專(zhuān)利名稱(chēng)：一種大型芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種芯片，尤其是涉及一種大型芯片。
背景技術(shù)：
氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管的發(fā)光效率隨著外延技術(shù)的提升、材料品質(zhì)的改善而 不斷得到提升。衡量發(fā)光二極管發(fā)光效率之一的內(nèi)量子效率已幾乎接近其理論極限，也就 是說(shuō)半導(dǎo)體發(fā)光材料在電光轉(zhuǎn)換效率上已遠(yuǎn)超過(guò)其它任何發(fā)光光源，為半導(dǎo)體照明奠定了 堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。中國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)了一種樹(shù)形GaN基LED芯片電極(授權(quán)公告號(hào)CN 201266611Y), 其包括P型電極和N型電極，對(duì)GaN外延片進(jìn)行臺(tái)面刻蝕，形成P型GaN臺(tái)面和N型GaN溝 槽，在P型GaN表面生長(zhǎng)一層導(dǎo)電薄膜，再在導(dǎo)電薄膜上淀積P型電極，或者直接在P型GaN 表面淀積P型電極，在溝槽內(nèi)淀積N型電極，P型電極的P型焊盤(pán)和N型電極的N型焊盤(pán)分 別設(shè)置在芯片一對(duì)角線的兩頂角部位，自P型焊盤(pán)的條形電極沿芯片對(duì)角線呈樹(shù)形分布， 自N型焊盤(pán)的條形電極沿芯片四周邊緣，并有條形電極伸向芯片內(nèi)部；P型條形電極沿芯片 對(duì)角線呈樹(shù)形分布，包括沿對(duì)角線的條形電極，以及與之相連、呈對(duì)稱(chēng)分布的且平行于芯片 邊緣的不少于兩條條形電極；N型條形電極包括沿芯片邊緣的邊緣電極及與一側(cè)邊緣電極 相連、且平行于另一側(cè)邊緣電極伸向芯片內(nèi)部的條形電極，P型電極和N型電極的形狀亦可 互換，N型電極淀積在相應(yīng)形狀的溝槽內(nèi)。但是這種電極的封裝較為復(fù)雜，P電極區(qū)域、N電 極區(qū)域的制造較為不易，制造成本較大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型是提供一種大型芯片，其主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的電極的封裝較 為復(fù)雜，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的制造較為不易，制造成本較大等的技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型的上述技術(shù)問(wèn)題主要是通過(guò)下述技術(shù)方案得以解決的本實(shí)用新型的一種大型芯片，包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù) 層，二氧化硅保護(hù)層上設(shè)有P電極區(qū)域與N電極區(qū)域，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電 極層，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的下方分別設(shè)有P型GaN、N型GaN，N型GaN的下方依次設(shè)有 襯底、反射層。P電極區(qū)域、P型GaN與N電極區(qū)域、N型GaN可以互換，二氧化硅保護(hù)層上 可以開(kāi)有溝槽，用來(lái)固定P電極區(qū)域與N電極區(qū)域。作為優(yōu)選，所述的P電極區(qū)域?yàn)椤吧健弊中?，其兩端的轉(zhuǎn)角處為圓形的P電極部位； N電極區(qū)域由主引線以及四根平行的支引線組成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉(zhuǎn)角處為 矩形的N電極部位，N電極區(qū)域與P電極區(qū)域互相交錯(cuò)設(shè)置。P電極區(qū)域與N電極區(qū)域互相 交錯(cuò)相對(duì)設(shè)置，即節(jié)約了排布空間，又使加工較為方便。作為優(yōu)選，所述的P型GaN與N型GaN之間設(shè)有發(fā)光層，可以在使用時(shí)發(fā)光。作為優(yōu)選，所述的襯底為藍(lán)寶石襯底。作為優(yōu)選，所述的二氧化硅保護(hù)層為正方形，其邊長(zhǎng)為1200 μ m，整體尺寸較小，適 用于不同的電子元器件。[0010]因此，本實(shí)用新型電極的封裝較為簡(jiǎn)單，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的制造較為容易， 制造成本較低，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理等特點(diǎn)。

附圖1是本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2是P電極區(qū)域的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；附圖3是N電極區(qū)域的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖中零部件、部位及編號(hào)二氧化硅保護(hù)層1、P電極部位2、N電極部位3、透明 接觸電極層4、PSGaN5、N型GaN6、襯底7、反射層8、發(fā)光層9。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說(shuō)明。實(shí)施例本例的一種大型芯片，如圖1，有一個(gè)二氧化硅保護(hù)層1，二氧化硅保護(hù)層 為正方形，其邊長(zhǎng)為1200 μ m，二氧化硅保護(hù)層上開(kāi)有溝槽，溝槽內(nèi)設(shè)有P電極區(qū)域與N電極 區(qū)域，其中P電極區(qū)域?yàn)椤吧?，，字型，其兩端的轉(zhuǎn)角處為圓形的P電極部位2 ；N電極區(qū)域由 主引線以及四根平行的支引線組成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉(zhuǎn)角處為矩形的N電 極部位3，N電極區(qū)域與P電極區(qū)域互相交錯(cuò)設(shè)置。如圖2、圖3，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有 透明接觸電極層4，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的下方分別設(shè)有P型GaN5、N型GaN6，P型GaN 與N型GaN之間設(shè)有發(fā)光層9。N型GaN的下方依次設(shè)有藍(lán)寶石的襯底7、反射層8。使用時(shí)，將整個(gè)芯片制作機(jī)構(gòu)裝入電子元器件，接通P電極部位2、N電極部位3 即可。以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征并不局限于 此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實(shí)用新 型的專(zhuān)利范圍之中。
權(quán)利要求一種大型芯片，包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù)層(1)，二氧化硅保護(hù)層上設(shè)有P電極區(qū)域與N電極區(qū)域，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電極層(4)，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的下方分別設(shè)有P型GaN(5)、N型GaN(6)，N型GaN的下方依次設(shè)有襯底(7)、反射層(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大型芯片，其特征在于所述的P電極區(qū)域?yàn)椤吧健弊中停?其兩端的轉(zhuǎn)角處為圓形的P電極部位(2) ；N電極區(qū)域由主引線以及四根平行的支引線組 成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉(zhuǎn)角處為矩形的N電極部位(3)，N電極區(qū)域與P電極區(qū) 域互相交錯(cuò)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大型芯片，其特征在于所述的P型GaN(5)與N型 GaN (6)之間設(shè)有發(fā)光層(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大型芯片，其特征在于所述的襯底(7)為藍(lán)寶石襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大型芯片，其特征在于所述的二氧化硅保護(hù)層(1) 為正方形，其邊長(zhǎng)為1200 μ m。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種芯片，尤其是涉及一種大型芯片。其主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的電極的封裝較為復(fù)雜，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的制造較為不易，制造成本較大等的技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù)層(1)，二氧化硅保護(hù)層上設(shè)有P電極區(qū)域與N電極區(qū)域，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電極層(4)，P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的下方分別設(shè)有P型GaN(5)、N型GaN(6)，N型GaN的下方依次設(shè)有襯底(7)、反射層(8)。
文檔編號(hào)H01L33/38GK201699051SQ201020171798
公開(kāi)日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日
發(fā)明者蘭葉, 施建江 申請(qǐng)人:杭州海鯨光電科技有限公司