專利名稱：陣列基底和制造該陣列基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
所描述的技術(shù)總體涉及一種陣列基底，更具體地講，涉及一種液晶顯示器或有機發(fā)光二極管顯示器的薄膜晶體管陣列基底和一種制造該薄膜晶體管陣列基底的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器廣泛地用于小尺寸電子器件和其它產(chǎn)品，例如手機、個人數(shù)字助理(PDA)和便攜式多媒體播放器(PMP)，部分地是因為它們自身尺寸相對小和重量相對輕。隨著顯示裝置在尺寸上變得更小，對更高分辨率的需求增加。為了實現(xiàn)更高的分辨率，期望的是使每個像素的尺寸更小。隨著像素的尺寸變得更小，為了滿足高于預(yù)定水平的亮度，需要提高像素的開口率。諸如液晶顯示器或有機發(fā)光二極管顯示器的顯示裝置包括陣列基底，其中，在陣列基底上形成每個像素中的用于向像素電極施加驅(qū)動電壓的薄膜晶體管(TFT)和用于存儲電壓信號的存儲電容器，以顯示圖像。通常，薄膜晶體管的柵電極、存儲電容器的電極等由不透明金屬形成。在這種情況下，開口率會減小。此外，由漏電流引起的形成在顯示裝置中的相鄰薄膜晶體管之間的串?dāng)_會導(dǎo)致畫面質(zhì)量降低。在該背景技術(shù)部分公開的上述信息僅是為了加強對所描述的技術(shù)背景的理解，因此可能包含不構(gòu)成在這個國家對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
已經(jīng)對技術(shù)進(jìn)行了描述，以提供一種顯示裝置的陣列基底，所述陣列基底通過提高開口率和減少漏電流來改善畫面質(zhì)量。此外，本發(fā)明的實施例提供一種制造提高了開口率的陣列基底且沒有增加的掩模工藝的方法。根據(jù)一個示例性實施例，一種陣列基底包括有源層，包括溝道區(qū)；柵電極，設(shè)置為與所述溝道區(qū)對應(yīng)；柵極絕緣膜，位于所述有源層和所述柵電極之間。所述柵電極包括透明導(dǎo)電膜和不透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜位于所述溝道區(qū)和所述不透明導(dǎo)電膜之間。所述透明導(dǎo)電膜和所述不透明導(dǎo)電膜可以彼此直接接觸。所述透明導(dǎo)電膜可以包括氧化銦錫(ITO)，所述不透明導(dǎo)電膜可以包括鉬。所述透明導(dǎo)電膜和所述不透明導(dǎo)電膜可以具有基本相同的寬度。所述有源層可以包括多晶硅，所述有源層還包括位于所述溝道區(qū)的一側(cè)的源極區(qū)和位于所述溝道區(qū)的另一側(cè)的漏極區(qū)，其中，所述溝道區(qū)可以包括N型雜質(zhì)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)可以包括P型雜質(zhì)。根據(jù)一個示例性實施例，所述陣列基底還可以包括電容器，所述電容器包括透明下電極；第一絕緣膜，位于所述透明下電極上，并用作介電膜；上電極，與所述透明下電極對應(yīng)地位于所述第一絕緣膜上；不透明下電極，位于所述第一絕緣膜和所述透明下電極之
4間。所述透明下電極可以包括與所述透明導(dǎo)電膜的材料相同的材料，所述不透明下電極可以包括與所述不透明導(dǎo)電膜的材料相同的材料。所述透明下電極和所述不透明下電極可以分別與所述透明導(dǎo)電膜和所述不透明導(dǎo)電膜布置在同一層上。所述上電極可以包括透明導(dǎo)電材料。所述透明下電極的寬度可以大于所述上電極的寬度。根據(jù)一個示例性實施例，所述陣列基底還可以包括位于所述第一絕緣膜上的第二絕緣層，其中，所述第一絕緣膜可以在所述柵電極、所述有源層和所述柵極絕緣膜上，所述上電極可以位于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣層之間。