專利名稱：雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng) 域。背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方式是采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電 鍍層后，即完成引線框的制作(如圖7所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進(jìn)行蝕 刻。該法存在以下不足因?yàn)樗芊馇爸辉诮饘倩逭孢M(jìn)行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包 裹住引腳半只腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時(shí)，再進(jìn)行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖8所示)。尤其塑封料的種 類是采用有填料時(shí)候，因?yàn)椴牧显谏a(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼裝的應(yīng)力變化關(guān)系，會(huì)造 成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，如圖9 10所示，金 屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；同樣由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，使得芯片的 信號(hào)輸出速度較慢(尤其是存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)；也同樣 由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的 干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較 高，廢棄物較多。為此，本申請(qǐng)人在先申請(qǐng)了一件名稱為《芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)》的實(shí)用新型專利，其 申請(qǐng)?zhí)枮?01020177746. 7。其主要技術(shù)特征是采用金屬基板的背面先進(jìn)行半蝕刻，在金 屬基板的背面形成凹陷的半蝕刻區(qū)域，同時(shí)相對(duì)形成基島和引腳的背面，再在所述半蝕刻 區(qū)域，填涂上無填料的軟性填縫劑，并同時(shí)進(jìn)行烘烤，使無填料的軟性填縫劑固化成無填料 的塑封料(環(huán)氧樹脂)，以包裹住引腳的背面。然后再在金屬基板的正面進(jìn)行半蝕刻，同時(shí) 相對(duì)形成基島和引腳的正面。其有益效果主要有1)由于在所述金屬基板的背面引腳與引腳間的區(qū)域嵌置有無填料的軟性填縫劑， 該無填料的軟性填縫劑與在塑封過程中的金屬基板正面的常規(guī)有填料塑封料(環(huán)氧樹脂) 一起包裹住整個(gè)引腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳 的問題，如圖11。2)由于采用了引線框正面與背面分開蝕刻作業(yè)的方法，所以在蝕刻作業(yè)中可形成 背面引腳的尺寸稍小而正面引腳尺寸稍大的結(jié)構(gòu)，而同個(gè)引腳的上下大小不同尺寸在被無 填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)所包裹的更緊更不容易產(chǎn)生滑動(dòng)而掉腳。3)因運(yùn)用了引腳的延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳之間的 距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。4)因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與 因?yàn)椴牧嫌昧康臏p少也大幅度的減少?gòu)U棄物環(huán)保的困擾。[0010]但是，還是存在有以下的不足由于封裝前先進(jìn)行引線框背面無填料塑封料的包 裹引腳作業(yè)，再進(jìn)行引線框正面的高溫裝片和打線作業(yè)時(shí)，因引線框和無填料塑封料兩種 材料的物理性能不同，兩種材料的膨脹系數(shù)也不同，在高溫下受熱形變不同，導(dǎo)致后續(xù)裝片 時(shí)引線框產(chǎn)生扭曲。因此該種封裝結(jié)構(gòu)在裝片時(shí)不能夠耐超高溫以上)。而以往是 通過把封裝體體積做得很大來達(dá)到耐高溫的要求，但現(xiàn)在要求封裝體的體積越來越小而功 率是越來越大的情況下就耐不了超高溫了。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種裝片時(shí)可承受超高溫且不會(huì)因不 同物質(zhì)的不同物理性質(zhì)而產(chǎn)生引線框扭曲，也不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題的雙面圖形芯片倒 裝單顆封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)，包括引 腳、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)、錫金屬的粘結(jié)物質(zhì)、芯片和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)， 所述引腳正面延伸到后續(xù)貼裝芯片的下方，在所述引腳的正面設(shè)置有第一金屬層，在所述 引腳的背面設(shè)置有第二金屬層，在所述后續(xù)貼裝芯片的下方的引腳正面第一金屬層上通過 錫金屬的粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有芯片，在所述引腳的上部以及芯片外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹 脂)，在所述引腳外圍的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹 脂)，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)將引腳下部外圍以及引腳下部與引腳下部連接成 一體，且使所述引腳背面尺寸小于引腳正面尺寸，形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)將引腳正面局部單元進(jìn)行包覆，在所述引腳背面設(shè)置有柱 子，柱子根部埋入所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)內(nèi)。