專利名稱：倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，尤指可利用UV光照射于發(fā) 光晶粒粘貼于膠膜上的UV膠，并通過UV膠光固化來降低粘度，使頂針推頂于膠膜可輕易將 發(fā)光晶粒與膠膜分離，可有效防止較薄的外延層承受過大沖擊導(dǎo)致結(jié)構(gòu)上的破壞，以提高 產(chǎn)品良率。
背景技術(shù)：
一般市面上所使用的發(fā)光裝置形式與種類相當(dāng)多，然就以次世代綠色環(huán)保、節(jié)能 的趨勢(shì)來說，由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)具有更加省電、體積小，以及良 好穩(wěn)定性與可靠度的優(yōu)勢(shì)，特別是白光發(fā)光二極管，因而使發(fā)光二極管被廣泛地應(yīng)用在路 燈、隧道燈、手電筒、指示廣告牌、家居照明及液晶面板的背光源等用途。除此之外，為了達(dá)到更亮更省電的目標(biāo)，發(fā)光二極管封裝還需要有良好的散熱性 及光萃取效率，尤其是在散熱方面更是受到重視，若未能實(shí)時(shí)將熱量排出，使囤積在發(fā)光二 極管中的熱對(duì)其特性、使用壽命及可靠度都會(huì)產(chǎn)生不良影響，而光學(xué)設(shè)計(jì)也是封裝程序中 重要的一環(huán)，要如何有效地將光導(dǎo)出，發(fā)光角度及方向都是設(shè)計(jì)的重點(diǎn)所在。若以傳統(tǒng)導(dǎo)線架封裝結(jié)構(gòu)為例，主要可經(jīng)過固晶、打線鍵合及模造等程序，而發(fā)光 晶粒為包括有藍(lán)寶石基板、N型氮化鎵奧姆接觸層、發(fā)光層、P型氮化鎵奧姆接觸層及透光 導(dǎo)電層，并于透光導(dǎo)電層與N型氮化鎵奧姆接觸層上分別成長(zhǎng)有P型電極襯墊、N型電極襯 墊，其中固晶先將藍(lán)寶石基板無(wú)外延層的一側(cè)表面使用銀膠或?qū)嵯禂?shù)較高的錫膏、金錫 焊料等接合材料固定在導(dǎo)線架上后，利用熱壓合方式將金線或鋁線的兩端分別連接到發(fā)光 晶粒及導(dǎo)線架或基板上，并以熒光粉均勻涂布于發(fā)光晶粒上，再透過模造填充環(huán)氧樹酯保 護(hù)芯片、加熱進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)來增加硬度并降低吸濕性，惟此種封裝方式使發(fā)光晶粒散熱往 往被低散熱系數(shù)的藍(lán)寶石基板所局限，其厚度較厚、更加提高整體熱傳困難度，且因發(fā)光層 所發(fā)出的部分光線必須由P型電極襯墊的一側(cè)穿過透光導(dǎo)電層而射向熒光粉及環(huán)氧樹酯， 造成P型電極襯墊本身會(huì)遮蔽部分發(fā)光面、降低發(fā)光二極管發(fā)光效率。因此，為了解決因電極襯墊遮蔽所導(dǎo)致發(fā)光效率降低的缺點(diǎn)，便有業(yè)者改采用倒 裝芯片式(Flip-Chip)封裝增加有效發(fā)光面積，其于氮化鎵是發(fā)光二極管所具的藍(lán)寶石基 板上依序成長(zhǎng)有緩沖層、N型氮化鎵奧姆接觸層，并于中央成長(zhǎng)有發(fā)光層及P型氮化鎵奧姆 接觸層，且該P(yáng)型氮化鎵奧姆接觸層為透過P型電極襯墊與外部散熱基板相連接，而發(fā)光層 二側(cè)邊成長(zhǎng)有N型電極，其中一 N型電極透過N型電極襯墊與外部散熱基板相連接，由于主 要出光面并無(wú)遮蔽光線，則可增加發(fā)光二極管發(fā)光效率；再者，亦有業(yè)者將多個(gè)發(fā)光晶粒結(jié) 合于氮化鎵(GaN)基板或硅基板上，即可將氮化鎵基板或硅基板使用銀膠、軟焊金屬等接 合材料固定在鍍銀的銅材上后，而使發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱量可由倒裝芯片結(jié)構(gòu)中的電極 襯墊透過氮化鎵基板或硅基板快速傳導(dǎo)至良好散熱系數(shù)的銅材對(duì)外排散，通過此可取代藍(lán) 寶石基板、改善熱傳效果較差等問題，而提高整體封裝散熱效果，惟此種方式材料成本往往 較藍(lán)寶石基板貴上許多，廠商礙于成本考慮，一般仍以使用藍(lán)寶石基板為主。