根據(jù)一個示例性實施例，所述陣列基底還可以包括源電極，通過所述柵極絕緣膜、所述第一絕緣膜和所述第二絕緣層中的第一孔連接到位于所述溝道區(qū)的一側(cè)的源極區(qū)；漏電極，通過所述柵極絕緣膜、所述第一絕緣膜和所述第二絕緣層中的第二孔連接到位于所述溝道區(qū)的另一側(cè)的漏極區(qū)，并通過所述第二絕緣層中的第三孔連接到所述上電極。所述第三孔可以被設(shè)置為與所述不透明下電極對應(yīng)，所述第一絕緣膜和所述上電極設(shè)置在所述第三孔和所述不透明下電極之間。根據(jù)一個示例性實施例，所述陣列基底還可以包括位于所述第二絕緣層、所述源電極和所述漏電極上的有機膜。根據(jù)示例性實施例，所述陣列基底還可以包括將所述第二絕緣層以及所述源電極和所述漏電極與所述有機膜隔開的保護(hù)膜。根據(jù)示例性實施例，所述陣列基底還可以包括通過所述有機膜中的第四孔連接到所述漏電極的像素電極。所述第四孔可以被設(shè)置為與所述不透明下電極對應(yīng)，所述第一絕緣膜、所述上電極和所述漏電極設(shè)置在所述第四孔和所述不透明下電極之間。根據(jù)另一示例性實施例，一種制造陣列基底的方法包括在基底上順序地形成有源層、絕緣層、透明導(dǎo)電層、不透明導(dǎo)電層和光致抗蝕劑層；由所述光致抗蝕劑層形成第一光致抗蝕劑膜和第二光致抗蝕劑膜，所述第一光致抗蝕劑膜設(shè)置為與所述有源層對應(yīng)，并具有比所述有源層的寬度小的寬度，所述第二光致抗蝕劑膜與所述第一光致抗蝕劑膜隔開。所述方法還包括通過利用第一蝕刻工藝蝕刻所述不透明導(dǎo)電層來在所述第一光致抗蝕劑膜下方形成第一不透明導(dǎo)電膜和在所述第二光致抗蝕劑膜下方形成第二不透明導(dǎo)電膜；通過利用第二蝕刻工藝蝕刻所述透明導(dǎo)電層來在所述第一不透明導(dǎo)電膜下方形成第一透明導(dǎo)電膜和在所述第二不透明導(dǎo)電膜下方形成第二透明導(dǎo)電膜；利用灰化工藝減小所述第二光致抗蝕劑膜的寬度，利用第三蝕刻工藝將所述第一不透明導(dǎo)電膜的寬度減小為小于所述第一光致抗蝕劑膜的寬度，并將所述第二不透明導(dǎo)電膜的寬度減小為小于所述第二光致抗蝕劑膜的寬度；去除所述第一光致抗蝕劑膜和所述第二光致抗蝕劑膜。所述方法還可以包括在所述第二蝕刻工藝之后，使用P+雜質(zhì)摻雜所述有源層的側(cè)部，并且在去除所述第一光致抗蝕劑膜和所述第二光致抗蝕劑膜之后，使用P-雜質(zhì)摻雜所述有源層。所述第一不透明導(dǎo)電膜和所述第一透明導(dǎo)電膜可以形成柵電極，所述第二不透明導(dǎo)電膜和所述第二透明導(dǎo)電膜可以形成電容器的下電極。所述第一不透明導(dǎo)電膜和所述第一透明導(dǎo)電膜可以具有基本相同的寬度，所述第 ニ透明導(dǎo)電膜的寬度可以大于所述第二不透明導(dǎo)電膜的寬度。所述第一蝕刻工藝可以為干蝕刻工藝或濕蝕刻工藝。所述第二蝕刻工藝和所述第三蝕刻工藝可以為濕蝕刻工藝。所述不透明導(dǎo)電層的電阻可以低于所述透明導(dǎo)電層的電阻。所述不透明導(dǎo)電層可以包括銷，所述透明導(dǎo)電層可以包括ITO。根據(jù)一個示例性實施例，可以通過提高像素的開口率來實現(xiàn)具有高分辨率的顯示 裝置。此外，可以通過減小漏電流防止串?dāng)_來提高顯示裝置的畫面質(zhì)量。此外，在具有高分辨率的顯示裝置的陣列基底的制造中，因為沒有附加的掩模工 藝，所以可以使工藝簡化。


圖1是根據(jù)第一示例性實施例的陣列基底的平面布局圖。圖2是沿圖1的II-II線截取的陣列基底的剖視圖。圖3是根據(jù)第二示例性實施例的陣列基底的剖視圖。圖4是根據(jù)第三示例性實施例的陣列基底的平面布局圖。圖5A至圖5D是順序地示出根據(jù)一個示例性實施例的陣列基底的制造工藝的視 圖。標(biāo)號描述100、101、102 陣列基底110、210:絕緣基底121、121'、221 有源層122、222 源極區(qū)123.223 漏極區(qū)124、224 溝道區(qū)125、126、225、226 輕摻雜漏極區(qū) 131、230 柵極絕緣膜133 第一層間絕緣層135 第二層間絕緣層137:保護(hù)膜139、139'有機膜141、141'柵極線142、251 不透明導(dǎo)電膜143、M1:透明導(dǎo)電膜151 維持電壓線152、252 不透明下電極153、153'、M2 透明下電極161、161'上電極162:第三接觸孔171 數(shù)據(jù)線172、172'源電極173、173'漏電極174、174'第一接觸孔175、175'第二接觸孔181 像素電極182 通孔220:多晶娃層MO:透明導(dǎo)電膜250:不透明導(dǎo)電膜沈1、沈2:光致抗蝕劑膜