本實(shí)用新型的有益效果是1、引線框耐超高溫^KTC以上)由于采用了雙面圖形蝕刻引線框技術(shù)，一次完成引線框的正、背兩面雙面蝕刻，同 時(shí)封裝時(shí)先進(jìn)行引線框正面的高溫裝片打線再進(jìn)行引線框背面的引腳包裹作業(yè)，使裝片打 線時(shí)只有引線框一種材料，在使用超高溫的制程過程中因沒有多種材料膨脹系數(shù)不同所帶 來的沖擊，確保了引線框的耐超高溫(一般是200°C以下)性能。2、能確保弓I線框裝片強(qiáng)度因?yàn)椴幌茸鲱A(yù)包封，引線框裝片時(shí)承受的壓力大，裝片時(shí)會(huì)使引線框產(chǎn)生振動(dòng)，引 線框會(huì)出現(xiàn)下陷現(xiàn)象。本實(shí)用新型通過在引線框背面留有柱子的設(shè)計(jì)，以增加裝片時(shí)引線 框的強(qiáng)度。3、確保不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題由于采用了雙面蝕刻的工藝技術(shù)，所以可以輕松的規(guī)劃設(shè)計(jì)與制造出上大下小的 引腳結(jié)構(gòu)，可以使上下層塑封料緊密的將上大下小的引腳結(jié)構(gòu)一起包裹住，所以塑封體與 引腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題。4、由于應(yīng)用了引線框背面與正面分開蝕刻的技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引 腳盡可能的延伸到封裝體的中心，促使芯片與引腳位置能夠與芯片鍵合的位置相同，如圖 6所示，如此電性的傳輸將可大幅度提升尤其存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為 突出。[0021]5、使封裝的體積與面積可以大幅度的縮小因運(yùn)用了引腳的延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間 的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。6、材料成本和材料用量減少因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與因 為材料用量的減少也大幅度的減少?gòu)U棄物環(huán)保的困擾。7、采用局部單元的單顆封裝的優(yōu)點(diǎn)有1)在不同的應(yīng)用中可以將塑封體邊緣的引腳伸出塑封體。2)塑封體邊緣的引腳伸出塑封體外可以清楚的檢查出焊接在PCB板上的情況。3)模塊型的面積較大會(huì)容易因?yàn)槎喾N不同的材料結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生收縮率不同的應(yīng)立 變形，而局部單元的單顆封裝就可以完全分散多種不同的材料結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生收縮率不同的應(yīng) 立變形。4)單顆封裝在進(jìn)行塑封體切割分離時(shí)，因?yàn)橐懈畹暮穸戎挥幸_的厚度，所以 切割的速度可以比模塊型的封裝結(jié)構(gòu)要來得快很多，且切割用的刀片因?yàn)榍懈畹暮穸缺惚?了所以切割刀片的壽命相對(duì)的也就變的更長(zhǎng)了。
圖1 (A) 圖1 (Q)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1各生產(chǎn) 工序示意圖。圖2為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2的俯視圖。圖4(A) 圖4(Q)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2各生產(chǎn) 工序示意圖。圖5為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為圖5的俯視圖。圖7為以往采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖8為以往形成的掉腳圖。圖9為以往的封裝結(jié)構(gòu)一示意圖。圖10為圖9的俯視圖。圖11為以往的封裝結(jié)構(gòu)二示意圖。圖中附圖標(biāo)記引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、第一金屬層4、第二金屬層5、錫金屬的粘 結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9、柱子10、金屬基板11、光阻膠膜 12、光阻膠膜13、光阻膠膜14、光阻膠膜15、連筋16、光阻膠膜17、光阻膠膜18。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 單芯片單圈引腳參見圖2和圖3，圖2為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1結(jié)構(gòu) 示意圖。圖3為圖2的俯視圖。由圖2和圖3可以看出，本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)，包括引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、錫金屬的粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7和有 填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，所述引腳2正面延伸到后續(xù)貼裝芯片的下方，在所述引腳2的 正面設(shè)置有第一金屬層4，在所述引腳2的背面設(shè)置有第二金屬層5，在所述后續(xù)貼裝芯片 的下方的引腳2正面第一金屬層4上通過錫金屬的粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置有芯片7，在所述引腳2 的上部以及芯片7外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，該有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9將引 腳2正面局部單元進(jìn)行包覆，在所述引腳2外圍的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌 置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將引腳2下部外圍 以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述引腳2背面尺寸小于引腳2正面尺寸， 形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)，在所述引腳2背面設(shè)置有柱子10，柱子10根部埋入所述無填料 的塑封料(環(huán)氧樹脂)3內(nèi)。