又發(fā)光二極管制作流程可分為外延成型、切割、選晶、貼膜、脫離、晶粒粘著以及倒 裝芯片式封裝工藝，其中外延成型后即可切割成數(shù)萬(wàn)個(gè)發(fā)光晶粒，再進(jìn)行分類、選晶貼至膠 膜(藍(lán)膠)上，而可將成批發(fā)光晶粒庫(kù)存，或是進(jìn)行后續(xù)脫離膠膜，同時(shí)通過真空吸盤輸送 以進(jìn)行后續(xù)發(fā)光晶粒的固晶、粘著，以及倒裝芯片式封裝等工藝，惟該脫離過程是利用分離 裝置所具的頂針推頂于膠膜使發(fā)光晶粒與膠膜逐一分離，由于發(fā)光晶粒貼至膠膜上具有一 定粘著度，金屬材質(zhì)制成的頂針則必須施以較大推頂力量，才能夠?qū)l(fā)光晶粒與膠膜分離， 且因發(fā)光晶粒上的外延層(如緩沖層、N型氮化鎵奧姆接觸層、發(fā)光層及P型氮化鎵奧姆接 觸層等)相較于藍(lán)寶石基板厚度相當(dāng)?shù)谋。蝗羰琼斸樜恢貌患?、推頂力量過大或其它參 數(shù)設(shè)定不良，便會(huì)造成外延層無(wú)法承受過大的沖擊能量(Impact Energy)，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光晶 粒的破裂或損傷等情況發(fā)生，使產(chǎn)品不良率大幅也將提高，同時(shí)增加整體制造上的成本。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人有鑒于上述現(xiàn)有發(fā)光二極管于發(fā)光晶粒與膠膜利用頂針脫離過程中容易 造成破裂或損傷的問題與缺失，乃搜集相關(guān)資料經(jīng)由多方評(píng)估及考慮，方以從事此行業(yè)的 多年經(jīng)驗(yàn)不斷的試作與修改，始設(shè)計(jì)出此種倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法發(fā)明專 利誕生。本發(fā)明的主要目的乃在于當(dāng)各發(fā)光晶粒欲與膠膜進(jìn)行脫離時(shí)，可利用UV曝光機(jī) 所產(chǎn)生的UV光照射于膠膜上的UV膠進(jìn)行曝光，并通過UV膠快速干燥、光固化后降低發(fā)光 晶粒粘貼于膠膜上的粘度，即改變UV膠材質(zhì)的特性而變得較為硬脆，使分離裝置所具不同 型態(tài)的頂針(如圓頭、尖頭等)推頂于膠膜另側(cè)表面上時(shí)，可不需施以較大推頂力量，得以 輕易將各發(fā)光晶粒與膠膜逐一分離，同時(shí)亦可有效防止頂針位置不佳、推頂力量過大或其 它參數(shù)設(shè)定不良所造成較薄的外延層承受過大沖擊能量，導(dǎo)致發(fā)光晶粒結(jié)構(gòu)上的損傷與破 壞等情況發(fā)生，通過此提高產(chǎn)品的質(zhì)量與良率、減少制造上的成本。本發(fā)明一種倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其實(shí)施步驟為包括有A)發(fā)光二極管所具的晶片基板上依序成長(zhǎng)有N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體 層以構(gòu)成外延層(印itaxial layer)；B)將晶片切割成多個(gè)單顆發(fā)光晶粒；C)挑選出適用的發(fā)光晶粒；D)將UV膠涂布于膠膜一側(cè)表面上形成有涂布層，并將各發(fā)光晶粒透過UV膠粘貼 于膠膜上成為一體；E)利用UV曝光機(jī)產(chǎn)生的UV光照射于膠膜上的涂布層進(jìn)行曝光，通過UV膠光固化 后降低發(fā)光晶粒粘貼于膠膜上的粘度；F)再利用分離裝置所具的頂針推頂于膠膜另側(cè)表面上，而使各發(fā)光晶粒與膠膜逐
一分離。


圖1為本發(fā)明的制造流程圖；圖2為本發(fā)明貼膜過程的示意圖；圖3為本發(fā)明發(fā)光晶粒的示意圖4為本發(fā)明曝光過程的示意圖 圖5為本發(fā)明脫離過程的示意圖 圖6為本發(fā)明頂針的結(jié)構(gòu)示意圖O主要元件符號(hào)說明1發(fā)光晶粒11基板14 P型半導(dǎo)體層12N型半導(dǎo)體層141 P型電極襯墊121N型電極襯墊15 外延層13發(fā)光層2膠膜3UV膠4分離裝置41頂針5輸送裝置51吸嘴
具體實(shí)施例方式為達(dá)成上述目的及功效，本發(fā)明所采用的技術(shù)手段及其構(gòu)造，茲繪圖就本發(fā)明的 較佳實(shí)施例詳加說明其特征與功能如下，以利完全了解。請(qǐng)參閱圖1、圖2、圖3、圖4、圖5所示，分別為本發(fā)明的制造流程圖、貼膜過程的示 意圖、發(fā)光晶粒的示意圖、曝光過程的示意圖及脫離過程的示意圖，由圖中可清楚看出，本 發(fā)明倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊為包括有下列實(shí)施步驟101)外延成型發(fā)光二極管所具的晶片基板11上依序成長(zhǎng)有N型半導(dǎo)體層12、發(fā) 光層13及P型半導(dǎo)體層14，且P型半導(dǎo)體層14表面上成長(zhǎng)有透光導(dǎo)電層(圖中未示出) 后，再于透光導(dǎo)電層部分表面上分別成長(zhǎng)有N型電極襯墊121、P型電極襯墊141。