專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用 于各種領(lǐng)域，尤其隨著其照明性能指標(biāo)日益大幅提高，LED在照明領(lǐng)域常用作發(fā)光裝置。其 中，以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導(dǎo)體由于具有帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽 和漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，在高亮度藍(lán)光發(fā)光二極管、藍(lán)光激光器等光電子器件 領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力，引起了人們的廣泛關(guān)注。然而，目前半導(dǎo)體發(fā)光二極管存在著發(fā)光效率低的問題。對(duì)于普通的未經(jīng)封裝的 發(fā)光二極管，其出光效率一般只有百分之幾，大量的能量聚集在器件內(nèi)部不能出射，既造成 能量浪費(fèi)，又影響器件的使用壽命。因此，提高半導(dǎo)體發(fā)光二極管的出光效率至關(guān)重要。基于上述的應(yīng)用需求，許多種提高發(fā)光二極管出光效率的方法被應(yīng)用到器件結(jié)構(gòu) 中，例如表面粗糙化法，金屬反射鏡結(jié)構(gòu)等。在申請?zhí)枮?00510066898. 3的中國專利中公開了一種全角度反射鏡結(jié)構(gòu)GaN基 發(fā)光二極管及其制作方法。參考圖1，所述發(fā)光二極管包括襯底1、生長在襯底1上的全 角度反射鏡4、以及制作在全角度反射鏡4上的GaN LED芯片13。所述GaN LED芯片13包 括藍(lán)寶石襯底5、N型GaN層6、有源區(qū)量子阱層7、P型GaN層8、P型電極9、P型焊盤10、 N型電極11、N型焊盤12 ；其中，所述全角度反射鏡4生長在襯底1上，其是由高折射率層3 和低折射率層2堆疊排列成的，高折射率層3與藍(lán)寶石襯底5接觸，低折射率層2和襯底1 接觸，高折射率層的折射率nH >低折射率層的折射率& >藍(lán)寶石材料的折射率n，且滿足 θ < θ Β，其中，n、nH、Ik為折射率。該專利通過在發(fā)光二極管下表面形成全角度反射鏡 結(jié)構(gòu)，可以將GaN材料所發(fā)光在全角度范圍內(nèi)以高反射率向上反射，來提高發(fā)光二極管的 出光效率。然而，該發(fā)光二極管制造方法需要在襯底上形成多層由高折射率層與低折射率 層堆疊而成的薄膜結(jié)構(gòu)，制作工藝非常復(fù)雜，不利于推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，以解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管 出光效率低的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，包括一種發(fā)光二極管，包括 緩沖層；依次位于所述緩沖層上的外延層、有源層以及帽層；其中，所述緩沖層在遠(yuǎn)離所述 外延層的表面上具有多個(gè)凹陷。在所述的發(fā)光二極管中，所述凹陷為半球型凹陷。在所述的發(fā)光二極管中，所述緩沖層的材料為氮化鎵。在所述的發(fā)光二極管中，所述發(fā)光二極管還包括位于所述帽層上的透明導(dǎo)電層。 所述發(fā)光二極管還包括第一電極、第二電極以及深度延伸至所述外延層的開口，其中，所述第一電極位于所述透明導(dǎo)電層上，用于連接透明導(dǎo)電層和電源正極；所述第二電極位于所 述開口內(nèi)，用于連接外延層和電源負(fù)極。在所述的發(fā)光二極管中，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述有源層包 括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層的材料為P型摻雜 的氮化鎵。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的制造方法，包括提供襯底；在所述襯底 上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)；在所述襯底上依次形成緩沖層、外延層、有源層以及帽層，以在所 述緩沖層遠(yuǎn)離所述外延層的表面上形成多個(gè)與所述微透鏡結(jié)構(gòu)相匹配的凹陷；去除所述襯底。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，所述凹陷為半球型凹陷。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，所述緩沖層的材料為氮化鎵，所述襯底的材料 為藍(lán)寶石或碳化硅。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，利用硫酸和磷酸的混合溶液去除襯底。