專利名稱：形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種形成金屬硅化物的方法。特別是涉及一種形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，以避免金屬硅化物的管狀鉆出(piping)而造成漏電流的問題。
背景技術：
半導體裝置廣泛使用于各種電子產品中，例如電腦或是移動電話...等物件。簡單來說，一個典型半導體元件是在硅基材上建立柵極，并在柵極兩邊的硅基材中，經由離子注入方法建立具有摻質的源極與漏極。柵極、源極與漏極一起即共同組成了一個典型半導體元件。此時，半導體元件中的柵極、源極與漏極尚需與外部電路形成電連接。一般說來， 由于金屬具有極低的電阻，通常會被選為柵極、源極與漏極與外部電路電連接的電性媒介。由于硅與金屬間單純的歐姆接觸所產生的接面電阻太大，而不利于元件的電性操作，所以還會希望在硅與作為外部電路電性媒介的金屬之間，再額外形成一層可以降低接面電阻的金屬硅化物。此等金屬硅化物的本身的導電度不但夠大，有利于降低硅與金屬間單純的歐姆接觸所產生的接面電阻，并改善元件的電性操作。另一方面，為了增加硅基材中的載流子遷移率，也會想要在硅基材中或是硅基材之上建立應力層，通過調整應力層的應力值，而得到改善的載流子遷移率。但是，一但將增加應力的應力工程納入考量之后，反而會造成金屬硅化物漏電流的問題，特別是因為金屬硅化物的管狀鉆出瑕疵(piping defect)而造成漏電流的問題。還有，在考量到金屬柵極與高介電材料的制作工藝時，也會影響到金屬硅化物的穩(wěn)定性，特別是柵極后制(gate-last)的制作工藝，因為金屬硅化物會比金屬柵極早完成。當金屬柵極比金屬硅化物還要晚完成的時候，會產生熱預算顧慮(thermal budget concern)、交叉污染(cross-contamination)與缺陷議題(defect issue)。為了要解決金屬硅化物的管狀鉆出瑕疵(piping defect)而造成漏電流的問題， 以及金屬柵極比金屬硅化物還要晚完成所產生的熱預算顧慮(thermalbudget concern), 交叉污染(cross-contamination)與缺陷議題...等種種困難，勢必需要一種新的形成金屬硅化物的方法，特別是形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，以解決上述問題，同時獲得制作工藝整合上的好處。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種新的形成金屬硅化物的方法，特別是形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法。使用本發(fā)明發(fā)法可以解決金屬硅化物的管狀鉆出瑕疵(piping defect)而造成漏電流的問題。另外，對于金屬柵極比金屬硅化物還要晚完成的制作工藝中，所遭遇至Ij的熱預算尼頁慮(thermal budgetconcern)、交叉污染(cross-contamination) 與缺陷議題...等種種困難，本發(fā)明新的形成金屬硅化物的方法也可以使得上述問題迎刃而解。另外，本發(fā)明形成金屬硅化物的方法同時還可以獲得制作工藝整合上的好處。為達上述目的，本發(fā)明一方面提出一種形成金屬硅化物的方法，特別適用于接觸插塞中。首先，提供一基材。其次，在基材上形成一柵極結構，此柵極結構包含一硅層、一柵極介電層與至少一間隙壁。然后，形成一組源極與漏極，其位于基材中并鄰近柵極結構。繼續(xù)，形成一層間介電層，其覆蓋柵極結構、源極與漏極。再來，選擇性移除層間介電層，以暴露柵極結構。之后，在層間介電層中形成多個接觸洞，以暴露部分的基材。接下來，將暴露的基材反應以形成所需的金屬硅化物。在本發(fā)明一較佳實施態(tài)樣中，形成金屬硅化物的步驟可以是，先使用一接觸金屬填入多個接觸洞中，使得接觸金屬直接接觸源極與漏極，接下來進行一退火步驟，使得接觸金屬與基材反應形成金屬硅化物。在本發(fā)明另一較佳實施態(tài)樣中，還可以形成位于接觸洞中的源極接觸插塞與漏極接觸插塞，其直接接觸金屬硅化物。