專利名稱：一種具有反射膜的陶瓷基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種具有反射膜的陶瓷基板，尤指一種對紅外線有高反射率的陶瓷基板，可用于提高燃料電池的效率。
背景技術(shù)：
固態(tài)氧化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell，S0FC)是以煤氣或天然氣為燃料， 利用固態(tài)非多孔的金屬氧化物如定化氧化鋯(ZrO2)作為電解質(zhì)，借著氧離子在晶體中穿梭進行離子傳送而產(chǎn)生電能，其操作溫度高達800 1000°C，優(yōu)點為工作溫度高、電極反應速度快，故不必使用貴金屬作催化劑亦可達成高發(fā)電效率，且固態(tài)氧化物燃料電池可利用本身高溫進行內(nèi)部燃料重整，可使系統(tǒng)簡單化。但受限于高溫操作，因此如電極板、雙極板與密封材料的材質(zhì)選擇上受到溫度的限制。現(xiàn)有技術(shù)如美國公告專利7，462，208號所公開的平面微燃料處理器，該專利公開了一種用于燃料電池的化學反應設(shè)備，其中該反應設(shè)備的反應腔具有由陶瓷或金屬構(gòu)成的絕熱壁(dewar wall)，該絕熱壁表面進一步包括一輻射防止膜(radiation preventing film)，該輻射防止膜可為金、鋁或銀所構(gòu)成的金屬膜或選自氧化錫、氧化銦或氧化鋅所構(gòu)成的氧化金屬膜，該輻射膜可用以減少熱傳導以及輻射熱穿透過絕熱壁，但本篇專利未公開可反射的紅外線波長范圍及相關(guān)的反射率，也未揭示高溫環(huán)境下該輻射防止膜的穩(wěn)定度。又如美國公開專利20080171245號所公開的熱輻射防護膜、反應裝置、燃料電池、 電子設(shè)備、熱反射膜與熱隔絕容器，該專利公開了一種用于燃料電池的反應裝置，該反應裝置包含一反應裝置主體，該主體表面具有一包含鎢及鉬構(gòu)成的附著層(adhesion layer), 該附著層上更具有一包含金材質(zhì)的表面層(surface layer)。雖然說明書中公開該表面層金屬的候選金屬包含金、鋁、銀、銅或銠，且由于金與銀對于波長大于1微米的波有較高的反射率，因此金與銀為較佳的材料。但本專利于說明書進一步說明其燃料電池的反應裝置主體上的表面層必須是金的材質(zhì)，方可于600 800度的高溫下抑制熱的散逸，而以銀的材質(zhì)所構(gòu)成的表面層在600度的溫度會蒸發(fā)，因此以銀材質(zhì)所構(gòu)成的熱反射膜并不適用于高溫操作的燃料電池。又如美國公開專利20090M6576號所公開的反應裝置與電子設(shè)備，該專利公開了一種用于燃料電池的反應裝置，該反應裝置包含一反應裝置本體與一容器，該容器內(nèi)壁具有一選自金、鋁、銀、銅或銠所構(gòu)成的反射膜(reflectivefilm)，其中金、鋁、銀或銅構(gòu)成的反射膜對于波長大于1微米的紅外線有90%以上的反射率。但本專利并未公開該反射膜在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定度。鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板及其制造方法， 是借由提升燒結(jié)溫度與燒結(jié)次數(shù)來控制反射膜的金屬結(jié)晶尺寸，可有效提升陶瓷基板對紅外線的反射率及提升陶瓷基板于高溫操作環(huán)境下的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板。本發(fā)明之另一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板，其中所述反射膜至少包含一玻璃層與一具有金屬結(jié)晶的金屬膜。本發(fā)明之另一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板，且所述反射膜表面設(shè)有
一金膜。本發(fā)明之另一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板，所述反射膜的金屬膜具有特定直徑的金屬結(jié)晶。本發(fā)明之另一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板，所述陶瓷基板可用以反射特定波長的紅外線。本發(fā)明之另一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板，所述陶瓷基板對特定波長的紅外線具有高反射率。本發(fā)明之另一目的在于提供一種具有反射膜的陶瓷基板，所述陶瓷基板具有高穩(wěn)定溫度。為達上述目的，本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板，所述基板至少包含一陶瓷基材，用以構(gòu)成所述基板的主體；一反射膜，所述反射膜至少包含一玻璃層與一具有金屬結(jié)晶的金屬膜，其中所述玻璃層系形成于陶瓷基材之一面上，所述具有金屬結(jié)晶的金屬膜是形成于所述玻璃層之上。