專利名稱：具布局結(jié)構(gòu)的集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，尤指一種可達(dá)到提高組件可靠度以及易于制作功效的集成電路。
技術(shù)背景一般傳統(tǒng)集成電路的封裝方式，是將晶粒黏附在印刷電路板(或?qū)Ь€架)上，并使 晶粒上的接點(diǎn)以及相對應(yīng)的印刷電路板(或?qū)Ь€架上)的接點(diǎn)利用打線的方式連接，之后 再進(jìn)行所需的封裝成型，藉以達(dá)到集成電路的封裝制作。但是由于已知的晶粒印刷電路板(或?qū)Ь€架上)的接點(diǎn)是以打線的方式將各接腳 的腳位相互連接，雖然接線的方式較具有彈性，但對于芯片顆粒的堆棧封裝而言，則需在該 晶粒上依不同的層疊制作出不同的線路，使得制作生產(chǎn)晶圓時所用的光罩設(shè)計(jì)較為復(fù)雜， 而使組件的可靠度降低，且增加生產(chǎn)管理的難度，并使得制作成本的增加
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具布局 結(jié)構(gòu)的集成電路，可使該集成電路達(dá)到提高組件可靠度以及易于制作的功效。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種具布局結(jié)構(gòu)的集 成電路，包括有晶粒，其一面上具有數(shù)個接點(diǎn)；其特點(diǎn)是還包括有第一介電層，疊設(shè)于晶 粒的一面上，且具有分別對應(yīng)各接點(diǎn)的第一開口 ；第二介電層，疊設(shè)于第一介電層的一面 上，且具有分別對應(yīng)各第一開口的第二開口 ；至少一重置布線層，設(shè)于第一及第二開口中且 與各接點(diǎn)連接；防焊層，疊設(shè)于第二介電層與重置布線層一面上，且具有數(shù)個對應(yīng)重置布線 層的穿孔；以及數(shù)個錫球，設(shè)于防焊層的各穿孔中，且分別連接重置布線層。如此，可使該集成電路達(dá)到提高組件可靠度以及易于制作的功效。

圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖一。圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖二。圖4是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖三。圖5是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖四。圖6是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖五。圖7是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖六。圖8是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖七。圖9是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖八。圖10是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖九。圖11是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖十。[0018]圖12是本實(shí)用新型第圖13是本實(shí)用新型第標(biāo)號說明晶粒1切割道101第一介電層2連接層22第二開口31金屬完成層41穿孔51第三介電層7
實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖十一。 實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。
芯片10 接點(diǎn)11
第一開口 21 第二介電層3 重置布線層4、4a
防焊層5 錫球6
第四介電層8
具體實(shí)施方式
請參閱圖1所示，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。如圖所示本實(shí)用 新型為一種具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其至少由一晶粒1、一第一介電層2、一第二介電層3、 至少一重置布線層4、一防焊層5以及數(shù)個錫球6所構(gòu)成。上述所提的晶粒1的一面上具數(shù)個接點(diǎn)11。該第一介電層2疊設(shè)于晶粒1的一面上，且具有分別對應(yīng)各接點(diǎn)11的第一開口 21，各第一開口 21中可設(shè)有疊設(shè)于接點(diǎn)11 一面上的連接層22，而該第一介電層2可為樹脂 或有機(jī)或無機(jī)絕緣材質(zhì)。該第二介電層3疊設(shè)于第一介電層2的一面上，且具有分別對應(yīng)各第一開口 21的 第二開口 31，而該第二介電層3可為樹脂或有機(jī)或無機(jī)絕緣材質(zhì)。該重置布線層4為導(dǎo)電體，而該重置布線層4設(shè)于第一及第二開口 21、 31中且與各接點(diǎn)11上的連接層22連接，該重置布線層4上可疊設(shè)有一金屬完成層 41(MetalFinish)。該防焊層5疊設(shè)于第二介電層3以及重置布線層4的金屬完成層41 一面上，且具 有數(shù)個對應(yīng)金屬完成層41的穿孔51。各錫球6設(shè)于防焊層5的各穿孔51中，且分別連接重置布線層4上的金屬完成層 41。如是，藉由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成一全新的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路。請參閱圖2 圖12所示，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的制作狀態(tài)示意圖。