專利名稱：一種高光通透性天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透明天線，尤其涉及一種含有透明基材和導(dǎo)電材料的高光通透性天線。
背景技術(shù)：
隨著無線通訊技術(shù)的日益發(fā)展，作為發(fā)射器件的天線也逐漸進(jìn)入各種技術(shù)領(lǐng)域，如廣泛應(yīng)用于手機(jī)、衛(wèi)星接收、電子標(biāo)簽和射頻卡等產(chǎn)品。隨著各種通訊設(shè)備體積的不斷減小，使得既可滿足通訊需求，又不影響產(chǎn)品美觀的天線成為技術(shù)發(fā)展的需要。因此，透明天線逐漸走入了人們的視野。·現(xiàn)有的透明天線多是將透明導(dǎo)電材料做成天線所需的形狀粘貼于透明絕緣材料上形成的。例如專利號(hào)為ZL 200510025416. X的透明天線，可以將透明導(dǎo)電材料做成各種圖案的天線，安裝在透明基材的表面。然而，這種技術(shù)為了產(chǎn)品的美觀和不影響光線的透過率，使得用于透明天線的導(dǎo)電材料局限于透明導(dǎo)電材料。由于現(xiàn)有的透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)比不上金屬，因此這種透明天線的效率不高、性能較差。為了克服天線自身寬度對(duì)光線透過率的影響，在各種通訊設(shè)備的表面還出現(xiàn)了一種由網(wǎng)眼結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的透明天線(具體參考中國發(fā)明專利申請(qǐng)200680017569. 2)。其中各網(wǎng)眼的輪廓由大致等寬的極細(xì)帶狀體構(gòu)成，極細(xì)帶狀體的寬度在30 μ m之下，可使光線透過率達(dá)到70%之上。但上述透明天線中的薄膜與透明基材為兩個(gè)分離的部分，薄膜在透明基材表面安裝，增加了天線的厚度。此外，薄膜處于透明基材的外部，為了防止天線的圖形損傷，還需要對(duì)其做額外的固定安裝，并最好在其表面形成透明保護(hù)膜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種可以克服導(dǎo)電材料自身寬度對(duì)光線透過率影響，而且與透明基材一體成型的高光通透性天線。為實(shí)現(xiàn)上述的發(fā)明目的，本發(fā)明采用下述的技術(shù)方案
一種高光通透性天線，包括透明基材和導(dǎo)電材料，其中所述透明基材的表面形成有微納米級(jí)溝槽，所述導(dǎo)電材料位于所述微納米級(jí)溝槽之內(nèi)。其中較優(yōu)地，所述透明基材通過在一種透明材料表面均勻附著另外一種或多種透明材料形成。其中較優(yōu)地，所述微納米級(jí)溝槽呈相互交錯(cuò)連通的網(wǎng)絡(luò)狀。其中較優(yōu)地，在所述微納米級(jí)溝槽內(nèi)，由所述導(dǎo)電材料形成所述高光通透性天線的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。其中較優(yōu)地，所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)是由所述導(dǎo)電材料形成的平面或立體電路。其中較優(yōu)地，所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)分別位于所述透明基材相對(duì)的兩個(gè)表面。其中較優(yōu)地，所述透明基材具有穿孔，所述穿孔中注入銀漿燒結(jié)，使位于相對(duì)的兩個(gè)表面的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)互相導(dǎo)通。其中較優(yōu)地，所述微納米級(jí)溝槽內(nèi)，首先有選擇性地(或全部)形成第一粘膠層，然后在第一粘膠層上形成所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。其中較優(yōu)地，該第一粘膠層的粘度弱于所述導(dǎo)電材料與所述透明基材的結(jié)合強(qiáng)度。其中較優(yōu)地，所述導(dǎo)電材料是納米銀漿。其中較優(yōu)地，在所述導(dǎo)電材料的表面形成有電極，在所述透明基材預(yù)設(shè)的內(nèi)凹部分嵌入有芯片，所述芯片與所述電極之間電性連接。其中較優(yōu)地，所述電極在含有所述導(dǎo)電材料的微納米級(jí)溝槽上形成。 其中較優(yōu)地，在所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的外露面施加第二粘膠層，該第二粘膠層的粘性高于所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)與所述透明材料的附和力或所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)與第一粘膠層的附和力。本發(fā)明是一種使用微納加工技術(shù)制備的高光通透性電線。由于溝槽呈微納米級(jí)寬，可以使導(dǎo)電材料不局限于透明導(dǎo)電材料，如可以使用納米銀漿。此外，利用微納加工技術(shù)獲得的高光通透性天線，透明基材與導(dǎo)電材料一體成型，減少了透明天線的厚度，且不易造成如外露天線一樣的損傷。
圖I為表面形成有微納米級(jí)溝槽的透明基材；
圖2為高光通透性天線的實(shí)施例I的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意 圖3為高光通透性天線的實(shí)施例2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意 圖4為雙極型高光通透性天線的立體 圖5為圖4所示的高光通透性天線的局部剖視 圖6為利用本高光通透性天線制作的電子標(biāo)簽的剖視圖。 圖中標(biāo)號(hào)說明