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其陶瓷基材可選自氧化鋁、氮化鋁等本領(lǐng)域熟知的陶瓷基板。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其反射膜的金屬膜可選自金或銀。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其反射膜的玻璃層為至少一選自下述所構(gòu)成的一 ^1 :PbO、Si02、CaO> A1203> Bi203> BaO> SrO> B2O3> MgO> ZrO> Fe2O3> MnO> CuO> CoO、Na20> P205> ZnO^GeO2 及其組合。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其反射膜的金屬膜具有直徑范圍為4至15微米金
屬結(jié)晶。上述之具有反射膜的陶瓷基板，可用以反射波長大于1微米的紅外線。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其紅外線反射率至少為90%。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其穩(wěn)定溫度至少為600度。上述之具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜上進一步設(shè)有一金膜。為達上述目的，本發(fā)明公開了一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，所述方法至少包含下列步驟a.提供一陶瓷基材；b.提供一反射膜材料于所述陶瓷基材上；c.將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材以一預烘干溫度進行預烘干；d.將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材以一預設(shè)燒結(jié)溫度進行燒結(jié)；e.進行退火，以形成一具有反射膜的陶瓷基板。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中在退火步驟e之后進一步執(zhí)行一測量與判斷步驟f，測量所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑，如所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑未達到一預定范圍值，則重復燒結(jié)步驟d、退火步驟e及測量與判斷步驟f至所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑達到一預定范圍值。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述具有反射膜的陶瓷基板的金屬膜上進一步形成一金膜。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述金膜是以濺鍍、電鍍、涂布或貼合方式形成于所述陶瓷基材上。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述預烘干溫度至少為100度。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述預烘干時間至少為10分鐘。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述預設(shè)燒結(jié)溫度至少為850度。上述之具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑預定范圍為4至15微米。為達上述目的，本發(fā)明再公開了一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，所述方法至少包含下列步驟一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，所述方法至少包含下列步驟a.提供一陶瓷基材；b.提供一反射膜材料于所述陶瓷基材上；c.將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材，以一梯度溫度燒結(jié)方式進行燒結(jié)；d.再將所述貼有所述反射膜材料的陶瓷基材進行退火，以形成一具有反射膜的陶瓷基板。上述具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述具有反射膜的陶瓷基板的金屬膜上進一步形成一金膜。上述具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，其中所述金膜是以濺鍍、電鍍、涂布或貼合方式形成于所述陶瓷基材上。


