專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
像素結(jié)構(gòu)及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
技術(shù)背景
一般而言，液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管與像素電極。薄膜晶體管用來作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。而為了控制個(gè)別的像素結(jié)構(gòu)，通常會(huì)經(jīng)由對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線來選取特定的像素，并通過提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷?，以顯示對(duì)應(yīng)此像素的顯示數(shù)據(jù)。另外，像素結(jié)構(gòu)中還包括儲(chǔ)存電容器(storagecapacitor)，使得像素結(jié)構(gòu)具有電壓保持的功能。也就是，儲(chǔ)存電容器能夠儲(chǔ)存上述所施加的操作電壓，以維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫面的穩(wěn)定性。
為了在像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置儲(chǔ)存電容器，一般會(huì)需要在像素結(jié)構(gòu)中形成電容電極。然而，若是為了增加儲(chǔ)存電容器的電容值而增加電容電極的面積，將會(huì)降低像素結(jié)構(gòu)的開口率。
目前已經(jīng)有一種像素結(jié)構(gòu)是將電容電極設(shè)計(jì)在數(shù)據(jù)線的下方，以增加像素結(jié)構(gòu)的開口率。然而，因電容電極與數(shù)據(jù)線重疊會(huì)增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載(loading)，因此，此種像素結(jié)構(gòu)會(huì)增加顯示面板驅(qū)動(dòng)所需的電源而較為耗電。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可以使像素結(jié)構(gòu)具有高開口率且不會(huì)增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。
本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括第一電極、第一絕緣層、柵極、第二電極、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、源極以及漏極、第三電極、第三絕緣層以及像素電極。第一電極位于基板上。第一絕緣層覆蓋第一電極。柵極位于第一絕緣層上。第二電極位于第一電極的上方的第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋柵極以及第二電極。半導(dǎo)體層位于柵極上方的第二絕緣層上。源極以及漏極位于半導(dǎo)體層上，其中柵極、半導(dǎo)體層、源極以及漏極構(gòu)成薄膜晶體管。第三電極位于第二電極的上方的第二絕緣層上，其中第三電極與第一電極電性連接，且第一電極、第二電極以及第三電極構(gòu)成電容器。第三絕緣層覆蓋源極、漏極以及第三電極。像素電極位于第三絕緣層上且與漏極電性連接。
本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法。此方法包括在基板上形成第一導(dǎo)電層， 第一導(dǎo)電層包括第一電極。在第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層。于第一絕緣層上形成第二導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層包括柵極以及第二電極，且第二電極位于第一電極的上方。在第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣層。于柵極上方的第二絕緣層上形成半導(dǎo)體層。于第二絕緣層上形成第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層包括源極、漏極以及第三電極，源極與漏極位于半導(dǎo)體層上，第三電極位于第二電極的上方且與第一電極電性連接，其中柵極、半導(dǎo)體層、源極以及漏極構(gòu)成薄膜晶體管，且第一電極、第二電極以及第三電極構(gòu)成電容器。于第三導(dǎo)電層上形成第三絕緣層。于第三絕緣層上形成像素電極，其中像素電極與漏極電性連接。
基于上述，本發(fā)明的電容器是由第一電極、第二電極以及第三電極構(gòu)成，且第一電極位于第二電極下方的第一絕緣層的下。因此本發(fā)明可以在不影響像素結(jié)構(gòu)的開口率的前提下提高電容器的儲(chǔ)存電容值，并且可以制作成高解析度的顯示器。另外，因電容器的第一電極、第二電極以及第三電極都不是設(shè)置于數(shù)據(jù)線下方，因此本發(fā)明的電容器不增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖II是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程剖面示意圖。
圖2是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，其中剖面線1-1’以及剖面線11-11’即是對(duì)應(yīng)圖IA至圖II的剖面圖。