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，在所述襯底上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)的步驟包 括在所述襯底上形成多個(gè)圓柱形光刻膠臺(tái)；對(duì)圓柱形光刻膠臺(tái)進(jìn)行烘烤，使所述圓柱形 光刻膠臺(tái)成為球冠狀光刻膠；以所述球冠狀光刻膠為掩膜，執(zhí)行感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工 藝，以在所述襯底上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述 有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層的材料為 P型摻雜的氮化鎵。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，去除所述襯底之前，還包括在所述帽層上形成 透明導(dǎo)電層；在所述透明導(dǎo)電層上形成第一電極；形成深度延伸至所述外延層的開口 ；在 所述開口內(nèi)形成第二電極。在所述的發(fā)光二極管的制造方法，去除所述襯底之前，還包括在所述透明導(dǎo)電層 上形成鈍化層；減薄所述襯底。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)該發(fā)光二極管的緩沖層在遠(yuǎn)離外延層的 表面上具有多個(gè)凹陷，自有源層發(fā)出的光經(jīng)所述凹陷出射時(shí)，其入射角總是小于全反射臨 界角，從而不會(huì)發(fā)生全反射，確保大部分的光可從該緩沖層表面透射出去，從而提高了發(fā)光 二極管的外量子效率，提高了發(fā)光二極管的出光效率；并且，可避免發(fā)光二極管內(nèi)部溫度的 升高，提高了發(fā)光二極管的性能。


圖1為現(xiàn)有的發(fā)光二極管的示意圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的示意圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖；圖4A 4J為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管的 緩沖層在遠(yuǎn)離外延層的表面上具有多個(gè)凹陷，自有源層發(fā)出的光經(jīng)所述凹陷出射時(shí)，其入 射角總是小于全反射臨界角，從而不會(huì)發(fā)生全反射，確保大部分的光可從該緩沖層表面透 射出去，從而提高了發(fā)光二極管的外量子效率，進(jìn)而提高了發(fā)光二極管的出光效率；并且， 可避免發(fā)光二極管內(nèi)部溫度的升高，提高了發(fā)光二極管的性能。請參考圖2，其為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的示意圖。如圖2所示，所述發(fā)光 二極管包括緩沖層210 ；依次位于所述緩沖層210上的外延層220、有源層230、帽層MO ； 其中，緩沖層210在遠(yuǎn)離外延層220的表面上具有多個(gè)凹陷211，自有源層230發(fā)出的光經(jīng) 所述凹陷211出射時(shí)，其入射角總是小于全反射臨界角，從而不會(huì)發(fā)生全反射，確保大部分 的光可從該緩沖層210表面透射出去，從而提高了發(fā)光二極管的外量子效率，進(jìn)而提高了 發(fā)光二極管的出光效率，并可避免發(fā)光二極管內(nèi)部溫度的升高，提高了發(fā)光二極管的性能。其中，所述凹陷211優(yōu)選為半球型凹陷，該半球型凹陷可確保絕大部分的光從該 緩沖層210表面透射出去，該凹陷211的深度例如是2 μ m 50 μ m?？梢岳斫獾氖牵诒景l(fā) 明其它實(shí)施例中，所述凹陷也可呈其它形狀，例如半橢球狀，所述凹陷的深度可根據(jù)器件的 要求做相應(yīng)的調(diào)整。進(jìn)一步的，所述緩沖層210的材料為氮化鎵；優(yōu)選的，所述緩沖層210采用低溫條 件下生長的氮化鎵薄膜。所述外延層220、有源層230和帽層240依次位于緩沖層210上， 且所述外延層220覆蓋所述緩沖層210，所述外延層220、有源層230和帽層240構(gòu)成發(fā)光二 極管的管芯；其中，外延層220的材料為N型摻雜的氮化鎵(n-GaN)；所述有源層230包括 多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵(InGaN)，用于發(fā)出波長為470nm 的藍(lán)光；所述帽層240的材料為P型摻雜的氮化鎵(P-GaN)。由于外延層220與帽層240的 摻雜類型相反，N型摻雜的氮化鎵通過外部電壓驅(qū)動(dòng)使電子漂移，P型摻雜的氮化鎵通過外 部電壓驅(qū)動(dòng)使空穴漂移，所述空穴和電子在多量子阱有源層(也稱為活性層)中相互重新 結(jié)合，從而反射光。