圖1為依據(jù)本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板示意圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法流程。圖3為依據(jù)本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板的燒結(jié)溫度與時間變化曲線圖。圖4為依據(jù)本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板剖面的電子顯微鏡影像O000 倍)。圖5 (a) 5 (h)，為ESL陶瓷基板經(jīng)不同溫度與燒結(jié)次數(shù)燒結(jié)而成的一種具有反射膜的陶瓷基板的電子顯微鏡影像(1800倍)。圖6(a) 6(1)，為ESL、Heraeus與Ferro陶瓷基板在不同溫度與燒結(jié)次數(shù)下產(chǎn)生的具有反射膜的陶瓷基板的電子顯微鏡影像(1800倍)。圖7為依據(jù)本發(fā)明的另一種具有反射膜的陶瓷基板示意圖。本發(fā)明附圖中，10...具有反射膜的陶瓷基板
11...陶瓷基板12...反射膜13...玻璃層14...金屬膜15...金膜3A 3H. · ·區(qū)段
具體實施例方式為使本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板上述目的、特征及功效能更明顯易懂， 在此借由下述具體的實施例，并配合所附的圖式，對本發(fā)明做如下的詳細說明。請參閱附圖1與附圖2，附圖1為利用本發(fā)明的制造方法所制得的一種具有反射膜的陶瓷基板10，附圖2為本發(fā)明的制造方法的流程圖，所述制造方法首先提供一陶瓷基材 11，然后提供一反射膜材料于所述陶瓷基材11上，將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材11以 150°C的預烘干溫度進行預烘干15分鐘，使所述反射膜平整貼于所述陶瓷基材11上，接著將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材11以930°C之預設(shè)燒結(jié)溫度進行燒結(jié)(燒結(jié)溫度與時間變化曲線請參閱附圖3)，燒結(jié)完畢后進行退火，所述反射膜材料經(jīng)燒結(jié)后會形成一反射膜 12，且所述反射膜12包含一形成于陶瓷基材11之一面上的玻璃層13及一形成于所述玻璃層13之上的具有金屬結(jié)晶的金屬膜14，退火完畢后測量所述金屬膜14的金屬結(jié)晶直徑是否達到預定范圍，如未達預定范圍則再次進行燒結(jié)與退火步驟至所述金屬膜14的金屬結(jié)晶直徑達預定范圍。附圖3為依據(jù)本發(fā)明的一種具有反射膜的陶瓷基板的燒結(jié)溫度與時間變化曲線圖，所述燒結(jié)過程一次約為60分鐘，依時間與溫度可分為3A 3G七個區(qū)段，其中有50 55分鐘是高于100°C，即附圖中3H所示，各段詳述如下當具有反射膜的陶瓷基板進入燒結(jié)腔后，于3A段所述燒結(jié)腔溫度由室溫迅速上升至100°c，并持續(xù)加熱至300°C ；于300°C 500°C的段以每分鐘50°C的升溫速率穩(wěn)定加熱至50(TC ；接著于3C段繼續(xù)加熱至930°C ；于3D段維持該溫度10分鐘，使所述具有反射膜的陶瓷基板在930°C的高溫下燒結(jié)；接著于3E段實施退火，退火10分鐘后該燒結(jié)腔溫度降至約700°C ；接著于3F段以每分鐘50°C的降溫速率快速降至300°C ；于3G段緩緩降至室溫后，所述具有反射膜的陶瓷基板即退出該燒結(jié)腔而完成一次燒結(jié)。接著參閱附圖4，附圖4是利用2000倍電子顯微鏡觀察依據(jù)本發(fā)明所完成的一種具有反射膜的陶瓷基板10剖面的影像，依據(jù)本發(fā)明的方法燒結(jié)完畢所得的陶瓷基板確實可呈現(xiàn)如附圖1的三層結(jié)構(gòu)，且各層由下至上依序為陶瓷基材11、玻璃層13與金屬膜14。 由該電子顯微鏡影像可知，所述陶瓷基材11內(nèi)部具有數(shù)個縫隙，且所述陶瓷基材11表面有碎屑殘留且有多個凹陷處與突出部，而所述陶瓷基材11表面上方具有一玻璃層13，所述玻璃層上方具有一內(nèi)含空洞且表面有多個凹陷處與突出部的金屬膜14，其中所述玻璃層可將所述陶瓷基材表面與金屬膜表面的凹陷處與突出部填滿，使其緊密結(jié)合。