專利名稱：一種led芯片圖形襯底的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體封裝技術，尤其涉及一種LED芯片圖形襯底的制備方法。
背景技術：
氮化鎵基發(fā)光二極管主要是異質(zhì)外延在平坦的襯底上，其中襯底可以為藍寶石、 碳化硅或硅。光從外延層進入襯底時，由于界面比較平坦，光的入射角比較小，且氮化鎵和襯底折射率相差不大，導到反射率低，大部分光會逸出到襯底，不能有效反射回到外延層， 出光效率低。目前解決以上問題的策略，主要是采用圖形襯底，如中國專利文獻CN101814426A 于2010年8月25日公開的一種藍寶石圖形襯底的制作方法，具體步驟是(1)在藍寶石的上表面沉積一層低折射率材料、厚度為1埃-999埃的薄膜；( 用光阻在所述的薄膜上制備掩模圖形；C3)通過刻蝕，將光刻膠掩模的圖形轉(zhuǎn)移到所述的薄膜上，得到圖形下底的寬度為0. 5-3 μ m、間距0. 5-3 μ m的凸起，凸起厚度為1埃-999埃；(4)清洗藍寶石，去除殘留的光阻。本發(fā)明具有能大大降低制作PSS成本、增加光的全反射角從而更有利于出光、提高出光效率、更有利于激光剝離、提高成品LED芯片優(yōu)良率的優(yōu)點。
除前述蝕刻制作方法外，也有人采用激光雕刻方式制作圖形襯底，這些方式是不足之處是顯而易見的，效率底，加工成本太高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的不足之處而提供一種加工成本低的LED 芯片圖形襯底的制備方法。本發(fā)明的目的可以通過以下技術方案實現(xiàn)
一種LED芯片圖形襯底的制備方法，該LED芯片具有陶瓷襯底，襯底具有圖形，其特征在于包括以下步驟S10，制作圖形壓印輥；S20，提供底?；?；S30，底?；膯蚊嫱縐V 油；S40，以圖形壓印輥壓印底?；木哂蠻V油的一面，同時光固形成底模；S50，切割底模； S60，提供等靜壓模，置入底模及陶瓷粉體；S70，加壓；S80，取出粉體，燒結。LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于S10步驟通過激光雕刻或蝕刻方式。LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于所述基材是金屬膜，S20步驟所提供的基材是基材與離型膜雙層結構。LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述底?；氖蔷硎讲牧?，去切割底模及是在沖型機上連續(xù)完成的，具體包括以下子步驟S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿離型膜；S503，收廢，卷除基材邊料；S504，收卷；離型膜是基材的載體，在S60 步驟時基材與離型膜分離。LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于所述等靜壓模具有分體式結構，所述底膜通過膠粘層貼合于等靜壓模內(nèi)。LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于SlO步驟通過激光雕刻或蝕刻方式；所述基材是金屬膜，S20步驟所提供的基材是基材與離型膜雙層結構；所述底?；氖蔷硎讲牧?，去切割底模及是在沖型機上連續(xù)完成的，具體包括以下子步驟S501，放料；S502， 切半穿，即切穿基材，但不切穿離型膜；S503，收廢，卷除基材邊料；S504，收卷；離型膜是基材的載體，在S60步驟時基材與離型膜分離；所述等靜壓模具有分體式結構，所述底膜通過膠粘層貼合于等靜壓模內(nèi)。一種大體上如上下文及附圖所表達的LED芯片圖形襯底的制備方法。本發(fā)明的LED芯片圖形襯底的制備方法，以光固形成等靜壓底模，再經(jīng)過壓粉、燒結工序制成襯底，由于等靜壓底模是一次性使用，可以保證圖形精度達到納米級，滿足使用要求。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有制備成本低，適合批量生產(chǎn)的特點。


圖1是本發(fā)明第一個實施例之底模的示意圖。圖2是本發(fā)明第一個實施例之底模在離型膜上的示意圖。圖3是本發(fā)明第一個實施例的流程圖。圖4是本發(fā)明第四個實施例切割底模步驟的流程圖。
