專利名稱：發(fā)光器件和顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及發(fā)光器件和顯示裝置。背景描述納米材料的行為是原子或分子與宏觀固體(大塊形式)行為之間的中間行為。具有電荷載體并在所有三維方向被束縛激發(fā)的納米材料被稱為量子點。由于量子點隨其大小減少而其有效帶隙增大，可得到其吸收波長和發(fā)射波長向短波長側移動的光譜。此外，通過控制量子點大小及其組成，可得到具有紅外光至紫外光的寬范圍的光譜。而且，通過控制大小分布，可得到半值寬度窄、色純度優(yōu)良的光譜。由于這些原因，量子點有望應用于生物分子和發(fā)光器件，如光致發(fā)光器件和電致發(fā)光器件的標記和成像。但是，問題是發(fā)光效率不足。因此，日本專利申請公開號2009-99545 (JP-2009-9卯45-A)描述了這樣的電致發(fā)光器件其具有一對電極和含有發(fā)光層的電致發(fā)光層，該發(fā)光層安排在這對電極之間。發(fā)光層具有這樣的結構其中表面受防護材料保護的量子點分散在包含有機化合物的基質(zhì)材料中。此外，包含第一防護材料作為滿足如下關系(A)、(B)和(C)的防護材料Ip (h) < Ip (m) +0. IeV 關系(A)Ea (h) > Ea(m)-0. IeV 關系(B)Eg (q) < Eg (h) < Eg (m)關系(C)在該關系中，Ip (h)表示第一防護材料電離勢的絕對值，Ip(m)表示基質(zhì)材料所含有機化合物電離勢的絕對值，Ea(h)表示第一防護材料電子親和力的絕對值，Ea(m)表示有機化合物電子親和力的絕對值，Eg(h)表示第一防護材料的帶隙，Eg(m)表示有機化合物的帶隙，Eg(q)表示量子點的帶隙。此外，當?shù)谝环雷o材料一個分子中具有至少一個殘留親水基和疏水基時，防護材料/有機化合物/量子點的疏水基組合的具體實例包括(1)殘留基團3-(2-苯并噻唑基)-7-( 二乙基氨基)鄰吡喃酮/4，4’ - 二(咔唑-9-基)聯(lián)苯基/CdSe/ZnS (發(fā)光波長:620nm)；(2)殘留基團5，6，11，12-四苯基并四苯/4，4’-二(咔唑_9_基)聯(lián)苯基/CdSe/ Zns (發(fā)光波長:620nm)；和(3)殘留基團2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯/4，4’ - 二(咔唑_9_基-聯(lián)苯基 /CdSe/aiS (發(fā)光波長520nm)。但是，即使具有這些結構，發(fā)光效率仍然不足。發(fā)明概述鑒于前述，本發(fā)明提供了新型發(fā)光器件，其具有基底和提供覆于基底上的發(fā)光層。 發(fā)光層是半導體納米晶體，咔唑衍生物配位結合或連接于該半導體納米晶體上。咔唑衍生物具有以下化學結構1所示化合物的芳香環(huán)。該芳香環(huán)具有一至三個以下化學結構2所示
權利要求
1.發(fā)光器件，包括 基底；和發(fā)光層，其被提供覆于所述基底，并且包含配位結合或連接有咔唑衍生物的半導體納 米晶體，所述咔唑衍生物具有化學結構1所示化合物的芳香環(huán)，所述芳香環(huán)具有一至三個 取代基
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述咔唑衍生物由化學結構3表示
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其中Ar1和Ar2獨立地表示由化學結構4所示的基團
4.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述由化學結構3表示的化合物是化學結構 5所示的苯并咔唑衍生物
5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述咔唑衍生物由化學結構6表示
6.顯示裝置，包含權利要求1所述的發(fā)光器件。
全文摘要
本申請公開了發(fā)光器件，具有基底和提供覆于基底的發(fā)光層，該發(fā)光層包含配位結合或連接有咔唑衍生物的半導體納米晶體，該咔唑衍生物具有化學結構1所示化合物的芳香環(huán)，該芳香環(huán)具有一至三個取代基化學結構1其中Ar1和Ar2獨立地表示取代的或未取代的芳基，其共享鍵以與苯環(huán)、雜環(huán)基和氫原子形成環(huán)，Ar3表示取代的或未取代的芳基，該一至三個取代基由化學結構2表示-X-Y-Z化學結構2其中X表示亞甲基、羰氧基、氧羰基、羰基、氧原子和硫原子，Y表示取代的或未取代的亞烷基，Z表示羧基、羥基和硫醇基。
文檔編號H01L27/32GK102376899SQ20111022680
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月4日 優(yōu)先權日2010年8月6日
發(fā)明者佐佐木正臣, 原田成之, 高田美樹子 申請人:株式會社理光