請參閱附圖5(a) 5(h)，附圖5(a) 5 (h)為陶瓷基板與ESL(電鍍科技)金屬膜經(jīng)不同溫度與燒結(jié)次數(shù)燒結(jié)而成的一種具有反射膜的陶瓷基板的1800倍電子顯微鏡影像，其中附圖5(a) 5(d)是在陶瓷基材上方提供一 ESL反射膜，然后以150°C的預烘干溫度烘烤15分鐘以完成預烘干步驟，接著將所述陶瓷基板以850°C的燒結(jié)溫度進行燒結(jié)60分鐘，燒結(jié)完畢后進行退火，可以得到一具有反射膜的陶瓷基板，并觀察所述陶瓷基板表面的反射膜的金屬結(jié)晶大小，如附圖5(a)所示，以上述步驟燒結(jié)一次時，表面金屬結(jié)晶大小差異甚大，金屬結(jié)晶平均直徑為4. 2微米(參見表一)，且仍存有許多的空隙，顯示燒結(jié)一次時所述反射膜表面仍相當粗糙，故此時所述陶瓷基板對紅外線的反射能力會受到減損，使紅外線反射率下降，為提升紅外線反射率，故須提升反射膜的光滑度。因此，在完成第一次燒結(jié)后，將所述陶瓷基板再次以850°C的燒結(jié)溫度燒結(jié)60分鐘，并施以退火，其結(jié)果如附圖 5(b)所示，反射膜表面的金屬結(jié)晶較附圖5(a)為大，平均直徑為4. 6微米(參見表一)，且金屬結(jié)晶間的空隙數(shù)量明顯減少，顯示經(jīng)二次燒結(jié)的反射膜表面光滑度略有提升，接著再進行第三次、第四次的燒結(jié)，其結(jié)果如附圖5(c)與附圖5(d)所示，所述陶瓷基板表面的反射膜的金屬結(jié)晶會隨燒結(jié)次數(shù)增加而變大，燒結(jié)三次金屬結(jié)晶平均直徑為5. 0微米、燒結(jié)四次金屬結(jié)晶平均直徑可達到6.0微米(參見表一)，且金屬結(jié)晶間的空隙會隨著燒結(jié)次數(shù)增加而減少，故可提升陶瓷基板表面的反射膜的光滑度。另外，附圖5(e) 5(h)是將燒結(jié)溫度由850°C提升至930°C、分別燒結(jié)一至四次的結(jié)果，如附圖5(e)所示，由該附圖與表一的實驗結(jié)果可以看出以930°C燒結(jié)一次時，所述陶瓷基板表面的反射膜金屬結(jié)晶為11. 0微米，相較于以850°C燒結(jié)所產(chǎn)生的金屬結(jié)晶來說有明顯地增長，且金屬結(jié)晶間的空隙大幅減少，陶瓷基板表面的反射膜的光滑度有顯著提升，而附圖5(f)、5(g)與5(h)分別為以930°C燒結(jié)二次、三次與四次所得一種具有反射膜的陶瓷基板的結(jié)果，其金屬結(jié)晶直徑隨燒結(jié)次數(shù)增加，且金屬結(jié)晶間空隙隨燒結(jié)次數(shù)增加而減少，如附圖5(h)所示，以930°C燒結(jié)四次后金屬結(jié)晶之間幾無空隙，金屬結(jié)晶的平均直徑更成長至13. 3微米，陶瓷基板表面的反射膜的光滑度也獲得大幅改善，故提高燒結(jié)溫度或增加燒結(jié)次數(shù)皆可有效增加具有反射膜結(jié)構(gòu)的陶瓷基的金屬結(jié)晶直徑，提升陶瓷基板表面的反射膜的光滑度，并增加對紅外線的反射率。表一金屬結(jié)晶直徑
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燒結(jié)次數(shù)
__(850°C 燒結(jié))__(930°C 燒結(jié))_
Ix4. 2微米11.0微米
2x4. 6微米11. 2微米
3x5. O微米11. 4微米
4x6. O微米13. 3微米接著參閱附圖6 (a) 6 (1)，為陶瓷基板與ESL (電鍍科技)、Heraeus (賀利氏)、 i^erro (美國福祿集團)三種金屬膜在不同溫度與燒結(jié)次數(shù)下產(chǎn)生的具有反射膜的陶瓷基板的1800倍電子顯微鏡影像，其制造方法皆以125°C的預烘干溫度將貼有反射膜的陶瓷基板烘烤15分鐘以完成預烘干步驟，接著將所述陶瓷基板以預定的燒結(jié)溫度燒結(jié)60分鐘，燒結(jié)完畢后進行退火，可以得到一具有反射膜的陶瓷基板。其中附圖6(a)、6(b)、6(c)、6(d)是ESL反射膜與陶瓷基板以850°C燒結(jié)一次、 850°C燒結(jié)四次、930°C燒結(jié)一次、930°C燒結(jié)四次的電子顯微鏡影像；附圖6(e)、6(f)、 6(g), 6(h)是Heraeus反射膜與陶瓷基板以850°C燒結(jié)一次、850°C燒結(jié)四次、930°C燒結(jié)一次、930°C燒結(jié)四次的電子顯微鏡影像；附圖6 (i)、6 (j)、6 (k)、6 (1)是i^erro反射膜與陶瓷基板以850°C燒結(jié)一次、850°C燒結(jié)四次、930°C燒結(jié)一次、930°C燒結(jié)四次的電子顯微鏡影像。由附圖6(a) 6(1)所呈現(xiàn)的電子顯微鏡影像及表二的金屬結(jié)晶平均直徑可以得知當燒結(jié)次數(shù)增加或燒結(jié)溫度提高時，皆可使陶瓷基板的反射膜的金屬結(jié)晶直徑增加，同時反射膜表面的缺陷如空隙、殘留物等缺陷也隨之減少，使得所述陶瓷基板的反射膜表面更趨光滑。另外，將上述附圖6(e) 6(h)四種在不同燒結(jié)溫度與燒結(jié)次數(shù)下獲得的Heraeus 反射膜的陶瓷基板與附圖6 (i) 6(1)的!^erro反射膜的陶瓷基板進行2微米 12微米的紅外線反射率測量，其量測結(jié)果如表三及表四所述，其中Heraeus反射膜的陶瓷基板的最大反射率皆在99%以上，而最小反射率則由93. 52%增加至94%之上，F(xiàn)erro反射膜的陶瓷基板的最大反射率由97. 30%提升至99. 35%，而最小反射率更由90. 84%大幅增加至 96. 19%之上，故由該紅外線反射率測量結(jié)果可以得知，較高的燒結(jié)溫度與燒結(jié)次數(shù)愈多的陶瓷基板，其紅外線反射率確實可獲得改善。表二金屬結(jié)晶直徑