具體實施例方式下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。參考圖1至圖4，本發(fā)明的第一個實施例是一種LED芯片圖形襯底的制備方法，該 LED芯片具有陶瓷襯底，襯底具有圖形，其特征在于包括以下步驟S10，制作圖形壓印輥； S20，提供底?；?；S30，底?；膯蚊嫱縐V油；S40，以圖形壓印輥壓印底?；木哂蠻V 油的一面，同時光固形成底模；S50，切割底模；S60，提供等靜壓模，置入底模及陶瓷粉體； S70，加壓；S80，取出粉體，燒結。SlO步驟通過激光雕刻或蝕刻方式。所述基材是金屬膜， S20步驟所提供的基材是基材與離型膜雙層結構。本實施例中，所述底?；?01是卷式材料，去切割底模及是在沖型機上連續(xù)完成的，具體包括以下子步驟S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿離型膜； S503，收廢，卷除基材邊料；S504，收卷；離型膜是基材的載體，在S60步驟時基材與離型膜 102分離。本實施例中，等靜壓模具有分體式結構，所述底膜通過膠粘層貼合于等靜壓模內(nèi)。
權利要求
1.一種LED芯片圖形襯底的制備方法，該LED芯片具有陶瓷襯底，襯底具有圖形，其特征在于包括以下步驟S10，制作圖形壓印輥； S20，提供底?；?； S30，底?；膯蚊嫱縐V油；S40,以圖形壓印輥壓印底?；木哂蠻V油的一面，同時光固形成底模； S50，切割底模；S60，提供等靜壓模，置入底模及陶瓷粉體；S70，加壓；S80，取出粉體，燒結。
2.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于S10步驟通過激光雕刻或蝕刻方式。
3.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于所述基材是金屬膜，S20步驟所提供的基材是基材與離型膜雙層結構。
4.根據(jù)權利要求3所述的LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述底模基材是卷式材料，去切割底模及是在沖型機上連續(xù)完成的，具體包括以下子步驟S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿離型膜； S503，收廢，卷除基材邊料； S504，收卷；離型膜是基材的載體，在S60步驟時基材與離型膜分離。
5.根據(jù)權利要求4所述的LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于所述等靜壓模具有分體式結構，所述底膜通過膠粘層貼合于等靜壓模內(nèi)。
6.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片圖形襯底的制備方法，其特征在于SlO步驟通過激光雕刻或蝕刻方式；所述基材是金屬膜，S20步驟所提供的基材是基材與離型膜雙層結構；所述底?；氖蔷硎讲牧?，去切割底模及是在沖型機上連續(xù)完成的，具體包括以下子步驟S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿離型膜；S503，收廢，卷除基材邊料； S504，收卷；離型膜是基材的載體，在S60步驟時基材與離型膜分離；所述等靜壓模具有分體式結構，所述底膜通過膠粘層貼合于等靜壓模內(nèi)。
7.一種大體上如上下文及附圖所表達的LED芯片圖形襯底的制備方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體封裝技術，尤其涉及一種LED芯片圖形襯底的制備方法，LED芯片具有陶瓷襯底，襯底具有圖形，其特征在于包括以下步驟S10，制作圖形壓印輥；S20，提供底?；?；S30，底?；膯蚊嫱縐V油；S40，以圖形壓印輥壓印底?；木哂蠻V油的一面，同時光固形成底模；S50，切割底模；S60，提供等靜壓模，置入底模及陶瓷粉體；S70，加壓；S80，取出粉體，燒結。本發(fā)明提供一種加工成本低的LED芯片圖形襯底的制備方法。
文檔編號H01L33/00GK102163657SQ20101061897
公開日2011年8月24日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權日2010年12月31日
發(fā)明者李金明 申請人:東莞市萬豐納米材料有限公司