專利名稱：Led封裝結(jié)構(gòu)及制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種LED封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及ー種具有較寬光場的LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點。然而一般LED封裝結(jié)構(gòu)中的LED芯片設(shè)置于基板的頂面上，所述LED芯片發(fā)出的光線中，僅有一半多一點(約百分之五十六左右)可穿越所述LED芯片表面發(fā)射出去，其余的光線大都直接被LED封裝結(jié)構(gòu)吸收或是LED芯片內(nèi)部的全反射而喪失。LED高功率產(chǎn)品為提高獲得所需要亮度，通常僅針對LED芯片的光萃取率作改善，其解決的方式不外乎有兩種，ー是在所述LED芯片磊晶前增設(shè)光萃取結(jié)構(gòu)層，ー是在所述LED芯片磊晶后對磊晶結(jié)構(gòu)表面進行粗糙化，以破壞磊晶結(jié)構(gòu)的內(nèi)部全反射作用，從而減少光的損失。但是，這樣的解決方式會増加制程的復(fù)雜性且花費昂貴，并非經(jīng)濟方便的改善方式。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供ー種結(jié)構(gòu)簡易、發(fā)光光場寬廣的LED封裝結(jié)構(gòu)。ー種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括ー個基板、ー個LED芯片以及ー個覆蓋層。所述基板具有至少兩個電極以及ー個載板，所述載板具有一個承載表面，所述承載表面高于所述基板的頂面，并用以對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片。所述LED芯片與所述電極電連接，并通過所述覆蓋層包覆。在上述的LED封裝結(jié)構(gòu)中，由于所述LED芯片的設(shè)置位置高于所述基板的頂面，且所述承載表面對應(yīng)所述LED芯片，使所述LED芯片發(fā)出的光線不受所述基板的阻擋或吸收，可穿越所述LED芯片表面的發(fā)散角度更加寬廣，從而可以增加所述LED芯片發(fā)光的光場而提高所述LED封裝結(jié)構(gòu)的亮度，其結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低。


圖I是本發(fā)明LED封裝結(jié)構(gòu)第一實施方式的組合剖視圖。圖2是圖I封裝結(jié)構(gòu)的載板與LED芯片的組合剖視圖。圖3是圖2LED芯片與載板組合的部分放大剖視圖。圖4是本發(fā)明LED封裝結(jié)構(gòu)第二實施方式的剖視圖。圖5是本發(fā)明LED封裝結(jié)構(gòu)第三實施方式的剖視圖。主要元件符號說明封裝結(jié)構(gòu)10、20、30基板12、22頂面122、222底面124、224、324
電極126、226、38載板128、228、32承載表面1282、2282、322LED 芯片14、24、34發(fā)光層142覆蓋層16、26、36導(dǎo)線18、28、382反射杯200出光角度0夾角￥高度H距離D
具體實施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作一具體介紹。請參閱圖1，所示為本發(fā)明LED封裝結(jié)構(gòu)第一實施方式的組合剖視圖，所述LED封裝結(jié)構(gòu)10，包括ー個基板12、ー個LED芯片14以及ー個覆蓋層16。所述基板包含有ー個頂面122以及ー個底面124，并具有至少兩個電極126以及ー個載板128，所述電極126以及所述載板128均自所述基板12的頂面122延伸至所述基板12的底面124。所述載板128具有一個承載表面1282，所述承載表面1282高于所述基板12的頂面122，并用以對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片14。所述LED芯片14與所述電極126之間具有導(dǎo)線18以達成電連接，并通過所述覆蓋層16包覆。所述覆蓋層16為透明材質(zhì)并且可以包含具有熒光粉。所述LED芯片14在所述承載表面1282上，與所述基板12的頂面122間具有一定距離，使所述LED芯片14發(fā)光的出光角度較不會被所述基板12阻擋或吸收，相較于目前設(shè)置于所述基板12頂面122的LED芯片14，本實施方式的所述LED芯片14具有更寬廣的出光角度。所述LED芯片14發(fā)光直接穿越所述LED芯片14表面的出光角度0大約等于二百四十度(如圖2所標示)，所述LED芯片14的出光角度0可以依據(jù)所述LED芯片14與所述載板128承載表面1282對應(yīng)設(shè)置的關(guān)系獲得。所述LED芯片14與所述載板128承載表面1282對應(yīng)設(shè)置的關(guān)系式為tan ￥彡H/D，其中V為所述LED芯片14與所述載板128承載表面1282之間的夾角，H為所述LED芯片14內(nèi)部發(fā)光層142到達所述LED芯片14底面的高度，D為所述LED芯片14底面?zhèn)冗吪c所述載板128側(cè)邊之間的距離(如圖3中的放大圖所標示)。所述LED芯片14的出光角度0擴大，使所述LED芯片14的光場更寬，從而使得所述LED封裝結(jié)構(gòu)10的売度可以提尚。請再參閱圖4，是本發(fā)明LED封裝結(jié)構(gòu)20第二實施方式的剖視圖。所述LED封裝結(jié)構(gòu)20,包括ー個基板22、ー個LED芯片24以及ー個覆蓋層26,相同于所述LED封裝結(jié)構(gòu) 10，所述基板22包含有一個頂面222以及ー個底面224，并具有至少兩個電極226以及ー個載板228。所述載板228具有一個承載表面2282，所述承載表面2282高于所述基板22的頂面222，并用以對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片24。所述LED芯片24與所述電極226之間具有導(dǎo)線28以達成電連接，并通過所述覆蓋層26包覆。