專利名稱：一種鎳銀片式多層陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種片式多層陶瓷電容器，具體是一種采用鎳為內(nèi)電極，銀為外電極和端電極的片式多層陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
對于片式電容而言，其內(nèi)電極成本占到電容器的30 % 80 %，從而采用廉價(jià)的金屬作為內(nèi)電極，是降低片式多層陶瓷電容器成本的有效措施。因此，在日本和其他一些國家，早在60年代開始研制開發(fā)以賤金屬為內(nèi)外電極的電子漿料。目前用Ni作內(nèi)電極，Cu作外電極的工藝已十分成熟。但是端電極材料都是采用銅材質(zhì)，由于銅在空氣中極容易氧化， 如果不電鍍的話就會(huì)影響其焊接性，采用電鍍無疑增加了工藝的復(fù)雜程度和生產(chǎn)成本。因此有必要提供一種成本低廉和更具焊接性的片式多層陶瓷電容器。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的問題是結(jié)構(gòu)簡單，端電極不易氧化，不需要電鍍就具有很好焊接性的片式多層陶瓷電容器。本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種鎳銀片式多層陶瓷電容器，由(1) Ni電極，(2)陶瓷介質(zhì)層，(3)Ag電極組成，其特征在于Ni作為內(nèi)電極，Ag作為外電極和端電極，Ag直接與M聯(lián)接。所述片式多層陶瓷電容器結(jié)構(gòu)包括Ni作為內(nèi)電極，Ag作為外電極和端電極，陶瓷作介質(zhì)層；用Ag作為外電極和端電極，與內(nèi)電極良好接觸，而且不易被氧化；由于該電容器內(nèi)電極采用的Ni，而且Ag同時(shí)作為外電極和端電極，材料厚度只有50 60um，對片式多層電容器成本幾乎沒有影響。本實(shí)用新型通過以上方法，提供一種M作為內(nèi)電極的Ag作為外電極和端電極的片式多層陶瓷電容器。有益效果本實(shí)用新型，生產(chǎn)工藝簡單，成本低廉，Ag作為外電極和端電極不易氧化，具有優(yōu)良的焊接性能，足以滿足某些領(lǐng)域電子產(chǎn)品的需要。

圖1為本實(shí)用新型片式多層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。(I)Ni電極；(2)陶瓷介質(zhì)層；(3)Ag電極
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。本實(shí)用新型片式多層陶瓷電容器，由(I)Ni電極，(2)陶瓷介質(zhì)層，(3)Ag電極組成。銀層是通過封端工序被上去，Ag直接與Ni聯(lián)接，控制銀層的厚度在50 60um。[0013] 以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征及優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制。上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)，本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1. 一種鎳銀片式多層陶瓷電容器，由(I)Ni電極，(2)陶瓷介質(zhì)層，(3)Ag電極組成，其特征在于附作為內(nèi)電極，Ag作為外電極和端電極，Ag直接與M聯(lián)接。
專利摘要一種鎳銀片式多層陶瓷電容器，由Ni電極，陶瓷介質(zhì)層，Ag電極組成.其中Ag為外電極和端電極，Ag直接與Ni聯(lián)接，控制銀層的厚度在50～60um。本實(shí)用新型生產(chǎn)工藝簡單，成本低廉，具有優(yōu)良的焊接性能，足以滿足某些領(lǐng)域電子產(chǎn)品的需要。
文檔編號(hào)H01G4/30GK201956200SQ201020632819
公開日2011年8月31日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者劉如松, 劉讓渡, 謝新香 申請人:劉讓渡