專利名稱：用于處理基板的方法、用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的方法和用于生產(chǎn)具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo) ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于部分地去除基板例如半導(dǎo)體片的基板處理方法、該基板處理方法應(yīng)用到其中的半導(dǎo)體芯片制造方法和背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法。
背景技術(shù)：
待安裝在電子設(shè)備的基板上的半導(dǎo)體器件是通過從半導(dǎo)體晶片將由離散的半導(dǎo)體器件所組成的半導(dǎo)體芯片切割為若干件而進(jìn)行制造，其中集成電路制造在晶片狀態(tài)下的各離散的半導(dǎo)體器件中。最近，由于半導(dǎo)體芯片的厚度的縮小所導(dǎo)致處理半導(dǎo)體芯片的難度系數(shù)增大，已經(jīng)提出等離子切割，其用于通過等離子蝕刻將半導(dǎo)體晶片切割為若干件半導(dǎo)體芯片。等離子切割是通過等離子蝕刻半導(dǎo)體晶片，同時半導(dǎo)體晶片除了示出柵格狀裂口位置的刻劃線之外通過抗蝕膜掩蓋，從而沿著刻劃線切割半導(dǎo)體晶片。因此，等離子切割需要在半導(dǎo)體晶片上形成掩膜的步驟。在此以前，掩膜通過利用感光材料轉(zhuǎn)印刻劃線圖案的照相平版(見專利文獻(xiàn)1)制造，或者通過用于削除在掩膜層上的刻劃線區(qū)域的方法(見專利文獻(xiàn)2、進(jìn)行制造，其中所述掩膜層通過照射激光束以產(chǎn)生掩膜而形成在半導(dǎo)體晶片的表面上。<相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)><專利文獻(xiàn)>專利文獻(xiàn)1 JP-A-2004-172364專利文獻(xiàn)2 JP-A-2005-191039

發(fā)明內(nèi)容
<本發(fā)明要解決的技術(shù)問題>但是，前面的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的例子遇到掩膜形成引發(fā)高成本消耗的問題。具體地， 照相平版技術(shù)原來設(shè)計用于高精度圖案，例如集成電路，并要求復(fù)雜的步驟和昂貴的設(shè)施， 其不可避免地引起成本上升。通過利用激光束形成掩膜必然需要用于激光束照射的設(shè)施成本，其在以低成本形成掩膜上具有困難。關(guān)于掩膜形成的問題并不僅限于等離子切割，并且對于各種利用等離子蝕刻的應(yīng)用的處理操作，例如，在基板上形成通孔的處理，用于使用 MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))的基板處理以及用于在透明顯示面板上制造集成電路的基板處理方法等，同樣如此。相應(yīng)地，本發(fā)明致力于提供一種基板處理方法，其使得能夠便宜地形成用于利用等離子工藝蝕刻的掩膜，利用基板處理方法的應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片制造方法，和背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法。<解決技術(shù)問題的技術(shù)手段>本發(fā)明的基板處理方法涉及一種用于通過利用等離子處理的蝕刻部分地去除基板的基板處理方法，所述方法包括疏液圖案形成步驟，其印刷疏液液體到在基板的處理目標(biāo)表面上待被蝕刻去掉的區(qū)域，從而形成疏液圖案；樹脂膜形成步驟，其制備兩種類型的液體，或者至少包括溶劑和樹脂的第一液體和粘度低于所述第一液體的粘度的第二液體，并按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體在基板的形成疏液圖案的處理目標(biāo)表面上，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域中形成比疏液圖案更厚的樹脂膜；掩膜形成步驟，其熟化(curing)樹脂膜，從而在處理目標(biāo)表面上形成用于覆蓋除了待被蝕刻去掉的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜；疏液圖案移除步驟，其在實(shí)施與掩膜形成步驟有關(guān)的處理后從處理目標(biāo)表面移除疏液圖案；蝕刻步驟，其在關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理之后利用等離子處理從處理目標(biāo)表面蝕刻基板；和掩膜移除步驟，其在完成關(guān)于蝕刻步驟的處理之后從處理目標(biāo)表面移除掩膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片制造方法涉及一種用于通過利用等離子處理的蝕刻方法分離半導(dǎo)體晶片為由各半導(dǎo)體器件組成的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中該半導(dǎo)體晶片在電路制造表面上具有多個半導(dǎo)體器件并且附著有用于保護(hù)所述電路制造表面的保護(hù)片，所述方法包括疏液圖案形成步驟，其印刷疏液液體在用作作為電路制造表面的另一側(cè)的半導(dǎo)體晶片的處理目標(biāo)表面上的半導(dǎo)體芯片之間的邊界的刻劃線上，從而形成疏液圖案；樹脂膜形成步驟，其制備兩種類型的液體，或者至少包括溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體，并按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)所述液體在疏液圖案形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面上，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域中形成厚度比疏液圖案更厚的樹脂膜；掩膜形成步驟，其熟化樹脂膜，從而在處理目標(biāo)表面上形成用于覆蓋除了待被蝕刻去掉的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜；疏液圖案移除步驟，其在執(zhí)行關(guān)于掩膜形成步驟的處理之后從處理目標(biāo)表面移除疏液圖案；蝕刻步驟，其在關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理之后，從處理目標(biāo)表面蝕刻半導(dǎo)體晶片直到保護(hù)片在處理目標(biāo)表面上露出；和掩膜移除步驟，其在完成關(guān)于蝕刻步驟的處理后從處理目標(biāo)表面移除掩膜。本發(fā)明的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法涉及一種用于制造在后表面上具有用于芯片接合(die-bonding)目的的樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法，該方法利用了用于通過使用等離子處理的蝕刻將半導(dǎo)體晶片分離為各半導(dǎo)體器件的等離子切割，所述半導(dǎo)體晶片在電路制造表面上具有多個半導(dǎo)體器件并且附著有用于保護(hù)電路制造表面的保護(hù)片，所述方法包括疏液圖案形成步驟，其印刷疏液液體在用作作為半導(dǎo)體晶片的電路制造表面的另一側(cè)的后表面上的半導(dǎo)體芯片之間的邊界的刻劃線上，從而形成疏液圖案；樹脂膜形成步驟，其制備兩種類型的液體，或者至少包括溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體，并按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)所述液體在疏液圖案形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面上，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域中形成厚度比疏液圖案更厚的樹脂膜；樹脂粘結(jié)劑層形成步驟，其半熟化樹脂膜，從而形成樹脂粘結(jié)劑層；疏液圖案移除步驟，其在執(zhí)行關(guān)于樹脂粘結(jié)劑層形成步驟的處理后從后表面移除疏液圖案；和蝕刻步驟，其在執(zhí)行關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理后從其后表面蝕刻半導(dǎo)體晶片，同時樹脂粘結(jié)劑層用作掩膜直到保護(hù)片在后表面上露出來?！幢景l(fā)明的優(yōu)點(diǎn)〉根據(jù)本發(fā)明，在通過利用等離子處理的蝕刻實(shí)施的掩膜形成過程中，采用一種方法，該方法包括在處理目標(biāo)表面上待蝕刻的區(qū)域中印刷疏液液體，從而形成疏液圖案；制備兩種類型的液體，即，至少包括溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體；按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域形成比疏液圖案更厚的樹脂膜；和熟化樹脂膜，從而形成覆蓋半導(dǎo)體晶片的除了待蝕刻的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜。這樣，利用等離子處理用于蝕刻的掩膜可以低成本地形成，而不用高成本方法，如照相平版。