本發(fā)明另一方面提出一種形成金屬硅化物的方法，特別適用于接觸插塞中。首先， 提供一柵極結構。此柵極結構位于一基材上，并包含一柵極填充層(dummy gate)。其次，形成一組源極與漏極，其位于基材中并鄰近柵極結構。然后，形成一層間介電層，其覆蓋源極與漏極，并暴露柵極結構。繼續(xù)，選擇性移除柵極填充層。接下來，在層間介電層中形成多個接觸洞，以暴露源極與漏極。跟著，使用一接觸金屬填入多個接觸洞中，使得接觸金屬直接接觸源極與漏極。再來，進行一退火步驟，使得接觸金屬與基材反應形成金屬硅化物。在本發(fā)明一較佳實施態(tài)樣中，還可以形成位于接觸洞中的源極接觸插塞與漏極接觸插塞，其直接接觸金屬硅化物。在本發(fā)明另一較佳實施態(tài)樣中，在形成多個接觸洞之前，還可以形成一金屬柵極以取代柵極填充層?；蚴?，在本發(fā)明又一較佳實施態(tài)樣中，可以使用接觸金屬取代柵極填充層以形成一金屬柵極。使用本發(fā)明方法所形成的金屬硅化物，可以將金屬硅化物局限在所需要的地方。 使用本發(fā)明方法可以解決金屬硅化物的管狀鉆出瑕疵(piping defect)而造成漏電流的問題。另外，對于金屬柵極比金屬硅化物還要晚完成的制作工藝中，所遭遇到的熱預算顧慮 (thermal budget concern)(cross-contamination). . . 禾中禾中0 難，本發(fā)明新的形成金屬硅化物的方法也可以使得上述問題迎刃而解。因此，本發(fā)明形成金屬硅化物的方法同時還可以獲得制作工藝整合上的好處。


圖1-圖8為本發(fā)明形成金屬硅化物方法的示意圖；圖9-圖12為本發(fā)明形成金屬硅化物方法的示意圖。主要元件符號說明101 基材102金屬硅化物110柵極結構111 硅層112柵極介電層113第一間隙壁114第二間隙壁120 源極125源極接觸插塞130 漏極
135漏極接觸插塞140應力層140蝕刻停止層150層間介電層151接觸洞152接觸金屬153插塞金屬巧4阻障材料201 基材210柵極結構211柵極填充層212柵極介電層213第一間隙壁214第二間隙壁215柵極材料層220 源極225源極接觸插塞230 漏極235漏極接觸插塞250層間介電層251接觸洞252接觸金屬253插塞金屬254阻障材料
具體實施例方式本發(fā)明一方面提供一種形成金屬硅化物的方法，特別適用于接觸插塞中，而可以解決金屬硅化物的管狀鉆出瑕疵而造成漏電流的問題。請參考第圖1-圖6，例示本發(fā)明形成金屬硅化物方法的示意圖。首先提供基材101?；?01可以為一半導體基材，例如硅。 其次，在基材101上形成一柵極結構110。柵極結構110包含硅層111、柵極介電層112與間隙壁。柵極結構110的間隙壁可以為單一間隙壁或是復合間隙壁。柵極結構110的復合間隙壁可以是情況需要在制作工藝中移除，或是成為永久結構的一部分。另外，如圖1所示，在柵極結構110兩側形成一組源極120與漏極130。如果需要對柵極通道施加所需的應力，源極120與漏極130至少其中一者可以為硅與其他材料的外延結構。源極120與漏極130分別位于基材101中并鄰近柵極結構110。源極120與漏極 130的形成步驟可以和柵極結構110的形成步驟相關。例如，在柵極結構110的第一間隙壁113完成后，以柵極結構110自身作為掩模， 進行淺摻雜步驟，而在柵極結構Iio兩側形成一組淺摻雜區(qū)域121。之后，在柵極結構110 的第二間隙壁114完成后，再進行一源極120與漏極130摻雜步驟，而在柵極結構110兩側形成一組源極120與漏極130。此時，可以視情況移除第一間隙壁113與第二間隙壁114的至少一者。圖1例示柵極結構110具有復合間隙壁，第一間隙壁113與第二間隙壁114。如果需要對柵極通道施加所需的應力，可以先移除第一間隙壁113與第二間隙壁 114的至少一者，再形成視情況所需覆蓋柵極結構110、源極120與漏極130的應力層140。 或者是源極220與漏極230至少其中一者可以為凹入式結構，然后再填入適當的外延材料， 形成應力層。又或者是上述兩種方式并行。如果需要形成蝕刻停止層，即可在完成源極120 與漏極130之后形成視情況所需要覆蓋柵極結構110、源極120與漏極130的蝕刻停止層 140。