102)切割將晶片切割成為多個(gè)單顆發(fā)光晶粒1。103)選晶分類、挑選(Pick up)出適用的發(fā)光晶粒1。104)貼膜將UV(紫外線)膠3涂布于膠膜2 —側(cè)表面上形成有涂布層，并將多 個(gè)發(fā)光晶粒1透過UV膠3粘貼于膠膜2上成為一體。105)UV(紫外線)曝光利用UV曝光機(jī)照射于膠膜2上的涂布層進(jìn)行曝光，并通 過UV膠3快速干燥、光固化后可降低發(fā)光晶粒1粘貼于膠膜2上的粘度。106)脫離利用分離裝置4所具的頂針41推頂于膠膜2另側(cè)表面上，而使各發(fā)光 晶粒1為與膠膜2逐一分離，并由輸送裝置5所具的吸嘴51吸附于發(fā)光晶粒1進(jìn)行輸送。107)晶粒粘著將發(fā)光晶粒1上的N型電極襯墊121、P型電極襯墊141透過導(dǎo) 電膠體或焊料分別與電路基板所具的焊料襯墊相連接，而成型出倒裝芯片式發(fā)光二極管模 塊。108)燈具封裝將發(fā)光二極管模塊為與外部燈具封裝結(jié)合成為一體。由上述的步驟可得知，其是于基板11上先進(jìn)行外延層(印itaxiallayer) 15成長(zhǎng)， 也就是在基板11上為依序成長(zhǎng)有N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13及P型半導(dǎo)體層14，且該P(yáng)型半導(dǎo)體層14表面上成長(zhǎng)有透光導(dǎo)電層，并于透光導(dǎo)電層部分表面上則分別成長(zhǎng)有N型電 極襯墊121、P型電極襯墊141，惟此部分有關(guān)外延層15成長(zhǎng)(如N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層 13及P型半導(dǎo)體層14等)經(jīng)由曝光、顯影及金屬剝離(Lift-Off)技術(shù)成長(zhǎng)有N型電極襯 墊121、P型電極襯墊141等因非本發(fā)明的重點(diǎn)所在，所以在本說明書中僅作簡(jiǎn)單敘述，以供 了解；而后便可將晶片切割成多個(gè)單顆發(fā)光晶粒1，且經(jīng)由挑選(Pickup)出適用的發(fā)光晶 粒1 ；另將UV膠3涂布于膠膜2 —側(cè)表面上形成有涂布層，其UV膠3涂布于膠膜2上的方 式為可利用網(wǎng)版印刷、滾筒式、噴涂式等加工涂布方式，且該UV膠3為紫外線光固化膠樹脂 (UV Cure Resin)或紫外線光固化聚合物，而可將各發(fā)光晶粒1透過UV膠3來粘貼于膠膜2 上成為一體并呈等距排列或陣列狀，如此，便可將成批發(fā)光晶粒1予以庫(kù)存，或是運(yùn)送至下 游廠商進(jìn)行后續(xù)封裝工藝，而當(dāng)發(fā)光晶粒1欲進(jìn)行封裝工藝前，即需要先將發(fā)光晶粒1為與 膠膜2脫離，此時(shí)，可利用UV曝光機(jī)產(chǎn)生的UV (紫外線)光照射于膠膜2上的UV膠3涂布 層進(jìn)行曝光，并通過UV膠3快速干燥、光固化后降低發(fā)光晶粒1粘貼于膠膜2上的粘度，即 改變UV膠3材質(zhì)的特性而變得較為硬脆，再利用分離裝置4所具的頂針(Push-upNeedle， 簡(jiǎn)稱為PUN)41來向上推頂于膠膜2另側(cè)表面上，而使金屬材質(zhì)制成的頂針41不需施以較 大推頂力量，得以輕易將各發(fā)光晶粒1與膠膜2逐一分離，同時(shí)亦可有效防止頂針41位置 不佳、推頂力量過大或其它參數(shù)設(shè)定不良所造成外延層15承受過大的沖擊能量，進(jìn)而導(dǎo)致 發(fā)光晶粒1結(jié)構(gòu)上的損傷與破壞等情況發(fā)生，并提高產(chǎn)品的質(zhì)量與良率、減少制造上所耗 費(fèi)的成本。所以，便可利用輸送裝置5所具的真空吸嘴51或吸盤吸附于發(fā)光晶粒1進(jìn)行輸 送，再將發(fā)光晶粒1外延層15上的N型電極襯墊121、P型電極襯墊141透過導(dǎo)電膠體或焊 料為分別與電路基板所具的焊料襯墊(圖中未示出)相連接，且該電路基板亦為單面或雙 面設(shè)有電路布局，并將各矩形發(fā)光晶粒1透過電路布局串聯(lián)或并聯(lián)方式電性連接于電路基 板單面或雙面，以產(chǎn)生單面或雙面發(fā)光型態(tài)，從而完成發(fā)光晶粒1固晶、粘著后，再進(jìn)行發(fā) 光晶粒1的熒光粉膠體涂布、烘烤程序，便可成型出倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊，再將發(fā)光 二極管模塊為與外部燈具(圖中未示出)封裝結(jié)合成為一體。