專利名稱：晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)、發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法
晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)、發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2010年12月16日提交的韓國申請No. 10-2010-0129173的優(yōu)先權(quán)，其主題通過引用結(jié)合在此。技術(shù)領(lǐng)域
實施例可以涉及一種晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)、發(fā)光器件以及用于制造發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(在下文中，被稱作LED)是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的能量器件。LED 消耗低電力并且具有長壽命。因此，能夠以低成本應(yīng)用LED。
隨著LED的優(yōu)勢變成重要問題，現(xiàn)在各種領(lǐng)域中廣泛地使用LED。然而，由于LED 的特性，用于高輸出的高功率應(yīng)用具有的效率比低功率應(yīng)用的效率低。
因此，現(xiàn)在提出包括有效率的電流應(yīng)用結(jié)構(gòu)的垂直型LED。不同于通過蝕刻半導(dǎo)體層的一部分并且通過在蝕刻部分中形成電極而獲得的水平型LED，垂直型LED是通過將電極直接地放置在半導(dǎo)體層的頂表面和底表面來形成。因此，能夠?qū)㈦娏鲝碾姌O有效率地施加到半導(dǎo)體層。因此，垂直型LED比水平型LED實現(xiàn)更大的效率和更大的功率輸出。而且， 因為與水平型LED相比，更加容易地冷卻垂直型LED，所以垂直型LED能夠容易地輻射從垂直型LED的操作產(chǎn)生的熱。
其間，因為電極應(yīng)該位于垂直型LED的半導(dǎo)體層的頂表面和底表面，所以垂直型 LED要求不同于水平型LED的制造工藝。例如，在半導(dǎo)體層生長在像藍寶石襯底的生長襯底上之后，在執(zhí)行后續(xù)的工藝之后應(yīng)該去除生長襯底。在此，在生長襯底被去除之后，為了支撐不具有生長襯底的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層被預(yù)先鍍覆或者被晶片結(jié)合。
在晶片結(jié)合中，由于像藍寶石襯底一樣的生長襯底和新的結(jié)合襯底之間的熱膨脹系數(shù)差，在晶片結(jié)合工藝之后在冷卻工藝期間可以在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生裂縫，并且整體結(jié)構(gòu)可能被彎曲或者扭曲。
因此，存在下述必要性，開發(fā)晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，其可適用于被應(yīng)用于垂直型LED 的晶片結(jié)合方法，并且使用所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)開發(fā)發(fā)光二極管。發(fā)明內(nèi)容
一個實施例是一種晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，該晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)包括第一襯底；以及導(dǎo)電薄膜，其設(shè)置在第一襯底上并且包括樹脂以及包括在樹脂中的導(dǎo)電微粒。
晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)可以進一步包括第二襯底，其設(shè)置在導(dǎo)電薄膜上并且具有與第一襯底的熱膨脹系數(shù)不同的熱膨脹系數(shù)。
優(yōu)選地，導(dǎo)電微粒被分布在樹脂的表面上或者樹脂中，并且其中導(dǎo)電微粒的表面是由Au-SruAu或者Ni中的至少一種形成。
優(yōu)選地，第一襯底是η型半導(dǎo)體襯底，并且當?shù)谝灰r底的功函數(shù)是“fs”并且組成導(dǎo)電微粒的表面的金屬的功函數(shù)是“fm”時，“fm” < “fs”的關(guān)系被建立。
優(yōu)選地，第一襯底是ρ型半導(dǎo)體襯底，并且當?shù)谝灰r底的功函數(shù)是“fs”并且組成導(dǎo)電微粒的表面的金屬的功函數(shù)是“fm”時，“fm” > “fs”的關(guān)系被建立。
晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)可以進一步包括在第一襯底和導(dǎo)電薄膜之間形成的第一金屬層。
晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)可以進一步包括在第一襯底下方形成的第二金屬層。
晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)可以進一步包括通電部(electrifier)，該通電部穿透第一襯底的至少一部分并且電連接第一金屬層和第二金屬層。
優(yōu)選地，第一襯底是導(dǎo)電襯底、非導(dǎo)電襯底或者半導(dǎo)體襯底中的一個。