在本發(fā)明一較佳實施態(tài)樣中，所需的應力層也可作為蝕刻停止層之用。圖2例示應力層140也作為蝕刻停止層140之用。接著，如圖3所示，形成層間介電層150。層間介電層150會覆蓋已經完成的柵極結構110、源極120、漏極130與視情況所需要的應力層140或是蝕刻停止層140。層間介電層150通常為單一絕緣材料或多個絕緣材料的組合，例如硅氧化物、氮化物、碳化物、高介電系數材料的任意組合?？梢韵仁褂贸练e法，使得層間介電層150會完全覆蓋柵極結構 110、源極120、漏極130。然后再移除部分的層間介電層150，例如使用化學機械拋光法，使得層間介電層150中的硅層111部分暴露出來。然后，如圖4所示，選擇性移除部分的層間介電層150，以形成所需的接觸洞151。 如果應力層140或是蝕刻停止層140存在時，接觸洞151也會穿透應力層140或是蝕刻停止層140，而暴露出層間介電層150下方部分的基材101，通常為源極120與漏極130，而得以形成后續(xù)所需的電連接之用。形成多個接觸洞151的方法可以是使用光刻方法配合蝕亥IJ，而得到所需形狀與尺寸的接觸洞151。例如，如圖4所示，接觸洞151可以為單一的方形 (square)或是連續(xù)的條狀(slot)。另外，源極和漏極的接觸洞151形狀可相同或可不同， 而源極和漏極的接觸洞151尺寸也可相同或不同。接下來，如圖5所示，將基材101與適當的金屬反應而形成所需的金屬硅化物102。 形成所需的金屬硅化物102的方式可以是，例如，先用一適當的接觸金屬152，例如鎳、鈷或是鈦，填入接觸洞151中，使得接觸金屬152直接接觸源極120與漏極130。再來，就可以進行一退火步驟，使得接觸金屬152與基材101反應形成所需的金屬硅化物102。多余未反應的接觸金屬152可以再行移除。在移除未反應的接觸金屬152后可選擇性的退火步驟， 更進一步地降低金屬硅化物的阻值。視情況需要，接觸金屬152也可以直接接觸柵極結構 110中的硅層111，使得接下來的退火步驟，接觸金屬152也會與硅層111反應形成所需的金屬硅化物102。俟所需的金屬硅化物102完成后，就可以在接觸洞151中分別形成所需的源極接觸插塞125與漏極接觸插塞135如圖6所示。源極接觸插塞125與漏極接觸插塞135會分別位于接觸洞151之中并直接接觸背景所形成的金屬硅化物102。形成所需的源極接觸插塞125與漏極接觸插塞135的方式可以是，例如，使用一適當的插塞金屬153，例如鎢，填入接觸洞151中。視情況需要，可以使用至少兩種插塞材料，例如插塞金屬153與阻障材料 154，以形成源極接觸插塞125與漏極接觸插塞135中的至少一者。形成阻障材料154的參數，例如材料或是厚度，可以略做調整以得到最佳的應力效果。此處，填入源極與漏極的插塞材料可為相同材料或不同材料。本發(fā)明在另一方面提供一種形成金屬硅化物的方法，特別適用于接觸插塞中，而可以解決金屬硅化物的管狀鉆出瑕疵而造成漏電流的問題。請參考圖7-圖12，例示本發(fā)明形成金屬硅化物方法的示意圖。首先，提供基材201?；?01可以為一種半導體基材，例如硅。其次，在基材201上形成一柵極結構210。柵極結構210可以是硅柵極結構或是金屬柵極結構。柵極結構210如果是金屬柵極結構，一方面其中的高介電常數柵極介電層212 可在形成柵極填充層(dummy gate) 211前業(yè)已預先完成。另一方面，也可以先不形成高介電常數柵極介電層212，而是等到柵極填充層211移除后才完成，后續(xù)再進行金屬柵極的部分。因此，柵極結構210可能會包含視情況需要的柵極介電層212。例如，可為硅氧化層單一層，或硅氧化層與高介電常數介電層的復合層，或硅氧化層、高介電常數介電層與其他絕緣材料的復合層。柵極結構210還可以包含視情況需要的選擇性的金屬蝕刻阻障層、 柵極填充層(dummy gate) 211、墊氧化硅層、墊氮氧化硅層與間隙壁。金屬蝕刻阻障層通常位于柵極填充層211與柵極介電層212之間。柵極結構210如果是金屬柵極結構，此時的柵極填充層211可以為非晶硅、多晶硅、摻有摻質的多晶硅或硅鍺材料。柵極結構210的間隙壁可以為單一間隙壁或是復合間隙壁。