其封裝方法如下步驟一、取金屬基板參見圖1(A)，取一片厚度合適的金屬基板11。金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功 能與特性進(jìn)行變換，例如銅、鋁、鐵、銅合金或鎳鐵合金等。步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1(B)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影 的光阻膠膜12和13，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄 膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開 窗參見圖1 (C)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面 進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域。步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1(D)，對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層4電鍍被 覆，該第一金屬層4置于所述引腳2的正面。步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (E)，將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部 揭除。步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (F)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的 光阻膠膜14和15，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可 以是濕式光阻膠膜。步驟七、金屬基板的光阻膠膜進(jìn)行需要雙面蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (G)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面 及背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬 基板雙面蝕刻作業(yè)。步驟八、金屬基板進(jìn)行雙面蝕刻作業(yè)參見圖1 (H)，完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的正面及 背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出引腳2的正面和背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到后續(xù)貼裝芯片的下方，且使所述引腳2的背面尺寸小于引腳2的正面尺寸，形成上大下小 的引腳2結(jié)構(gòu)；以及在引腳2背面形成柱子10，并在引腳2與引腳2之間留有連筋16。步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1(1)，將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除，制成引線框，步驟十、裝片參見圖1 (J)，在所述后續(xù)貼裝芯片的下方的引腳2正面第一金屬層4上通過錫金 屬的粘結(jié)物質(zhì)6進(jìn)行芯片7的貼裝。步驟十一、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (K)，將已裝片完成的半成品正面進(jìn)行局部單元包封有填料塑封料(環(huán)氧 樹脂)9作業(yè)，使引腳2正面局部單元區(qū)域露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，并進(jìn)行塑封料 包封后的固化作業(yè)，使引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)包 封。步驟十二、被覆光阻膠膜參見圖1 (L)，利用被覆設(shè)備在將已完成包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半 成品的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜17和18，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝 作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟十三、已完成包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品的背面進(jìn)行需要 蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (M)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封 有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出步 驟八金屬基板雙面蝕刻作業(yè)后留有的連筋16以及在引腳2背面形成的柱子10，以備后續(xù)需 要進(jìn)行柱子根部和連筋蝕刻作業(yè)。