圖3是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖4是圖3的像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線1-1’以及剖面線11-11’的剖面示意圖。
圖5是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖6是圖5的像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線1-1’以及剖面線11-11’的剖面示意圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖8是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
附圖標(biāo)記說明
100 基板
102 第一絕緣層
104:第二絕緣層
106、110 第三絕緣層
El 第一電極
E2:第二電極
E3 第三電極
CS 電容器
G 柵極
S 源極
D 漏極
T 薄膜晶體管
SE:半導(dǎo)體層
CH 通道層
0H:歐姆接觸層
PE:像素電極
C1、C2:接觸窗
SH1、SH2:遮光部
Ml:第一導(dǎo)電層
M2:第二導(dǎo)電層
M3:第三導(dǎo)電層
SL 掃描線
DL:數(shù)據(jù)線
CL 電極線具體實(shí)施方式
圖IA至圖II是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程剖面示意圖。圖2是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，其中剖面線1-1’以及剖面線11-11’即是對(duì)應(yīng)圖IA至圖II的剖面圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A，在本實(shí)施例中，首先在基板100上形成第一導(dǎo)電層Ml，所述第一導(dǎo)電層Ml包括第一電極E1。在此，基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/ 反射材料(例如導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。第一導(dǎo)電層Ml (第一電極El)的材質(zhì)包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、 金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆迭層。形成第一導(dǎo)電層Ml (第一電極El)的方法例如是采用沉積程序沉積一層導(dǎo)電材料層，之后再以微影及蝕刻程序以圖案化所述導(dǎo)電材料層。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，在第一導(dǎo)電層Ml (第一電極El)上形成第一絕緣層102。第一絕緣層102的材料包括無機(jī)絕緣材料(例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料)或是有機(jī)絕緣材料。形成第一絕緣層102的方法例如是采用化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或是涂布法。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C，于第一絕緣102層上形成第二導(dǎo)電層M2，所述第二導(dǎo)電層M2包括柵極G以及第二電極E2，且第二電極E2位于第一電極El的上方。根據(jù)本實(shí)施例，第二導(dǎo)電層 M2更進(jìn)一步包括掃描線SL以及電極線CL (如圖2所示)，掃描線SL與柵極G電性連接，且電極線CL與第二電極E2電性連接。第二導(dǎo)電層M2的材質(zhì)包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆迭層。形成第二導(dǎo)電層M2的方法例如是采用沉積程序沉積一層導(dǎo)電材料層，之后再以微影及蝕刻程序以圖案化所述導(dǎo)電材料層。
請(qǐng)參照?qǐng)D1D，在第二導(dǎo)電層M2(柵極G以及第二電極E2)上形成第二絕緣層104。 第二絕緣層104的材料包括無機(jī)絕緣材料(例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料)或是有機(jī)絕緣材料。形成第二絕緣層104的方法例如是采用化學(xué)氣相沉積法、 物理氣相沉積法或是涂布法。
請(qǐng)參照?qǐng)D1E，于柵極G上方的第二絕緣層104上形成半導(dǎo)體層SE。根據(jù)本實(shí)施例， 半導(dǎo)體層SE包括通道層CH以及歐姆接觸層0H。形成半導(dǎo)體層SE的方法例如是采用沉積程序依序沉積一層通道材料層以及一層歐姆接觸材料層，之后再以微影及蝕刻程序來圖案化所述兩層材料層。但本發(fā)明不限半導(dǎo)體層SE需包括通道層CH以及歐姆接觸層0H，亦即在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體層SE也可僅包含通道層CH。
請(qǐng)參照?qǐng)D1F，對(duì)第二絕緣層104進(jìn)行圖案化程序，以形成一接觸窗開口 Cl，所述接觸窗開口 Cl裸露出第一電極El。
請(qǐng)參照?qǐng)D1G，于第二絕緣層104上形成第三導(dǎo)電層M3，第三導(dǎo)電層M3包括源極S、漏極D以及第三電極E3。在此，第三導(dǎo)電層M3可進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)線DL。源極S與漏極 D位于半導(dǎo)體層SE上，且第三電極E3位于第二電極E2的上方，且數(shù)據(jù)線DL與源極S電性連接。在本實(shí)施例中，漏極D是與第三電極E3連接在一起。因此漏極D與第三電極E3彼此電性連接。此時(shí)，柵極G、半導(dǎo)體層SE、源極S以及漏極D構(gòu)成薄膜晶體管T，且第一電極 E1、第二電極E2以及第三電極E3構(gòu)成電容器CS。另外，第三電極E3通過形成在第二絕緣層104中的接觸窗開口 Cl而與第一電極El電性連接。