不同在于，所述基板22的頂面222具有ー個反射杯200。所述反射杯200環(huán)繞所述LED芯片24罩設(shè)，使具有寬光場發(fā)光的所述LED芯片24發(fā)出的光線，能集中由所述反射杯200開ロ處的所述覆蓋層26發(fā)射，從而更加提升所述LED封裝結(jié)構(gòu)20的發(fā)光亮度。最后，請再參閱圖5的LED封裝結(jié)構(gòu)30，包括一個載板32、ー個LED芯片34、ー個覆蓋層36以及至少兩個電極38。不同于第一實施方式的所述LED封裝結(jié)構(gòu)10，本第三實施方式的LED封裝結(jié)構(gòu)30并不具有所述基板12。所述載板32具有一個承載表面322以及ー個底面324。所述承載表面322與所述底面324間隔具有一定距離，使所述載板32具有一定的高度。所述承載表面322 用以對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片34，所述LED芯片34與所述電極38之間具有導(dǎo)線382以達成電連接，并通過所述覆蓋層36包覆所述LED芯片34及其電連接的所述電極38和所述載板32。所述載板32也可設(shè)置在其中ー個所述電極38上(圖中未標示)，使所述LED芯片34的電連接以及所述LED封裝結(jié)構(gòu)30的封裝運作更加便捷。所述LED芯片34通過在對應(yīng)的所述承載表面322上設(shè)置，同樣可具有寬光場的出光角度，使所述LED封裝結(jié)構(gòu)30的發(fā)光亮度更加提升、結(jié)構(gòu)簡化。綜上，本發(fā)明LED封裝結(jié)構(gòu)，所述LED芯片14、24以及34對應(yīng)所述載板128、228、32的承載表面1282、2282、322上設(shè)置，使所述LED芯片14、24以及34在所述LED封裝結(jié)構(gòu)10、20、30中的位置被提高，發(fā)光的出光角度更寬廣，從而可以最簡易及低成本的方式提升LED封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光亮度。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括ー個基板、ー個LED芯片以及ー個覆蓋層，所述基板具有至少兩個電極以及ー個載板，所述載板具有一個承載表面，所述承載表面高于所述基板的頂面，并用以對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片，所述LED芯片與所述電極電連接，并通過所述覆蓋層包覆。
2.如權(quán)利要求I所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板包含有一個頂面以及ー個底面，所述電極以及所述載板均自所述基板的頂面延伸至所述基板的底面。
3.如權(quán)利要求I所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述承載表面設(shè)置所述LED芯片的對應(yīng)關(guān)系符合下列關(guān)系式 tan V H/D,其中 ￥為所述LED芯片與所述承載表面之間的夾角， H為所述LED芯片內(nèi)部具有的發(fā)光層到達所述LED芯片底面的高度， D為所述LED芯片底面?zhèn)冗吪c所述載板側(cè)邊之間的距離。
4.如權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述LED芯片發(fā)光層的出光角度等于二百四十度。
5.如權(quán)利要求I所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板的頂面具有ー個反射杯，所述反射杯環(huán)繞所述LED芯片罩設(shè)。
6.如權(quán)利要求I所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述覆蓋層為透明材質(zhì)并且可以包含具有突光粉。
7.—種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括一個載板、ー個LED芯片、ー個覆蓋層以及至少兩個電極，所述載板具有一個承載表面，所述承載表面對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片，所述LED芯片與所述電極電連接，并通過所述覆蓋層包覆。
8.如權(quán)利要求7所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述載板具有ー個底面，所述承載表面與所述底面間隔具有一定距離，使所述載板具有一定的高度。
9.如權(quán)利要求7所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述載板設(shè)置在其中ー個所述電極上。
10.如權(quán)利要求7所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述覆蓋層包覆所述LED芯片及其電連接的所述電極和所述載板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括一個基板、一個LED芯片以及一個覆蓋層。所述基板具有至少兩個電極以及一個載板，所述載板具有一個承載表面，所述承載表面高于所述基板的頂面，并用以對應(yīng)設(shè)置所述LED芯片。所述LED芯片與所述電極電連接，并通過所述覆蓋層包覆。本發(fā)明所述承載表面高于所述基板頂面并對應(yīng)所述LED芯片，使其發(fā)出的光線可直接穿過所述覆蓋層，從而可提高所述LED芯片的發(fā)光角度。
文檔編號H01L33/54GK102646773SQ20111004128
公開日2012年8月22日 申請日期2011年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月17日
發(fā)明者曾文良, 林新強, 陳濱全 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司