另一實施例是一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，該晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電薄膜，該導(dǎo)電薄膜設(shè)置在襯底上并且包括樹脂和導(dǎo)電微粒；發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層都設(shè)置在晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)上；以及電極層，其設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)上。
發(fā)光器件可以進一步包括反射層，其設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)和晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)之間并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光。
發(fā)光器件可以進一步包括第一絕緣層，其設(shè)置在反射層上并且使發(fā)光結(jié)構(gòu)與反射層絕緣。
優(yōu)選地，反射層具有比外圍部分厚的中心部分。
發(fā)光器件可以進一步包括歐姆層，其設(shè)置在晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)和發(fā)光結(jié)構(gòu)之間并且電連接晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)和發(fā)光結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)和發(fā)光結(jié)構(gòu)被設(shè)置成導(dǎo)電薄膜接觸第二半導(dǎo)體層并且在其間設(shè)置歐姆層。
優(yōu)選地，其中電極層接觸第一半導(dǎo)體層。
優(yōu)選地，紋理結(jié)構(gòu)形成在第一半導(dǎo)體層的兩側(cè)之中的接觸電極層的側(cè)上。
發(fā)光器件可以進一步包括第二絕緣層，該第二絕緣層設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向表面和上或下部分的至少一部分上。
又一實施例是一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域；第一電極，該第一電極設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域上；第二電極，該第二電極設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上；以及晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，該晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)接觸第一電極和第二電極并且包括包含樹脂和導(dǎo)電微粒的導(dǎo)電薄膜。
發(fā)光器件可以進一步包括緩沖層，該緩沖層設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的底表面上。
此外，又一實施例是一種用于制造發(fā)光器件的方法，該方法包括在生長襯底上生長第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層；在第二半導(dǎo)體層上形成包括具有樹脂和在樹脂中分布的導(dǎo)電微粒的導(dǎo)電薄膜的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，使得導(dǎo)電薄膜面向第二半導(dǎo)體層； 去除生長襯底；以及將電極層沉積在第一半導(dǎo)體層上。
又一實施例是一種用于制造發(fā)光器件的方法，該方法包括在生長襯底上生長第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層以形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；去除有源層和第二半導(dǎo)體層的一部分使得第一半導(dǎo)體的一部分暴露；在第一半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域和第二半導(dǎo)體層上分別沉積第一電極和第二電極；以及使包括具有樹脂和在樹脂中分布的導(dǎo)電微粒的導(dǎo)電薄膜的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)接觸到第一電極和第二電極。


可以參考附圖來詳細地描述布置和實施例，其中類似的附圖標記指示類似的元件并且其中
圖1至圖4是示出根據(jù)實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)的構(gòu)造的視圖fe至圖k是描述根據(jù)實施例的發(fā)光器件的制造工藝的視圖；以及
圖6a至圖6c是描述根據(jù)實施例的通過使用晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的制造工藝的視圖。
具體實施方式
為了描述的清楚和方便，可以夸大、省略或者示意性地示出每層的尺寸或者厚度。
應(yīng)理解的是，當元件被稱為是在另一元件“上”或者“下”時，可以直接地在元件上/ 下，并且/或者也可以存在一個或者多個插入元件。當元件被稱為是在“上”或者“下”時， 基于元件，可以包括“在元件下”和“在元件上”。
可以參考附圖來詳細地描述實施例。
圖1至圖4是示出根據(jù)實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)的構(gòu)造的視圖。
