專利名稱：發(fā)光組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光組件。
背景技術(shù)：
目前發(fā)光二極管普遍有電流分散不佳的問題。就一般發(fā)光二極管而言，發(fā)光層結(jié)構(gòu)上設(shè)有電極墊以導(dǎo)入電流。一般增進電流分散的方式多于發(fā)光層結(jié)構(gòu)上形成電流擴散層，再在電流分散層上設(shè)置電極墊。電極墊一般為金屬材質(zhì)，因此會遮蔽發(fā)光層結(jié)構(gòu)，造成光取出效率不佳。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光組件，其包括一載體，具有第一側(cè)及第二側(cè)；一半導(dǎo)體發(fā)光薄膜位于所述的載體的第一側(cè)上，依序包括一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、一活性層、以及一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；一第一電極結(jié)構(gòu)電連接至所述的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層， 包括一主要電極，圍繞所述的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜、一延伸電極，自所述的主要電極延伸至所述的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上、以及一電極墊，與所述的主要電極相連接。


圖IA為符合本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光組件上視圖；圖IB為圖IA中A-A，線段的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖IC為圖IA中B-B，線段的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2A為符合本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光組件上視圖；圖2B為圖2A中A-A，線段的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3A為符合本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光組件上視圖；圖;3B為圖3A中A-A，線段的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖4A為符合本發(fā)明的第四實施例的發(fā)光組件上視圖；圖4B為圖4A中A-A，線段的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖4C為符合本發(fā)明的第五實施例的發(fā)光組件剖視圖；以及圖4D為符合本發(fā)明的第六實施例的發(fā)光組件剖視圖。主要組件符號說明10 半導(dǎo)體發(fā)光薄膜；IOA 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；IOB 活性層；IOC 第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；12 載體；12A 載體的一側(cè)；12B 載體的另一側(cè)；14 接合層；16 絕緣結(jié)構(gòu)；18A 電極墊；18B 主要電極；18C 延伸電極；18D 輔助電極；19 反射層； 21 第二電極結(jié)構(gòu)；25 波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)；27 保護結(jié)構(gòu)；100、200、300、400、400， 發(fā)光組件。
具體實施例方式
3
圖IA為本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件100的上視圖，其中A-A’方向的剖視圖如圖 IB所示，而其B-B’方向的剖視圖如圖IC所示。首先，在一成長基板(未圖示)上形成半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10，包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C、活性層10B、及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10A。 半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10可為磊晶成長的GaN材料系列為主的疊層結(jié)構(gòu)、AlInGaP材料系列為主的疊層結(jié)構(gòu)、或其它適用的半導(dǎo)體材料系列的疊層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明一實施例中，半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的面積約介于0. 25mm2至25mm2之間，或較佳地介于Imm2至25mm2之間。上述的第一導(dǎo)電型與第二導(dǎo)電型為相異的導(dǎo)電型。舉例來說，當?shù)谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層IOA為ρ型半導(dǎo)體層時，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC即為η型半導(dǎo)體層；反之亦然。接著，形成一反射層19 在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOA上，并將反射層19藉由一接合層14貼合至載體12的一側(cè)12Α 上。之后，移除成長基板以露出第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C。其中，接合層14可先形成于反射層19上再貼合至載體12 ；或先形成于載體12上再與反射層19貼合；也可分別形成于反射層19及載體12上再互相接合。載體12可具有導(dǎo)電性，其材料包含金屬，如包含至少一種材料選自于銅、鋁、鎳、鉬、及鎢所組成的群組，或包含半導(dǎo)體材質(zhì)，如硅或碳化硅等材質(zhì)。接合層14的材料包含金屬或金屬合金，如包含至少一種材料選自于金、銀、鋁、銦、錫、鉛、及其合金所組成的群組、或包含金屬氧化物，如氧化銦錫等導(dǎo)電材質(zhì)。接著蝕刻部分的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10以露出部分的反射層19，并形成絕緣結(jié)構(gòu)16于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的側(cè)壁及反射層19上。在本發(fā)明一實施例中，絕緣結(jié)構(gòu)16覆蓋載體12的一側(cè)12Α及半導(dǎo)體發(fā)光薄膜 10的側(cè)壁，但露出半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C。絕緣結(jié)構(gòu)16可包含二氧化硅、氮化硅、或氧化鋁等材料。接著形成一第一電極結(jié)構(gòu)電連接至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C。所述的第一電極結(jié)構(gòu)主要由電極墊18Α、主要電極18Β、與延伸電極18C組成。如圖IA所示，主要電極18Β圍繞半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10并連接至電極墊18Α，具體而言，電極墊18Α及/或主要電極18Β系形成于載體12未被半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10覆蓋的區(qū)域上。