專利名稱：一種柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種柵極氧化層的測試結(jié)構(gòu)，尤其是一種有源區(qū)邊界加強性柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路晶體管集成度的迅速提高，MOS管的柵極氧化層厚度也越來越薄。在柵氧變薄的同時，電源電壓卻不宜降低，在較高的電場強度下，勢必使柵氧的性能成為一個突出的問題。柵氧抗電性能不好將引起MOS器件電參數(shù)不穩(wěn)定，如:閾值電壓漂移、跨導下降、漏電流增加等，進一步引起柵氧的擊穿，導致器件的失效，使整個集成電路陷入癱瘓。因此，有關(guān)柵氧可靠性能的測試逐漸成為最為重要的課題之一。目前業(yè)界對于柵氧化層可靠性測試的結(jié)構(gòu)主要有3種，一種是柵氧化層面積加強型(area intensive)，以柵氧化層的測試面積作為一個衡量點；一種是有源區(qū)邊界加強型(field edge intensive),是以有源區(qū)的邊界長度作為一個衡量點；還有一種是多晶柵娃邊界加強型(poly edge intensive),是以多晶娃的邊界長度作為一個衡量點。如圖1所示，圖1是現(xiàn)有的一種普通體硅晶圓的有源區(qū)加強型柵氧化層測試結(jié)構(gòu)剖面圖。在這種結(jié)構(gòu)中，兩個STI (淺溝槽隔離)102之間的就是有源區(qū)101，這些有源區(qū)101經(jīng)過爐管后，在其表面就會長出柵氧化層103，之后多晶硅(poly) 104會覆蓋在上面，形成一個有多晶硅-柵氧化層-體硅，這樣一個類似“三明治”結(jié)構(gòu)的電容，柵氧化層103的上，下極板分別是多晶硅104及體硅100。所有柵氧化層103的下極板都是導通的，通過P+有源區(qū)105引出?？招募^所標記的就是有源區(qū)101和STI102的交界處，即柵氧有源區(qū)邊界加強型測試結(jié)構(gòu)中，需要可靠性測試驗證的部位。由此可見，在普通體硅晶圓中，這樣一個有源區(qū)邊界加強型結(jié)構(gòu)單元中，可以有眾多的測試部位，從而在一定的溝道寬度下，即可以實現(xiàn)較長的總有源區(qū)邊界長度?？傞L度L =單個溝道寬度*重復的有源區(qū)的個數(shù)*2 (兩條邊)。請參見圖2，圖2是利用圖1中有源區(qū)邊界加強型測試結(jié)構(gòu)放在襯底絕緣硅晶圓上的剖面圖。此時，兩個STI102之間的有源區(qū)101，被襯底絕緣硅的埋氧層100’及STI102包圍，而形成為一個完全封閉的區(qū)域，造成懸空。原先通過P+有源區(qū)105引出的襯底端，無法使所有的STI102之間的有源區(qū)101處于相同的電位上。由此可見，如空心箭頭所標記的，可靠性測試驗證的有源區(qū)101和STI102的交界處就大大減少。這樣一來，有源區(qū)邊界總長度就只等于單個溝道寬度。在這樣的結(jié)構(gòu)中，如果要使有源區(qū)邊界總長度增大，只能通過提高溝道寬度來實現(xiàn)?？墒牵绻_到和普通體硅晶圓相當?shù)挠性磪^(qū)邊界總長度，可靠性測試在晶圓上所需要占有的面積就非常巨大了。顯然，用這種結(jié)構(gòu)是無法達到在較高的信心度情況下監(jiān)控柵氧化層有源區(qū)邊界加強型可靠性的目的。當然，我們也可以通過增加測試的樣品總數(shù)量來提高信心度，可是目前為了達到這樣的目的，無非就只是通過增加測試結(jié)構(gòu)的面積，或者增加測試晶圓的數(shù)量來實現(xiàn)。這種以提高測試成本來換取高信心度的可靠性數(shù)據(jù)的方式是不可取的。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出了一種用于有源區(qū)邊界加強型的柵氧測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)可以提高單個測試樣本的有效有源區(qū)邊界長度，從而保證測試結(jié)果的信心度。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，包括多個測試單元，所述每個測試單元包括有源區(qū)、氧化層和多晶硅層，所述有源區(qū)包括:至少一個第一有源區(qū)，該第一有源區(qū)為“T”結(jié)構(gòu)，其中，該“T”結(jié)構(gòu)水平部分的兩端部為漏、源區(qū)，剩余部分為柵區(qū)；第二有源區(qū)，與上述“T”字結(jié)構(gòu)的垂直部分相連，該第二有源區(qū)為襯底；所述多晶硅層位于有源區(qū)之上，該多晶硅層為“凸”結(jié)構(gòu)，其中該“凸”結(jié)構(gòu)的突出部分覆蓋在柵區(qū)上，該“凸”結(jié)構(gòu)的底座部分為中空結(jié)構(gòu)，包圍并露出上述第二有源區(qū)；所述氧化層位于有源區(qū)和多晶硅層之間，其中多晶硅層與柵區(qū)水平部分交疊的上下邊界以及與柵區(qū)垂直部分交疊的左右邊界共同組成該氧化層的有源區(qū)邊界?？