專利名稱：一種中高壓陽極鋁箔的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陽極鋁箔的制造方法，尤其涉及一種中高壓陽極鋁箔的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，鋁電解電容器的應(yīng)用更加廣泛，性能要求也越來越高。 鋁電解電容器用腐蝕化成箔是電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)元器件類產(chǎn)品的電子專用材料，中高壓鋁 電解電容器腐蝕化成箔市場供不應(yīng)求。作為電壓超過200V的中高壓電解電容器用腐蝕化 成箔，質(zhì)量要求高、生產(chǎn)難度大，國內(nèi)只有少數(shù)廠家生產(chǎn)，但性能滿足不了用戶的使用要求， 因而迫切要求在保證腐蝕鋁箔彎折強(qiáng)度的前提下比容不斷提高。高壓電解電容器陽極用腐 蝕箔的比容更是制約高壓大容量電解電容器體積的關(guān)鍵所在。除了光箔自身質(zhì)量外，對于鋁電解電容用鋁箔，腐蝕工藝是獲得高比容、高強(qiáng)度等 優(yōu)異性能的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。腐蝕是化成箔制造的前道工序。腐蝕箔比容是化成箔比容的基 礎(chǔ)和關(guān)鍵。為獲得滿意性能，腐蝕工藝多種多樣，但有些工藝在獲得優(yōu)良性能的同時(shí)卻帶入 了令人頭痛的環(huán)保問題(如鉻酸-氫氟酸體系)。為此，人們致力于高性能環(huán)保型的腐蝕工 藝開發(fā)研究。近年來，國內(nèi)以鹽酸-硫酸或鹽酸_硫酸_硝酸為代表的腐蝕工藝體系使腐 蝕鋁箔比容發(fā)生了質(zhì)的飛躍，性能得以大幅提高。一般來說，陽極鋁箔的制造方法如下光箔一 > 腐蝕一 > 化成。其中，腐蝕箔的制 造工藝如下光箔預(yù)處理、一次腐蝕發(fā)孔、清洗、二次腐蝕擴(kuò)孔、清洗、清洗后處理、干燥爐烘 干、腐蝕箔成品。在一次腐蝕發(fā)孔時(shí)，光箔從銅滾送入酸液槽進(jìn)行直流電解腐蝕，直流電流 一般大于5000A，因此容易導(dǎo)致光箔發(fā)熱膨脹變形，從而影響腐蝕效果。此外，銅滾是消耗 品，發(fā)熱會影響銅滾使用壽命，增加生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種中高壓陽極鋁箔的制造方法，避免光箔在 一次腐蝕發(fā)孔中發(fā)熱變形，提高腐蝕箔的比容。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種中高壓陽極鋁箔的制 造方法，依次包括如下步驟
1)光箔預(yù)處理；
2)將光箔放入氯離子和硫酸根離子比例為1:9. 5 16的酸性溶液中，施加交直流疊
加比例為1 :1. 5 2. 5的電流進(jìn)行一次腐蝕發(fā)孔，所述交直流電流密度為330 360mA/
2
cm ；
3)一次清洗后在酸性溶液中進(jìn)行二次腐蝕擴(kuò)孔；
4)二次清洗、干燥爐烘干后得腐蝕箔成品；
5)化成處理后得中高壓陽極鋁箔成品。上述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其中，所述一次腐蝕發(fā)孔的酸性溶液含有濃度為2 15%鹽酸，濃度為2 10%硫酸。上述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其中，所述二次擴(kuò)孔的酸性溶液為鹽酸、硝 酸、磷酸的一種或其組合物。上述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其中，所述二次擴(kuò)孔的酸性溶液中含有添加 劑聚苯乙烯磺酸鈉、聚乙二醇、羧甲基纖維素鈉、硫脲的一種或它們的混合物。上述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其中，所述光箔厚度為llOum。本發(fā)明對比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果本發(fā)明提供的中高壓陽極鋁箔的制造方 法，通過交直流疊加減少發(fā)熱，防止鋁箔因發(fā)熱變形而影響點(diǎn)蝕效果。此外，交流電流可以 對光箔表面位錯(cuò)和缺陷部分進(jìn)行點(diǎn)蝕，提高了鋁箔的擴(kuò)面率，大幅度提高了其比容。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖
和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。本發(fā)明的中高壓陽極鋁箔的制造方法依次包括如下步驟