步驟十四、第二次蝕刻作業(yè)參見圖1 (N)，完成步驟十三的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封有填料 塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，將步驟八金屬基板雙面蝕 刻作業(yè)后留有的連筋16全部蝕刻掉，在這個(gè)過程中所述柱子10的根部也會(huì)同時(shí)的蝕刻掉 相對(duì)的厚度，使柱子根部不露出包封后的封裝結(jié)構(gòu)背面，避免產(chǎn)生斷路。步驟十五、半成品正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (0)，將完成步驟十四蝕刻作業(yè)的半成品背面余下的光阻膠膜以及半成品 正面的光阻膠膜全部揭除。步驟十六、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (P)，將已完成步驟十五所述去膜作業(yè)的半成品背面進(jìn)行包封無填料的塑 封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使引腳2外圍的區(qū)域以及引腳 2與引腳2之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，該無填料的塑封料(環(huán)氧樹 脂)3將引腳下部外圍以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述柱子10根部埋 入該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3內(nèi)。特別說明但也因?yàn)槎嗔怂鲋?0在封裝體內(nèi)，反而在封裝體內(nèi)的結(jié)構(gòu)更為強(qiáng) 壯了(好比混泥土中增加了鋼筋又有強(qiáng)度又有韌性)步驟十七、引腳背面和正面進(jìn)行金屬層電鍍被覆[0080]參見圖1⑴)，對(duì)已完成步驟十六包封無填料塑封料作業(yè)的所述引腳的背面以及步 驟十二所述露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)的引腳2正面局部單元區(qū)域分別進(jìn)行第二金屬 層5和第一金屬層4的電鍍被覆作業(yè)，而電鍍的材料可以是錫、鎳金、鎳鈀金....等金屬材 質(zhì)。步驟十八、切割成品參見圖2和圖3，將已完成步驟十七第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)， 使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片倒裝單顆 封裝結(jié)構(gòu)成品。實(shí)施例2 :多芯片單圈引腳參見圖4 6，圖4(A) 圖4(Q)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí) 施例2各生產(chǎn)工序示意圖。圖5為本實(shí)用新型雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2結(jié) 構(gòu)示意圖。圖6為圖5的俯視圖。由圖4、圖5和圖6可以看出，實(shí)施例2與實(shí)施例1的不 同之處僅在于所述芯片7設(shè)置有多顆。
權(quán)利要求1.一種雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)，包括引腳O)、無填料的塑封料(3)、錫金屬 的粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)和有填料塑封料(9)，所述引腳O)正面延伸到后續(xù)貼裝芯片的 下方，在所述引腳O)的正面設(shè)置有第一金屬層G)，在所述引腳O)的背面設(shè)置有第二金 屬層(5)，在所述后續(xù)貼裝芯片的下方的引腳(2)正面第一金屬層(4)上通過錫金屬的粘結(jié) 物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，在所述引腳( 的上部以及芯片(7)外包封有填料塑封料(9)，在 所述引腳⑵外圍的區(qū)域以及引腳⑵與引腳⑵之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(3)， 所述無填料的塑封料⑶將引腳(2)下部外圍以及引腳(2)下部與引腳⑵下部連接成一 體，且使所述引腳(2)背面尺寸小于引腳O)正面尺寸，形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)，其特征 在于所述有填料塑封料(9)將引腳( 正面局部單元進(jìn)行包覆，在所述引腳( 背面設(shè)置 有柱子(10)，柱子(10)根部埋入所述無填料的塑封料(3)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片 (7)設(shè)置有多顆。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙面圖形芯片倒裝單顆封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括引腳(2)、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)(3)、錫金屬的粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)(9)，所述引腳(2)正面延伸到后續(xù)貼裝芯片的下方，在所述后續(xù)貼裝芯片的下方的引腳(2)正面第一金屬層(4)上通過錫金屬的粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，在所述引腳(2)的上部以及芯片(7)外包封有填料塑封料(9)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(3)，所述有填料塑封料(9)將引腳(2)正面局部單元進(jìn)行包覆，在所述引腳(2)背面設(shè)置有柱子(10)，柱子(10)根部埋入所述無填料的塑封料(3)內(nèi)。本實(shí)用新型裝片時(shí)可承受超高溫且不會(huì)因不同物質(zhì)的不同物理性質(zhì)而產(chǎn)生引線框扭曲，也不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題。
文檔編號(hào)H01L23/495GK201838580SQ201020517899
公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月4日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司