国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

      文檔序號:7165936閱讀:208來源:國知局
      專利名稱:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件的封裝,具體涉及一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。
      背景技術(shù)
      有機電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層),當(dāng)電極間施加一定的電壓后,發(fā)光層就會發(fā)光。近年來,有機電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注,并被認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。目前,有機電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題,這主要是因為有機材料薄膜很疏松,易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此,有機電致發(fā)光器件進入實際使用之前必須進行封裝,封裝的好壞直接關(guān)系到有機電致發(fā)光器件的壽命。傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝,其邊沿用紫外聚合樹脂密封,但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大,增加了器件的重量,并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機電致放光器件的封裝。目前,已有報道介紹將SiNx或SiOx等無機材料通過磁控濺射等方法設(shè)置在金屬陰極表面,用作有機電致發(fā)光器件的封裝層,但在磁控濺射的高溫操作條件下,金屬陰極表面易遭到破壞。

      發(fā)明內(nèi)容
      為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。該復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命,并且能夠保護金屬陰極免遭破壞。本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機電致發(fā)光器件,也適用于封裝以塑料(例如PET膜)或金屬為基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。一方面,本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層,陽極基板和封裝層形成一封閉空間,功能層、發(fā)光層、和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi),其中,所述封裝層依次包括氮化物膜、氧化物膜和負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜,氧化物膜為Ti02、Zr02、Hf02和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜,在金屬陰極和氮化物膜之間設(shè)置有SiO膜作為保護層。優(yōu)選地,陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ奝ET膜(耐高溫聚酯薄膜)基板。功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地,功能層和發(fā)光層為通過真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法設(shè)置。
      金屬陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等),也可以為透明陰極(介質(zhì)層/金
      屬層/介質(zhì)層等)。封裝層依次包括氮化物膜、氧化物膜和負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜(PET膜)。氮化物膜能夠延長水氧滲透路徑。優(yōu)選地,氮化物膜為SiN膜、Si3N4膜或AlN膜。優(yōu)選地,氮化物膜為單層,單層的厚度為100 150nm。氮化物膜也可以為兩層或多層。氧化物膜為TiO2、ZrO2、HfO2和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜。Ca、Ba、Sr和Mg均為高吸水性物質(zhì),在Ti02、Zr02、Hf02和Ta2O5膜中的一種或幾種中摻雜Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命。優(yōu)選地,氧化物膜為單層,單層的厚度為100 150nm。氧化物膜也可以為兩層或多層。氧化物膜中摻雜Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種能增強水氧阻隔性能。優(yōu)選地,氧化物膜中摻雜金屬元素的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的10 25%。在金屬陰極和氮化物膜之間設(shè)置有SiO膜作為保護層。SiO膜的存在可以保護金屬陰極在后續(xù)磁控濺射的高溫操作條件下免遭破壞。優(yōu)選地,SiO膜的厚度為100 150nm。優(yōu)選地,紫外線膠為環(huán)氧樹脂。優(yōu)選地,紫外線膠的厚度為I 1.5 μ m。另一方面,本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法,包括以下步驟:(I)在陽極基板上制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極;(2)通過真空蒸鍍的方式在金屬陰極表面制備SiO膜作為保護層;(3)通過磁控濺射的方式在SiO膜表面制備氮化物膜;(4)通過磁控濺射的方式在氮化物膜表面制備氧化物膜,氧化物膜為Ti02、ZrO2,HfO2和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬兀素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜;(5)在氮化物膜表面制備負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜;(6)在SiO膜、氮化物膜、氧化物膜、負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜以及陽極基板邊緣涂布紫外線膠,由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠,然后用UV光進行固化,密封形成一封閉空間,將功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。步驟(I)為在陽極基板上制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極。優(yōu)選地,陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ奝ET膜(耐高溫聚酯薄膜)基板。功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地,功能層和發(fā)光層為通過真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法設(shè)置。金屬陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等),也可以為透明陰極(介質(zhì)層/金
      屬層/介質(zhì)層等)。步驟(2)為通過真空蒸鍍的方式在金屬陰極表面制備SiO膜作為保護層。SiO膜的存在可以保護金屬陰極在后續(xù)磁控濺射的高溫操作條件下免遭破壞。優(yōu)選地,SiO膜的厚度為100 150nm。步驟(3)為通過磁控濺射的方式在SiO膜表面制備氮化物膜。氮化物膜能夠延長水氧滲透路徑。優(yōu)選地,步驟(3)磁控濺射過程中的本底真空度為2X 10_4Pa。優(yōu)選地,氮化物膜為SiN膜、Si3N4膜或AlN膜。優(yōu)選地,氮化物膜為單層,單層的厚度為100 150nm。氮化物膜也可以為兩層或多層。步驟(4)為通過磁控濺射的方式在氮化物膜表面制備氧化物膜,氧化物膜為Ti02、ZrO2, HfO2和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜。Ca、Ba、Sr和Mg均為高吸水性物質(zhì),在Ti02、Zr02、Hf02和Ta2O5膜中的一種或幾種中摻雜金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種可延長水氧滲透路徑,有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命。優(yōu)選地,摻雜金屬元素的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的10 25%。優(yōu)選地,氧化物膜為單層,單層的厚度為100 150nm。氧化物膜也可以為兩層或多層。優(yōu)選地,步驟⑷為采用T1、Zr、Hf和Ta中的至少一種靶材與Ca、Ba、Sr和Mg中的至少一種進行磁控濺射。優(yōu)選地,步驟(4)磁控濺射過程中通入氧氣和氬氣,氧氣體積含量占總氣體體積的1% 15%。更優(yōu)選地,步驟(4)磁控濺射過程中通入氧氣體積含量占總氣體體積的8%。