在本發(fā)明一實施例中，主要電極18Β 與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC并不直接接觸，兩者之間以一間隙隔開。 由圖IA可知，主要電極18Β實質(zhì)上位于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10以外區(qū)域且位于的絕緣結(jié)構(gòu)16 之上，因此并不會覆蓋至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C。主要電極18Β不位于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜 10的出光面上，因此可消除電極遮光問題。因此為傳導(dǎo)電極墊的電流，主要電極18Β的尺寸設(shè)計符合電流傳導(dǎo)及電流分散要求即可，而不用受限于遮光問題的考慮。主要電極18Β 的其寬度可等同于或小于電極墊18Α的寬度，使具有良好的電流傳導(dǎo)效果而且不影響發(fā)光組件的電性，如串聯(lián)電阻或順向電壓等。在本發(fā)明一實施例中，主要電極18Β的寬度可介于 5 μ m至100 μ m之間，或較佳為21 μ m至100 μ m之間以應(yīng)用于高功率發(fā)光組件，或為51 μ m 至100 μ m之間以應(yīng)用于更高功率的發(fā)光組件。如圖IA所示，延伸電極18C自主要電極18B延伸至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC并與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC形成奧姆接觸，并將電流自主要電極18B均勻傳導(dǎo)及分散至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C。于本發(fā)明的一實施例，延伸電極18C自第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC的各邊延伸至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC上并與之形成奧姆接觸；于本發(fā)明的另一實施例，延伸電極18C自第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC的二個相對角落延伸至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC上并與之形成奧姆接觸；于本發(fā)明的另一實施例，延伸電極18C自第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC的二個相對邊延伸至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC上并與之形成奧姆接觸；于本發(fā)明的另一實施例，延伸電極18C沿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC的周邊，以一實質(zhì)上相等的間距延伸至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC上并與之形成奧姆接觸。于本發(fā)明的另一實施例，延伸電極18C大約朝向第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC的中心方向延伸。延伸電極18C的寬度小于主要電極18B的寬度以減少遮光面積，例如延伸電極18C的寬度約介于Iym至30 ym之間，或較佳地介于Iym 至ΙΟμπι。若延伸電極18C的寬度過寬，將增加遮光面積而降低光取出效率。若延伸電極 18C的寬度過窄，將無法有效達到傳導(dǎo)及分散電流的效果。在本發(fā)明其它實施例中，第一電極結(jié)構(gòu)可視情況進一步包含輔助電極18D由延伸電極18C延伸至未被延伸電極18C覆蓋的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOC上。輔助電極18D可進一步將電流更均勻的分散至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10C。輔助電極18D的寬度小于延伸電極 18C的寬度以減少遮光面積，例如輔助電極18D的寬度約介于0. 5 μ m至5 μ m之間，或較佳地介于0. 5 μ m至3 μ m之間。過寬的輔助電極18D將增加遮光面積而降低光取出效率，而過窄的輔助電極18D將無法有效達到分散電流的效果。為因應(yīng)電流傳導(dǎo)及光取出效率等因素考慮，第一電極結(jié)構(gòu)中的電極墊18A、主要電極18B、延伸電極18C、及輔助電極18D可分別具有不同厚度，或由單一制作工藝同時形成的相同厚度。第一電極結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包含金屬、金屬合金、或透明導(dǎo)電材料，如包含至少一種材料選自于金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、銠、鉬、及其合金所組成的群組。在本發(fā)明的實施例中，金屬反射層19選擇性地形成于載體12與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IOA之間以增加光取出效率。如圖IB所示，在載體12的另一側(cè)12B上設(shè)有第二電極結(jié)構(gòu)21，經(jīng)由導(dǎo)電路徑如載體12、接合層14、與反射層19以電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10A。至此，完成圖IA至圖IC所示的發(fā)光組件100。圖2A為本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件200的上視圖，其A-A’方向的剖視圖如圖2B 所示。發(fā)光組件200與發(fā)光組件100結(jié)構(gòu)相近的部分在此不贅述。其中，發(fā)光組件200的絕緣結(jié)構(gòu)16上表面與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10上表面實質(zhì)上等高，因此可避免圖IC中所示的延伸電極18C因高度差而造成轉(zhuǎn)角處覆蓋不良的問題。絶緣結(jié)構(gòu)16包含至少一種材料選自于二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、及旋涂玻璃(spin-on-glass)所組成的群組。圖3A為本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件300的上視圖，其A_A’方向的剖視圖如圖所示。與前述的發(fā)光組件100與200不同，發(fā)光組件300為水平式發(fā)光組件而非垂直式發(fā)光組件。在發(fā)光組件300中，有部分的絕緣結(jié)構(gòu)16被移除而露出部分的導(dǎo)電金屬反射層19， 并于露出的金屬反射層19上形成第二電極結(jié)構(gòu)21，以使第二電極結(jié)構(gòu)21與金屬反射層19 形成奧姆接觸并電連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層10A。在本發(fā)明另一實施例中，圖:3B中的接合層14包含為一絕緣材料以與載體12電性隔絶，接合層14的材料包含氧化物、氮化物、或有機物質(zhì)，其中氧化物材料例如包含氧化硅、氧化鋁、或氧化鈦；氮化物材料例如包含氮化硅或氮氧化硅；有機物質(zhì)例如包含環(huán)氧樹脂、硅膠、苯并環(huán)丁烯、或過氟環(huán)丁瓊等。