光二極管晶粒、封裝體及基座，該發(fā)光二極管晶粒固定于該基座上，該封裝體包覆該發(fā)光二極管晶粒，其特征在于該發(fā)光二極管晶粒與該基座之間設(shè)置一導(dǎo)熱襯底，該導(dǎo)熱襯底包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面，發(fā)光二極管晶粒貼附于導(dǎo)熱襯底的第一表面上，發(fā)光二極管晶粒與導(dǎo)熱襯底貼合處為接觸面，導(dǎo)熱襯底的第一表面的面積大于發(fā)光二極管晶粒的接觸面的面積，導(dǎo)熱襯底的第二表面固定在基座上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)熱襯底的第一表面的面積不小于發(fā)光二極管晶粒的接觸面的面積的兩倍。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)熱襯底的材料為陶瓷。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)熱襯底與該發(fā)光二極管晶粒的結(jié)合方法選自金屬結(jié)合、溶膠凝膠方法或者涂布方法其中一種。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)熱襯底的材料為硅，該導(dǎo)熱襯底與該發(fā)光二極管晶粒采用金屬接合方法結(jié)合在一起。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)熱襯底的材料為金屬。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)熱襯底與該發(fā)光二極管晶粒的結(jié)合方法選自蒸鍍、電鍍、化學(xué)鍍或者金屬接合其中一種。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基座內(nèi)凹形成一收容孔， 基座于收容孔的外圍形成一內(nèi)壁面，基座于收容孔的底部形成一底面，發(fā)光二極管晶粒與導(dǎo)熱襯底一并收容于基座的收容孔內(nèi)，導(dǎo)熱襯底固定在基座的底面上，該封裝體填充于該收容孔內(nèi)且包覆發(fā)光二極管晶粒及導(dǎo)熱襯底。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于基座的內(nèi)壁面自上表面向底面方向并沿徑向向內(nèi)傾斜。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于導(dǎo)熱襯底與基座之間通過固晶膠或者銀膠固定。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光二極管晶粒、封裝體及基座，該發(fā)光二極管晶粒固定于該基座上，該封裝體包覆該發(fā)光二極管晶粒，該發(fā)光二極管晶粒與該基座之間設(shè)置一導(dǎo)熱襯底，該導(dǎo)熱襯底包括相對設(shè)置的第一表面及第二表面，發(fā)光二極管晶粒貼附于導(dǎo)熱襯底的第一表面上，發(fā)光二極管晶粒與導(dǎo)熱襯底貼合處為接觸面，導(dǎo)熱襯底的第一表面的面積大于發(fā)光二極管晶粒的接觸面的面積，導(dǎo)熱襯底的第二表面固定在基座上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管的發(fā)光二極管晶粒與基座之間設(shè)置導(dǎo)熱性能較佳的導(dǎo)熱襯底，且導(dǎo)熱襯底的面積相對較大，從而發(fā)光二極管晶粒所產(chǎn)生的熱量可以較快的傳遞到基座上，提高整個發(fā)光二極管的散熱性能，延長其使用壽命。
文檔編號H01L33/64GK102403441SQ20101027200
公開日2012年4月4日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者沈佳輝, 洪梓健 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司