具體實施方式
在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例。另外，為了更好地理解和易于描述，任意地示出了附圖中的每個組件的尺寸和厚度，因此，本發(fā)明不限于在附圖中示出的尺寸和厚度。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在一個或多個中間元件。圖1是根據(jù)第一示例性實施例的陣列基底的平面布局圖，圖2是沿圖1中的II-II 線截取的陣列基底的剖視圖。參照圖1和圖2，根據(jù)該示例性實施例的陣列基底100包括薄膜晶體管、存儲電容器和像素電極181，薄膜晶體管包括有源層121、柵電極、源電極172和漏電極173，存儲電容器包括上電極161和下電極(152和153)。首先，將參照圖1的左下部和圖2的左側(cè)來描述形成薄膜晶體管的區(qū)域。有源層 121可以由多晶硅形成在絕緣基底110上，并可以包括源極區(qū)122、漏極區(qū)123和輕摻雜的漏極(LDD)區(qū)(125和126)，LDD區(qū)125和126圍繞形成在有源層121的中央處的溝道區(qū) 1 設(shè)置。用于使有源層121和柵極線141絕緣的柵極絕緣膜131形成在有源層121上，其中，柵極線141形成在柵極絕緣膜131上。柵極線141的與有源層121的溝道區(qū)IM對應(yīng)的一部分用作薄膜晶體管的柵電極，通過柵極線141傳輸柵極信號。在該示例性實施例中，柵極線141可以以包括不透明導(dǎo)電膜142和透明導(dǎo)電膜143 的雙層結(jié)構(gòu)來形成。在該示例性實施例中，因為不透明導(dǎo)電膜142和透明導(dǎo)電膜143的寬度大致相同，所以它們具有大約相同的側(cè)面蝕刻表面，并且不透明導(dǎo)電膜142和透明導(dǎo)電膜143可以分別包括鉬和氧化銦錫(在下文中稱作ΙΤ0)。然而，本發(fā)明不限于此，不透明導(dǎo)電膜142和透明導(dǎo)電膜143可以分別包括各種低電阻的導(dǎo)電材料和透明導(dǎo)電材料。此外， 透明導(dǎo)電膜143和不透明導(dǎo)電膜142可以彼此直接接觸。用于形成透明導(dǎo)電膜143的透明導(dǎo)電材料(例如ΙΤ0)具有相對高的電阻。因此， 在柵極線141僅由透明導(dǎo)電膜143來形成以獲得開口率的情況下，會出現(xiàn)信號延遲的問題。 然而，在該示例性實施例中，因為包括具有低電阻的鉬的不透明導(dǎo)電膜142與透明導(dǎo)電膜 143 一起形成柵極線141，所以可以減輕或避免信號延遲的問題。另一方面，在柵極線141僅由包括鉬的不透明導(dǎo)電膜142形成的情況下，產(chǎn)生大約10_7A至10_8A的高漏電流。在高漏電流的情況下，在相鄰的薄膜晶體管之間產(chǎn)生串?dāng)_，因此，畫面質(zhì)量會降低。然而，在該示例性實施例中，包括鉬的不透明導(dǎo)電膜142和包括ITO 的透明導(dǎo)電膜143 —起形成柵極線141，這使得閾值電壓發(fā)生負(fù)偏移，由此將漏電流減少至大約10_12A。具體地說，因為包括ITO的透明導(dǎo)電膜143相鄰于柵極絕緣膜131形成，所以透明導(dǎo)電膜143與柵極絕緣膜131 —起用作介電膜。因為ITO具有相對高的電阻，所以在 ITO中發(fā)生壓降，由此使閾值電壓向負(fù)方向偏移，這會使得漏電流減小至大約IO-12A,因此可以抑制串?dāng)_并提高畫面質(zhì)量。第一層間絕緣層133和第二層間絕緣層135形成在柵極線141上，用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171形成在第二層間絕緣層135上。