參考圖1，根據(jù)第一實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)100可以被形成為包括第一襯底 110、導(dǎo)電薄膜120以及第二襯底130，它們都被順序地堆疊。
第一襯底110可以是導(dǎo)電襯底。例如，第一襯底110可以是由諸如aiO、Si&以及 SnO2等的材料來形成。
根據(jù)實施例的導(dǎo)電薄膜120可以具有以多個導(dǎo)電微粒分布在樹脂中的形式。導(dǎo)電微?？梢跃哂袛?shù)個微米的直徑。例如，導(dǎo)電微?？梢跃哂腥缦滦螤睿渲幸跃哂写蠹sIOOnm 的厚度的薄膜的形式，將具有數(shù)個微米的直徑的單分散性的特殊塑料顆粒鍍覆有Ni、Au或者Cu。然而，期望的是，導(dǎo)電微粒應(yīng)該具有如下形狀，其中將單分散性的特殊塑料顆粒鍍覆有包括具有低熔點材料的合金，例如Au-Sn。當鍍覆有包括具有低熔點材料的合金的導(dǎo)電微粒被包括在導(dǎo)電薄膜120中時，在冷卻工藝期間導(dǎo)電薄膜120沒有被彎曲或者扭曲。此外，在結(jié)合工藝期間，導(dǎo)電微粒被變形并且熔化以相互粘住。結(jié)果，可以增強熱輻射特性并且可以更加增加粘附強度。樹脂可以包括熱固性樹脂、熱塑性樹脂以及固化劑中的至少一個。環(huán)氧樹脂可以被用作熱固性樹脂。丙烯酸類樹脂可以用作熱塑性樹脂。例如，導(dǎo)電薄膜可以是各向異性的導(dǎo)電膜(ACF)。
第二襯底130可以堆疊在導(dǎo)電薄膜120上。第二襯底130可以是在其上能夠形成器件結(jié)構(gòu)的預(yù)定襯底(例如，藍寶石襯底等)或者是具有與第一襯底110的熱膨脹系數(shù)不同的熱膨脹系數(shù)的襯底，諸如作為器件結(jié)構(gòu)的一部分的半導(dǎo)體層等。
因為第一襯底110是由具有與第二襯底130的材料的特性不同的特性的材料形成，所以第一和第二襯底110和130具有相互不同的熱膨脹系數(shù)。隨著熱膨脹系數(shù)變得較大，變得更難以結(jié)合它們。例如，假定第一襯底110的熱膨脹系數(shù)大于第二襯底130的熱膨脹系數(shù)。因此，當以高溫執(zhí)行第一襯底110和第二襯底130的結(jié)合工藝時，與第二襯底130 相比，第一襯底110相對更多地膨脹。因此，第一襯底110和第二襯底130可能被損壞。然而，根據(jù)實施例，因為導(dǎo)電薄膜120被包括在第一襯底110和第二襯底130之間，并且導(dǎo)電薄膜120能夠用作第一襯底110和第二襯底130之間的結(jié)合，所以能夠以低溫執(zhí)行第一襯底110和第二襯底130之間的結(jié)合工藝。因此，由于盡管第一襯底110和第二襯底130之間的熱膨脹系數(shù)大也以低溫執(zhí)行結(jié)合工藝，所以在它們的結(jié)合中第一和第二襯底110和130 之間的膨脹差是不顯著的并且第一和第二襯底110和130能夠牢固地相互結(jié)合。此外，因為第一和第二襯底110和130被結(jié)合，并且在其間放置導(dǎo)電薄膜120，所以能夠執(zhí)行大面積結(jié)合并且因此能夠顯著地減少接觸電阻。其間，組成導(dǎo)電薄膜120的樹脂可以減輕第一襯底110和第二襯底130之間的應(yīng)力。
在下一位置，參考圖2，根據(jù)第二實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200可以被形成為包括第一金屬層210、第一襯底220、第二金屬層230、導(dǎo)電薄膜MO以及第二襯底250，它們都被順序地堆疊。
根據(jù)第二實施例，第一襯底220可以是ρ型半導(dǎo)體襯底或者η型半導(dǎo)體襯底。導(dǎo)電薄膜240和第二襯底250分別由與導(dǎo)電薄膜120和第二襯底130的材料相同的材料形成。 因此，將會省略其詳細描述。
根據(jù)第二實施例的第二金屬層230幫助第一襯底220，即，半導(dǎo)體襯底與導(dǎo)電薄膜 240進行歐姆接觸。也就是說，第二金屬層230使第一襯底220，即半導(dǎo)體襯底的載流子的勢壘最小化并且減少第一襯底220和導(dǎo)電薄膜240之間的接觸電阻。第一金屬層210和第二金屬層230可以是由包括Cr、Ni以及Au的合金、Ag、以及包括Ti和Ag的合金等形成。第一金屬層210和第二金屬層230可以由相同的材料形成或者可以由相互不同的材料形成。
參考圖3，根據(jù)第三實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)300可以包括第一襯底310、導(dǎo)電薄膜320以及第二襯底330，它們都被順序地堆疊。
根據(jù)第三實施例，第一襯底310可以是ρ型半導(dǎo)體襯底或者η型半導(dǎo)體襯底。因為第二襯底330與圖1和圖2中示出的第二襯底130和250相同，將會省略其描述。
不可避免的是，在第一襯底310和導(dǎo)電薄膜320之間出現(xiàn)接觸電阻。在根據(jù)第三實施例的導(dǎo)電薄膜320中包括的導(dǎo)電微粒的表面金屬由能夠使第一襯底310和導(dǎo)電薄膜320 相互歐姆接觸的材料形成。根據(jù)此，因為歐姆接觸形成在第一襯底310和導(dǎo)電薄膜320之間，所以根據(jù)第三實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)300沒有要求幫助第一襯底220歐姆接觸導(dǎo)電薄膜240的、圖2中的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200的第二金屬層230。即，根據(jù)第三實施例，在沒有獨立的組件的情況下，第一襯底310和導(dǎo)電薄膜320能夠相互歐姆接觸，而且第一襯底 310和第二襯底330能夠以低溫相互結(jié)合。