如圖所示 制作時，是取一芯片10，而該芯片10以切割道101定義出數(shù)個晶粒1，且各晶粒1的一面上 具有數(shù)個接點(diǎn)11 (如圖2所示)，之后于芯片10的一面上以樹脂或有機(jī)或無機(jī)絕緣材質(zhì)利 用旋轉(zhuǎn)涂布、印刷、CVD、sputter等方式成形第一介電層2 (如圖3所示)，并于該第一介電 層2上以曝光顯影、激光或蝕刻的方式成形對應(yīng)各接點(diǎn)11的第一開口 21(如圖4所示)， 且于第一介電層2的第一開口 21中以化鎳浸金(electroless nickel/immersiongold, ENIG)、Immersion Silver、Immersion Tin等方式形成有疊設(shè)于接點(diǎn)11 一面上的連接層 22 (如圖5所示)，再于該第一介電層2的一面上以樹脂或有機(jī)或無機(jī)絕緣材質(zhì)利用旋轉(zhuǎn)涂 布、印刷、CVD、sputter等方式成形第二介電層3 (如圖6所示)，并于該第二介電層3上以 曝光顯影、激光或蝕刻的方式成形分別對應(yīng)各第一開口 21的第二開口 31(如圖7所示，)，且于該第二介電層3上利用印刷、涂布、噴墨、化學(xué)汽相沉積(DVD)、物理汽相沉積(PVD)Ji 鍍、電鍍或非電鍍的方式形成重置布線層4，并將超出第二介電層3表面的部分加以磨除， 使該重置布線層4設(shè)于第一及第二開口 21、31中且與各接點(diǎn)11上的連接層22連接，而形成 單層的重置布線層4(如圖8所示)，之后再于該重置布線層4上以化鎳浸金(electroless nickel/immersion gold，ENIG)、ImmersionSilver、Immersion Tin 等方式疊設(shè)有一金屬完 成層41 (如圖9所示) ，并于該第二介電層3與金屬完成層41的一面上疊設(shè)有防焊層5，且 該防焊層5具有數(shù)個對應(yīng)金屬完成層41的穿孔51 (如圖10所示)，然后于各防焊層5的各 穿孔51中設(shè)置連接于金屬完成層41上的錫球6 (如圖11所示)，最后再由切割道101將芯 片10進(jìn)行切割(如圖12所示)，進(jìn)而構(gòu)成一所需的集成電路(如圖1所示)。而值得注意的是，該接點(diǎn)11 一面上的連接層22以及重置布線層4上的金屬完成 層41 (Metal Finish)于實(shí)際制作時，可依據(jù)重置布線層4的布線方式?jīng)Q定是否需要制作； 且當(dāng)重置布線層4以印刷電路的方式制作時，則可直接于第一介電層2上完成重置布線層 4的制作，而省略圖6 圖8的制程。請參閱圖13所示，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。如圖所示本實(shí) 用新型的重置布線層4除上述第一實(shí)施例所提單層結(jié)構(gòu)型態(tài)之外，亦可為本第二實(shí)施例所 提的雙層結(jié)構(gòu)型態(tài)，而其所不同之處在于，可于原本的重置布線層4上另設(shè)一第三及第四 介電層7、8，并于該第三、四介電層7、8上再設(shè)置一重置布線層4a，而各重置布線層4、4a相 互連接，藉以成為雙層重置布線層4、4a的結(jié)構(gòu)。綜上所述，本實(shí)用新型的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路可有效改善現(xiàn)有技術(shù)的種種缺 點(diǎn)，可使該集成電路達(dá)到提高組件可靠度以及易于制作的功效，進(jìn)而使本實(shí)用新型能產(chǎn)生 更進(jìn)步、更實(shí)用、更符合消費(fèi)者使用的所需，確已符合實(shí)用新型專利申請的要件，依法提出 專利申請。
權(quán)利要求一種具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，包括有晶粒，其一面上具有數(shù)個接點(diǎn)；其特征在于還包括有第一介電層，疊設(shè)于晶粒的一面上，且具有分別對應(yīng)各接點(diǎn)的第一開口；第二介電層，疊設(shè)于第一介電層的一面上，且具有分別對應(yīng)各第一開口的第二開口；至少一重置布線層，設(shè)于第一及第二開口中且與各接點(diǎn)連接；防焊層，疊設(shè)于第二介電層與重置布線層一面上，且具有數(shù)個對應(yīng)重置布線層的穿孔；以及數(shù)個錫球，設(shè)于防焊層的各穿孔中，且分別連接重置布線層。
2.如權(quán)利要求1所述的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其特征在于所述第一、二介電層由樹 脂或有機(jī)或無機(jī)絕緣材質(zhì)制成。
3.如權(quán)利要求1所述的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其特征在于所述各第一開口中設(shè)有 疊設(shè)于接點(diǎn)一面上的連接層。
4.如權(quán)利要求1所述的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其特征在于所述重置布線層為導(dǎo)電體。
5.如權(quán)利要求1所述的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其特征在于所述重置布線層上疊設(shè)有一金屬完成層。
6.如權(quán)利要求1所述的具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其特征在于所述重置布線層為單層 或雙層。
專利摘要一種具布局結(jié)構(gòu)的集成電路，其包含一面上具有數(shù)個接點(diǎn)的晶粒；疊設(shè)于晶粒一面上的第一介電層，其具有分別對應(yīng)各接點(diǎn)的第一開口；疊設(shè)于第一介電層一面上的第二介電層，其具有分別對應(yīng)各第一開口的第二開口；至少一設(shè)于第一及第二開口中且與各接點(diǎn)連接的重置布線層；疊設(shè)于第二介電層與重置布線層一面上的防焊層，其具有數(shù)個對應(yīng)重置布線層的穿孔；以及數(shù)個設(shè)于各穿孔中且分別連接重置布線層的錫球。藉此，可使該集成電路達(dá)到提高組件可靠度以及易于制作的功效。
文檔編號H01L23/488GK201655789SQ20102030185
公開日2010年11月24日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者盧旋瑜, 朱貴武, 梁裕民 申請人:茂邦電子有限公司