進(jìn)一步的，所述發(fā)光二極管還包括透明導(dǎo)電層(TCL) 250，所述透明導(dǎo)電層250位 于帽層240上。由于P型摻雜的氮化鎵的電導(dǎo)率比較小，因此在帽層240表面沉積一層金 屬的電流擴(kuò)散層，有助于提高電導(dǎo)率，所述透明導(dǎo)電層250的材料例如是M/Au材料。此外，為了將發(fā)光二極管的管芯連接到電源正負(fù)極，所述發(fā)光二極管還包括第一 電極沈0、第二電極270以及開口，其中，所述開口的深度延伸至外延層220 (即所述開口貫 穿透明導(dǎo)電層250、帽層M0、有源層230和部分厚度的外延層220)，所述第一電極260位于 透明導(dǎo)電層250上，用于連接透明導(dǎo)電層250和電源正極；第二電極270位于所述開口內(nèi)， 用于連接外延層220和電源負(fù)極?？梢岳斫獾氖?，所述開口也可僅貫穿透明導(dǎo)電層250、帽 層240和有源層230，同樣可使第二電極270與外延層220連接。所述發(fā)光二極管用于發(fā)光時(shí)，將第一電極260連接至電源正極、第二電極270連接 至電源負(fù)極，發(fā)光二極管管芯通過第一電極260與電源正極相連，通過第二電極270與電源 負(fù)極相連，發(fā)光二極管管芯中的有源層230在電流作用下發(fā)光，所述凹陷211可確保大部分 的光從緩沖層表面透射出去，從而提高了發(fā)光二極管的外量子效率，并避免發(fā)光二極管內(nèi) 部溫度的升高，進(jìn)而提高了發(fā)光二極管的性能。
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進(jìn)一步的，所述發(fā)光二極管還包括位于所述透明導(dǎo)電層250上的鈍化層觀0，所述 鈍化層280覆蓋所述第一電極沈0、第二電極270、透明導(dǎo)電層250，并填充到所述開口內(nèi)，所 述鈍化層280用于保護(hù)發(fā)光二極管的管芯不受損傷。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的制造方法，具體請參考圖3，其為本發(fā)明 一實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖，所述發(fā)光二極管的制造方法包括以下步 驟S300，提供襯底；S310，在所述襯底上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)；S320，在所述襯底上依次形成緩沖層、外延層、有源層以及帽層，以在所述緩沖層 遠(yuǎn)離所述外延層的表面上形成多個(gè)與所述微透鏡結(jié)構(gòu)相匹配的凹陷；S330，去除所述襯底。下面將結(jié)合剖面示意圖對(duì)本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其 中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而 仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知 道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。參考圖4A，并結(jié)合步驟S300，首先，提供襯底400，在本實(shí)施例中，所述襯底400的 材料為藍(lán)寶石，所述襯底400用以形成氮化鎵基的藍(lán)光二極管。當(dāng)然，所述襯底400還可以 是其它襯底，例如碳化硅襯底。參考圖4B，接下來，通過涂膠、曝光和顯影工藝，在襯底400上形成多個(gè)圓柱形光 刻膠臺(tái)490。所述圓柱形光刻膠臺(tái)490是指光刻膠臺(tái)俯視(平行于襯底400表面方向)為 圓形。所述圓柱形光刻膠臺(tái)490的厚度例如是0. 1 μ m 5 μ m，直徑例如是1 μ m 10 μ m， 間距0. Ιμπι Ιμπι。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際要獲得的凹陷的尺寸相應(yīng)的調(diào)整圓 柱形光刻膠臺(tái)的形狀和尺寸。參考圖4C，隨后，對(duì)所述圓柱形光刻膠臺(tái)490進(jìn)行烘烤，使所述圓柱形光刻膠臺(tái) 490成為球冠狀光刻膠491。在本實(shí)施例中，在溫度為120°C 250°C的范圍內(nèi)，對(duì)圓柱形光 刻膠臺(tái)490進(jìn)行烘烤，所述圓柱形光刻膠臺(tái)490在高于光刻膠的玻璃軟化溫度下，由于表面 張力的作用成為球冠狀光刻膠491。當(dāng)然，在本發(fā)明其它實(shí)施例中，也可在其它溫度下烘烤 圓柱形光刻膠臺(tái)490。參考圖4D，其后，以所述球冠狀光刻膠491為掩膜，執(zhí)行感應(yīng)耦合等離子體 (Inductive Coupled Plasma, I CP)刻蝕工藝，直至球冠狀光刻膠491被完全刻蝕掉，即可 在襯底400靠近緩沖層的表面上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)401。