進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明，在用于通過利用等離子處理的蝕刻分離半導(dǎo)體晶片為由各半導(dǎo)體器件形成的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片制造過程中，采用一方法，該方法包括在處理目標(biāo)表面上待蝕刻的區(qū)域中印刷疏液液體，從而形成疏液圖案；制備兩種類型的液體，即， 至少包括溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體；按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域形成比疏液圖案更厚的樹脂膜；和熟化樹脂膜，從而形成覆蓋半導(dǎo)體晶片的除了待蝕刻的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜。這樣，用于利用等離子處理蝕刻的掩膜可以低成本地形成，以使得半導(dǎo)體芯片可以低成本地制造。而且，根據(jù)本發(fā)明，在用于通過利用等離子處理的蝕刻分離半導(dǎo)體晶片為由各半導(dǎo)體器件形成的具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片制造過程中，采用一種方法，該方法包括在作為半導(dǎo)體晶片的電路制造表面的另一側(cè)面的后表面上的作為半導(dǎo)體芯片之間的邊界的刻劃線上印刷疏液液體，從而形成疏液圖案；制備兩種類型的液體，即至少包括溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體；按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的半導(dǎo)體晶片的處理目標(biāo)表面，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域上形成厚度大于疏液圖案的樹脂膜；半熟化樹脂膜，從而形成樹脂粘結(jié)劑層；和蝕刻半導(dǎo)體晶片的后表面，同時樹脂粘結(jié)劑層在從后表面移除疏液圖案后用作掩膜。這樣，用于利用等離子處理的蝕刻的掩膜以低成本形成，掩膜可以用作用于芯片接合的樹脂粘結(jié)劑層。


圖1是示出利用本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片制造方法的流程圖。圖2(a)_(g)是利用本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片制造方法和半導(dǎo)體芯片切割(boding)方法的示例性流程圖。圖3(a)_(d)是利用本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片制造方法和半導(dǎo)體芯片切割方法的示例性流程圖。圖4是作為本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的對象的半導(dǎo)體晶片的平面圖。圖5是作為本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的對象的半導(dǎo)體晶片的平面圖。圖6是本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的疏液圖案的放大視圖。圖7是作為本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的對象的半導(dǎo)體晶片的放大橫截面視圖。圖8 (a)-(c)是在本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法下用于制造掩膜所執(zhí)行的樹脂涂層的示例性視圖。圖9是示出應(yīng)用于本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的液體樹脂和疏液圖案的放大圖。圖10是本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理方法的掩膜和樹脂層的橫截面視圖。圖11是示出本發(fā)明的第二實(shí)施例的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法的流程圖。圖12(a)_(f)是本發(fā)明的第二實(shí)施例的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法和用于接合半導(dǎo)體芯片和樹脂粘結(jié)劑層的方法的示例性流程圖。圖13(a)_(d)是本發(fā)明的第二實(shí)施例的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法和用于接合半導(dǎo)體芯片和樹脂粘結(jié)劑層的方法的示意性流程圖。圖14是本發(fā)明的第二實(shí)施例的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法的疏液圖案的放大圖。圖15是變?yōu)楸景l(fā)明的第二實(shí)施例的具有第二樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法的等離子切割的對象的半導(dǎo)體晶片的放大橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施例)首先，描述本實(shí)施例的疏液圖案和掩膜。在本實(shí)施例中，在利用等離子工藝進(jìn)行蝕刻以分離半導(dǎo)體晶片時執(zhí)行的掩膜形成過程中，疏液圖案通過樹脂(疏液劑)形成，所述樹脂關(guān)于包括在作為制造掩膜的材料的液體樹脂中的溶劑呈現(xiàn)疏液屬性。具體地，疏液圖案通過使用疏液劑預(yù)先形成在半導(dǎo)體晶片的除了其中待形成掩膜的區(qū)域之外的區(qū)域上。使得形成掩膜的液體樹脂僅粘附到其中待形成掩膜的區(qū)域。在形成疏液圖案時，通過溶解疏液劑在溶劑中形成的液體(疏液液體)以預(yù)定圖案通過轉(zhuǎn)印印刷、絲網(wǎng)印刷、噴灑 (dispensing)、噴射印刷等進(jìn)行印刷。溶劑組分在印刷后蒸發(fā)，由此完成疏液圖案。不會通過基于氟的氣體等離子而去除并且容易通過氧氣或包含氧氣的氣體等離子移除(灰化)的樹脂(抗蝕劑)用作形成掩膜的材料。基于烴的樹脂已經(jīng)用作具有這些屬性的樹脂。在形成掩膜時，通過溶解抗蝕劑在溶劑中形成的液體樹脂施加到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面上，這是通過諸如噴灑、噴射印刷和旋涂的方法進(jìn)行的。因?yàn)槭枰簞┡懦馐┘釉谔幚砟繕?biāo)表面上施加的液體樹脂的溶劑，所以液體樹脂僅在處理目標(biāo)表面的除了疏液圖案之外的區(qū)域擴(kuò)散。液體樹脂的溶劑在烘焙步驟中蒸發(fā)，從而使得抗蝕劑粘附處理目標(biāo)表面。通過疏液圖案而形成圖案的掩膜從而得以實(shí)現(xiàn)。采用這樣的掩膜形成方法的本發(fā)明引入這樣的要求，即用于形成疏液圖案的疏液劑是關(guān)于包括在用于形成掩膜的液體樹脂中的溶劑呈現(xiàn)疏液性質(zhì)的組合。此外，能夠與用作抗蝕劑的樹脂混合的溶劑必須選取為溶劑。一般來說，兩種類型的化學(xué)制品由于各化學(xué)制品的SP值(溶解度參數(shù))更加類似而具有彼此容易混合的屬性，并且由于SP值越來越多不同于彼此而具有彼此排斥的屬性。因此，當(dāng)使用的抗蝕劑是任一烴基樹脂(具有7. 0-8.0 的SP值)時，具有7. 0-8. OSP值的基于飽和烴的任一溶劑被選取為溶劑。關(guān)于用于液體樹脂的溶劑和疏液劑的選擇，選取對應(yīng)于具有不同SP值的物質(zhì)組合的物質(zhì)，優(yōu)選地是選取對應(yīng)于其SP值以1.0或者更大值彼此不同的物質(zhì)組合的物質(zhì)。因此，如果溶劑是任何基于飽和烴的溶劑(具有7. 0-8. 0的SP值)，任何的丙烯酸樹脂(具有9. 2的SP值)或者基于氟的樹脂(具有3. 6的SP值)可以用作疏液劑。進(jìn)一步，當(dāng)使用具有8.0的SP值的任何基于飽和烴的溶劑時，基于硅的樹脂(具有7.0的SP值)可以用作疏液劑。如上所述，其SP值不同于用于液體樹脂的溶劑的SP值1. 0或者更大值的物質(zhì)用作疏液劑，由此用于形成掩膜的液體樹脂可以容易地設(shè)置在除了疏液圖案之外的處理目標(biāo)表面上。利用疏液圖案形成掩膜需要在由疏液圖案圍繞的處理目標(biāo)表面的區(qū)域上均一的供應(yīng)液體樹脂，而不在疏液圖案和所述區(qū)域之間的邊界上形成二維間隙。但是，例如下面所描述的那樣，僅僅施加液體樹脂導(dǎo)致了由于液體樹脂的粘度而引起的問題，這在形成具有良好形狀的掩膜方面造成困難。具體地，當(dāng)液體樹脂的粘度高時，供應(yīng)的液體樹脂由于表面張力而企圖聚集在一起盡可能形成為簡單形狀。由于該原因，液體樹脂難以進(jìn)入其中疏液圖案具有交叉的處理目標(biāo)表面上的邊角的凹口中。沒有供應(yīng)樹脂的二維孔趨于僅發(fā)生在凹口處。反之，當(dāng)液體樹脂的粘度低時，當(dāng)以液體狀態(tài)供應(yīng)時，樹脂容易以濕的方式在處理目標(biāo)表面上延展。但是，在其中樹脂的溶劑組分蒸發(fā)從而熟化樹脂的階段的過程中，樹脂不能保持期望的掩膜形狀。具體地，因?yàn)槠湔扯仍O(shè)置為低水平的液體樹脂的固體樹脂組分的濃度低，所以樹脂在溶劑的蒸發(fā)過程中變化以使得樹脂的二維形狀以及厚度方向的形狀收縮。由于該原因，在其中液體樹脂通過施加而供應(yīng)的狀態(tài)中，樹脂以濕的方式在由疏液圖案所圍繞的區(qū)域上保持均一延展。