雖然在該實施例中，數(shù)據(jù)線171以鈦-鋁-鈦的層疊結(jié)構(gòu)形成，但是這僅是一個示例，數(shù)據(jù)線可以由各種不同的金屬形成。數(shù)據(jù)線171在與有源層121的一側(cè)對應(yīng)的位置處連接到源電極172，漏電極173形成在與有源層121的另一側(cè)對應(yīng)的位置處，與源電極172隔開。第一接觸孔174和第二接觸孔175分別提供到有源層121的源極區(qū)122和漏極區(qū)123的通路，并形成在柵極絕緣膜131、第一層間絕緣層133和第二層間絕緣層135中，形成在第二層間絕緣層135上的源電極172和漏電極173通過這些接觸孔分別連接到源極區(qū)122和漏極區(qū)123。通過包括有源層121、柵極線141、源電極172和漏電極173的薄膜晶體管的以上構(gòu)造將驅(qū)動電壓施加到稍后將描述的像素電極181。為了示出的目的，已經(jīng)在該示例性實施例中公開了薄膜晶體管的構(gòu)造，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將清楚的是，可以對薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)做出各種修改。接下來，參照圖1的中心部分和圖2的右側(cè)部分，現(xiàn)在將描述形成存儲電容器的區(qū)域。維持電壓線151與柵極絕緣膜131上的柵極線141形成在同一層上。維持電壓線151 在像素的中心處形成不透明下電極152。在該示例性實施例中，還在柵極絕緣膜131和維持電壓線151之間形成透明下電極153，并且透明下電極153與不透明下電極152 —起形成存儲電容器的下電極。在該示例性實施例中，維持電壓線151和不透明下電極152可以由與不透明導(dǎo)電膜142的材料相同的材料形成，透明下電極153可以由與透明導(dǎo)電膜143的材料相同的材料形成。即，維持電壓線151和不透明下電極152可以包括鉬，透明下電極153 可以包括ΙΤ0。然而，應(yīng)當(dāng)理解，這里描述的材料僅是示例性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，可以使用各種其它材料。在該示例性實施例中，透明下電極153被形成為比不透明下電極152寬。電壓通過維持電壓線151施加到不透明下電極152。因為不透明下電極152由低電阻材料形成，所以它可以防止或減小信號延遲，但是開口率也會由于維持電壓線151和不透明下電極152 而減小。因此，如果不透明下電極152被制作得小，而透明下電極153被制作得相對大，則存儲電容器能夠確保足夠的電容，并可以提高開口率。上電極161形成在不透明下電極152和透明下電極153上，其中，第一層間絕緣層 133設(shè)置在上電極161與不透明下電極152和透明下電極153之間。上電極161與包括不透明下電極152和透明下電極153的下電極一起構(gòu)成存儲電容器。此時，第一層間絕緣層 133用作介電膜。在該示例性實施例中，上電極161可以由作為透明導(dǎo)電材料的ITO形成， 從而通過上電極161提高了開口率。上電極161用第二層間絕緣層135覆蓋，并通過形成在第二層間絕緣層135中的第三接觸孔176連接到漏電極173。可以通過包括不透明下電極152、透明下電極153、上電極161和作為介電膜的第一層間絕緣層133的存儲電容器的構(gòu)造來維持將要施加到稍后描述的像素電極181的電壓信號。保護(hù)膜137形成在上文描述的薄膜晶體管和存儲電容器上，有機膜139進(jìn)一步形成在保護(hù)膜137上。提供到漏電極173的通路的通孔182形成在保護(hù)膜137和有機膜139 中，形成在有機膜139上的像素電極181通過通孔182連接到漏電極173。利用這種構(gòu)造， 像素電極181可以接收驅(qū)動電壓，在像素電極181和面對像素電極181的共電極之間施加電場，由此例如可以驅(qū)動置于像素電極181和共電極之間的液晶或有機發(fā)射層，從而顯示