^板 ESL反射膜+ Heraeus反射膜+陶 Ferro反射膜+ 溫度/次^^ 陶瓷基板瓷基板陶瓷基板
850 燒結(jié)Ix4. 2微米5. 2微米5. 8微米
850°C燒結(jié)虹6. O微米8. 3微米9. 3微米
930 燒結(jié)Ix 11. O微米9. 7微米11. 7微米
930°C燒結(jié)虹 13. 3微米14微米13. 1微米表三紅外線反射率(Heraeus反射膜)
表四紅外線反射率(Ferro反射膜)
基板930°C燒結(jié)Ix 930°C燒結(jié)4x
\\850°C燒結(jié) Ix 850°C燒結(jié) 4x
反射____
最大反射率97.3081 98.2648 99.3118 99.3588
最小反射率 90.848692.543794.241196.1942接著參閱附圖7，該附圖為依據(jù)本發(fā)明的另一種具有反射膜的陶瓷基板示意圖。首先提供一陶瓷基材11，然后在所述陶瓷基材11上提供一反射膜12，將貼有反射膜12的陶瓷基材11以125°C的預烘干溫度進行預烘干，將貼有反射膜12的陶瓷基材11以930°C的預設(shè)燒結(jié)溫度進行燒結(jié)，燒結(jié)完畢后進行退火，并觀察所述反射膜12的金屬結(jié)晶大小，以得到一具有反射膜的陶瓷基板10，接著以濺鍍方式于所述反射膜12上方形成一金膜，其中所述陶瓷基材11是作為所述具有反射膜的陶瓷基板10的主體，而所述反射膜12燒結(jié)后會形成一玻璃層13與一具有金屬結(jié)晶的金屬膜14構(gòu)造，其中所述玻璃層13是形成于陶瓷基材11之一面上，且所述具有金屬結(jié)晶的金屬膜14是形成于所述玻璃層13之上。在詳細說明上述本發(fā)明的各項較佳實施例之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可清楚的了解， 在不脫離本發(fā)明權(quán)利要求與精神下可進行各種變化與改變，亦不受限于說明書的實施例的實施方式。
權(quán)利要求
1.一種具有反射膜的陶瓷基板，所述基板至少包含一陶瓷基材，用以構(gòu)成所述基板的主體；一反射膜，所述反射膜至少包含一玻璃層與一具有金屬結(jié)晶的金屬膜，其中所述玻璃層是形成于陶瓷基材的一面上，所述具有金屬結(jié)晶的金屬膜系形成于所述玻璃層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜表面進一步設(shè)有一金膜。
3.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜可選自金或銀。
4.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述金屬膜的金屬結(jié)晶直徑范圍為4至15微米。
5.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述玻璃層為至少一選自下述所構(gòu)成的一組玻璃PbO、Si02、CaO、A1203、Bi2O3, BaO, SrO, B2O3> MgO, ZrO, Fe2O3> MnO, CuO, CoO、 Na2O, P2O5> ZnO, GeO2 及其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板可反射波長大于1 微米的紅外線。
7.如權(quán)利要求6所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板可反射波長介于2 至12微米的紅外線。
8.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為90%。
9.如權(quán)利要求8所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為95%。
10.如權(quán)利要求9所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為97%。
11.如權(quán)利要求10所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板的紅外線反射率至少為99%。