但是，當(dāng)樹脂由于溶劑蒸發(fā)而熟化時，樹脂的二維形狀變成收縮。因此，沒有樹脂的二維孔以與前面提及的相同方式形成在疏液圖案和所述區(qū)域之間的邊界上。歸因于液體樹脂粘度的掩膜形狀的這樣的問題可歸因于當(dāng)樹脂具有高粘度時樹脂的表面張力以及當(dāng)樹脂具有低粘度時溶劑蒸發(fā)所致的收縮變形。因此，非常難以確定能夠防止這樣的形狀問題發(fā)生的適當(dāng)?shù)恼扯确秶?。相?yīng)地，在本實(shí)施例中，在從液體樹脂形成掩膜的工藝中，準(zhǔn)備具有不同的粘度水平的兩種類型的液體如下面將描述的，并且液體分兩個步驟供應(yīng)。具體地，在供應(yīng)包括形成掩膜的高濃度的樹脂組分的高粘度樹脂(第一液體)之前，首先供應(yīng)粘度低于高粘度樹脂的粘度的低粘度樹脂(第二液體)。因此使得低粘度樹脂以濕的方式在由疏液圖案圍繞的區(qū)域內(nèi)均一延展。接著，供應(yīng)高粘度樹脂，從而保證需要量的樹脂組分以形成掩膜?，F(xiàn)參照圖1的流程圖和圖2和3的示意性工藝流程圖描述基板處理方法。基板處理方法是通過利用等離子工藝進(jìn)行蝕刻而部分地除去形成基板的材料。等離子切割在下面被提供作為示例性的基板處理；換句話說，通過刻劃線分為多個半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片用作基板，刻劃線通過利用等離子的蝕刻而部分地除去，從而將半導(dǎo)體晶片分為單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片?？傊?，第一實(shí)施例示出通過利用等離子工藝進(jìn)行蝕刻而將半導(dǎo)體晶片分為由各個半導(dǎo)體器件形成的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中所述半導(dǎo)體晶片在電路制造表面上具有多個半導(dǎo)體器件以及用于保護(hù)附著到電路制造表面的電路制造表面。在圖1中，疏液圖案首先形成在用作基板(STl)的半導(dǎo)體晶片1上。如圖2(a)所示，包括集成電路(半導(dǎo)體器件)的多個半導(dǎo)體芯片制造在半導(dǎo)體晶片1上。用于保護(hù)集成電路的保護(hù)片2附著到半導(dǎo)體晶片1的集成電路制造在其中的電路制造表面la。作為電路制造表面Ia的另一側(cè)的后表面Ib通過在作為前置步驟的變薄步驟中通過實(shí)施機(jī)械研磨而移除表面層而被制造為薄到100微米或者更小的厚度。接著，如圖2(b)所示，疏液圖案沿著對應(yīng)將半導(dǎo)體晶片1分為各個半導(dǎo)體芯片Ie 的刻劃線Ic (見圖4)的柵格線(對應(yīng)蝕刻掉的區(qū)域)和沿著設(shè)置為沿著半導(dǎo)體晶片1的外邊緣的預(yù)定寬度的輪廓[見圖2(a)和如圖5所示的疏液膜3e]形成在對應(yīng)半導(dǎo)體晶片 1的后部表面Ib (對應(yīng)待蝕刻的基板的處理目標(biāo)表面)上(疏液圖案形成步驟)。除了沿著對應(yīng)刻劃線Ic的柵格線形成(見圖4)之外，疏液圖案沿著半導(dǎo)體晶片1的外邊緣的輪廓形成。沿著輪廓形成的疏液圖案用于防止液體樹脂在半導(dǎo)體晶片1的外邊緣上延伸從而從晶片落下，其否則在形成疏液圖案后在施加液體樹脂時會發(fā)生。疏液圖案形成步驟包括以預(yù)定圖案印刷疏液液體在處理目標(biāo)表面上的印刷步驟和讓印刷的疏液液體的溶劑組分蒸發(fā)的烘焙步驟，從而使得疏液劑粘附到處理目標(biāo)表面，從而形成疏液膜3。在印刷步驟中，使得能夠線性供應(yīng)疏液液體的方法，采用例如轉(zhuǎn)印印刷、絲網(wǎng)印刷、噴灑和噴射印刷。具體地，如圖6所示，待形成疏液膜3的液體以刻劃線Ic的柵格形狀印刷到印刷寬度“b” (大約20微米)，該印刷寬度在考慮具有分離寬度B (大約50微米到60微米)的切割余量設(shè)置的每個刻劃線Ic的寬度范圍內(nèi)。而且，待形成疏液膜:3e的液體以圓周圖案沿著一輪廓印刷，所述輪廓沿著半導(dǎo)體晶片1的外邊緣設(shè)置到對應(yīng)印刷寬度 “b”的預(yù)定寬度。此時，疏液膜3的寬度方向的位置的核心要求是疏液膜3應(yīng)當(dāng)落在每個刻劃線Ic的分離寬度B的范圍內(nèi)。因此，大約士20微米的寬度方向的位置誤差是被允許的。 在疏液膜3的任一側(cè)上的寬度方向的邊緣3a并不要求高等級的線性精度。即使當(dāng)邊緣呈現(xiàn)一定程度的波紋狀形狀，所述邊緣并不導(dǎo)致任何問題。同樣地，疏液膜3e也不要求寬度方向位置精度，并允許呈現(xiàn)一定程度的波紋狀形狀?，F(xiàn)詳細(xì)地描述沿著半導(dǎo)體晶片1的外邊緣的周邊形成的疏液圖案。如圖6所示，關(guān)于分離半導(dǎo)體晶片1中的標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體芯片Ie的刻劃線Ic (圖4)，疏液膜3有序地印刷為柵格形狀。反之，疏液膜3并不總是沿著如圖4所示的柵格線路印刷在半導(dǎo)體晶片1的外邊緣輪廓附近。取決于輪廓的疏液膜3e和內(nèi)疏液膜3圍繞的方格的尺寸，可以省去印刷疏液膜3。具體地，當(dāng)疏液圖案通過沿著柵格線印刷疏液膜3而形成時以及當(dāng)由外邊緣的疏液膜3e和柵格狀疏液膜3圍繞的各方格的面積太小而不能有效施加樹脂時，沿著對應(yīng)于當(dāng)前方格和相鄰方格之間的邊界的柵格線印刷疏液膜3可以省略以合并所述方格和相鄰方格。在圖5中，關(guān)于由沿著在柵格線中印刷的疏液膜3和半導(dǎo)體晶片1的輪廓形成的疏液膜3e所圍繞的區(qū)域所限定的許多的外邊緣方格1R(1)_1R(9)，對應(yīng)于柵格線的一些
9疏液膜3被省略，并且鄰接的兩方格彼此合并，從而形成一個方格。結(jié)果，各個外邊緣方格 IR(D-IRO)的區(qū)域[A1]-[A9]并不非常不同于由刻劃線Ic所分開的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片Ie 的區(qū)域[A]?？梢苑乐故┘拥囊后w樹脂的要求量過度變化的發(fā)生，其將在后面進(jìn)行描述。 或者，還可以預(yù)先計算半導(dǎo)體芯片Ie的面積[A]和外邊緣方格1R(1)-1R(9)的各個面積 [A1]-[A9]為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)為表明施加到每個方格的樹脂的適當(dāng)數(shù)量的施加量數(shù)據(jù)。在印刷步驟之后，半導(dǎo)體晶片1被送到烘焙步驟，在這里晶片被加熱到40攝氏度到50攝氏度左右的溫度，由此其疏液劑已經(jīng)附著到后表面Ib的疏液膜3得以形成。如圖7 所示疏液膜3的厚度tl達(dá)到0. 1微米-2微米。當(dāng)關(guān)于烘焙步驟的工藝在真空中執(zhí)行時， 烘焙溫度可以降低，以使得可以防止印刷寬度“b”增大的發(fā)生。如果在印刷步驟過程中溶劑組分蒸發(fā)，那么將不需要執(zhí)行關(guān)于烘焙步驟的工藝。疏液圖案已經(jīng)如上所述地形成在其上的半導(dǎo)體晶片1實(shí)現(xiàn)用于形成掩膜的液體樹脂的施加目的。如前所述，樹脂分兩步施加；即，在施加在高濃度的溶劑中包括形成掩膜的樹脂的高粘度樹脂(第一液體)之前，呈現(xiàn)優(yōu)良可濕性的低粘度樹脂(第二液體)先施加以為了保證高粘度樹脂在疏液膜3圍繞的區(qū)域內(nèi)的適當(dāng)?shù)难诱?。任何烴樹脂，其沒有通過為了除去硅即半導(dǎo)體晶片1的材料的目的而執(zhí)行的等離子蝕刻而被除去，并且其可以在后來容易地通過用于移除掩膜的等離子灰化(plasma ashing)而被移除，被用于包括在作為高粘度樹脂的第一液體中的樹脂(抗蝕劑)。通過溶解樹脂在基于飽和烴的溶劑中形成的液體溶液用作第一液體。第一液體的組分設(shè)置為以使得用作溶質(zhì)的樹脂具有百分之40-80的含量并且溶劑具有百分之60-20的含量。優(yōu)選地， 設(shè)置樹脂含量以使得落在百分之40-50的范圍內(nèi)。第二液體設(shè)置為以使得用作溶質(zhì)的樹脂(與包括在第一液體中的樹脂相同)具有百分之0-40的含量，溶劑具有百分之100-70的含量。優(yōu)選地，設(shè)置樹脂含量為落在百分之 10-20的范圍內(nèi)。第二液體的施加目的在于以濕的方式在后表面Ib上延展第二液體以為了保證為后來施加的第一液體的高粘度樹脂的適當(dāng)延展。因此，第二液體并不總是需要包括樹脂作為溶質(zhì)。如上面提及的組分所表明的，第一液體還可由百分之0的溶質(zhì)含量和百分之100的溶劑含量組成。當(dāng)?shù)诙后w包括樹脂時，第二液體是低濃度、低粘度的樹脂，其包括低于第一液體的樹脂含量的樹脂含量。當(dāng)?shù)诙后w并不包括樹脂時，第二液體僅由溶劑組成。在任一情形下，第二液體在粘度方面低于第一液體。第二液體呈現(xiàn)保證后來施加的第一液體的適當(dāng)?shù)难诱顾璧膬?yōu)良的可濕性。具體地，在關(guān)于實(shí)施例描述的基板處理方法下，準(zhǔn)備兩種類型的液體；S卩，包括至少溶劑和樹脂的第一液體和粘度低于第一液體的粘度的第二液體。用于使得第二液體的粘度低于第一液體的粘度的示例性的構(gòu)型包括用于使得第二液體僅由溶劑構(gòu)成的第一構(gòu)型和用于使得包括在第二液體中的樹脂濃度低于包括在第一液體中的樹脂濃度的第二構(gòu)型。 在第一和第二構(gòu)型中，第二液體包括與第一液體相同的溶劑。在第二構(gòu)型中，第二液體包括與第一液體相同的樹脂，以及包括在第二液體中的樹脂濃度低于包括在第一液體中的樹脂濃度。