8圖像。同時，在該示例性實施例中，通孔182和第三接觸孔176形成在與不透明下電極 152對應(yīng)(例如，基本上與不透明下電極152對準(zhǔn))的位置處。利用這種構(gòu)造，可以有效地抑制由于通孔182和第三接觸孔176導(dǎo)致的開口率的減小。然而，本發(fā)明不限于這種構(gòu)造， 而是根據(jù)工藝條件等可以以不同的方式改變通孔182和第三接觸孔176的位置。這樣，根據(jù)該示例性實施例的陣列基底100可以通過利用具有包括不透明導(dǎo)電膜 142和透明導(dǎo)電膜143的雙層的柵極線141，并通過利用具有包括不透明下電極152和透明下電極153的雙層的存儲電容器的下電極，提高開口率并抑制或減小了由信號延遲和產(chǎn)生的漏電流引起的畫面質(zhì)量劣化或不精確。下面將描述其它示例性實施例。在下面的描述中，僅簡要地描述與第一示例性實施例中的組件相同或類似或等同的組件，或者會省略對其的描述。圖3是根據(jù)第二示例性實施例的陣列基底的剖視圖。參照圖3，根據(jù)該示例性實施例的陣列基底101包括薄膜晶體管、存儲電容器和像素電極181，薄膜晶體管和像素電極 181以與第一示例性實施例中的方式相同或類似的方式來構(gòu)造。該示例性實施例中的存儲電容器包括下電極、上電極161'以及置于下電極和上電極161'之間且用作介電膜的第一層間絕緣層133，其中，下電極包括不透明下電極152 和透明下電極153'。在該示例性實施例中，透明下電極153'的尺寸可以相對地大于上電極161'的尺寸。即，與第一示例性實施例中的透明電極153的尺寸相比，透明下電極153' 的尺寸會較大。利用這種構(gòu)造，可以進(jìn)一步提高與上電極161'的存儲電容。因此，可以提高開口率，并可以改善存儲電容器的性能。此外，在該示例性實施例中，僅有機膜139'形成在薄膜晶體管和存儲電容器上， 并且沒有形成單獨的保護(hù)膜。因為保護(hù)膜的形成會導(dǎo)致開口率的減小，所以該示例性實施例可以通過省去保護(hù)膜來有助于開口率的提高。圖4是根據(jù)第三示例性實施例的陣列基底的平面布局圖。參照圖4，根據(jù)該示例性實施例的陣列基底102包括薄膜晶體管、存儲電容器和像素電極181，存儲電容器和像素電極181以與第一示例性實施例中的方式相同或類似的方式來構(gòu)造。在該示例性實施例中，薄膜晶體管包括有源層121'、柵極線141'、連接到數(shù)據(jù)線171的源電極172'和與源電極172'隔開的漏電極173'。此外，柵極絕緣膜形成在有源層121'和柵極線141'之間，第一層間絕緣層和第二層間絕緣層形成在柵極線141'與源電極172'及漏電極173'之間，第一接觸孔174'和第二接觸孔175'形成在柵極絕緣膜、第一層間絕緣層和第二層間絕緣層中。源電極172'和漏電極173'分別通過第一接觸孔174'和第二接觸孔175'連接到有源層121'的源極區(qū)和漏極區(qū)。與第一示例性實施例的漏電極173相比，該示例性實施例的漏電極173'被形成得較短。因此，如圖4所示，薄膜晶體管具有這樣的構(gòu)造，S卩，薄膜晶體管朝向像素的中心偏移。漏電極通常由金屬制成，這樣會使開口率降低。在該示例性實施例中，可以通過使漏電極173'引起的開口率的減小最小化或降低來提高像素的總開口率。圖5A至圖5D是順序地示出根據(jù)一個示例性實施例的陣列基底的制造工藝的視圖。參照圖5A至圖5D，現(xiàn)在將描述根據(jù)一個示例性實施例的制造陣列基底的方法。參照圖5A，在絕緣基底210上層疊多晶硅層220，然后通過第一掩模工藝形成有源層221。然后，順序地層疊柵極絕緣膜230、透明導(dǎo)電膜240和不透明導(dǎo)電膜250，形成光致抗蝕劑層，然后通過第二掩模工藝由光致抗蝕劑層形成第一光致抗蝕劑膜261和第二光致抗蝕劑膜262。第一光致抗蝕劑膜261可以具有比有源層221的寬度小的寬度。在用于形成光致抗蝕劑膜261和沈2的第二掩模工藝中，通過使用半色調(diào)掩模將第二光致抗蝕劑膜262形成為具有比頂部寬的底部。在該示例性實施例中，透明導(dǎo)電膜240和不透明導(dǎo)電膜250分別包括ITO和鉬。然而，這些材料僅是示例性的，透明導(dǎo)電膜240和不透明導(dǎo)電膜 250的材料不限于此。參照圖5B，對不透明導(dǎo)電膜250執(zhí)行第一蝕刻工藝，然后對透明導(dǎo)電膜240執(zhí)行第二蝕刻工藝。