1)提供IlOum厚的光箔，并對光箔進(jìn)行預(yù)處理；
2)將光箔放入氯離子和硫酸根離子比例為1:9.5 16的酸性溶液中，其中，鹽酸濃度 為2 15%，硫酸濃度為2 10% ；施加交直流疊加比例為1 :1. 5 2. 5的電流進(jìn)行一次 腐蝕發(fā)孔，所述交直流電流密度為330 360mA/cm2 ；
3)一次清洗后在酸性溶液中進(jìn)行二次腐蝕擴(kuò)孔；所述二次擴(kuò)孔的酸性溶液為鹽酸、硝 酸、磷酸的一種或其組合物，二次擴(kuò)孔的酸性溶液含有添加劑聚苯乙烯磺酸鈉、聚乙二醇、 羧甲基纖維素鈉、硫脲的一種或它們的混合物；
4)二次清洗、干燥爐烘干后得腐蝕箔成品；
5)化成處理后得中高壓陽極鋁箔成品。電流密度是一個(gè)矢量，以j表示。其方向?yàn)檎姾傻倪\(yùn)動方向，大小為單位時(shí)間內(nèi) 垂直穿過單位面積的電荷量。電流密度能精確描述電流場中每一點(diǎn)的電流的大小和方向， 其描述能力優(yōu)于電流強(qiáng)度。通常所說的電流分布實(shí)際上是指電流密度j的分布，而電流的 強(qiáng)弱和方向在嚴(yán)格的意義上應(yīng)該是指電流密度的大小和方向。本發(fā)明采用交直流疊加進(jìn)行 一次腐蝕發(fā)孔，由于光箔發(fā)熱主要由直流電流引起，因此降低直流電流可以防止鋁箔因發(fā) 熱而變形。同時(shí)，交流電流可以對光箔表面位錯(cuò)和缺陷部分進(jìn)行點(diǎn)蝕，因此降低直流電流增 加交流電流后，提高了鋁箔的擴(kuò)面率，大幅度提高了其比容。比如，對兩根電極棒分別施加2600A的直流電流進(jìn)行一次腐蝕發(fā)孔，所得鋁箔的 比容約為0. 66 ；在同樣的條件下，對兩根電極棒分別施加1600A的直流電流，同時(shí)再對另兩 根電極棒施加1000A的交流電流，采用交直流疊加方式進(jìn)行一次腐蝕發(fā)孔，所得鋁箔的比 容由0. 66提高到0.71。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范 圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種中高壓陽極鋁箔的制造方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步驟1) 光箔預(yù)處理；2) 將光箔放入氯離子和硫酸根離子比例為19.5～16的酸性溶液中，施加交直流疊加比例為11.5～2.5的電流進(jìn)行一次腐蝕發(fā)孔，所述交直流電流密度為330～360mA/cm2；3) 一次清洗后在酸性溶液中進(jìn)行二次腐蝕擴(kuò)孔；4) 二次清洗、干燥爐烘干后得腐蝕箔成品；5) 化成處理后得中高壓陽極鋁箔成品。
2.如權(quán)利要求1所述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其特征在于，所述一次腐蝕發(fā)孔 的酸性溶液含有濃度為2 15%鹽酸，濃度為2 10%硫酸。
3.如權(quán)利要求1所述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其特征在于，所述二次擴(kuò)孔的酸 性溶液為鹽酸、硝酸、磷酸的一種或其組合物。
4.如權(quán)利要求1所述的中高壓陽極鋁箔的制造方法，其特征在于，所述二次擴(kuò)孔的酸 性溶液中含有添加劑聚苯乙烯磺酸鈉、聚乙二醇、羧甲基纖維素鈉、硫脲的一種或它們的混 合物。
5.如權(quán)利要求1至4所述的任一中高壓陽極鋁箔的制造方法，其特征在于，所述光箔厚 度為llOum。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種中高壓陽極鋁箔的制造方法，依次包括如下步驟1)光箔預(yù)處理；2)將光箔放入氯離子和硫酸根離子比例為19.5～16的酸性溶液中，施加交直流疊加比例為11.5～2.5的電流進(jìn)行一次腐蝕發(fā)孔，所述交直流電流密度為330～360mA/cm2；3)一次清洗后在酸性溶液中進(jìn)行二次腐蝕擴(kuò)孔；4)二次清洗、干燥爐烘干后得腐蝕箔成品；5)化成處理后得中高壓陽極鋁箔成品。本發(fā)明提供的中高壓陽極鋁箔的制造方法，通過交直流疊加減少發(fā)熱，防止鋁箔因發(fā)熱變形而影響點(diǎn)蝕效果。此外，交流電流可以對光箔表面位錯(cuò)和缺陷部分進(jìn)行點(diǎn)蝕，提高了鋁箔的擴(kuò)面率，大幅度提高了其比容。
文檔編號H01G9/055GK101964256SQ20101053080
公開日2011年2月2日 申請日期2010年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月4日
發(fā)明者張方亭, 王偉 申請人:南通華冠電子科技有限公司