為了方便的緣故，單一類型的溶劑用于第一液體和第二液體。但是，第一液體的溶劑并不總是需要與第二液體的溶劑一致。另一類型的溶劑也可以用于第二液體，只要該溶劑具有溶解在第一液體中的屬性。同樣地，用于使得第二液體的粘度低于第一液體的粘度的示例性的構(gòu)型包括用于僅由溶劑形成第二液體的第三構(gòu)型和用于使得包括在第二液體中的樹脂的濃度低于包括在第一液體中的樹脂的濃度的第四構(gòu)型。在第三和第四構(gòu)型中， 第二液體的溶劑在類型上不同于第一液體的溶劑，并且該溶劑具有溶解在第一液體中的性質(zhì)。在第四構(gòu)型中，包括在第二液體中的樹脂與包括在第一液體中的樹脂一致。包括在第二液體中的樹脂的濃度低于包括在第一液體中的樹脂的濃度。如此制備的第一和第二液體按照第二液體和第一液體的順序供應(yīng)到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的半導(dǎo)體晶片1?，F(xiàn)在對其中包括低濃度樹脂的低粘度樹脂用作第二液體的情形給出解釋。首先，如圖1所示，施加低粘度樹脂(ST2)。具體地，如圖2(b)所示，用于形成掩膜目的的低粘度樹脂如(第二液體)供應(yīng)到作為疏液圖案由疏液膜3形成在其上的半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面的后表面lb。圖8(a)示出其中分配噴嘴fe施加低粘度樹脂如的狀態(tài)。如前面提及的，從分配噴嘴如噴射到在后表面Ib上由疏液膜3圍繞的區(qū)域R中的中心位置的低粘度樹脂如以濕的方式向著區(qū)域R內(nèi)的周邊沿著后表面Ib延展。以濕的方式伸展的低粘度樹脂如被具有疏液性質(zhì)的疏液膜3的表面排斥，從而僅粘附到?jīng)]有疏液膜3的區(qū)域。此時，低粘度樹脂 4a具有低粘度并具有優(yōu)良的濕潤性，因此可靠地前進(jìn)到與形成為柵格形狀的疏液膜3和區(qū)域R之間的邊界D相鄰的位置。進(jìn)一步地，低粘度樹脂如也前進(jìn)到邊角C的缺口，在那里疏液膜3彼此交叉而沒有導(dǎo)致間隙?，F(xiàn)施加高粘度樹脂(ST3)。如圖2(c)所示，除低粘度樹脂如外，包括用于以高濃度形成掩膜的樹脂的高粘度樹脂4b (第一液體)施加到低粘度樹脂如已經(jīng)施加到其上的半導(dǎo)體晶片1的后表面lb。具體地，如圖8(b)所示，分配噴嘴5B噴射高粘度樹脂4b到由疏液膜3圍繞并且低粘度樹脂如已經(jīng)施加的后表面Ib上的區(qū)域R的中心。此時，因?yàn)榇芙庠诟哒扯葮渲?b中的低粘度樹脂如的涂覆膜已經(jīng)形成在整個區(qū)域R上，所以噴射的高粘度樹脂4b向著區(qū)域R內(nèi)的周邊延展，同時溶解在低粘度樹脂如中并且還通過低粘度樹脂如導(dǎo)引。在高粘度樹脂4b的伸展的過程中，低粘度樹脂如中的樹脂的濃度和高粘度樹脂4b中的樹脂的濃度變成相同。低粘度樹脂如和高粘度樹脂4b從而混合在一起，由此具有相同的樹脂濃度的樹脂膜4得以產(chǎn)生。樹脂膜4此時被具有疏液性質(zhì)的疏液膜3的表面排斥，從而僅粘附到?jīng)]有疏液膜3的區(qū)域，并前進(jìn)到其中膜變得靠近邊界D的位置。進(jìn)一步地，樹脂膜進(jìn)入到邊角 C的缺口而不會導(dǎo)致間隙。如圖8(c)所示，具有大于疏液膜3的厚度tl(見圖7)的厚度 t2(見圖10)的樹脂膜4形成在由疏液膜3圍繞的區(qū)域R中。優(yōu)選地，當(dāng)?shù)驼扯葮渲绾透哒扯葮渲?b完全混合在一起時實(shí)現(xiàn)的樹脂膜4的組分應(yīng)當(dāng)包括30%或者更多，并且期望的是大約40%的樹脂作為溶質(zhì)。通過采用這樣的樹脂含量，在樹脂膜4被加熱從而蒸發(fā)溶劑的過程中，樹脂膜4保持它自身在由疏液膜3圍繞的區(qū)域R內(nèi)的后表面Ib上。因此，樹脂膜4可以在施加狀態(tài)下保持其形狀而不會導(dǎo)致二維形狀的收縮。具體地，在步驟(SD)和(SB)中，其中以前制備的用作第一液體的低粘度樹脂如和用作第二液體的高粘度樹脂4b按照用作第二液體的高粘度樹脂4b和用作第一液體的低粘度樹脂4a的順序供應(yīng)到后表面lb，其中所述后表面為疏液圖案形成在其上的半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面。厚度大于疏液圖案的厚度的樹脂膜4從而形成在由疏液膜3圍繞并且疏液圖案沒有形成在那里的區(qū)域R中(樹脂膜形成步驟)。在施加低粘度樹脂如和高粘度樹脂4b時，因?yàn)榫哂信c疏液膜3相同的疏液性質(zhì)的疏液膜3e沿著半導(dǎo)體晶片1的沿著半導(dǎo)體晶片1的外邊緣設(shè)置的輪廓形成到預(yù)定寬度， 所以從各分配噴嘴5A和5B噴射到半導(dǎo)體晶片1的輪廓的低粘度樹脂如和高粘度樹脂4b 由疏液膜3e排斥。因此，可以防止低粘度樹脂如和高粘度樹脂4從半導(dǎo)體晶片1的外邊緣懸掛和下落，這否則在當(dāng)沒有疏液膜:3e時會發(fā)生，以及防止污染晶片臺，這否則會由于樹脂的下落而產(chǎn)生。關(guān)于低粘度樹脂如從分配噴嘴5A的施加和高粘度樹脂4b從分配噴嘴5B的施加， 從分配噴嘴5A噴射的樹脂量和從分配噴嘴5B噴射的樹脂量也可以根據(jù)由疏液膜圍繞的方塊的面積控制。具體地，如已經(jīng)參照圖5描述的，從分配噴嘴5A噴射的樹脂量和從分配噴嘴 5B噴射的樹脂量根據(jù)施加量數(shù)據(jù)進(jìn)行控制，所述施加量數(shù)據(jù)為每個方塊指定適當(dāng)?shù)臉渲┘恿?，與半導(dǎo)體芯片Ie的區(qū)域[A]和外邊緣方塊IR(D-IRO)的區(qū)域[A1]-[A9]相關(guān)聯(lián)。 施加的低粘度樹脂如的量與施加的高粘度樹脂4b的量的比例對于每個方塊設(shè)置為以使得施加的高粘度樹脂4b的量落在2-5的范圍，如果施加的低粘度樹脂如的量設(shè)為1的話。圖9以放大方式示出在樹脂膜形成步驟后實(shí)現(xiàn)的疏液膜3和樹脂膜4之間的接觸狀態(tài)。盡管在每一疏液膜3的兩寬度方向邊緣上的邊緣3a具有小的波紋狀形狀(鋸齒形狀)，保持與邊緣3a接觸的樹脂膜4的輪廓4c (在圖9中以虛線示出)形成大致線性的平滑線。對此的原因是，樹脂膜4在液態(tài)下呈現(xiàn)表面張力以及由于表面張力的作用而不受隨后的各邊緣3a的微小不規(guī)則性影響的屬性。所述屬性在形成具有平滑邊緣的掩膜方面是非常有利的。當(dāng)具有平滑輪廓4c的樹脂膜4在隨后的烘焙步驟中處理時，具有對應(yīng)于輪廓 4c的邊緣(平滑邊緣)的掩膜得以形成。隨后，這樣施加的樹脂被干燥(ST4)。樹脂膜形成在其上的半導(dǎo)體晶片1再次送到烘焙步驟，其中半導(dǎo)體晶片1被加熱到40攝氏度-70攝氏度范圍的溫度。如圖2(d)所示，樹脂膜4的溶劑蒸發(fā)，從而在作為處理目標(biāo)表面的后表面Ib上形成掩膜4* (掩膜形成步驟)，所述掩膜4*覆蓋半導(dǎo)體晶片1的除了待通過等離子處理被蝕刻掉(掩膜形成步驟) 的區(qū)域(沿著刻劃線Ic設(shè)置的疏液膜3的區(qū)域)之外的區(qū)域。圖10是樹脂膜和掩膜的橫截面視圖。在掩膜形成步驟過程中，溶劑從樹脂膜4蒸發(fā)，掩膜的厚度t3因此變得小于樹脂膜的厚度t2。由于該原因，掩膜的厚度t3通過調(diào)節(jié)樹脂膜4的厚度t2而調(diào)節(jié)；即，設(shè)置低粘度樹脂如中的樹脂含量和高粘度樹脂4b中的樹脂含量并控制施加的低粘度樹脂如的量和施加的高粘度樹脂4b的量。所要求的掩膜厚度 t3考慮抗蝕性(etch resistance)和灰化時間(ashing time)而進(jìn)行確定。在本實(shí)施例中厚度t3的優(yōu)選值是在從5微米到20微米的范圍。厚度t2和厚度t3之間的關(guān)系(收縮因子)可以通過測試等確定。相應(yīng)地，獲得要求的掩膜厚度t3所需的樹脂膜4的厚度t2從收縮因子和厚度t3確定。當(dāng)厚度t2被確定時，可以通過計算確定低粘度樹脂如的樹脂含量、施加的低粘度樹脂如的量、高粘度樹脂4b的樹脂含量和施加的高粘度樹脂4b的量，所有這些全部被要求來實(shí)現(xiàn)厚度t2。在掩膜形成步驟之后，疏液圖案被移除，如圖2(e)所示(SI^)。具體地，執(zhí)行用于通過溶劑溶解由疏液膜3形成的疏液圖案的處理，從而從作為處理目標(biāo)表面的后表面Ib去除疏液圖案(疏液圖案移除步驟)。該處理通過供應(yīng)溶劑例如酮、多元醇、環(huán)醚、內(nèi)酯和酯到掩膜已經(jīng)形成在其上的后表面Ib而執(zhí)行，從而溶解疏液膜3的樹脂組分并通過溶劑消除如此溶解的膜。這次，SP值稍微不同于用于疏液膜3的物質(zhì)的溶劑被選取為待用的溶劑。浸漬、自旋蝕刻、噴灑等可以用作用于供應(yīng)溶劑到后表面Ib從而移除疏液膜3的方法。關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理還可以通過利用氧氣等離子的等離子蝕刻而執(zhí)行。 具體地，已經(jīng)經(jīng)歷與掩膜形成步驟相關(guān)的處理的半導(dǎo)體晶片1被暴露以使得后表面Ib被氧氣等離子照射。疏液膜3和掩膜4*，其每個為有機(jī)物質(zhì)，通過氧氣等離子的灰化作用而被燒掉，從而被移除。但是，掩膜4*的厚度t3充分大于疏液膜3的厚度tl。因此，即使疏液膜3已經(jīng)通過灰化被移除后，掩膜4*仍在后表面Ib上保持足夠厚度。這樣，掩膜4*可以實(shí)現(xiàn)它作為用于利用等離子的蝕刻的掩膜的功能。在疏液圖案移除步驟后，作為基板的半導(dǎo)體晶片1經(jīng)受等離子蝕刻(ST6)。具體地，半導(dǎo)體晶片1被蝕刻以通過等離子處理從作為半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面的后表面 Ib進(jìn)行切割，直到保護(hù)片2露出來(蝕刻步驟)。