在本發(fā)明又一實施例中，載體12包含高導(dǎo)熱率的材料，例如包含至少一材料選自于氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、碳化硅、類鉆碳(diamond-like carbon ；DLC)、及CVD鉆石所組成的群組。載體 12也可為一電性絕緣體，使得半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10可直接以具導(dǎo)電性的接合層14貼合至載體12上，并可設(shè)置金屬反射層19于接合層14與第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層IOA之間。接合層14 的材料包含金屬或金屬合金，如包含至少一種材料選自于金、銀、鋁、銦、錫、鉛、及其合金所組成的群組、或包含金屬氧化物，如氧化銦錫等導(dǎo)電材質(zhì)。圖4A為本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件400的上視圖，其A_A’方向的剖視圖如圖4B所示。發(fā)光組件400與發(fā)光組件100結(jié)構(gòu)相近的部分在此不贅述。其中發(fā)光組件400的主要電極18B上表面高于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的上表面，以定義一凹陷區(qū)域。一波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu) 25填入上述凹陷區(qū)域，波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25用以將半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成具有相異光譜特性的光線。舉例來說，GaN系列的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10所發(fā)的光具有峰波長約介于440nm至470nm的藍光，此藍光可激發(fā)波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25中所含有的各色熒光粉。在本發(fā)明一實施例中，波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25包含紅色熒光粉與綠色熒光粉，部分的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜 10發(fā)出的藍光可同時激發(fā)波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25中的紅色熒光粉與綠色熒光粉以轉(zhuǎn)換發(fā)出峰波長約介于600nm至650nm的紅光與峰波長約介于500nm至560nm的綠光，進而當藍光、紅光、與綠光混合后，可形成白光。在本發(fā)明另一實施例中，波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25包含黃色熒光粉，部分的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10發(fā)出的藍光可激發(fā)波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25以轉(zhuǎn)換發(fā)出峰波長約介于570nm至595nm的黃光，當藍光與黃光混合后，可形成色溫約5000 7000K的白光。在本發(fā)明又一實施例中，波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25包含紅色熒光粉與黃色熒光粉，部分的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10發(fā)出的藍光可同時激發(fā)波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25中的紅色熒光粉與黃色熒光粉，以轉(zhuǎn)換發(fā)出峰波長約介于600nm至650nm的紅光與峰波長約介于570nm至595nm的黃光，并且當藍光、紅光、與黃光混合后，可形成色溫約2700 5000K的暖白光。在另一實施例中，波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25包含能隙小于活性層IOB的納米粒子或量子點(quantum dot)，所述的納米粒子為具有納米級尺寸的粒子，例如約介于10 1000納米的粒子；所述的量子點為具有約介于 1 50納米的粒子；所述的納米粒子或量子點的材料包含能隙小于活性層IOB的II-VI族半導(dǎo)體、III-V族半導(dǎo)體、有機熒光粉、或無機熒光粉材料等。主要電極18B與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的高度差取決于熒光粉覆蓋于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的量，所述的高度差約介于5μπι 至100 μ m以調(diào)控波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25覆蓋的體積或重量，進而調(diào)控所述的白光或暖白光的色溫。波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25的形成方法可為先混合及分散熒光粉于膠體中，再將含有熒光粉的膠體形成于凹陷區(qū)域中以形成一熒光粉層；此外，也可先以沉降法將熒光粉形成于凹陷區(qū)域中，再以膠體層覆蓋于熒光粉層上以固著熒光粉層，其中，所述的熒光粉實質(zhì)上不含有膠體，以及膠體層實質(zhì)上不含有熒光粉，以形成多層狀的波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25。波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25 可如圖4B所示，僅形成于主要電極18B所定義的凹陷區(qū)域內(nèi)，也可超出一高度于主要電極 18B外使具有一外凸的表面；其中，主要電極18B不覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10，并以一間隙與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10相隔，使波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25得以覆蓋于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的側(cè)壁上。半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10除了 GaN材料系列結(jié)構(gòu)以外，也可為AlInGaP材料系列結(jié)構(gòu)或類似結(jié)構(gòu)。 半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10除了發(fā)出藍光以外，也可因活性層材料不同而發(fā)出其它顏色的可見光、 紅外線、近紫外線、或紫外線。 圖4C為本發(fā)明一實施例的發(fā)光組件400’的剖視圖。發(fā)光組件400’與發(fā)光組件 100結(jié)構(gòu)相近的部分在此不贅述。其中，發(fā)光組件400’更包含形成一保護結(jié)構(gòu)27在主要電極18B上并且圍繞半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10，且保護結(jié)構(gòu)27的上表面高于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10 的上表面以定義一凹陷區(qū)域。保護結(jié)構(gòu)于其所覆蓋區(qū)域可保護發(fā)光組件免于水氣或紫外線等環(huán)境因素造成的劣化。