例如，例示柵極結構210具有單一間隙壁213。 柵極結構210的復合間隙壁可以是情況需要在制作工藝中移除，或是成為永久結構的一部分。墊氧化硅層、墊氮氧化硅層在形成柵極填充層211時便形成。另外，如圖7所示，在柵極結構210兩側形成一組源極220與漏極230。如果需要對柵極通道施加所需的應力，源極220與漏極230至少其中一者可以為硅與其他材料的外延，以局限應力。源極220與漏極230分別位于基材201中并鄰近柵極結構210。源極220 與漏極230的形成步驟可以和柵極結構210的形成步驟相關。例如，在柵極結構210的間隙壁213完成后，以柵極結構210自身作為掩模，進行淺摻雜步驟，而在柵極結構210兩側形成一組淺摻雜區(qū)域221。之后，在柵極結構210的第二間隙壁214完成后，再進行一源極 220與漏極230摻雜步驟，而在柵極結構210兩側形成一組源極220與漏極230。此時，可以視情況移除第一間隙壁213與第二間隙壁214的至少一者。同樣地，除了于凹入式結構填入外延材料之外，也可形成覆蓋應力層，又或者是上述兩種方式并行。如果需要增加對柵極通道施加所需的應力，可以先移除第一間隙壁213 與第二間隙壁214的至少一者，再形成視情況所需覆蓋柵極結構210、源極220與漏極230 的應力層。如果需要形成蝕刻停止層，即可在完成源極220與漏極230之后形成視情況所需要覆蓋柵極結構210、源極220與漏極230的蝕刻停止層。在本發(fā)明一較佳實施態(tài)樣中， 所需的應力層也可作為蝕刻停止層之用。接著，如圖8所示，形成層間介電層250。層間介電層250會覆蓋已經完成的柵極結構210、源極220、漏極230與視情況所需要的應力層或是蝕刻停止層。層間介電層250 通常為單一絕緣材料或多個絕緣材料的組合，例如硅氧化物、氮化物、碳化物、高介電系數材料的任意組合?？梢韵仁褂贸练e法，使得層間介電層250會完全覆蓋柵極結構210、源極 220、漏極230。然后再移除部分的層間介電層250，例如使用化學機械拋光法，使得柵極結構210中的柵極填充層211部分暴露出來。然后，移除柵極填充層211，而停止在視情況需要的金屬蝕刻阻障層上或停在柵極介電層上212。視所使用材料的不同，移除柵極填充層211的適當方法也不同，但當使用硅材作為柵極填充層211時，會使用氫氧化四甲銨(TMAH)或氨水。然而，無論何等方法，皆為本技術人士所熟知，故不在此多加贅述。接下來，回填適當材料以取代柵極填充層211，而形成柵極材料層215與柵極介電層212。視情況需要，如果在形成柵極材料層215之前才形成柵極介電層212，則所形成的柵極介電層212會是U形的，如圖11所示。本實施例中的柵極材料層215特別適合用于一金屬柵極之中，例如包含有P型或N型的功函數金屬材料。移除柵極填充層211時可以一倂考慮移除墊氧化硅層/墊氮氧化硅層。此外，回填一適當材料以取代柵極填充層211，可以與形成金屬硅化物有關或是無關。例如，如圖9所示，若是回填一適當材料以取代柵極填充層211且與形成金屬硅化物無關時，可以在柵極填充層211部分暴露出來后，移除柵極填充層211，并回填適當的材料以取代柵極填充層211，而形成金屬柵極。金屬柵極包含柵極材料層215與柵極介電層212。 柵極介電層212可以為一高介電常數的絕緣材料。例如，Lei2O3, Ta205、Ti02、Hf02、&02、Al203、 Lii2O3、或是Pr203。柵極材料層215則可以為適當的金屬，例如，鈦、氮化鈦、鈷、鎳、鉬或銥，或是金屬氮化物，或金屬碳化物。如果沒有移除墊氧化硅層/墊氮氧化硅層，最終的結構中， 柵極介電層212下方即存在有墊氧化硅層/墊氮氧化硅層。例如，若是回填一適當材料以取代柵極填充層211與形成金屬硅化物有關時，可以先移除柵極填充層211再選擇性移除部分的層間介電層250，以形成所需的接觸洞251， 或先選擇性移除部分的層間介電層250再移除柵極填充層211，如圖10所示。移除柵極填充層211時可停在視情況需要的金屬蝕刻阻障層上或停在柵極介電層212上。如果應力層或是蝕刻停止層存在時，接觸洞251也會穿透應力層或是蝕刻停止層，而暴露出層間介電層250下方的源極220與漏極230，而得以形成后續(xù)所需的電連接。圖10例示應力層或是蝕刻停止層均不存在的實施態(tài)樣。