半導(dǎo)體晶片1送到等離子處理設(shè)備，在那里半導(dǎo)體晶片1的后表面Ib通過基于氟的氣體等離子P例如SF6照射(圖2(f))。半導(dǎo)體晶片1的后表面Ib的一部分，其沒有被掩膜4*覆蓋并暴露到等離子P，通過等離子P的蝕刻作用移除，由此蝕刻溝Id形成。由于蝕刻溝Id穿過半導(dǎo)體晶片1的整個厚度，因此半導(dǎo)體晶片1被分為離散的半導(dǎo)體芯片le，如圖2(f)所示。在利用等離子P蝕刻過程中，具有平滑邊緣的掩膜4*形成。結(jié)果，每一分離的離散半導(dǎo)體芯片Ie的切割邊緣實(shí)現(xiàn)平滑、沒有不規(guī)則性的切割表面。因此，能夠防止將會破壞半導(dǎo)體芯片可靠性的缺陷的發(fā)生；換句話說，能夠防止當(dāng)切割表面具有粗糙形狀或由于微小的不規(guī)則導(dǎo)致的應(yīng)力集中所致的細(xì)裂縫時可能會出現(xiàn)的問題。掩膜4*然后被移除(ST7)。對已經(jīng)完成與蝕刻步驟相關(guān)的所經(jīng)歷的處理的半導(dǎo)體晶片1進(jìn)行用于從作為目標(biāo)處理表面的后表面Ib移除掩膜4*的處理(掩膜移除步驟)。 掩膜移除通過用于通過利用氧氣等離子焚化和移除包括基于烴的樹脂作為組分的樹脂膜4 而執(zhí)行。當(dāng)然，用于從后表面Ib機(jī)械地剝離掩膜4*的方法或者利用化學(xué)制品的濕掩膜移除方法也可以在掩膜移除過程中使用。半導(dǎo)體晶片1從而進(jìn)入其中離散的半導(dǎo)體芯片Ie 單個地附著到保護(hù)片2的狀態(tài)，如圖2(g)所示。隨后，芯片接合片(die-bonding sheet) 11附著到掩膜4*已經(jīng)從其上移除的表面 (ST8)。如圖3(a)所示，掩膜已經(jīng)從其上移除的半導(dǎo)體晶片1，即，每個具有由保護(hù)片2貼附保持的電路制造表面Ia的多個半導(dǎo)體芯片Ie被傳送，同時各半導(dǎo)體芯片Ie的各個后表面 Ib被附著到芯片接合片11。芯片接合片11伸展為環(huán)形晶片環(huán)12a，從而形成晶片夾具12。保護(hù)片2現(xiàn)在被移除(ST9)。具體地，保護(hù)片2從附著到芯片接合片11的半導(dǎo)體芯片Ie被剝離。如圖3(b)所示，其向前取向的電路制造表面Ie暴露的離散的半導(dǎo)體芯片 Ie通過各后表面Ib由芯片接合片11保持，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片聚集體10。半導(dǎo)體聚集體 10在該狀態(tài)下送到芯片接合器。如圖3(c)所示，晶片環(huán)1 通過芯片接合器的晶片保持機(jī)構(gòu)13保持，由此離散的半導(dǎo)體芯片Ie進(jìn)入到其中芯片可以被拾取的狀態(tài)。在半導(dǎo)體芯片Ie拾取時，接合工具14和彈射器15定位到待被拾取的半導(dǎo)體芯片 le。設(shè)置在彈射器15上的彈射器銷16從下面推動待被取出的半導(dǎo)體芯片le，接合工具14 拾取并保持半導(dǎo)體芯片le。接合工具14具有內(nèi)置的加熱裝置，由于被接合工具14保持，半導(dǎo)體芯片Ie被加熱到預(yù)定溫度。保持這樣拾取的半導(dǎo)體芯片Ie的接合工具14移動到位于加熱支撐件17上方的位置，所述加熱支撐件保持著待被接合的基板18。芯片接合粘結(jié)劑19預(yù)先在基板18上施加，基板18也預(yù)先通過設(shè)置在加熱支撐件17中的加熱機(jī)構(gòu)(從附圖中省略)加熱到預(yù)定溫度。半導(dǎo)體芯片Ie對齊接合位置，并且接合工具14降低，從而通過粘結(jié)劑19布置半導(dǎo)體芯片Ie在基板18的上表面上。接著，接合工具14在預(yù)定的施加壓力下將半導(dǎo)體芯片Ie 壓靠著基板18。由于基板在該狀態(tài)下保持預(yù)定的時間段，粘結(jié)劑19的熱固性反應(yīng)進(jìn)行。半導(dǎo)體芯片Ie通過熱固性粘結(jié)劑19接合到基板18。如上方提到的，在關(guān)于第一實(shí)施例描述的等離子切割中，下面的方法在通過利用等離子工藝蝕刻實(shí)施的掩膜形成過程中被采用。也就是，所述方法包括印刷疏液液體在待蝕刻的區(qū)域上，從而從疏液膜3形成疏液圖案；制備兩種類型的液體；即，包括至少溶劑和樹脂的第一液體和粘度低于第一液體的第二液體；按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域上形成厚度大于疏液圖案的樹脂膜4 ；處理在烘焙步驟中樹脂膜4形成在其上的半導(dǎo)體晶片，從而形成覆蓋半導(dǎo)體晶片的除了待蝕刻的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜4*。在前述方法下產(chǎn)生的疏液圖案并不需要高程度的定位精度和形狀精度。因此，掩膜可以通過現(xiàn)有技術(shù)利用簡單便宜的設(shè)施低成本地形成。因此，用于利用等離子處理的蝕刻的掩膜可以以低成本形成而不用高成本方法，例如照相平版和激光照射。采用用于以預(yù)定順序施加兩種類型的液體即包括溶劑和樹脂的第一液體和粘度低于第一粘度的第二液體從而形成用于掩膜形成的樹脂膜4的方法。結(jié)果，所述方法可以有效防止以下問題的發(fā)生，否則這些問題可能在利用疏液圖案形成掩膜的過程中出現(xiàn)。具體地，當(dāng)使用高粘度液體樹脂時，樹脂的濕延展被樹脂的表面張力阻止，從而在沒有殼體間隙地進(jìn)入疏液圖案的邊角方面具有困難。因此，難以形成具有適當(dāng)形狀的掩膜。當(dāng)?shù)驼扯纫后w樹脂被使用時，優(yōu)良的可濕性在施加狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)，均一的樹脂施加成為可能。但是，樹脂膜的收縮變形的發(fā)生，其否則會由于在施加樹脂后的烘焙步驟中溶劑蒸發(fā)而產(chǎn)生， 是不可避免的，從而同樣在形成具有適當(dāng)形狀的掩膜方面具有困難。反之，采用用于利用兩種類型的液體以及首先供應(yīng)第二液體然后供應(yīng)第一液體的方法。結(jié)果，第二液體可以以濕的方式在由疏液圖案圍繞的區(qū)域均一延展。接著，第一液體或者高粘度樹脂被供應(yīng)，由此第一液體可以以濕的方式良好的延展，同時在已經(jīng)施加的第二液體中被導(dǎo)引。因此，所述問題得以解決，用于掩膜形成的樹脂膜4可以形成為優(yōu)良形狀。(第二實(shí)施例)本發(fā)明的第二實(shí)施例涉及利用關(guān)于第一實(shí)施例描述的基板處理方法的應(yīng)用的半導(dǎo)體芯片制造方法。使得當(dāng)通過分離半導(dǎo)體芯片形成的離散式半導(dǎo)體芯片被接合時所使用的樹脂粘結(jié)劑層用作在利用用于分離半導(dǎo)體晶片的等離子處理的蝕刻操作過程中所需要的掩膜。在圖12-15中，構(gòu)型類似于它們的在關(guān)于第一實(shí)施例描述的對應(yīng)物的構(gòu)型的元件被給予相同的附圖標(biāo)記，不同的附圖標(biāo)記僅分配給具有不同構(gòu)型的元件，從而予以區(qū)別。首先描述本實(shí)施例的疏液圖案和樹脂粘結(jié)劑層。在本實(shí)施例中，疏液圖案由相對于包括在液體樹脂中的溶劑具有疏液性質(zhì)的樹脂(疏液劑)形成，其中所述液體樹脂用作用于形成樹脂粘結(jié)劑層的材料。具體地，疏液圖案預(yù)先由疏液劑在除了半導(dǎo)體晶片上的形成樹脂粘結(jié)劑層的區(qū)域之外的區(qū)域中形成。使得形成樹脂粘結(jié)劑層的液體樹脂僅粘附到待形成樹脂粘結(jié)劑層的區(qū)域。在形成疏液圖案時，通過溶解疏液劑在溶劑中形成的液體(疏液液體)通過轉(zhuǎn)印印刷、絲網(wǎng)印刷、噴灑、噴射印刷等以預(yù)定圖案印刷。溶劑組分在印刷后揮發(fā)，由此完成疏液圖案。熱固性樹脂，例如環(huán)氧基的樹脂，用作形成樹脂粘結(jié)劑層的樹脂。在形成樹脂粘結(jié)劑層時，通過溶解熱固性樹脂在溶劑中形成的液體樹脂施加在疏液圖案通過諸如噴灑、噴射印刷和自旋涂覆的方法形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面上。因?yàn)槭┘釉谔幚砟繕?biāo)表面上的液體樹脂的溶劑被疏液劑排斥，液體樹脂僅在處理目標(biāo)表面的除了疏液圖案之外的區(qū)域上延展。液體樹脂施加在其上的基板被加熱，從而蒸發(fā)溶劑。進(jìn)一步，熱固性樹脂被半熟化，由此產(chǎn)生通過疏液圖案形成圖案的樹脂粘結(jié)劑層。在采用這樣的樹脂粘結(jié)劑層形成方法的本發(fā)明中，用于疏液圖案的疏液劑必須對應(yīng)于關(guān)于包括在用于形成樹脂粘結(jié)劑層的液體樹脂中的溶劑呈現(xiàn)疏液性質(zhì)的疏液劑的組合。此外，必須選取溶解在熱固性樹脂中的溶劑。相應(yīng)地，當(dāng)待使用的樹脂是任何環(huán)氧基的熱固性樹脂(具有10.9的SP值)時，任何具有10. 0-11. 9的SP值的基于醇的溶劑被選取為溶劑。丙烯酸樹脂(具有9. 2的SP值)、基于硅的樹脂(具有7. 0的SP值)和基于氟的樹脂(具有3. 6的SP值)可以在此情形下用作疏液劑。即使在第二實(shí)施例中，在樹脂粘結(jié)劑層由液體樹脂形成的過程中，具有不同的粘度水平的兩種類型的液體被制備，并且液體分兩步以與第一實(shí)施例相同的方式供應(yīng)。具體地，在供應(yīng)包括待形成樹脂粘結(jié)劑層的高濃度的樹脂組分的高粘度樹脂(第一液體)之前， 粘度低于高粘度樹脂的低粘度樹脂(第二液體)首先供應(yīng)。