這里，第一蝕刻工藝是使用例如氣體等離子體反應(yīng)的干蝕刻工藝，由此在第一光致抗蝕劑膜261和第二光致抗蝕劑膜262下方形成分別具有與第一光致抗蝕劑膜261 和第二光致抗蝕劑膜262的寬度基本相同的寬度的不透明導(dǎo)電膜251和不透明下電極252。 第二蝕刻工藝可以是使用例如能夠蝕刻特定材料的蝕刻劑的濕蝕刻工藝，由此在不透明導(dǎo)電膜251和不透明下電極252下方形成分別具有比不透明導(dǎo)電膜251和不透明下電極252 的寬度小的寬度的透明導(dǎo)電膜Ml和透明下電極M2。在第二蝕刻工藝中，還可以執(zhí)行剖面蝕刻。在第二蝕刻工藝中，可以沿剖面方向執(zhí)行大約0. 2μπι的精細(xì)蝕刻?？蛇x地，第一蝕刻工藝可以被執(zhí)行為濕蝕刻工藝。在第一蝕刻工藝被執(zhí)行為濕蝕刻工藝的情況下，不透明導(dǎo)電膜251和不透明下電極252被構(gòu)造為在第一光致抗蝕劑膜沈1 和第二光致抗蝕劑膜262下方沿剖面方向被精細(xì)地蝕刻。參照圖5C，通過在絕緣基底210的頂部上使用P+雜質(zhì)(例如硼)摻雜有源層221 的側(cè)部來形成源極區(qū)222和漏極區(qū)223。然后，通過灰化工藝來去除第二光致抗蝕劑膜262 的底部，以暴露第二光致抗蝕劑膜262下方的不透明下電極252。參照圖5D，對不透明導(dǎo)電膜的材料執(zhí)行第三蝕刻工藝，從而減小不透明下電極 252的寬度。第三蝕刻工藝可以被執(zhí)行為濕蝕刻工藝，由此可以將不透明導(dǎo)電膜251和不透明下電極252蝕刻為分別具有比第一光致抗蝕劑膜261和第二光致抗蝕劑膜262的寬度小的寬度。由此，如圖5D所示，不透明導(dǎo)電膜251的寬度可以與不透明導(dǎo)電膜Ml的寬度大約相同，不透明下電極252的寬度可以小于透明下電極242的寬度，由此提高了像素的開口率。在第三蝕刻工藝之后，在絕緣基底210的頂部輕摻雜P-雜質(zhì)，從而形成輕摻雜漏極區(qū)025和2 )，相應(yīng)地，在有源層221的中心處形成溝道區(qū)224。溝道區(qū)2M可以包括 N型雜質(zhì)。這樣，在形成包括不透明導(dǎo)電膜251和透明導(dǎo)電膜241的薄膜晶體管的柵電極、薄膜晶體管的有源層221以及包括不透明下電極252和透明下電極242的存儲電容器的下電極之后，可以根據(jù)一般工藝形成剩余的組件。即，通過順序地形成第一層間絕緣層、存儲電容器的上電極、第二層間絕緣層、第一至第三接觸孔以及源電極和漏電極來形成薄膜晶體管和存儲電容器，并層疊保護(hù)膜和有機膜，以覆蓋薄膜晶體管和存儲電容器。在保護(hù)膜和有機膜中形成通孔，然后在保護(hù)膜和有機膜的頂部上形成像素電極，由此完成陣列基底。如上所述，可以省去保護(hù)膜，從而提高開口率。通過上文描述的工藝，柵極線和柵電極可以被形成為具有包括不透明導(dǎo)電膜251 和透明導(dǎo)電膜Ml的雙層，存儲電容器的下電極也可以被形成為具有包括不透明下電極
10252和透明下電極242的雙層。因此，可以抑制或減小信號延遲，可以提高開口率，并可以通過減少漏電流來提高畫面質(zhì)量。此外，根據(jù)以上工藝，不需要附加的掩模來形成不透明導(dǎo)電膜251、透明導(dǎo)電膜Ml、不透明下電極252和透明下電極M2。因此，沒有增加掩模工藝，因此簡化了工藝。 雖然已經(jīng)結(jié)合目前被視為實際的示例性實施例的內(nèi)容描述了本公開，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書來確定。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，可以在不脫離權(quán)利要求書的精神和范圍的情況下做出各種修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種陣列基底，所述陣列基底包括 有源層，包括溝道區(qū)；柵電極，設(shè)置為與所述溝道區(qū)對應(yīng)； 