I :透明基材；2 :微納米級(jí)溝槽；3 :導(dǎo)電材料；
4 :第一透明材料；5 :第二透明材料；6 :導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)；
7 :電極；8 :芯片；9 :透明膠；10 :弱粘性透明膠。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。本發(fā)明涉及一種高光通透性天線，包括透明基材I和導(dǎo)電材料3，其中，透明基材I的表面形成有微納米級(jí)溝槽2，導(dǎo)電材料3位于微納米級(jí)溝槽2之內(nèi)。透明基材I可以是一種透明材料。圖I是表面形成有微納米級(jí)溝槽的透明基材的結(jié)構(gòu)示意圖?？捎糜趯?shí)施本發(fā)明的常用透明材料包括塑料、復(fù)合材料、聚乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有機(jī)玻璃等。透明基材I可以通過在一種透明材料表面均勻地附著另外一種或多種透明材料形成。尤其，當(dāng)透明材料4不可壓印加工時(shí)，可以通過在第一透明材料4的表面涂覆第二透明材料5來使其變成可壓印加工的透明基材I。即，透明基材I具有如圖3所示的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，位于上層的透明材料5可以是透明膠?？捎糜趯?shí)施本發(fā)明的常用透明膠包括紫外光固化膠、固化胺或其他透明膠材料，可以使用其中的一種，也可以是幾種透明膠的混合。在透明基材I的表面，可通過壓印或蝕刻工藝形成微納米級(jí)溝槽2。該微納米級(jí)溝槽2呈網(wǎng)絡(luò)狀分布在透明基材I的表面，其相互交錯(cuò)連通，位于一定的區(qū)域范圍內(nèi)。該區(qū)域的形狀優(yōu)選為天線導(dǎo)電部分的形狀。如圖4所示，該實(shí)施例中的雙極型高光通透性天線中，在透明基材I的表面通過壓印或蝕刻工藝形成了兩個(gè)互相對(duì)稱的溝槽網(wǎng)絡(luò)圖案，圖中所示三角形區(qū)域即為天線導(dǎo)電部分所在的區(qū)域。在微納米級(jí)溝槽2內(nèi)可以通過括印或浸泡灌入導(dǎo)電材料3，并對(duì)其燒結(jié)形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6。該導(dǎo)電材料3可以是納米銀漿，也可以是其他導(dǎo)電材料。參考圖2和圖3所示的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，在透明基材I表面的微納米級(jí)溝槽2內(nèi)，通過括印和浸泡灌入納米銀漿，形成了與透明基材一體成型的高光通透性天線。此外，導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6可以是一種平面或立體電路。在透明基材I的表面形成由導(dǎo)電 材料3所構(gòu)成的平面或立體電路，可通過與外接設(shè)備之間的電連接，為其提供信號(hào)接收與輻射支持。導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6可以位于透明基材I的一個(gè)表面，也可以分別位于透明基材I相對(duì)的兩個(gè)表面。分別處于透明基材I相對(duì)的兩個(gè)表面的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6，可以通過打穿基材，并在穿孔中注入銀漿燒結(jié)，使得位于兩個(gè)表面的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)互相導(dǎo)通。該穿孔可以為多個(gè)微小的過孔形成。為了減小天線與外接電路之間的電損耗，可在天線靠近外接電路的末端電性連接電極，從而避免天線中電流的集中。較優(yōu)地，可在含有導(dǎo)電材料3的微納米級(jí)溝槽2上，進(jìn)行鍍銅或鍍鋁，形成電極。也可以在含有導(dǎo)電材料3的微納米級(jí)溝槽2上，進(jìn)行導(dǎo)電生長或者二次灌銀，形成電極。如圖4所示的雙極型高光通透性天線中，在兩個(gè)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6的中間區(qū)域，即兩個(gè)三角形天線與外接設(shè)備連接的區(qū)域，通過鍍銅形成電極7，從而實(shí)現(xiàn)了天線與電極之間的接觸連接。圖5是圖4中電極部分的局部剖視圖，其中在透明基材I表面的微納米級(jí)溝槽中有導(dǎo)電材料3，在導(dǎo)電材料3的表面通過鍍銅形成了電極7。并且在透明基材預(yù)設(shè)的內(nèi)凹部分，可以嵌入芯片8。通過芯片8與電極7之間的電性連接，可以實(shí)現(xiàn)天線與芯片8之間的信息交換。典型的應(yīng)用實(shí)例有圖6所示的電子標(biāo)簽。在該實(shí)施例中，在電極7的表面滴導(dǎo)電膠，并將芯片8的電極貼在電極7上，即形成電子標(biāo)簽。此外，可在芯片8和微納米級(jí)溝糟2的表面附著一層透明膠9，對(duì)其進(jìn)行封裝。將圖6中的電子標(biāo)簽附著于物品之上，即可利用電子標(biāo)簽與外部設(shè)備交換信息，完成物品的識(shí)別。在微納米級(jí)溝槽2中，首先由弱粘性透明膠10形成第一粘膠層，然后在第一粘膠層上形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6。該第一粘膠層的粘度弱于導(dǎo)電材料3與透明基材I的結(jié)合強(qiáng)度。另夕卜，可以在導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6的外露面施加第二粘膠層，該第二粘膠層的粘性高于導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)6與透明材料的附和力或?qū)щ娋W(wǎng)絡(luò)6與第一粘膠層的附和力。這樣，在該天線粘于其他物體表面后，如果強(qiáng)行移除會(huì)毀壞導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明所提供的高光通透性天線中，由于溝槽呈微納米級(jí)寬，可以使導(dǎo)電材料不局限于透明導(dǎo)電材料，如可以使用納米銀漿。因?yàn)閷?dǎo)電材料極細(xì)，對(duì)光線透過率的影響可以得到降低，光線在穿過透明基材I時(shí)，在導(dǎo)電材料3的作用下，近似于發(fā)生衍射，從而提高了光線的透過率。