低粘度樹脂以濕的方式在由疏液圖案圍繞的區(qū)域內(nèi)均一延展，然后供應(yīng)高粘度樹脂，從而保證形成樹脂粘結(jié)劑層所要求的樹脂組分的數(shù)量?，F(xiàn)參照附圖，即圖11的流程圖和圖12和13的示意性工藝流程圖描述背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法。在圖11中，疏液圖案首先形成在用作基板的半導(dǎo)體晶片 1上(ST11)。如圖12(a)所示，包括集成電路(半導(dǎo)體器件)的多個半導(dǎo)體芯片制造在半導(dǎo)體晶片1.上。用于保護(hù)集成電路的保護(hù)片2附著到半導(dǎo)體晶片1的其中制造有集成電路的電路制造表面la。作為電路制造表面Ia的另一側(cè)面的后表面Ib通過在變薄步驟中通過實(shí)施機(jī)械磨削移除表面層而被制造成薄到100微米或者更小的厚度，其中所述變薄步驟是前置步驟。接著，如圖12 (b)所示，疏液圖案沿著柵格線和輪廓形成在后表面Ib (對應(yīng)基板中的待蝕刻的基板處理目標(biāo)表面)上(疏液圖案形成步驟)，所述柵格線(對應(yīng)于待被蝕刻掉的區(qū)域)對應(yīng)于將半導(dǎo)體晶片1分為各半導(dǎo)體芯片Ie的刻劃線Ic (見圖4)，所述輪廓 [見圖2(a)以及如圖5所示的疏液膜3e]沿著沿半導(dǎo)體晶片1的外邊緣設(shè)置為預(yù)定寬度。 除沿著對應(yīng)于刻劃線Ic (見圖4)的柵格線形成之外，疏液圖案沿著半導(dǎo)體晶片1的輪廓形成。沿著輪廓形成的疏液圖案用于防止液體樹脂在半導(dǎo)體晶片1的外邊緣上延伸從而從晶片下落，否則這會在形成疏液圖案后施加液體樹脂時發(fā)生。疏液圖案形成步驟類似于關(guān)于第一實(shí)施例描述的那些，因此其詳細(xì)解釋在此為了簡潔而被省略。疏液圖案已經(jīng)如上所述形成在其上的半導(dǎo)體晶片1實(shí)現(xiàn)用于形成樹脂粘結(jié)劑層的液體樹脂的施加的目的。如前所述，樹脂分兩步施加，即，在施加包括在高濃度的溶劑中的形成掩膜的樹脂的高粘度樹脂(第一液體)之前，呈現(xiàn)優(yōu)良可濕性的低粘度樹脂(第二液體)預(yù)先施加以為了保證高粘度樹脂在由疏液膜3所圍繞的區(qū)域內(nèi)的適當(dāng)延展。任何的熱固性樹脂，例如環(huán)氧基樹脂，用于包括在作為高粘度樹脂的第一液體中的樹脂。通過溶解熱固性樹脂在基于醇的溶劑中的形成的溶液用作第一液體。第一液體的組分設(shè)置為以使得用作溶質(zhì)的樹脂具有百分之40-80的含量，以及溶劑具有百分之60-20 的含量。優(yōu)選設(shè)置樹脂含量以落在百分之40-50的范圍內(nèi)。第二液體設(shè)置為以使得用作溶質(zhì)的樹脂(與包括在第一液體中的樹脂相同)具有百分之0-40的含量，溶劑具有百分之100-70的含量。優(yōu)選地，設(shè)置樹脂含量為落在百分之 10-20的范圍內(nèi)。第二液體的施加目的在于以濕的方式在后表面Ib上延展第二液體以為了保證作為后來施加的第一液體的高粘度樹脂的適當(dāng)?shù)难诱埂Ｒ虼?，第二液體并不總是需要包括樹脂作為溶質(zhì)。如上面提及的組分表明的，第一液體還可由百分之0的溶質(zhì)含量和百分之100的溶劑含量組成。當(dāng)?shù)诙后w包括樹脂時，第二液體是低濃度、低粘度的樹脂，其包括低于第一液體的樹脂含量的樹脂含量。當(dāng)?shù)诙后w并不包括樹脂時，第二液體僅由溶劑組成。在任一情形下，第二液體在粘度方面低于第一液體。第二液體呈現(xiàn)保證后來施加的第一液體的適當(dāng)延展所需的優(yōu)良的可濕性。具體地，在關(guān)于實(shí)施例描述的背后具有樹脂粘合劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法下， 準(zhǔn)備兩種類型的液體；即，包括至少溶劑和樹脂的第一液體和粘度低于第一液體的粘度的第二液體。用于使得第二液體的粘度低于第一液體的粘度的示例性的構(gòu)型包括用于使得第二液體僅由溶劑構(gòu)成的第一構(gòu)型和用于使得包括在第二液體中的樹脂濃度低于包括在第一液體中的樹脂濃度的第二構(gòu)型。在第一和第二構(gòu)型中，第二液體包括與第一液體相同的溶劑。在第二構(gòu)型中，第二液體包括與第一液體相同的樹脂，并且包括在第二液體中的樹脂濃度低于包括在第一液體中的樹脂濃度。為了方便的緣故，單一類型的溶劑用于第一液體和第二液體。但是，第一液體的溶劑并不總是需要與第二液體的溶劑一致。另一類型的溶劑也可以用于第二液體，主要該溶劑具有溶解在第一液體中的屬性。同樣地，用于使得第二液體的粘度低于第一液體的粘度的示例性的構(gòu)型包括用于僅由溶劑形成第二液體的第三構(gòu)型和用于使得包括在第二液體中的樹脂的濃度低于包括在第一液體中的樹脂的濃度的第四構(gòu)型。在第三和第四構(gòu)型中， 第二液體的溶劑在類型上不同于第一液體的溶劑，并且該溶劑具有溶解在第一液體中的性質(zhì)。在第四構(gòu)型中，包括在第二液體中的樹脂與包括在第一液體中的樹脂一致。包括在第二液體中的樹脂的濃度低于包括在第一液體中的樹脂的濃度。如此制備的第一和第二液體按照第二液體和第一液體的順序供應(yīng)到疏液圖案已經(jīng)形成在其上的半導(dǎo)體晶片1?，F(xiàn)解釋其中包括低濃度樹脂的的低粘度樹脂用作第二液體的情形。首先，如圖11所示，低粘度樹脂被施加(ST12)。具體地，如圖12(b)所示，用于形成掩膜目的的低粘度樹脂40a(第二液體)供應(yīng)到作為疏液圖案由疏液膜3形成在其上的半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面的后表面lb。高粘度樹脂現(xiàn)在被施加(STU)。如圖12(c) 所示，除低粘度樹脂40a之外，包括用于以高濃度形成掩膜的樹脂的高粘度樹脂40b (第一液體)施加到低粘度樹脂40a已經(jīng)施加到其上的半導(dǎo)體晶片1的后表面lb。
具體地，在步驟(ST12)和(ST13)中，以前制備的用作第一液體的低粘度樹脂40a 和用作第二液體的高粘度樹脂40b按照用作第二液體的高粘度樹脂40b在先用作第一液體的低粘度樹脂40a在后的順序供應(yīng)到作為疏液圖案形成在其上的半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面的后表面lb。厚度大于疏液圖案的厚度tl的樹脂膜40從而形成在由疏液膜3圍繞并且沒有形成疏液圖案的區(qū)域R中(樹脂膜形成步驟)。關(guān)于在(ST12)和(ST13)中執(zhí)行的低粘度樹脂40a和高粘度樹脂40b的應(yīng)用的細(xì)節(jié)與參照圖8關(guān)于第一實(shí)施例的低粘度樹脂 4a和高粘度樹脂4b描述的那些相同，因此它們的解釋在此為了簡便起見而省略。具有與疏液膜3相同的疏液性質(zhì)的疏液膜3e沿著半導(dǎo)體晶片1的沿著半導(dǎo)體晶片1的外邊緣設(shè)置的輪廓形成到預(yù)定寬度。因此，在施加低粘度樹脂40a和高粘度樹脂40b 時，從各分配噴嘴5A和5B噴射到半導(dǎo)體晶片1的輪廓的低粘度樹脂40a和高粘度樹脂40b 被疏液膜3e排斥。因此，可以防止低粘度樹脂40a和高粘度樹脂40b從半導(dǎo)體晶片1的外邊緣懸掛和下落，這否則會在當(dāng)沒有疏液膜:3e時發(fā)生，以及防止污染晶片臺，這否則會由于樹脂的下落而產(chǎn)生。關(guān)于低粘度樹脂40a從分配噴嘴5A的施加和高粘度樹脂40b從分配噴嘴5B的施加，從分配噴嘴5A噴射的樹脂量和從分配噴嘴5B噴射的樹脂量也可以根據(jù)由疏液膜圍繞的方塊的面積控制。具體地，如已經(jīng)參照圖5描述的，從分配噴嘴5A噴射的樹脂量和從分配噴嘴5B噴射的樹脂量根據(jù)施加量數(shù)據(jù)進(jìn)行控制，與半導(dǎo)體芯片Ie的區(qū)域[A]和外邊緣方塊1R(1)-1R(9)的區(qū)域[A1]-[A9]相關(guān)聯(lián)，所述施加量數(shù)據(jù)為每個方塊指定適當(dāng)?shù)臉渲┘恿?。施加的低粘度樹?0a的量與施加的高粘度樹脂40b的量的比例關(guān)于每個方塊設(shè)置為以使得施加的高粘度樹脂40b的量落在2-5的范圍，如果施加的低粘度樹脂40a的量設(shè)為1的話。圖14以放大方式示出在樹脂膜形成步驟后實(shí)現(xiàn)的疏液膜3和樹脂膜40之間的接觸狀態(tài)。盡管在每一疏液膜3的兩寬度方向邊緣上的邊緣3a具有小的波紋狀形狀(鋸齒形狀)，與邊緣3a保持接觸的樹脂膜40的輪廓40c (在圖14中以虛線示出)形成大致線性的平滑線。對此的原因是，樹脂膜40在液態(tài)下呈現(xiàn)表面張力以及呈現(xiàn)由于表面張力的作用而不受隨后的各邊緣3a的微小不規(guī)則性影響的屬性。所述屬性在形成具有平滑邊緣的掩膜方面是非常有利的。當(dāng)具有平滑輪廓40c的樹脂膜4在隨后的烘焙步驟中處理時，具有對應(yīng)輪廓40c的邊緣(平滑邊緣)的掩膜得以形成。隨后，這樣施加的樹脂被半熟化(ST14)。樹脂膜40形成在其上的半導(dǎo)體晶片1被再次送到熟化步驟，其中半導(dǎo)體晶片1被加熱到大約90攝氏度的溫度。樹脂膜40這樣在B 階段的狀態(tài)下半熟化，由此樹脂粘結(jié)劑層40*形成為如圖12(d)所示(樹脂粘結(jié)劑形成步驟)。此時，樹脂粘結(jié)劑層40*覆蓋除了通過利用等離子處理的蝕刻移除的區(qū)域(也就是， 沿著刻劃線Ic設(shè)置的疏液膜3的區(qū)域)之外的區(qū)域。因此，樹脂粘結(jié)劑層40*用作用于利用等離子處理的蝕刻的掩膜。樹脂粘結(jié)劑層40*的厚度從在施加后獲得的粘接劑層的形狀減少等于所蒸發(fā)溶劑數(shù)量的量。圖15是樹脂膜40和樹脂粘結(jié)劑層40*的橫截面視圖。因?yàn)樵跇渲辰Y(jié)劑層形成步驟中溶劑從樹脂膜40蒸發(fā)，樹脂粘結(jié)劑層40*的厚度t5變得小于樹脂膜40的厚度t4。 因此，粘結(jié)劑樹脂層40*的厚度t5通過調(diào)節(jié)樹脂膜40的厚度t4而進(jìn)行調(diào)節(jié)，即，設(shè)置低粘度樹脂40a中的樹脂含量和高粘度樹脂40b中的樹脂含量并控制施加的低粘度樹脂40a的