蛇x的，所述有源區(qū)進一步包括多個第一有源區(qū)，該多個第一有源區(qū)分別通過“T”結(jié)構(gòu)的垂直部分連接于第二有源區(qū)上?？蛇x的，所述多晶硅層為具有多個突出部分的“凸”結(jié)構(gòu)，該突出部分的數(shù)量對應(yīng)上述第一有源區(qū)的數(shù)量，其中，該些多個突出部分分別覆蓋于對應(yīng)的第一有源區(qū)的柵區(qū)部分，該底座部分包圍并露出第二有源區(qū)?？蛇x的，所述有源區(qū)進一步包括多個第一有源區(qū)，該多個第一有源區(qū)的水平部分通過垂直部分形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)，該并聯(lián)結(jié)構(gòu)的尾端連接在第二有源區(qū)上。可選的，所述多晶硅層的突出部分的長度大于上述并聯(lián)結(jié)構(gòu)的長度，使得該突出部分覆蓋該多個第一有源區(qū)的柵極區(qū)?？蛇x的，所述多晶硅層與柵區(qū)水平部分交疊的左右邊界以及與柵區(qū)垂直部分交疊的水平邊界共同組成該氧化層的多晶硅區(qū)邊界，其中該氧化層的有源區(qū)邊界與該氧化層的多晶硅區(qū)邊界的比例大于18: I?？蛇x的，所述多晶硅層與柵區(qū)水平部分交疊的左右邊界以及與柵區(qū)垂直部分交疊的水平邊界共同組成該氧化層的多晶硅區(qū)邊界，其中該氧化層的有源區(qū)邊界與該氧化層的多晶硅區(qū)邊界的比例為19:1?？蛇x的，所述第一有源區(qū)的水平部分與第二有源區(qū)之間設(shè)有淺溝槽隔離區(qū)。通過在上述的測試結(jié)構(gòu)中，設(shè)置具有“T”結(jié)構(gòu)的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相連，增加了有效的有源區(qū)邊界，進一步地，增加第一有源區(qū)的個數(shù)，同時使這些第一有源區(qū)保持并聯(lián)結(jié)構(gòu)時，可以使得有效的有源區(qū)邊界成倍數(shù)增長，從而實現(xiàn)了在不增加測試面積及測試樣品數(shù)量的情況下，使測試結(jié)果具有較高的可信度。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有的一種普通體硅晶圓的有源區(qū)加強型柵氧化層測試結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖2是利用圖1中有源區(qū)邊界加強型測試結(jié)構(gòu)放在襯底絕緣硅晶圓上的剖面圖。圖3A-3C為本發(fā)明第一實施例所提供的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)俯視圖。圖4是本發(fā)明的第二實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。圖5是本發(fā)明的第三實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。圖6是本發(fā)明的第四實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。圖7是本發(fā)明的第五實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。圖8是本發(fā)明的第六實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。
具體實施例方式正如背景技術(shù)部分所述，將現(xiàn)有的有源區(qū)邊界加強型柵氧測試結(jié)構(gòu)放到襯底絕緣硅上之后，由于有源區(qū)被STI和襯底絕緣硅懸空，使能夠用于測試柵氧可靠度的有源區(qū)邊界大大減少，導致測試結(jié)果不足以反映真實情況，即測試信心度不高。針對這一情況，本發(fā)明提出了一種用于有源區(qū)邊界加強型的柵氧測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)可以提高單個測試樣本的有效有源區(qū)邊界長度，從而保證測試結(jié)果的信心度。下面結(jié)合附圖詳細描述本發(fā)明所提供的柵氧測試結(jié)構(gòu)。參考圖3A-3C，圖3A-3C為本發(fā)明第一實施例所提供的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)俯視圖。為便于理解，圖3A和圖3B分別是圖3C中有源區(qū)和多晶硅層的分解圖。如圖所示，有源區(qū)200包括第一有源區(qū)210和第二有源區(qū)220。其中第一有源區(qū)210為“T”結(jié)構(gòu)，包括水平部分211和垂直部分212，第二有源區(qū)通過垂直部分212與第一有源區(qū)210相連。其中水平部分211與第二有源區(qū)220之間設(shè)有淺溝槽隔離區(qū)203。多晶硅層230為“凸”結(jié)構(gòu)，包括突出部分231和底座部分232，其中底座部分232