此外，利用微納加工技術(shù)獲得的高光通透性天線，由于透明基材與導(dǎo)電材料一體成型，減少了天線的厚度，且不易造成如外露天線一樣的損傷。該高光通透性天線可應(yīng)用于貼片天線、平飛雙極天線和反射天線，從而使天線可以直接附屬于顯示屏或需要透光的物體表面，實(shí)現(xiàn)了高光通透性天線的設(shè)計(jì)目的。上面對(duì)本發(fā)明所提供的一種高光通透性天線進(jìn)行了詳細(xì)的說明。對(duì)本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神的前提下對(duì)它所做的任何顯而易見的改動(dòng)，都將 構(gòu)成對(duì)本發(fā)明專利權(quán)的侵犯，將承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。
權(quán)利要求
1.一種高光通透性天線，包括透明基材和導(dǎo)電材料，其特征在于所述透明基材的表面形成有微納米級(jí)溝槽，所述導(dǎo)電材料位于所述微納米級(jí)溝槽之內(nèi)。
2.如權(quán)利要求I所述的高光通透性天線，其特征在于所述透明基材通過在一種透明材料表面均勻附著另外一種或多種透明材料形成。
3.如權(quán)利要求I所述的高光通透性天線，其特征在于所述微納米級(jí)溝槽呈相互交錯(cuò)連通的網(wǎng)絡(luò)狀。
4.如權(quán)利要求3所述的高光通透性天線，其特征在于在所述微納米級(jí)溝槽內(nèi)，由所述導(dǎo)電材料形成所述高光通透性天線的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。
5.如權(quán)利要求4所述的高光通透性天線，其特征在于所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)是由所述導(dǎo)電材料形成的平面或立體電路。
6.如權(quán)利要求4所述的高光通透性天線，其特征在于所述微納米級(jí)溝槽內(nèi)，首先形成第一粘膠層，然后在所述第一粘膠層上形成所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)；所述第一粘膠層可以部分覆蓋所述微納米級(jí)溝槽網(wǎng)絡(luò)也可以全部覆蓋所述微納米級(jí)溝槽網(wǎng)絡(luò)。
7.如權(quán)利要求6所述的高光通透性天線，其特征在于所述第一粘膠層的粘度弱于所述導(dǎo)電材料與所述透明基材的結(jié)合強(qiáng)度。
8.如權(quán)利要求6所述的高光通透性天線，其特征在于在所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的外露面施加第二粘膠層，該第二粘膠層的粘性高于所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)與所述透明材料的附和力或所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)與所述第一粘膠層的附和力。
9.如權(quán)利要求4所述的高光通透性天線，其特征在于所述導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)分別位于所述透明基材相對(duì)的兩個(gè)表面。
10.如權(quán)利要求9所述的高光通透性天線，其特征在于所述透明基材具有穿孔，所述穿孔中注入銀漿燒結(jié)，使位于相對(duì)的兩個(gè)表面的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)互相導(dǎo)通。
11.如權(quán)利要求I 10中任意一項(xiàng)所述的高光通透性天線，其特征在于所述導(dǎo)電材料是納米銀漿。
12.如權(quán)利要求I所述的高光通透性天線，其特征在于在所述導(dǎo)電材料的表面形成有電極，在所述透明基材預(yù)設(shè)的內(nèi)凹部分嵌入有芯片，所述芯片與所述電極之間電性連接。
13.如權(quán)利要求12所述的高光通透性天線，其特征在于所述電極在含有所述導(dǎo)電材料的微納米級(jí)溝槽上形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高光通透性天線，包括透明基材和導(dǎo)電材料，在透明基材的表面形成有微納米級(jí)溝槽，導(dǎo)電材料位于微納米級(jí)溝槽之內(nèi)。該高光通透性天線使用微納加工技術(shù)制備，可使導(dǎo)電材料對(duì)天線的光線透過率的影響減至最低。由于溝槽呈微納米級(jí)寬，可以使導(dǎo)電材料不局限于透明導(dǎo)電材料，例如可以使用納米銀漿。此外，利用微納加工技術(shù)，可以獲得透明基材與導(dǎo)電材料一體成型的高光通透性天線，減少了天線的厚度，且不易造成天線的變形與損傷。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK102983391SQ20111026213
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
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