17量和施加的高粘度樹脂40b的量。樹脂粘結(jié)劑層40*所要求的厚度t5從作為接合目標(biāo)的半導(dǎo)體芯片Ie的厚度、在接合后獲得的粘接劑層的厚度等確定。在本實(shí)施例中，厚度t5的值從半導(dǎo)體芯片Ie待芯片接合到其上的粘接劑層的厚度確定，并且厚度t5的值優(yōu)選為從20微米到30微米的范圍。厚度t4和厚度t5之間的關(guān)系(收縮因子)可以通過測試等確定。相應(yīng)地，獲得樹脂粘結(jié)劑樹脂層40*所要求的厚度 t5所需的樹脂膜40的厚度t4從收縮因子和厚度t5確定。當(dāng)厚度t4被確定時，可以通過計算確定低粘度樹脂4a的樹脂含量、施加的低粘度樹脂40a的量、高粘度樹脂40b的樹脂含量和施加的高粘度樹脂40b的量，它們?nèi)勘灰笠詫?shí)現(xiàn)厚度t4，在樹脂粘結(jié)劑層形成步驟后，疏液圖案被移除，如圖12(e)所示(STK)。具體地， 執(zhí)行通過溶劑溶解由疏液膜3形成的疏液圖案的處理，從而從后表面Ib去除疏液圖案(疏液圖案移除步驟)。所述處理與關(guān)于第一實(shí)施例描述的疏液圖案移除步驟的處理相同，因此其解釋在此為了簡潔被省略。在疏液圖案移除步驟后，作為基板的半導(dǎo)體晶片1經(jīng)受等離子蝕刻(ST16)。具體地，半導(dǎo)體晶片1被蝕刻以通過等離子處理從作為半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面的后表面 Ib進(jìn)行切割，直到保護(hù)片2露出來(蝕刻步驟)。半導(dǎo)體晶片1送到等離子處理設(shè)備，在那里半導(dǎo)體晶片1的后表面Ib通過基于氟的氣體等離子P例如SF6照射(圖12(f))。半導(dǎo)體晶片1的后表面Ib的一部分，其沒有被用作掩膜的樹脂粘結(jié)劑層40*覆蓋并暴露到等離子P，通過等離子P的蝕刻作用移除，由此蝕刻溝Id形成。由于蝕刻溝Id穿過半導(dǎo)體晶片 1的整個厚度，因此半導(dǎo)體晶片1被分為離散的半導(dǎo)體芯片le，如圖12(f)所示。在完成與蝕刻步驟有關(guān)的處理之后，用于保護(hù)電路制造表面Ia的保護(hù)片2附著到其上的半導(dǎo)體晶片 1被分為多個半導(dǎo)體芯片If，每個芯片具有在布置在半導(dǎo)體芯片Ie的后表面Ib上以便芯片接合操作的B階段的狀態(tài)中的樹脂粘結(jié)劑層40*。在利用等離子P的蝕刻過程中，等離子P的熱施加在樹脂粘結(jié)劑層40*上。如前面提及的，樹脂粘結(jié)劑層40*被要求保持B階段的半熟化狀態(tài)。因此，在等離子處理的過程中，要求對溫度條件進(jìn)行控制以使得樹脂粘結(jié)劑層40*的表面溫度不超過所選擇的基于環(huán)氧的樹脂的熱固性溫度(100攝氏度到150攝氏度)。用于控制溫度條件的方法包括適當(dāng)調(diào)節(jié)所使用的等離子處理設(shè)備的等離子處理?xiàng)l件，例如，適當(dāng)調(diào)節(jié)來自高頻率電力單元的輸出，或者通過利用用于循環(huán)冷卻介質(zhì)通過待處理的半導(dǎo)體晶片1布置在那里的電極內(nèi)部的冷卻裝置控制半導(dǎo)體晶片1的溫度，從而防止半導(dǎo)體晶片1的溫度升高超過適當(dāng)?shù)姆秶?關(guān)于循環(huán)冷卻介質(zhì)通過處理目標(biāo)布置在其中的電極內(nèi)部以為了防止處理目標(biāo)過度加熱的等離子處理設(shè)備的構(gòu)型是已知的技術(shù)(見，例如，JP-A-2004-55703和JP-A-2007-80912)。在等離子切割過程中，具有平滑邊緣的粘接劑樹脂層40* (掩膜)形成。結(jié)果，每一分離的離散半導(dǎo)體芯片Ie的塊邊緣同樣實(shí)現(xiàn)平滑、沒有不規(guī)則性的切割表面。因此，能夠防止將會破壞半導(dǎo)體芯片可靠性的缺陷的發(fā)生；換句話說，能夠防止當(dāng)切割表面具有粗糙形狀或由于微小的不規(guī)則導(dǎo)致的應(yīng)力集中所致的細(xì)裂縫時可能會出現(xiàn)的問題。隨后，芯片接合片11附著到樹脂粘結(jié)劑層40*(ST17)。如圖13(a)所示，具有其電路制造表面Ia保持并附著到保護(hù)片2的粘合樹脂層的多個半導(dǎo)體芯片If被傳遞，同時各樹脂粘結(jié)劑層40*被附著到芯片接合片11。芯片接合片11延展到環(huán)形晶片環(huán)12a，從而形成晶片夾具12。
保護(hù)片2現(xiàn)在被移除(ST18)。具體地，保護(hù)片2從具有附著到芯片接合片11的樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If被剝離。如圖13(b)所示，半導(dǎo)體芯片聚集體10完成，其中具有樹脂粘結(jié)劑層的多個半導(dǎo)體芯片If被芯片接合片11從各后表面Ib保持，其中所述半導(dǎo)體芯片的電路制造表面Ia向上取向并暴露。半導(dǎo)體芯片聚集體10在該狀態(tài)下被送到芯片接合器。如圖3(c)所示，晶片環(huán)1 通過芯片接合器的晶片保持機(jī)構(gòu)13保持，由此離散的半導(dǎo)體芯片If進(jìn)入其中具有樹脂粘結(jié)劑層的離散的半導(dǎo)體芯片1可以被拾取的狀態(tài)。在具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If拾取時，芯片接合工具14和彈射器15定位到具有待被拾取的樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If。設(shè)置在彈射器15上的彈射器銷16從下面推動待被取出的具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片lf，接合工具14拾取并保持具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If。接合工具14具有內(nèi)置加熱裝置，由于被接合工具14保持，具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If被加熱到預(yù)定溫度。保持這樣拾取的具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If的接合工具14移動到保持待被接合的基板18的加熱支撐件17上方的位置?；?8同樣通過設(shè)置在加熱支撐件17中的加熱機(jī)構(gòu)(從附圖省略)被預(yù)先加熱到預(yù)定溫度。具有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片If 對齊接合位置，接合工具14降低，從而通過樹脂粘結(jié)劑層40*布置半導(dǎo)體芯片Ie在基板18 的上表面上。接著，接合工具14在預(yù)定施加壓力下將半導(dǎo)體芯片Ie壓靠著基板18。樹脂粘結(jié)劑層40*的熱固性反應(yīng)由于基板保持在該狀態(tài)下預(yù)定時間段而進(jìn)行。半導(dǎo)體芯片Ie 通過樹脂粘結(jié)劑層40*接合到基板18。如上方提到的，在第二實(shí)施例中，在用于通過利用等離子處理的蝕刻將半導(dǎo)體晶片1分離為具有粘接劑樹脂層的半導(dǎo)體芯片If的半導(dǎo)體芯片的制造過程中，其中每個半導(dǎo)體芯片由半導(dǎo)體器件形成，采用一種方法，其中該方法包括沿著作為半導(dǎo)體芯片Ie之間的邊界的刻劃線Ic印刷疏液液體在作為電路制造表面Ia的另一側(cè)面的半導(dǎo)體晶片1的后表面Ib上，從而形成疏液圖案；制備兩種類型的液體，即，包括至少溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體；在形成疏液圖案的半導(dǎo)體晶片1的處理目標(biāo)表面上按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域上形成比所形成的疏液圖案更厚的樹脂膜40 ；半熟化樹脂膜40，從而形成樹脂粘結(jié)劑層40* ；以及在疏液圖案從半導(dǎo)體晶片的后表面移除后，蝕刻半導(dǎo)體晶片1的后表面lb，同時樹脂粘結(jié)劑層40*用作掩膜。結(jié)果，用于利用等離子處理蝕刻的掩膜低成本地形成，掩膜還可以用作用于芯片接合的樹脂粘結(jié)劑層40*。進(jìn)一步，與樹脂膜形成步驟相關(guān)聯(lián)，當(dāng)兩種類型的液體被制備并且如所述那樣以兩個步驟施加時產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)同樣與在第一實(shí)施例中所產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)相同。在第一和第二實(shí)施例中，用于通過等離子切割將用作基板的半導(dǎo)體晶片分離為離散式半導(dǎo)體芯片的處理已經(jīng)描述為本發(fā)明的示例性的目的。但是，本發(fā)明并不限于該處理。本發(fā)明可以應(yīng)用到任何形式的處理，只要該處理意在用于基板并且需要與利用等離子處理的蝕刻相關(guān)聯(lián)的掩膜形成。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用到各種類型的意在用于基板的處理；例如，用于通過利用等離子的蝕刻在半導(dǎo)體基板中鉆削通孔的示例性的應(yīng)用，用于在 MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))的制造過程中通過應(yīng)用半導(dǎo)體處理技術(shù)和通過使用利用等離子的蝕刻形成微小機(jī)械裝置的示例性的應(yīng)用；用于在透明顯示面板上形成電路圖案的示例性的應(yīng)用寸。