所述微透鏡結(jié)構(gòu)401的形狀優(yōu) 選為半球型，當(dāng)然，所述微透鏡結(jié)構(gòu)401的形狀也可根據(jù)所要形成的凹陷的形狀做調(diào)整，例 如，也可為半橢球形。可選的，所述感應(yīng)耦合等離子體刻蝕步驟對(duì)襯底400的刻蝕速率與球冠狀光刻膠 491的刻蝕速率之比控制在0. 8 1. 2的范圍內(nèi)，以在襯底400上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)401。 在本實(shí)施例中，可通過控制底板射頻功率和線圈射頻功率的數(shù)值，來使感應(yīng)耦合等離子體 刻蝕工藝的刻蝕選擇比控制在上述范圍內(nèi)。當(dāng)然，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可通過控制 其它刻蝕工藝參數(shù)來達(dá)到控制感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝的刻蝕選擇比的目的。在所述感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝中，所采用的刻蝕氣體可以是三氯化硼(BCl3)、氦氣(He)和氬氣(Ar)的混合氣體，其中，三氯化硼的流量例如是20 lOOOsccm，氦 氣的流量例如是20 500sccm，氬氣的流量例如是20 500sccm ；腔室壓力為50mTorr 2Torr，底板功率(plate power)為200W 300W，線圈功率為300W 500W。當(dāng)然，上述描 述并不用于限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的實(shí)際情況，相應(yīng)的調(diào)整刻蝕氣 體以及各項(xiàng)工藝參數(shù)，并相應(yīng)的調(diào)整刻蝕選擇比，以達(dá)到在襯底上形成微透鏡結(jié)構(gòu)的目的。參考圖4E，接下來，在具有多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)401的襯底400上形成緩沖層410，所 述緩沖層410完全覆蓋多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)401，以在緩沖層410遠(yuǎn)離外延層420的表面上形成 多個(gè)與微透鏡結(jié)構(gòu)401相匹配的凹陷?？梢岳斫獾氖?，由于襯底400上形成了多個(gè)微透鏡 結(jié)構(gòu)401，因此，后續(xù)形成的緩沖層410與襯底400相接觸的表面并非是平坦的，即該緩沖層 410與襯底400相接觸的表面相應(yīng)的具有了多個(gè)與微透鏡結(jié)構(gòu)401相匹配的凹陷。在形成緩沖層410之后，在所述緩沖層410上依次形成外延層420、有源層430、帽 層440，所述外延層420、有源層430和帽層440構(gòu)成發(fā)光二極管的管芯。所述外延層420 的材料為N型摻雜的氮化鎵；有源層430包括多量子阱有源層，多量子阱有源層的材料為銦 氮化鎵；帽層440的材料為P型摻雜的氮化鎵。之后，在帽層440上形成透明導(dǎo)電層450，所 述透明導(dǎo)電層450有助于提高電導(dǎo)率，所述透明導(dǎo)電層450的材料可采用Ni/Au材料。可 利用常規(guī)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝形成緩沖層410、外延層420、有源層430、 帽層440，并可利用濺射等方式形成透明導(dǎo)電層450。參考圖4F，隨后，在透明導(dǎo)電層450上形成第一電極460，用于連接透明導(dǎo)電層450 和電源正極；并利用光刻和刻蝕的方法，形成深度延伸至外延層420的開口，再在所述開口 內(nèi)形成第二電極470，用于連接外延層420和電源負(fù)極。參考圖4G，接著，在透明導(dǎo)電層450上形成鈍化層480，所述鈍化層480覆蓋第一 電極460、第二電極470，所述鈍化層480用于保護(hù)第一電極460、第二電極470以及所述發(fā) 光二極管的管芯不受損害。參考圖4H，然后，減薄所述襯底400，將襯底400減薄有利于在后續(xù)的 步驟中被快速的刻蝕掉?？衫帽趁鏈p薄(backside grinding)或激光剝離 (laserliftoffprocessing，LT0)的方式減薄襯底400。優(yōu)選的，將襯底400的厚度減薄至 30 50 μ m,當(dāng)然，減薄的厚度并不局限于上述描述。參考圖41，然后，可利用濕法刻蝕的方式去除襯底400，即可在緩沖層410遠(yuǎn)離外 延層的表面上形成多個(gè)凹陷411。所述濕法刻蝕步驟所使用的刻蝕液體優(yōu)選為硫酸和磷酸 的混合溶液，該硫酸和磷酸的混合溶液對(duì)藍(lán)寶石和氮化鎵的刻蝕選擇比較為理想。當(dāng)然，也 可選擇其它對(duì)襯底和緩沖層具有較佳的刻蝕選擇比的刻蝕液體來去除襯底400 ；或者，也 可采用干法刻蝕的方式來去除襯底400。