形成多個接觸洞251的方法可以是使用光刻方法配合蝕亥IJ，而得到所需形狀與尺寸的接觸洞251。例如，接觸洞251可以為單一的方形結構或是連續(xù)的條狀結構。源極與漏極的接觸洞251形狀可相同或不同，而源極與漏極的接觸洞251 尺寸也可以相同或不同。接下來，如圖11所示，先使用柵極介電層212取代部分被移除的柵極填充層211， 然后再用適當的金屬取代部分被移除的柵極填充層211，接著將基材201與金屬反應而形成所需的金屬硅化物202。形成所需的金屬硅化物202的方式可以是，例如，先用一適當的接觸金屬252，例如鎳、鈷或是鈦，通過物理氣相沉積或是無電極電鍍方法，在適當溫度與適當壓力下來將接觸金屬252填入接觸洞251中，使得接觸金屬252直接接觸源極220與漏極230。此時，接觸金屬252也取代部分被移除的柵極填充層211。再來，就可以進行一退火步驟，使得接觸金屬252與基材201反應形成所需的金屬硅化物202。部分的接觸金屬 252則形成金屬柵極。反應后的接觸金屬252可以無需剝除。例如使用化學機械拋光方法來移除多余的接觸金屬252，并部分留在接觸洞251中作為電連接之用。在本發(fā)明的另一實施例中，所需的金屬硅化物202完成后，可以將接觸洞中未反應的接觸金屬252移除，并在接觸洞251中分別形成所需的源極接觸插塞225與漏極接觸插塞235如圖12所示。源極接觸插塞225與漏極接觸插塞235會分別位于接觸洞之中并直接接觸背景所形成的金屬硅化物202。形成所需的源極接觸插塞225與漏極接觸插塞235 的方式可以是，例如，使用一適當的插塞金屬253，例如鎢，填入接觸洞251中。視情況需要， 可以使用至少兩種插塞材料，例如插塞金屬253與阻障材料254，以形成源極接觸插塞225 與漏極接觸插塞235。形成阻障材料254的參數，例如材料或是厚度，可以略做調整以得到
9最佳的應力效果。此處，填入源極與漏極的插塞材料可為相同材料或不同材料。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的等同變化與修
飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，包含 提供一基材；在該基材上形成一柵極結構，該柵極結構包含一硅層、一柵極介電層與至少一間隙壁；形成一組源極與漏極，其位于該基材中并鄰近該柵極結構； 形成一層間介電層，其覆蓋該柵極結構、該源極與該漏極； 選擇性移除該層間介電層，以暴露該柵極結構 在該層間介電層中形成多個接觸洞，以暴露部分基材；以及將接觸洞暴露出的該部分基材反應成該金屬硅化物。
2.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中在形成該層間介電層前，移除至少一該間隙壁。
3.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，還包含使用一接觸金屬填入多個該接觸洞中，該接觸金屬直接接觸該源極與漏極；以及進行一退火步驟，使得該接觸金屬與該基材反應形成該金屬硅化物。
4.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中在形成該層間介電層前，還包含形成一蝕刻停止層，其覆蓋該柵極結構、該源極與該漏極，使得該多個接觸洞穿透該蝕刻停止層以暴露該源極與漏極。
5.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用一化學機械拋光以選擇性移除該層間介電層。
6.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中在該多個接觸洞中，分別形成一源極接觸插塞與一漏極接觸插塞，其位于該接觸洞的至少一者中并直接接觸該金屬硅化物。
7.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中該源極以及該漏極至少其中一者包含一凹入式結構。
8.如權利要求3所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中進行該退火步驟，使得該接觸金屬與該柵極結構反應形成該金屬硅化物。