優(yōu)選地,步驟(4)磁控濺射過程中的本底真空度為2X10_4Pa。步驟(5)為在氮化物膜表面制備負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜(PET膜)。步驟(6)為在SiO膜、氮化物膜、氧化物膜、負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜(PET膜)以及陽極基板邊緣涂布紫外線膠,由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠,然后用UV光進行固化,密封形成一封閉空間,將功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。優(yōu)選地,紫外線膠為環(huán)氧樹脂。優(yōu)選地,紫外線膠的厚度為I 1.5 μ m。優(yōu)選地,UV光的光強10 15mW/cm2,曝光時間300 400s。本發(fā)明可以通過多次重復(fù)步驟(3)和(4)形成多層封裝層,從而達到優(yōu)良的封裝效果。本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法具有以下有益效果:(I)本發(fā)明復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命,并且能夠保護金屬陰極免遭破壞;(2)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽極基板制備的有機電致發(fā)光器件,也適用于封裝以塑料(例如PET膜)或金屬為陽極基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件;(3)本發(fā)明復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)材料廉價,封裝方法工藝簡單,易大面積制備,適于工業(yè)化大規(guī)模使用。


      圖1是本發(fā)明實施例1有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本發(fā)明實施例10 12有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)的壽命衰減曲線圖。
      具體實施例方式以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進和調(diào)整,這些改進和調(diào)整也視為在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。實施例1:圖1是本實施例有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖?!N有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),如圖1所示,依次包括導(dǎo)電PET膜(耐高溫聚酯薄膜)基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、金屬陰極7和封裝層8。導(dǎo)電PET膜(耐高溫聚酯薄膜)基板I和封裝層8通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和金屬陰極7容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層8依次包括一層厚度為IOOnm的SiO膜81、一層厚度為150nm的SiN膜82、一層氧化物膜83 (氧化物膜為摻雜有Ca的ZrO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為0.8g,Ca的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的10%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜84。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR, g/m2.day)為 6.7E_4。實施例2:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、一層厚度為150nm的Si3N4膜、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Ca的Ta2O5膜,氧化物膜總質(zhì)量為1.0g, Ca的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的23%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR, g/m2.day)為 4.6E_4。實施例3:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、一層厚度為150nm的AlN膜、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Ca的HfO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為0.9g,Ca的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的25%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR, g/m2.day)為 5.3E'實施例4:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、一層厚度為150nm的SiN膜、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Ba的TiO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為1.2g, Ba的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的20%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR, g/m2.day)為 2.3E'實施例5:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、一層厚度為150nm的SiN膜、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Sr的TiO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為1.1g, Sr的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的15%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR, g/m2.day)為 4.7E'實施例6:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、三層Si3N4膜(Si3N4膜的單層厚度為IOOnm)、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Mg的TiO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為0.8g,Mg的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的25%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為3.7E_4。實施例7:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、三層氮化物膜(分別為單層厚度為IOOnm的SiN膜、Si3N4膜和AlN膜)、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Ca和Mg的TiO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為1.1g, Ca和Mg的質(zhì)量分別占氧化物膜總質(zhì)量的15%和10%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為Ιμπι。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為
      3.4E_4。實施例8:一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、一層厚度為150nm的SiN膜、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Ca、Mg和Sr的TiO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為0.9g,Ca、Mg和Sr的質(zhì)量分別占氧化物膜總質(zhì)量的8%、10%和6%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為4.5E_4。實施例9:
      一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括導(dǎo)電玻璃基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、金屬陰極和封裝層。導(dǎo)電玻璃基板和封裝層通過環(huán)氧樹脂密封形成一封閉空間,空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層依次包括一層厚度為150nm的SiO膜、一層厚度為150nm的SiN膜、一層氧化物膜(氧化物膜為摻雜有Ca、Ba、Sr和Mg的TiO2膜,氧化物膜總質(zhì)量為1.2g,Ca,Ba, Sr和Mg的質(zhì)量分別占氧化物膜總質(zhì)量的5%、7%、6%和4%,氧化物膜厚度為IOOnm)和負載有金屬鋁的PET膜。環(huán)氧樹脂的厚度為I μ m。本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為3.5E_4。實施例10:一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法,包括以下步驟:(I)在陽極基板上制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極a.導(dǎo)電玻璃基板的前處理取ITO玻璃基板,依次進行洗潔精清洗、乙醇清洗、丙酮清洗和純水清洗,均用超聲波清洗機進行清洗,每次洗滌采用清洗5分鐘,停止5分鐘,分別重復(fù)3次的方法,然后再用烘箱烘干待用,對洗凈后的ITO玻璃基板還需進行表面活化處理,以增加ITO玻璃基板表面層的含氧量,提高ITO玻璃基板表面的功函數(shù);ΙΤ0厚度IOOnm ;b.功能層、發(fā)光層和金屬陰極的制備采用真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法在ITO玻璃基板上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層;采用蒸鍍制作鋁陰極;(2)通過真空蒸鍍的方式在金屬陰極表面制備有一層IOOnm的SiO膜作為保護層,真空度控制為5父10-%,蒸鍍速度為0.5力3;(3)通過磁控濺射的方式在SiO膜表面上利用Si靶材,通入Ar和N2,,N2所占比例為8%,制備一層Si3N4膜,厚度lOOnm,磁控濺射過程中的本底真空度為2X 10_4Pa ;(4)通過磁控濺射的方式在Si3N4膜表面上利用Ti靶材和Ca靶材,磁控濺射制作,通入氣體O2和Ar,O2含量8%,Ca占氧化物膜總質(zhì)量的25%,本底真空度2X 10_4Pa,制備一層摻雜有Ca的TiO2膜,厚度IOOnm ;(5)在摻雜有Ca的TiO2膜表面制備負載有金屬鋁的PET膜;(6)在SiO膜、Si3N4膜、摻雜有Ca的TiO2膜、負載有金屬鋁的PET膜以及ITO玻璃基板邊緣涂布環(huán)氧樹脂,(厚度I μ m),由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化環(huán)氧樹月旨,然后用UV光(λ = 365nm)進行固化,光強llmW/cm2,曝光時間300s,密封形成一封閉空間,將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和鋁陰極容置在該封閉空間內(nèi),本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2*day)為3.4E_4。實施例11:Ca占氧化物膜總質(zhì)量的17%,其它同實施例10,本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為4.6E_4。實施例12:Ca占氧化物膜總質(zhì)量的10%,其它同實施例10,本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為6.5E_4。實施例13:步驟⑶重復(fù)2遍,步驟⑷重復(fù)2遍,其它同實施例10,本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為4.2E_4。實施例14:步驟⑶重復(fù)3遍,步驟⑷重復(fù)3遍,其它同實施例10,本實施例復(fù)合封裝后的有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR,g/m2.day)為5.5E_4。效果實施例為有效證明本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法的有益效果,提供相關(guān)實驗數(shù)據(jù)如下。表1.實施例10 12復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)壽命衰減情況
      權(quán)利要求
      1.一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層,陽極基板和封裝層形成一封閉空間,功能層、發(fā)光層、和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi),其特征在于,所述封裝層依次包括氮化物膜、氧化物膜和負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜,氧化物膜為Ti02、ZrO2, HfO2和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜,在金屬陰極和氮化物膜之間設(shè)置有SiO膜作為保護層。
      2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述氮化物膜為SiN膜、Si3N4膜或AlN 膜。
      3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述SiO膜的厚度為100 150nm。
      4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述摻雜金屬元素的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的10 25%。
      5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述氧化物膜為單層,單層的厚度為 100 150nm。
      6.一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟: (1)在陽極基板上制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極; (2)通過真空蒸鍍的方式在金屬陰極表面制備SiO膜作為保護層; (3)通過磁控濺射的方式在SiO膜表面制備氮化物膜; (4)通過磁控濺射的方式在氮化物膜表面制備氧化物膜,氧化物膜為Ti02、ZrO2,HfO2和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬兀素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜; (5)在氮化物膜表面制備負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜; (6)在SiO膜、氮化物膜、氧化物膜、負載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜以及陽極基板邊緣涂布紫外線膠,由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠,然后用UV光進行固化,密封形成一封閉空間,將功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。
      7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,步驟(2)中所述SiO膜的厚度為100 150nmo
      8.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,步驟(3)中所述氮化物膜為SiN膜、Si3N4膜或AlN膜。
      9.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,步驟(4)中所述摻雜金屬元素的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的10 25%。
      10.如權(quán)利要求6所述的封裝方法,其特征在于,步驟(4)中所述氧化物膜為單層,單層的厚度為100 150nm。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。該復(fù)合封裝結(jié)構(gòu),包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層,陽極基板和封裝層形成一封閉空間,功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi),封裝層依次包括氮化物膜、氧化物膜和負載有金屬鋁的PET膜,氧化物膜為TiO2、ZrO2、HfO2和Ta2O5膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜,在金屬陰極和氮化物膜之間設(shè)置有SiO膜作為保護層。該復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕,顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命,并且能保護金屬陰極免遭破壞。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。
      文檔編號H01L51/56GK103137884SQ201110382490
      公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
      發(fā)明者周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1