為一中空結(jié)構(gòu)。當多晶硅層230覆蓋到有源區(qū)200上后，第一有源區(qū)210被區(qū)分成漏區(qū)213、源區(qū)214以及柵區(qū)215，其中漏區(qū)213和源區(qū)214位于水平部分211兩端未被多晶硅層230覆蓋到的地方，柵區(qū)215則被多晶硅層230的突出部分231覆蓋。同時多晶硅層230的底座部分232包圍并露出第二有源區(qū)220。氧化層則位于多晶硅層230和有源區(qū)220之間(圖中未示出)。具體測試時，將多晶硅層230作為柵極，對其施加一個階躍電壓。將第二有源區(qū)220作為襯底，對其接地。由于第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相互導通，所以此時柵區(qū)215和第二有源區(qū)220的電位相等。根據(jù)柵氧邊界的定義，有效的有源區(qū)邊界為多晶硅層230與柵區(qū)215水平部分交疊的上邊界241、兩條下邊界242以及與柵區(qū)215垂直部分交疊的左右兩條邊界243共同組成，而有效的多晶硅區(qū)邊界為多晶硅層230與柵區(qū)215水平部分交疊的兩條左右邊界244以及與柵區(qū)215垂直部分交疊的水平邊界245共同組成。通過改變第一有源區(qū)210的長寬尺寸，可以得到適當?shù)挠性磪^(qū)邊界長度。通常使有源區(qū)的邊界長度占整個柵氧邊界的90%以上，SP有源區(qū)邊界長度:多晶硅區(qū)邊界長度> 18: 1，以減少多晶硅區(qū)邊界對測試結(jié)果的影響。優(yōu)選地，使有源區(qū)邊界長度:多晶硅區(qū)邊界長度=19: 1，可以得到比較準確的測試結(jié)果。請參見圖4，圖4是本發(fā)明第二實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。如圖所示，在該實施例中，有源區(qū)包含兩個第一有源區(qū)300及300’。這兩個第一有源區(qū)分別通過各自的垂直部分連接在第二有源區(qū)320上，形成一個“王”結(jié)構(gòu)。多晶硅層330上有兩個突出部分331及331’，分別對應(yīng)第一有源區(qū)300及300’。該兩個突出部分分別位于底座部分332的兩側(cè)，形成一個“中”結(jié)構(gòu)。在本實施例中，多晶硅層330覆蓋產(chǎn)生兩個柵區(qū)315、315’，在測試時，這兩個柵區(qū)315、315’的電位都與第二有源區(qū)320相等，因此柵氧有源區(qū)長度也擴展成第一實施例中的2倍，進一步加大了有源區(qū)的有效長度。請參見圖5，圖5是本發(fā)明的第三實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。本實施例是在實施例二的基礎(chǔ)上，將第一有源區(qū)數(shù)量增加到四個，該四個第一有源區(qū)401、402、403、404分別連接在第二有源區(qū)420的四個側(cè)邊上。同時，多晶硅層430的突出部分作相應(yīng)的變化，使得多晶硅層的突出部分分別覆蓋至對應(yīng)的柵區(qū)部分，且其底座部分431依然包圍并露出第二有源區(qū)420。這樣一來，柵氧的有源區(qū)邊界長度就擴展成了原來的4倍。請參見圖6，圖6是本發(fā)明的第四實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。在本實施例中，兩個第一有源區(qū)601、602可以設(shè)置于第二有源區(qū)620的同一側(cè)上，此時多晶硅層630也有兩個位于同一側(cè)的突出部分631、631’。同樣，本實施例不局限于兩個的情況，可以進一步變化成多個第一有源區(qū)。請參見圖7，圖7是本發(fā)明的第五實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)俯視圖。如圖所示，在本實施例中，有源區(qū)700進一步包括多個第一有源區(qū)，該多個第一有源區(qū)的水平部分通過垂直部分形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)，該并聯(lián)結(jié)構(gòu)的尾端連接在第二有源區(qū)上。