例如，當假定第一襯底310的功函數(shù)是“fs”并且在導(dǎo)電薄膜320中包括的導(dǎo)電微粒的表面金屬是“fm”時，可以以當?shù)谝灰r底310是η型半導(dǎo)體襯底時，“fm” < "fs",以及當?shù)谝灰r底310是ρ型半導(dǎo)體襯底時，“fm” > “fs”的關(guān)系選擇導(dǎo)電微粒的表面金屬。
最后，參考圖4，根據(jù)第四實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)400可以包括第一金屬層 410、第一襯底420、第二金屬層430、導(dǎo)電薄膜440、第二襯底450以及通電部460，它們都被順序地堆疊。通電部460穿透第一襯底420并且電連接第一金屬層410和第二金屬層430。
根據(jù)第四實施例的第一襯底420可以是非導(dǎo)電襯底。因此，為了第一金屬層410和第二金屬層430相互電連接并且在其間放置第一襯底420，要求有通電部460。為此，通電部460可以是由導(dǎo)電材料形成。由于其他組件，即導(dǎo)電薄膜440和第二襯底450與第一和第二實施例的相同，將會省略其描述。將如下地描述根據(jù)第四實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)400的制造工藝。首先，第一金屬層410和第一襯底420被沉積，并且通過蝕刻工藝去除第一襯底 420的至少一部分使得通過去除部分來暴露第一金屬層410。然后，通過在第一金屬層410 的暴露部分中形成導(dǎo)電金屬來形成通電部460，然后形成第二金屬層430以覆蓋第一襯底 420和通電部460。隨后，導(dǎo)電薄膜440和第二襯底450形成在第二金屬層430上。因此， 完成根據(jù)第四實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)400。圖如至圖k是用于通過使用根據(jù)實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的制造工藝的橫截面圖。將會參考圖如至圖5e來描述垂直型發(fā)光器件的制造工藝。首先，參考圖5a，在第一半導(dǎo)體層511、有源層512以及第二半導(dǎo)體層513順序地生長在生長襯底500上之后，歐姆層520形成在第二半導(dǎo)體層513上。生長襯底500可以是藍寶石襯底。第一半導(dǎo)體層511和有源層512可以分別是N-GaN層和P-GaN層。有源層 512可以是具有多個量子阱結(jié)構(gòu)的多量子阱(MQW)。歐姆層520可以是由例如S^2等的材料來形成。參考圖5b，絕緣層530形成在歐姆層520上。反射層540形成在絕緣層530上。 絕緣層530防止半導(dǎo)體層511和513由于反射層540而導(dǎo)致的短路。反射層540可以是由諸如Ag、Ni或Al等的材料來形成。反射層540可以具有比外圍部分厚的中心部分。參考圖5c，根據(jù)實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200被形成以覆蓋反射層540和絕緣層530。晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200可以包括第一金屬層210、第一襯底220、第二金屬層230以及導(dǎo)電薄膜對0，它們都被順序地堆疊。晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200形成在反射層540上，使得導(dǎo)電薄膜240接觸反射層M0。附圖僅示出圖2的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200作為在發(fā)光器件中包括的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)。也可以使用圖1、圖3以及圖4中示出的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)。 根據(jù)實施例，由于導(dǎo)電薄膜對0，能夠以低溫執(zhí)行結(jié)合工藝，并且雖然熱被添加，但是能夠通過導(dǎo)電薄膜240的樹脂減輕根據(jù)熱膨脹系數(shù)差的應(yīng)力。盡管附圖示出導(dǎo)電薄膜240接觸反射層M0，導(dǎo)電或者非導(dǎo)電襯底也可以進一步形成在導(dǎo)電薄膜240上。換言之，導(dǎo)電或者非導(dǎo)電襯底可以進一步形成在導(dǎo)電薄膜240和反射層540之間。參考圖5d，在執(zhí)行激光剝離(LLO)工藝去除生長襯底500之后，通過蝕刻工藝形成用于形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的圖案。然后，保護層550被形成以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向表面。保護層 550可以是由例如SW2等的材料來形成。參考圖5e，光提取結(jié)構(gòu)，例如，紋理結(jié)構(gòu)可以形成在第一半導(dǎo)體層511上，以便提高發(fā)光效率。電極層560也可以形成在第一半導(dǎo)體層511的至少一部分上。圖6a至圖6c是用于通過使用根據(jù)實施例的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)描述發(fā)光器件的制造工藝的橫截面圖。將會參考圖6a至圖6c來描述倒裝芯片型發(fā)光器件的制造工藝。