參考圖4J，去除襯底400之后，還可利用傳統(tǒng)的刻蝕工藝來回刻蝕(etctiback) 鈍化層480，以去除部分厚度的鈍化層，并利用傳統(tǒng)的切割(dicing)及封裝(bumping packaging)工藝對(duì)所述發(fā)光二極管進(jìn)行封裝，即可形成LED封裝件。本發(fā)明并不涉及封裝 工藝的改進(jìn)，在此不予詳細(xì)描述。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括 緩沖層；依次位于所述緩沖層上的外延層、有源層以及帽層； 其中，所述緩沖層在遠(yuǎn)離所述外延層的表面上具有多個(gè)凹陷。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述凹陷為半球型凹陷。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮化鎵。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括位于所述帽 層上的透明導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括第一電極、第 二電極以及深度延伸至所述外延層的開口，其中，所述第一電極位于所述透明導(dǎo)電層上，用于連接透明導(dǎo)電層和電源正極； 所述第二電極位于所述開口內(nèi)，用于連接外延層和電源負(fù)極。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化 鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層 的材料為P型摻雜的氮化鎵。
7.一種發(fā)光二極管的制造方法，包括 提供襯底；在所述襯底上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)；在所述襯底上依次形成緩沖層、外延層、有源層以及帽層，以在所述緩沖層 遠(yuǎn)離所述外延層的表面上形成多個(gè)與所述微透鏡結(jié)構(gòu)相匹配的凹陷； 去除所述襯底。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷為半球型凹陷。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮化鎵， 所述襯底的材料為藍(lán)寶石或碳化硅。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，利用硫酸和磷酸的混合溶液去除所述 襯底。
11.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)的 步驟包括在所述襯底上形成多個(gè)圓柱形光刻膠臺(tái)；對(duì)圓柱形光刻膠臺(tái)進(jìn)行烘烤，使所述圓柱形光刻膠臺(tái)成為球冠狀光刻膠； 以所述球冠狀光刻膠為掩膜，執(zhí)行感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝，以在所述襯底上形成 多個(gè)微透鏡結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化 鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層 的材料為P型摻雜的氮化鎵。
13.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，去除所述襯底之前，還包括 在所述帽層上形成透明導(dǎo)電層；在所述透明導(dǎo)電層上形成第一電極； 形成深度延伸至所述外延層的開口；在所述開口內(nèi)形成第二電極。
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，去除所述襯底之前，還包括 在所述透明導(dǎo)電層上形成鈍化層； 減薄所述襯底。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管及其制造方法，所述發(fā)光二極管包括緩沖層；依次位于所述緩沖層上的外延層、有源層以及帽層；其中，所述緩沖層在遠(yuǎn)離外延層的表面上具有多個(gè)凹陷，自有源層發(fā)出的光經(jīng)所述凹陷出射時(shí)，其入射角總是小于全反射臨界角，從而不會(huì)發(fā)生全反射，確保大部分的光可從緩沖層表面透射出去，從而提高了發(fā)光二極管的外量子效率，提高了發(fā)光二極管的出光效率；并且，可避免發(fā)光二極管內(nèi)部溫度的升高，提高了發(fā)光二極管的性能。
文檔編號(hào)H01L33/06GK102064253SQ20101055968
公開日2011年5月18日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者張汝京, 程蒙召, 肖德元, 許繼仁 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司