此時，多晶硅層730的突出部分731具有一定的長度，該長度大于上述多個第一有源區(qū)形成的并聯(lián)結(jié)構(gòu)的長度，使得該突出部分731能夠覆蓋該多個第一有源區(qū)的柵極區(qū)。請參見圖8，圖8是本發(fā)明的第六實施例的柵氧測試結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖所示，在本實施例中，襯底80上具有多個柵氧測試結(jié)構(gòu)81，該多個測試結(jié)構(gòu)81可以是上述各個實施例中的任意一種。所述多個測試結(jié)構(gòu)81通過重復地規(guī)則排列，密布在襯底80上。其中相鄰的兩個測試結(jié)構(gòu)之間，通過單個測試結(jié)構(gòu)中的第一有源區(qū)的垂直部分連接，使所有的測試結(jié)構(gòu)形成并聯(lián)關(guān)系，進一步增大了測試所需采樣的有源區(qū)邊界長度，提高了測試結(jié)果的可信度。請再參見圖2，對于現(xiàn)有的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)來說，由于各個有源區(qū)都被STI隔離和底部的絕緣體硅包圍，因此有源區(qū)和有源區(qū)之間都被完全隔離，造成在進行柵極氧化層測試時，只有與作為襯底引出線相連的有源區(qū)，其邊界才是有效測試的結(jié)構(gòu)，而其他有源區(qū)的邊界都沒有被測試到。這樣一來，如果在這些未被測試到的結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)雜質(zhì)或者其他缺陷，也就沒有辦法被有效的檢測到。而本發(fā)明的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，則是在這些STI中間開出一條通道，就像橋梁一樣把各個有源區(qū)都并聯(lián)起來。這座橋梁就是各個第一有源區(qū)的垂直部分。有了這些橋梁，不僅可以使得各個橫向有源區(qū)都能與襯底保持在同一電位上(通常為接地電壓)，還可以增加有效的有源區(qū)邊界，使有源區(qū)邊界增加為原來的多倍。這樣一來，在柵極多晶硅層上的施加的測試電壓，能夠確保對所有有源區(qū)上的柵極氧化層都具有相同的測試效果。即如果測試結(jié)果表明柵極氧化層的擊穿電壓確實在標準值之上的，那么全部的柵極氧化層的完整性是沒問題的，而一旦有哪個部位出現(xiàn)缺陷，則擊穿電壓勢必偏小，再配合其他的檢測手段，確認出擊穿的具體部位，并以此判斷柵極氧化層出現(xiàn)的問題，從而對制作工藝進行改良后克服這些缺陷問題，提高整個半導體器件的可靠性。具體地制作該種柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)的方法，則是在普通的STI技術(shù)上，在進行溝槽刻蝕的時候，利用光罩，將溝槽制作成具有“中間橋梁”的結(jié)構(gòu)。即保留橋梁區(qū)域的有源區(qū)，使其成為連接相鄰兩個橫向有源區(qū)的垂直有源區(qū)，然后再在有源區(qū)上方沉積柵極氧化層和柵極多晶硅層，實現(xiàn)本發(fā)明的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)。綜上所述，本發(fā)明提出了一種柵極氧化層的測試結(jié)構(gòu)。該柵氧測試結(jié)構(gòu)是通過設(shè)置具有“T”結(jié)構(gòu)的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相連，增加了有效的有源區(qū)邊界。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)在作測試時具有如下的特點:第一:對于單個測試單元來說，有效的有源區(qū)邊界完全視第一有源區(qū)的個數(shù)和第一有源區(qū)的具體尺寸而定，即如果需要讓測試結(jié)果建立在一個高信心度的前提下，則可以通過增加第一有源區(qū)的并聯(lián)個數(shù)，同時通過計算，設(shè)計第一有源區(qū)的長、寬比例，使有源區(qū)邊界和柵極多晶硅邊界的比例盡量提高。從而等效的相當于獲得一個較大范圍的測試樣本，提高測試信心度。第二:對于整個襯底來說，由于上面的測試單元較多，如果對所有的測試單元都進行測試，則測試花費的時間成本較大。而本發(fā)明則可以將每個測試單元的有源區(qū)通過垂直部分的橋梁功能，形成一個大的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，這樣只需在一個測試單元上施加柵極測試電壓和襯底接地電壓，就能實現(xiàn)對所有測試單元的統(tǒng)一測試，在測試有效有源區(qū)邊界增加的同時，也提高了測試效率。另外由于各個測試單元形成了并聯(lián)結(jié)構(gòu)，使得整體測試的電阻變小，更加有利于測試結(jié)果的精確性。