12.如權(quán)利要求1所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩(wěn)定溫度至少為 600 度。
13.如權(quán)利要求12所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩(wěn)定溫度至少為 700 度。
14.如權(quán)利要求13所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩(wěn)定溫度至少為 800 度。
15.如權(quán)利要求14所述的具有反射膜的陶瓷基板，其中所述陶瓷基板穩(wěn)定溫度至少為 900 度。
16.一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，所述方法至少包含下列步驟a.提供一陶瓷基材；b.提供一反射膜材料于所述陶瓷基材上；c.將貼有所述反射膜材料陶瓷基材以一預烘干溫度進行預烘干；d.將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材以一預設(shè)燒結(jié)溫度進行燒結(jié)；e.進行退火，以形成一具有反射膜的陶瓷基板。
17.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中在退火步驟e之后進一步執(zhí)行一測量與判斷步驟f，測量所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑，如所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑未達到一預定范圍值，則重復燒結(jié)步驟d、退火步驟e及測量與判斷步驟f至所述反射膜的金屬膜的金屬結(jié)晶直徑達到一預定范圍值。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中所述具有反射膜的陶瓷基板的金屬膜上進一步形成一金膜。
19.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中所述金膜是以濺鍍、電鍍、涂布或貼合方式形成于所述陶瓷基材上。
20.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中所述預烘干溫度至少為100度。
21.如權(quán)利要求20所述的制造方法，其中所述預烘干溫度為110至200度。
22.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中所述預烘干時間至少為10分鐘。
23.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其中所述預烘干時間為15至20分鐘。
24.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中所述預設(shè)燒結(jié)溫度至少為850度。
25.如權(quán)利要求M所述的制造方法，其中所述預設(shè)燒結(jié)溫度至少為900度。
26.如權(quán)利要求25所述的制造方法，其中所述預設(shè)燒結(jié)溫度至少為930度。
27.如權(quán)利要求沈所述的制造方法，其中所述預設(shè)燒結(jié)溫度至少為950度。
28.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中所述金屬膜的金屬結(jié)晶直徑的預定范圍值為 4 15微米。
29.一種具有反射膜的陶瓷基板的制造方法，所述方法至少包含下列步驟a.提供一陶瓷基材；b.提供一反射膜材料于所述陶瓷基材上；c.將貼有所述反射膜材料的陶瓷基材，以一梯度溫度燒結(jié)方式進行燒結(jié)；d.再將所述貼有所述反射膜材料的陶瓷基材進行退火，以形成一具有反射膜的陶瓷基板。
30.如權(quán)利要求四所述的制造方法，其中所述具有反射膜的陶瓷基板的金屬膜上進一步形成一金膜。
31.如權(quán)利要求30所述的制造方法，其中所述金膜是以濺鍍、電鍍、涂布或貼合方式形成于所述陶瓷基材上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有反射膜的陶瓷基板及其制造方法，所述具有反射膜的陶瓷基板至少包含一陶瓷基材與一反射膜，其中所述反射膜至少包含一玻璃層與一具有金屬結(jié)晶的金屬膜，其中所述金屬膜的金屬結(jié)晶具有特定直徑，對于特定波長的紅外線具有高反射率。
文檔編號H01M8/02GK102544543SQ201110041440
公開日2012年7月4日 申請日期2011年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者江大祥, 魏建承 申請人:同欣電子工業(yè)股份有限公司