保護結(jié)構(gòu)27包含至少一種材料選自于二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、 磷化鎵、氟化鈣、氟化鎂、及氟化鋇所組成的群組。保護結(jié)構(gòu)27與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的高度差取決于熒光粉覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10的量，所述的高度差約介于5 μ m至100 μ m使得以調(diào)控波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25覆蓋的體積或重量，進而調(diào)控所述的白光或暖白光的色溫。將波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25填入上述凹陷區(qū)域，即可將半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成具有相異光譜特性的光線。關(guān)于波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25的組成及原理已詳述于說明圖4B的相關(guān)段落，在此不贅述。于本發(fā)明的另一實施例，如圖4D所示，保護結(jié)構(gòu)27也可不覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光薄膜 10，并以一間隙與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10相隔，使波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25得以覆蓋于半導(dǎo)體發(fā)光薄膜 10的側(cè)壁上。必須注意的是，圖4B至圖4D的凹陷區(qū)域與波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25可進一步應(yīng)用于本發(fā)明的其它結(jié)構(gòu)。舉例來說，圖2B中與半導(dǎo)體發(fā)光薄膜10等高的絕緣結(jié)構(gòu)16可結(jié)合圖4B 的主要電極18B或圖4C的保護結(jié)構(gòu)27，以定義容置波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25的凹陷區(qū)域。另一方面，上述凹陷區(qū)域與波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)25并不限應(yīng)用于圖4A-圖4D所示的垂直式發(fā)光組件，也可應(yīng)用于圖3A-圖;3B所示的水平式發(fā)光組件。本發(fā)明所列舉的各實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光組件，包括 載體，具有第一側(cè)及第二側(cè)；半導(dǎo)體發(fā)光薄膜，位于該載體的第一側(cè)上，該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜依序包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層、以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及第一電極結(jié)構(gòu)電連接至該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，包括主要電極，其圍繞該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜、延伸電極，自該主要電極延伸至該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上、以及一電極墊，與該主要電極相連接；其中，該主要電極形成于該載體未被該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜覆蓋的區(qū)域上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包括絕緣結(jié)構(gòu)，其位于該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜的側(cè)壁上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包括反射層，其位于該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜與該載體之間；以及接合層，其接合該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜至該載體的第一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包含第二電極結(jié)構(gòu)電連接至該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其中該第二電極結(jié)構(gòu)位于該載體的第一側(cè)或第二側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包含保護結(jié)構(gòu)，其圍繞該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜，以定義一凹陷結(jié)構(gòu)；以及波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，其填入該凹陷結(jié)構(gòu)中。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該主要電極的上表面高于該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜的上表面，以定義一凹陷結(jié)構(gòu)；以及一波長轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)填入該凹陷結(jié)構(gòu)中。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該主要電極具有一寬度大于或等于該延伸電極的寬度。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜的面積介于0.25mm2至25mm2 之間。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該電極墊形成于該載體未被該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜覆蓋的區(qū)域上。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該半導(dǎo)體發(fā)光薄膜不具有成長基板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光組件，其包括一載體、一半導(dǎo)體發(fā)光薄膜、與一電極結(jié)構(gòu)。所述的電極結(jié)構(gòu)電連接至所述的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜，具有一主要電極，圍繞所述的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜、一延伸電極，自所述的主要電極延伸至所述的半導(dǎo)體發(fā)光薄膜上、以及一電極墊，與所述的主要電極相連接。
文檔編號H01L33/38GK102479902SQ201010559529
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者陳澤澎 申請人:晶元光電股份有限公司