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，包括多個測試單元，所述每個測試單元包括有源區(qū)、氧化層和多晶硅層，其特征在于: 所述有源區(qū)包括: 至少一個第一有源區(qū)，該第一有源區(qū)為“T”結(jié)構(gòu)，其中，該“T”結(jié)構(gòu)水平部分的兩端部為漏、源區(qū)，剩余部分為柵區(qū)； 第二有源區(qū)，與上述“T”字結(jié)構(gòu)的垂直部分相連，該第二有源區(qū)為襯底； 所述多晶硅層位于有源區(qū)之上，該多晶硅層為“凸”結(jié)構(gòu)，其中該“凸”結(jié)構(gòu)的突出部分覆蓋在柵區(qū)上，該“凸”結(jié)構(gòu)的底座部分為中空結(jié)構(gòu)，包圍并露出上述第二有源區(qū)； 所述氧化層位于有源區(qū)和多晶硅層之間，其中多晶硅層與柵區(qū)水平部分交疊的上下邊界以及與柵區(qū)垂直部分交疊的左右邊界共同組成該氧化層的有源區(qū)邊界。
2.按權(quán)利要求1所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述有源區(qū)進一步包括多個第一有源區(qū)，該多個第一有源區(qū)分別通過“T”結(jié)構(gòu)的垂直部分連接于第二有源區(qū)上。
3.按權(quán)利要求2所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述多晶硅層為具有多個突出部分的“凸”結(jié)構(gòu)，該突出部分的數(shù)量對應(yīng)上述第一有源區(qū)的數(shù)量，其中，該多個突出部分分別覆蓋于對應(yīng)的第一有源區(qū)的柵區(qū)部分，該底座部分包圍并露出第二有源區(qū)。
4.按權(quán)利要求1所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述有源區(qū)進一步包括多個第一有源區(qū)，該多個第一有源區(qū)的水平部分通過垂直部分形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)，該并聯(lián)結(jié)構(gòu)的尾端連接在第二有源區(qū)上。
5.按權(quán)利要求4所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述多晶硅層的突出部分的長度大于上述并聯(lián)結(jié)構(gòu)的長度，使得該突出部分覆蓋該多個第一有源區(qū)的柵極區(qū)。
6.按權(quán)利要求1所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述多晶硅層與柵區(qū)水平部分交疊的左右邊界以及與柵區(qū)垂直部分交疊的水平邊界共同組成該氧化層的多晶硅區(qū)邊界，其中該氧化層的有源區(qū)邊界與該氧化層的多晶硅區(qū)邊界的比例大于18: I。
7.按權(quán)利要求1所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述多晶硅層與柵區(qū)水平部分交疊的左右邊界以及與柵區(qū)垂直部分交疊的水平邊界共同組成該氧化層的多晶硅區(qū)邊界，其中該氧化層的有源區(qū)邊界與該氧化層的多晶硅區(qū)邊界的比例為19: I。
8.按權(quán)利要求1所述的柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一有源區(qū)的水平部分與第二有源區(qū)之間設(shè)有淺溝槽隔離區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明是一種柵極氧化層的測試結(jié)構(gòu)。該柵極氧化層測試結(jié)構(gòu)包括多個測試單元，所述每個測試單元包括有源區(qū)、氧化層和多晶硅層，所述有源區(qū)包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，通過設(shè)置具有“T”結(jié)構(gòu)的第一有源區(qū)，和第二有源區(qū)相連，增加了有效的有源區(qū)邊界，進一步地，增加第一有源區(qū)的個數(shù)，同時使這些第一有源區(qū)保持并聯(lián)結(jié)構(gòu)時，可以使得有效的有源區(qū)邊界成倍數(shù)增長，從而實現(xiàn)了在不增加測試面積及測試樣品數(shù)量的情況下，使測試結(jié)果具有較高的可信度。
文檔編號H01L23/544GK103094253SQ201110348660
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者張瑜劼, 宋永梁 申請人:無錫華潤上華科技有限公司