專利名稱：一種磁敏vdmos器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種磁敏VDM0S器件。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，針對VDM0S芯片導(dǎo)通功率(電流)控制的方法一般是加取樣電阻 等方式，在大電流時消耗大量熱量，因而造成發(fā)熱及電能浪費。同時，現(xiàn)有的VDM0S芯片無 智能傳感功能。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種磁敏VDM0S器件。本實用新型采用的技術(shù)方案是一種磁敏VDM0S器件，包括VDM0S芯片和磁敏電阻，所述VDM0S芯片上設(shè)有絕緣介 質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)上設(shè)有磁敏電阻。所述絕緣介質(zhì)厚度為100-10000微米。所述磁敏電阻為GMR或TMR。所述磁敏電阻電阻率為1-10000歐姆厘米，厚度為10-10000微米，阻值介于 1-100000歐姆之間，在VDM0S芯片電流產(chǎn)生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量 介于-99%之間。本實用新型的優(yōu)點是既可用外加磁場來控制VDM0S芯片的通斷，也可以利用 VDM0S芯片導(dǎo)通時產(chǎn)生的磁場來控制VDM0S芯片的導(dǎo)通功率(電流)，去除了外界干擾信號 的影響及可高速驅(qū)動，不產(chǎn)生任何額外的電能消耗，節(jié)約了能源。當(dāng)溫度變化時，此磁敏電 阻的阻值也發(fā)生變化，因而也可以作為功率VDM0芯片S的溫度采樣。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細描述。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型的應(yīng)用圖。其中1、VDM0S芯片，2、絕緣介質(zhì)，3、磁敏電阻。
具體實施方式
實施例1如圖1至圖2所示，本實用新型一種磁敏VDM0S器件，包括VDM0S芯片1和磁敏電 阻3，VDM0S芯片上設(shè)有絕緣介質(zhì)2，絕緣介質(zhì)2上設(shè)有磁敏電阻3 ；絕緣介質(zhì)2厚度為100 微米；磁敏電阻3為GMR或TMR，磁敏電阻3電阻率為1歐姆厘米，厚度為10微米，阻值為1 歐姆，在VDM0S芯片電流產(chǎn)生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量為1 %。下面對本實用新型的工作原理做進一步說明
3[0017]如圖3所示，當(dāng)VDM0S芯片1中電流增大時，因為磁敏電阻3緊貼在VDM0S芯片表 面，因而對其由于電流變化而引起的磁場變化非常敏感；磁敏電阻3在VDM0S電流增大時阻 值減少，而Rext阻值基本不變，因此運放正輸入端的電壓降低，當(dāng)?shù)陀赩ref時，運放輸出低 電平，關(guān)斷VDM0S芯片，從而起到了電流(功率)限制的目的。實施例2如圖1至圖2所示，本實用新型一種磁敏VDM0S器件，包括VDM0S芯片1和磁敏電 阻3，VDM0S芯片上設(shè)有絕緣介質(zhì)2，絕緣介質(zhì)2上設(shè)有磁敏電阻3 ；絕緣介質(zhì)2厚度為10000 微米；磁敏電阻3為GMR或TMR，磁敏電阻3電阻率為10000歐姆厘米，厚度為10000微米， 阻值為100000歐姆，在VDM0S芯片電流產(chǎn)生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量 為 99%。下面對本實用新型的工作原理做進一步說明如圖3所示，當(dāng)VDM0S芯片1中電流增大時，因為磁敏電阻3緊貼在VDM0S芯片表 面，因而對其由于電流變化而引起的磁場變化非常敏感；磁敏電阻3在VDM0S電流增大時阻 值減少，而Rext阻值基本不變，因此運放正輸入端的電壓降低，當(dāng)?shù)陀赩ref時，運放輸出低 電平，關(guān)斷VDM0S芯片，從而起到了電流(功率)限制的目的。
權(quán)利要求一種磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏電阻，其特征在于，所述VDMOS芯片上設(shè)有絕緣介質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)上設(shè)有磁敏電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁敏VDM0S器件，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)厚度為 100-10000 微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁敏VDM0S器件，其特征在于，所述磁敏電阻為GMR或TMR。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁敏VDM0S器件，其特征在于，所述磁敏電阻電阻率為 1-10000歐姆厘米，厚度為10-10000微米，阻值介于1-100000歐姆之間，在VDM0S芯片電流 產(chǎn)生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量介于-99%之間。
專利摘要本實用新型涉及一種磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏電阻，所述VDMOS芯片上設(shè)有絕緣介質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)上設(shè)有磁敏電阻。本實用新型既可用外加磁場來控制VDMOS的通斷，也可以利用VDMOS導(dǎo)通時產(chǎn)生的磁場來控制VDMOS的導(dǎo)通功率(電流)，去除了外界干擾信號的影響及可高速驅(qū)動，不產(chǎn)生任何額外的電能消耗，節(jié)約了能源。當(dāng)溫度變化時，此磁敏電阻的阻值也發(fā)生變化，因而也可以作為功率VDMOS的溫度采樣。
文檔編號H01L27/22GK201732789SQ20102024605
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月1日
發(fā)明者王開 申請人:王開