柵極絕緣膜，位于所述有源層和所述柵電極之間，其中，所述柵電極包括透明導(dǎo)電膜和不透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜位于所述溝道區(qū)和所述不透明導(dǎo)電膜之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基底，其中，所述透明導(dǎo)電膜和所述不透明導(dǎo)電膜彼此直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基底，其中，所述透明導(dǎo)電膜包含氧化銦錫，所述不透明導(dǎo)電膜包含鉬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基底，其中，所述透明導(dǎo)電膜和所述不透明導(dǎo)電膜具有相同的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基底，其中，所述有源層包含多晶硅，所述有源層還包括位于所述溝道區(qū)的一側(cè)的源極區(qū)和位于所述溝道區(qū)的另一側(cè)的漏極區(qū)，其中，所述溝道區(qū)包含N型雜質(zhì)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)包括P型雜質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基底，所述陣列基底還包括電容器，所述電容器包括 透明下電極；第一絕緣膜，位于所述透明下電極上，并用作介電膜； 上電極，對應(yīng)于所述透明下電極位于所述第一絕緣膜上； 不透明下電極，位于所述第一絕緣膜和所述透明下電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基底，其中，所述透明下電極包含與所述透明導(dǎo)電膜的材料相同的材料，所述不透明下電極包含與所述不透明導(dǎo)電膜的材料相同的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基底，其中，所述透明下電極和所述不透明下電極分別與所述透明導(dǎo)電膜和所述不透明導(dǎo)電膜布置在同一層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基底，其中，所述上電極包含透明導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基底，其中，所述透明下電極的寬度大于所述上電極的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基底，所述陣列基底還包括位于所述第一絕緣膜上的第二絕緣層，其中，所述第一絕緣膜在所述柵電極、所述有源層和所述柵極絕緣膜上， 所述上電極位于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基底，所述陣列基底還包括源電極，通過所述柵極絕緣膜、所述第一絕緣膜和所述第二絕緣層中的第一孔連接到位于所述溝道區(qū)的一側(cè)的源極區(qū)；漏電極，通過所述柵極絕緣膜、所述第一絕緣膜和所述第二絕緣層中的第二孔連接到位于所述溝道區(qū)的另一側(cè)的漏極區(qū)，并通過所述第二絕緣層中的第三孔連接到所述上電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基底，其中，所述第三孔被設(shè)置為與所述不透明下電極對應(yīng)，所述第一絕緣膜和所述上電極設(shè)置在所述第三孔和所述不透明下電極之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基底，所述陣列基底還包括位于所述第二絕緣層、所述源電極和所述漏電極上的有機膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基底，所述陣列基底還包括將所述第二絕緣層以及所述源電極和所述漏電極與所述有機膜隔開的保護(hù)膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基底，所述陣列基底還包括通過所述有機膜中的第四孔連接到所述漏電極的像素電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的陣列基底，其中，所述第四孔被設(shè)置為與所述不透明下電極對應(yīng)，所述第一絕緣膜、所述上電極和所述漏電極設(shè)置在所述第四孔和所述不透明下電極之間。