參考圖6a，緩沖層610、第一半導(dǎo)體層621、有源層622以及第二半導(dǎo)體層623形成在生長襯底600上。緩沖層610緩沖生長襯底600和外延層之間的晶格失配，并且可以是由未摻雜的GaN層形成。生長襯底600可以是藍寶石襯底。第一半導(dǎo)體層621和有源層 622可以分別是N-GaN層和P-GaN層。有源層622可以是具有多個量子阱結(jié)構(gòu)的多量子阱(MQff)。參考圖6b，在執(zhí)行蝕刻工藝之后使得第一半導(dǎo)體層621的一部分暴露，第一電極 630和第二電極640分別形成在第一半導(dǎo)體層621的暴露部分和第二半導(dǎo)體層623上。其間，雖然附圖中未示出，但是在第二電極640形成在第二半導(dǎo)體層623上之前， 反射層可以進一步形成在第二半導(dǎo)體層623上。反射層不僅能夠歐姆接觸第二半導(dǎo)體層 623，而且朝著第一半導(dǎo)體層621反射從有源層622產(chǎn)生的光。參考圖6c，通過將第一電極630和第二電極640結(jié)合到晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)來完成倒裝芯片型發(fā)光器件。晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200的制造工藝的描述與前述描述相同并且將會被省略。盡管附圖僅示出圖2的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200作為晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，但是也可以使用圖1、圖3以及圖4中所示的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)。其間，推薦為了使第一電極630和第二電極640之間絕緣，絕緣層(未示出)應(yīng)該形成在晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)200上。雖然在上文描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但這些僅是示例，并非限制本發(fā)明。此夕卜，在不偏離本發(fā)明的本質(zhì)特征的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以以各種方式對本發(fā)明進行改變和修改。例如，可以修改在本發(fā)明的實施例中詳細描述的組件。此外，由于這種修改和應(yīng)用而產(chǎn)生的差異應(yīng)該被認為包括在所附權(quán)利要求中描述的本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，包括 第一襯底；以及導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜設(shè)置在所述第一襯底上并且包括樹脂和在所述樹脂中包括的導(dǎo)電微粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，進一步包括第二襯底，所述第二襯底設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜上并且具有與所述第一襯底的熱膨脹系數(shù)不同的熱膨脹系數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電微粒分布在所述樹脂的表面上或者所述樹脂中，并且其中所述導(dǎo)電微粒的表面由Au-SruAu或者Ni中的至少一種來形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，其中，所述第一襯底是η型半導(dǎo)體襯底，并且其中，當所述第一襯底的功函數(shù)是“fs”并且組成所述導(dǎo)電微粒的表面的金屬的功函數(shù)是“fm”時，“fm” < “fs”的關(guān)系被建立。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一襯底是P型半導(dǎo)體襯底，并且其中，當所述第一襯底的功函數(shù)是“fs”并且組成所述導(dǎo)電微粒的表面的金屬的功函數(shù)是“fm”時，“fm” > “fs”的關(guān)系被建立。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任何一項所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，進一步包括 第一金屬層，所述第一金屬層形成在所述第一襯底和所述導(dǎo)電薄膜之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，進一步包括 第二金屬層，所述第二金屬層形成在所述第一襯底下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，進一步包括通電部，所述通電部穿透所述第一襯底的至少一部分并且將所述第一金屬層與所述第二金屬層電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任何一項所述的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一襯底是導(dǎo)電襯底、非導(dǎo)電襯底或者半導(dǎo)體襯底中的一種。