此外，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，非因此即局限本發(fā)明的申請(qǐng)專利 范圍，本發(fā)明發(fā)光晶粒1上的基板11為透光藍(lán)寶石、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ΖΝ/0)、氧化鎂 (MgO)、氧化鎵(Ga203)、氮化鋁(AlG aN)、氧化鋰鎵(GaLiO)、氧化鋰鋁(AlliO)或尖晶石 (Spinel)基板，且該N型半導(dǎo)體層12及P型半導(dǎo)體層14亦為鈦、金；鈦、鋁；鉻、金或鉻、 鋁其中之一或其組合而成，并于基板11上依序成長(zhǎng)有N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13及P型 半導(dǎo)體層14以構(gòu)成外延層15，其中基板11厚度hi最佳的一具體實(shí)施例為80 90 μ m、外 延層15厚度h 2則為5 10 μ m，但于實(shí)際應(yīng)用時(shí)，并非是以此作為局限，其僅只需提供發(fā) 光晶粒1透過UV膠3粘貼于膠膜2上時(shí)，可利用UV曝光機(jī)產(chǎn)生的UV光照射于UV膠3進(jìn) 行曝光，此UV光波長(zhǎng)范圍較佳具體實(shí)施例為400 430nm之間，則可通過UV膠3光固化后 降低發(fā)光晶粒1粘貼于膠膜2上的粘度，以利分離裝置4所具的頂針41 (如圖6所示)可 依發(fā)光晶粒1尺寸或重量而為不同的型態(tài)(如圓頭、尖頭等)，并推頂于膠膜2另側(cè)的表面 上，而可避免發(fā)光晶粒1脫離膠膜2時(shí)，頂針41輕易將外延層15較薄的N型半導(dǎo)體層12、 發(fā)光層13及P型半導(dǎo)體層14頂破，同時(shí)亦可有效防止頂針41位置不佳、推頂力量過大或 其它參數(shù)設(shè)定不良所造成外延層15承受過大的沖擊能量，導(dǎo)致發(fā)光晶粒1結(jié)構(gòu)上的破壞等情況發(fā)生，通過此提高產(chǎn)品良率、減少制造上的成本即可，惟本發(fā)明技巧特征并不局限于 此，舉凡任何熟悉該項(xiàng)技藝者在本發(fā)明領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾，均應(yīng)被涵蓋在本 案的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)，合予陳明。 綜上所述，本發(fā)明上述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法于使用時(shí)，為確 實(shí)能達(dá)到其功效及目的，故本發(fā)明誠(chéng)為一實(shí)用性優(yōu)異的發(fā)明，為符合發(fā)明專利的申請(qǐng)要件， 依法提出申請(qǐng)。
權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其實(shí)施步驟為包括有A)發(fā)光二極管所具的晶片基板上依序成長(zhǎng)有N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層以 構(gòu)成外延層；B)將晶片切割成多個(gè)單顆發(fā)光晶粒；C)挑選出適用的發(fā)光晶粒；D)將UV膠涂布于膠膜一側(cè)表面上形成有涂布層，并將各發(fā)光晶粒透過UV膠粘貼于膠 膜上成為一體；E)利用UV曝光機(jī)產(chǎn)生的UV光照射于膠膜上的涂布層進(jìn)行曝光，通過UV膠光固化后降 低發(fā)光晶粒粘貼于膠膜上的粘度；F)再利用分離裝置所具的頂針推頂于膠膜另側(cè)表面上，而使各發(fā)光晶粒與膠膜逐一分1 O
2.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 A)外延層于P型半導(dǎo)體層表面上成長(zhǎng)有透光導(dǎo)電層，且透光導(dǎo)電層部分表面上分別成長(zhǎng)有 N型電極襯墊、P型電極襯墊。
3.如權(quán)利要求2所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 A)外延層經(jīng)由曝光、顯影及金屬剝離技術(shù)成長(zhǎng)有N型電極襯墊、P型電極襯墊。