18.—種制造陣列基底的方法，所述方法包括在基底上順序地形成有源層、絕緣層、透明導(dǎo)電層、不透明導(dǎo)電層和光致抗蝕劑層；由所述光致抗蝕劑層形成第一光致抗蝕劑膜和第二光致抗蝕劑膜，所述第一光致抗蝕劑膜設(shè)置為與所述有源層對應(yīng)，并具有比所述有源層的寬度小的寬度，所述第二光致抗蝕劑膜與所述第一光致抗蝕劑膜隔開；通過利用第一蝕刻工藝蝕刻所述不透明導(dǎo)電層來在所述第一光致抗蝕劑膜下方形成第一不透明導(dǎo)電膜和在所述第二光致抗蝕劑膜下方形成第二不透明導(dǎo)電膜；通過利用第二蝕刻工藝蝕刻所述透明導(dǎo)電層來在所述第一不透明導(dǎo)電膜下方形成第一透明導(dǎo)電膜和在所述第二不透明導(dǎo)電膜下方形成第二透明導(dǎo)電膜；利用灰化工藝減小所述第二光致抗蝕劑膜的寬度；利用第三蝕刻工藝將所述第一不透明導(dǎo)電膜的寬度減小為小于所述第一光致抗蝕劑膜的寬度，并將所述第二不透明導(dǎo)電膜的寬度減小為小于所述第二光致抗蝕劑膜的寬度；去除所述第一光致抗蝕劑膜和所述第二光致抗蝕劑膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述方法還包括在所述第二蝕刻工藝之后，使用P+ 雜質(zhì)摻雜所述有源層的側(cè)部，并且在去除所述第一光致抗蝕劑膜和所述第二光致抗蝕劑膜之后，使用P-雜質(zhì)摻雜所述有源層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一不透明導(dǎo)電膜和所述第一透明導(dǎo)電膜形成柵電極，其中，所述第二不透明導(dǎo)電膜和所述第二透明導(dǎo)電膜形成電容器的下電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第一不透明導(dǎo)電膜和所述第一透明導(dǎo)電膜具有相同的寬度，其中，所述第二透明導(dǎo)電膜的寬度大于所述第二不透明導(dǎo)電膜的寬度。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一蝕刻工藝為干蝕刻工藝。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一蝕刻工藝為濕蝕刻工藝。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第二蝕刻工藝和所述第三蝕刻工藝為濕蝕刻工藝。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述不透明導(dǎo)電層的電阻低于所述透明導(dǎo)電層的電阻。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述不透明導(dǎo)電層包含鉬。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述透明導(dǎo)電層包含氧化銦錫。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陣列基底和一種制造該陣列基底的方法，所述陣列基底包括有源層，包括溝道區(qū)；柵電極，設(shè)置為與所述溝道區(qū)對應(yīng)；柵極絕緣膜，位于所述有源層和所述柵電極之間。所述柵電極包括透明導(dǎo)電膜和不透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜位于所述溝道區(qū)和所述不透明導(dǎo)電膜之間。
文檔編號H01L27/12GK102237372SQ20111011625
公開日2011年11月9日 申請日期2011年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者元裕奉, 太勝奎, 鄭震九 申請人:三星移動顯示器株式會社