9.如權利要求3所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中在該退火步驟后，使用化學機械拋光移除該接觸金屬。
10.如權利要求1所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用至少兩種插塞材料以形成該源極接觸插塞與該漏極接觸插塞的至少一者，該插塞材料選自一插塞金屬與一阻障材料。
11.一種形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，包含提供一柵極結構，該柵極結構位于一基材上，并包含一柵極填充層(dummy gate)； 形成一組源極與漏極，其位于該基材中并鄰近該柵極結構； 形成一層間介電層，其覆蓋該源極與該漏極，并暴露該柵極結構； 選擇性移除該柵極填充層在該層間介電層中形成多個接觸洞，以暴露該源極與漏極； 使用一接觸金屬填入多個該接觸洞中，該接觸金屬直接接觸該源極與漏極；以及進行一退火步驟，使得該接觸金屬與該基材反應形成該金屬硅化物。
12.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中在形成多個該接觸洞之前，還包含形成一金屬柵極以取代該柵極填充層，該金屬柵極包含一柵極金屬與一金屬柵極介電層。
13.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用該接觸金屬取代該柵極填充層以形成一金屬柵極，該金屬柵極包含該接觸金屬與一金屬柵極介電層。
14.如權利要求13所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中該接觸金屬填入多個該接觸洞中，同時形成該金屬柵極。
15.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用一化學機械拋光以選擇性移除該層間介電層而暴露該柵極結構。
16.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用一物理氣相沉積與一無電極電鍍的至少一者，在一適當溫度與一適當壓力下來填入該接觸金屬。
17.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中該源極以及該漏極至少其中一者包含一凹入式結構。
18.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用化學機械拋光移除該接觸金屬。
19.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中使用至少兩種插塞材料以形成該源極接觸插塞與該漏極接觸插塞的至少一者，該插塞材料選自一插塞金屬與一阻障材料。
20.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，其中該源極接觸插塞與該漏極接觸插塞的至少一者具有一條狀(slot)結構。
21.如權利要求11所述的形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法，還包含形成一源極/漏極接觸插塞，位于該接觸洞的至少一者中并直接接觸該金屬硅化物。
全文摘要
本發(fā)明公開一種形成用于接觸插塞的金屬硅化物的方法。首先，提供一基材。其次，在基材上形成一柵極結構，此柵極結構包含一硅層、一柵極介電層與至少一間隙壁。然后，形成一組源極與漏極，其位于基材中并鄰近柵極結構。繼續(xù)，形成一層間介電層，其覆蓋柵極結構、源極與漏極。再來，選擇性移除層間介電層，以暴露柵極結構。之后，在層間介電層中形成多個接觸洞，以暴露部分的基材。接著，將暴露的基材反應形成金屬硅化物。
文檔編號H01L21/283GK102456559SQ20101052465
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月26日 優(yōu)先權日2010年10月26日
發(fā)明者何念葶, 賴國智, 陳意維, 黃建中 申請人:聯華電子股份有限公司