4.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 A)基板厚度為80 90 μ m、外延層厚度則為5 10 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 A)基板為透光藍(lán)寶石、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、氧化鎵、氮化鋁、氧化鋰鎵、氧化鋰鋁或尖晶 石基板。
6.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 A)基板上成長(zhǎng)的N型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層分別為鈦、金；鈦、鋁；鉻、金或鉻、鋁其中之 一或其組合而成。
7.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 D)UV膠涂布于膠膜上的方式可利用網(wǎng)版印刷、滾筒式、噴涂式等加工涂布方式。
8.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟D)UV膠為紫外線光固化膠樹脂或紫外線光固化聚合物。
9.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟E)UV曝光機(jī)產(chǎn)生的UV光波長(zhǎng)范圍為400 430nm之間。
10.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟F)分離裝置所具的頂針為不同型態(tài)的圓頭或尖頭。
11.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 F)發(fā)光晶粒可利用輸送裝置所具的真空吸嘴或吸盤來吸附后進(jìn)行輸送。
12.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該步驟 F)發(fā)光晶粒與膠膜分離后可透過導(dǎo)電膠體或焊料為與預(yù)設(shè)電路基板相連接，且預(yù)設(shè)電路基 板為單面或雙面設(shè)有電路布局，以供發(fā)光晶粒串聯(lián)或并聯(lián)方式電性連接于預(yù)設(shè)電路基板單 面或雙面上。
13.如權(quán)利要求12所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該發(fā)光晶粒完成固晶、粘著預(yù)設(shè)電路基板上后，再進(jìn)行發(fā)光晶粒的熒光粉膠體涂布、烘烤程序而 成型出倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊。
14.如權(quán)利要求13所述的倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其特征在于，該發(fā) 光二極管模塊與外部燈具封裝結(jié)合成為一體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種倒裝芯片式發(fā)光二極管模塊的制造方法，其于發(fā)光二極管所具的晶片基板上依序成長(zhǎng)有N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層以構(gòu)成外延層，而后將晶片切割成多個(gè)發(fā)光晶粒，并挑選出適用的發(fā)光晶粒透過UV膠來粘貼于膠膜一側(cè)表面上，即可將成批發(fā)光晶粒庫(kù)存或是進(jìn)行后續(xù)封裝工藝，當(dāng)發(fā)光晶粒欲與膠膜脫離時(shí)，可利用UV曝光機(jī)產(chǎn)生的UV光照射于UV膠上進(jìn)行曝光，并通過UV膠光固化后降低發(fā)光晶粒粘貼于膠膜上的粘度，使分離裝置所具的頂針推頂于膠膜另側(cè)表面上時(shí)，得以輕易將發(fā)光晶粒與膠膜逐一分離，可有效防止較薄的外延層承受過大的沖擊能量導(dǎo)致發(fā)光晶粒結(jié)構(gòu)上的破壞，提高產(chǎn)品良率、減少制造上的成本。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102110747SQ20091026196
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2009年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月23日
發(fā)明者楊岳勛 申請(qǐng)人:永曜光電科技股份有限公司