本專利申請是基于在2009年4月10日提交的日本專利申請(JP-2009-095800)， 該日本專利申請的整個主題內(nèi)容在此通過參考引入。〈工業(yè)應(yīng)用性〉本發(fā)明的基板處理方法和半導(dǎo)體芯片制造方法的特征在于，用于利用等離子的蝕刻的掩膜可以低成本形成。所述方法對于用來處理各種基板是有用的，例如用于通過等離子切割將用作基板的半導(dǎo)體晶片分離為離散的半導(dǎo)體芯片的處理?！锤綀D標(biāo)記描述〉
1半導(dǎo)體晶片
Ia電路制造表I面
Ib后表面(處理目標(biāo)表面)
Ic刻劃線
Ie半導(dǎo)體芯片
2保護(hù)片
3, 3e疏液膜
4樹脂膜
4a低粘度樹脂(第二二液體)
4b高粘度樹脂(第--液體)
4氺掩膜
40樹脂膜
40a低粘度樹脂(第二二液體)
40b高粘度樹脂(第--液體)
40*樹脂粘結(jié)劑層
P等離子
權(quán)利要求
1.一種用于通過利用等離子處理的蝕刻部分地去除基板的基板處理方法，所述方法包括疏液圖案形成步驟，其印刷疏液液體到在基板的處理目標(biāo)表面上待被蝕刻去掉的區(qū)域，從而形成疏液圖案；樹脂膜形成步驟，其制備兩種類型的液體，或者包括至少溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于所述第一液體的粘度的第二液體，并按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)液體在基板的形成疏液圖案的處理目標(biāo)表面上，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域中形成比疏液圖案更厚的樹脂膜；掩膜形成步驟，其熟化樹脂膜，從而在處理目標(biāo)表面上形成用于覆蓋除了待被蝕刻去掉的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜；疏液圖案移除步驟，其在實(shí)施與掩膜形成步驟有關(guān)的處理后從處理目標(biāo)表面移除疏液圖案；蝕刻步驟，其在關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理之后利用等離子處理從基板的處理目標(biāo)表面蝕刻基板；和掩膜移除步驟，其在完成關(guān)于蝕刻步驟的處理之后從處理目標(biāo)表面移除掩膜。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，所述第二液體包括與所述第一液體相同的溶劑。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其中，所述第二液體包括與所述第一液體相同的樹脂，在所述第二液體中的樹脂濃度低于所述第一液體中的樹脂濃度。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，所述第二液體包括類型上不同于所述第一液體的溶劑并呈現(xiàn)溶解在第一液體中的性質(zhì)的液體。
5.一種用于通過利用等離子處理的蝕刻分離半導(dǎo)體晶片為由各半導(dǎo)體器件組成的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片制造方法，該半導(dǎo)體晶片在電路制造表面上具有多個半導(dǎo)體器件并且附著有用于保護(hù)所述電路制造表面的保護(hù)片，所述方法包括疏液圖案形成步驟，其印刷疏液液體在用作作為電路制造表面的另一側(cè)的半導(dǎo)體晶片的處理目標(biāo)表面上的半導(dǎo)體芯片之間的邊界的刻劃線上，從而形成疏液圖案；樹脂膜形成步驟，其制備兩種類型的液體，或者包括至少溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體，并按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)所述液體在疏液圖案形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面上，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域中形成厚度比疏液圖案更厚的樹脂膜；掩膜形成步驟，其熟化樹脂膜，從而在處理目標(biāo)表面上形成用于覆蓋待被蝕刻去掉的區(qū)域之外的區(qū)域的掩膜；疏液圖案移除步驟，其在執(zhí)行關(guān)于掩膜形成步驟的處理之后從處理目標(biāo)表面移除疏液圖案；蝕刻步驟，其在關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理之后，從處理目標(biāo)表面蝕刻半導(dǎo)體晶片直到保護(hù)片在處理目標(biāo)表面上露出；和掩膜移除步驟，其在完成關(guān)于蝕刻步驟的處理后從處理目標(biāo)表面移除掩膜。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中，所述第二液體包括與所述第一液體相同的溶劑。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中，所述第二液體包括與所述第一液體相同的樹脂，并且第二液體中的樹脂濃度低于第一液體中的樹脂濃度。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中，所述第二液體包括類型上不同于第一液體的溶劑并且呈現(xiàn)溶解在第一液體中的性質(zhì)的液體。
9.一種用于制造在后表面上具有用于芯片接合(die-bonding)目的的樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法，該方法利用了用于通過使用等離子處理的蝕刻將半導(dǎo)體晶片分離為各半導(dǎo)體器件的等離子切割，所述半導(dǎo)體晶片在電路制造表面上具有多個半導(dǎo)體器件并且附著有用于保護(hù)電路制造表面的保護(hù)片，所述方法包括疏液圖案形成步驟，其印刷疏液液體在用作作為電路制造表面的另一側(cè)的半導(dǎo)體晶片的后表面上的半導(dǎo)體芯片之間的邊界的刻劃線上，從而形成疏液圖案；樹脂膜形成步驟，其制備兩種類型的液體，或者包括至少溶劑和樹脂的第一液體和其粘度低于第一液體的粘度的第二液體，并按照先第二液體后第一液體的順序供應(yīng)所述液體在疏液圖案形成在其上的基板的處理目標(biāo)表面上，從而在沒有形成疏液圖案的區(qū)域中形成厚度比疏液圖案更厚的樹脂膜；樹脂粘結(jié)劑層形成步驟，其半熟化樹脂膜，從而形成樹脂粘結(jié)劑層；疏液圖案移除步驟，其在執(zhí)行關(guān)于樹脂粘結(jié)劑層形成步驟的處理后從后表面移除疏液圖案；和蝕刻步驟，其在執(zhí)行關(guān)于疏液圖案移除步驟的處理后從其后表面蝕刻半導(dǎo)體晶片，同時樹脂粘結(jié)劑層用作掩膜直到保護(hù)片在后表面上露出來。
10.如權(quán)利要求9所述的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中，第二液體包括與第一液體相同的溶劑。
11.如權(quán)利要求10所述的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中，第二液體包括與第一液體相同的樹脂，在第二液體中的樹脂濃度低于在第一液體中的樹脂濃度。
12.如權(quán)利要求9所述的背部有樹脂粘結(jié)劑層的半導(dǎo)體芯片制造方法，其中，所述第二液體包括類型上不同于第一液體的溶劑并呈現(xiàn)溶解在第一液體中的性質(zhì)的液體。
全文摘要
公開一種用于處理基板的方法，通過該方法用于利用等離子處理蝕刻的掩膜可以低成本地形成。還公開一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的方法。當(dāng)用于其中半導(dǎo)體晶片(1)通過使用等離子處理的蝕刻分成分離的半導(dǎo)體芯片(1e)的等離子切割的掩膜形成時，由液體排斥膜(3)組成的液體排斥圖案通過施加液體排斥液體到后表面(1b)的區(qū)域而形成，所述區(qū)域?yàn)槲g刻的對象。此后，首先低粘度樹脂(4a)然后高粘度樹脂(4b)供應(yīng)到設(shè)置有液體排斥圖案的后表面(1b)，從而在其中沒有液體排斥膜(3)的區(qū)域形成樹脂膜(4)，該樹脂膜具有比液體排斥膜(3)更大的膜厚度。然后，樹脂膜(4)被熟化，從而形成掩膜(4*)，該掩膜(4*)覆蓋不同于通過蝕刻被移除區(qū)域的區(qū)域。結(jié)果，用于蝕刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。
文檔編號H01L21/301GK102388438SQ20108001570
公開日2012年3月21日 申請日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月10日
發(fā)明者土師宏, 有田潔 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社