10.一種發(fā)光器件，包括晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜設(shè)置在襯底上并且包括樹脂和導(dǎo)電微粒；發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層都設(shè)置在所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)上；以及電極層，所述電極層設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，進一步包括反射層，所述反射層設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)之間并且反射從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，進一步包括第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述反射層上并且將所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述反射層絕緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述反射層具有比外圍部分厚的中心部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中的任何一項所述的發(fā)光器件，進一步包括歐姆層，所述歐姆層設(shè)置在所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間并且將所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)被設(shè)置成使得所述導(dǎo)電薄膜接觸所述第二半導(dǎo)體層并且其間放置有所述歐姆層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中， 所述電極層接觸所述第一半導(dǎo)體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中，紋理結(jié)構(gòu)形成在所述第一半導(dǎo)體層的兩側(cè)之中的接觸所述電極層的側(cè)上。
18.根據(jù)權(quán)利要求10至13中的任何一項所述的發(fā)光器件，進一步包括第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向表面和上或下部分的至少一部分上。
19.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層具有暴露區(qū)域；第一電極，所述第一電極設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域上； 第二電極，所述第二電極設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上；以及晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，所述晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)接觸所述第一電極和所述第二電極并且包括導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜包括樹脂和導(dǎo)電微粒。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光器件，進一步包括 緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的底表面上。
21.一種用于制造發(fā)光器件的方法，包括在生長襯底上生長第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層； 在所述第二半導(dǎo)體層上形成包括導(dǎo)電薄膜的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)使得所述導(dǎo)電薄膜面向所述第二半導(dǎo)體層，所述導(dǎo)電薄膜具有樹脂以及在所述樹脂中分布的導(dǎo)電微粒； 去除所述生長襯底；以及將電極層沉積在所述第一半導(dǎo)體層上。
22.一種用于制造發(fā)光器件的方法，包括在生長襯底上生長第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層以形成發(fā)光結(jié)構(gòu)； 去除所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層的一部分使得第一半導(dǎo)體的一部分暴露； 在所述第一半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上分別沉積第一電極和第二電極；以及使包括導(dǎo)電薄膜的晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)接觸到所述第一電極和所述第二電極，所述導(dǎo)電薄膜具有樹脂以及在所述樹脂中分布的導(dǎo)電微粒。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)、發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法?？梢栽O(shè)置一種晶片襯底結(jié)合結(jié)構(gòu)，其包括第一襯底；以及導(dǎo)電薄膜，該導(dǎo)電薄膜設(shè)置在第一襯底上并且包括樹脂以及在樹脂中包括的導(dǎo)電微粒。
文檔編號H01L33/02GK102544274SQ20111039238
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者趙范哲 申請人:Lg伊諾特有限公司