值得一提的是，在本實(shí)施例中，用來使第三電極E3與第一電極El電性連接的接觸窗開口 Cl是設(shè)置在遠(yuǎn)離薄膜晶體管T的區(qū)域。這主要是因?yàn)榭剂康奖苊饨佑|窗開口 Cl造成薄膜晶體管T的電極(柵極G)與電容器CS的電極(第二電極似)產(chǎn)生短路。但，本發(fā)明不限制接觸窗開口 Cl的位置，實(shí)際上，只要是第三電極E3與第一電極El重疊的區(qū)域且不會(huì)造成其他元件短路的區(qū)域皆可。
請(qǐng)參照?qǐng)D1H，于第三導(dǎo)電層M3(源極S、漏極D以及第三電極E3)上形成第三絕緣層106、110。根據(jù)本實(shí)施例，第三絕緣層包括保護(hù)層106以及平坦層110，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實(shí)施例，第三絕緣層也可以是保護(hù)層106或是平坦層110單一膜層。接著，圖案化第三絕緣層110、106以形成接觸窗開口 C2。所述接觸窗開口 C2裸露出第三電極E3。
請(qǐng)參照II，于第三絕緣層106、110上形成像素電極PE，其中像素電極PE與漏極D 電性連接。根據(jù)本實(shí)施例，接觸窗開口 C2是位于第三電極E3并且裸露出第三電極E3，因此像素電極PE通過接觸窗開口 C2可與第三電極E3電性連接。而由于漏極D由直接與第三電極E3連接在一起，因而像素結(jié)構(gòu)PE便可通過接觸窗開口 C2以及第三電極E3而與漏極D電性連接。像素電極PE可為透明像素電極、反射像素電極或是透明像素電極與反射像素電極的組合。所述透明像素電極的材質(zhì)可包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆迭層。反射像素電極的材質(zhì)例如是具有高反射性的金屬材料。
以上述方法所制成的像素結(jié)構(gòu)如圖II以及圖2所示，其包括第一電極E1、第一絕緣層102、柵極G、第二電極E2、第二絕緣層104、半導(dǎo)體層SE、源極S以及漏極D、第三電極 E3、第三絕緣層106、110以及像素電極PE。第一電極El位于基板100上。第一絕緣層102 覆蓋第一電極E1。柵極G位于第一絕緣層102上。第二電極E2位于第一電極El的上方的第一絕緣層102上。第二絕緣層104覆蓋柵極G以及第二電極E2。半導(dǎo)體層SE位于柵極G上方的第二絕緣層104上。源極S以及漏極D位于半導(dǎo)體層SE上，其中柵極G、半導(dǎo)體層SE、源極S以及漏極D構(gòu)成薄膜晶體管T。第三電極E3位于第二電極E2的上方的第二絕緣層104上，其中第三電極E3與第一電極El電性連接，且第一電極E1、第二電極E2以及第三電極E3構(gòu)成電容器CS。第三絕緣層106、110覆蓋源極S、漏極D以及第三電極E3。 像素電極PE位于第三絕緣層110上且與漏極D電性連接。
值得一提的是，在圖2的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管T以及電容器CS是位于像素結(jié)構(gòu)(像素電極PE)的邊緣區(qū)域。但，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實(shí)施例，薄膜晶體管T以及電容器CS是位于像素結(jié)構(gòu)(像素電極PE)的中央?yún)^(qū)域。
承上所述，在上述的實(shí)施例中，由于電容器CS是由第一電極E1、第二電極E2以及第三電極E3構(gòu)成，且第一電極El位于第二電極E2下方的第一絕緣層102的下。因此本發(fā)明可以在不影響像素結(jié)構(gòu)的開口率的前提下提高電容器CS的儲(chǔ)存電容值。另外，由于電容器CS的電極E1、E2、E3都沒有與數(shù)據(jù)線重疊，因此電容器CS的電容不會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)線DL產(chǎn)生干擾，因而不會(huì)增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。
圖3是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖4是圖3的像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線1-1’以及剖面線11-11’的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3以及圖4，此實(shí)施例與上述圖 2的實(shí)施例相似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號(hào)表示，且不在重復(fù)說明。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層Ml除了第一電極El的外，更包括遮光部SH1，遮光部SHl是對(duì)應(yīng)設(shè)置于柵極G的下方的其中一側(cè)且未延伸至數(shù)據(jù)線DL的下方。在此，遮光部SHl可以與第一電極El連接在一起，因此第一導(dǎo)電層Ml的第一電極El與遮光部SHl為一塊狀圖案。換言的，遮光部SHl 是從第一電極El延伸至柵極G的下方。
在柵極G的下方設(shè)置遮光部SHl可以遮蔽來自基板100下方的光線，以避免薄膜晶體管T產(chǎn)生光漏電。一般來說，由于液晶為非自發(fā)光顯示介質(zhì)，因此在顯示面板的背面都需要另外加裝背光模組，以提供顯示面板所需的面光源。而隨著高解析度顯示面板的發(fā)展，背光模組的發(fā)光強(qiáng)度需提升，以滿足高解析度顯示面板所需的亮度。然而，當(dāng)背光模組的發(fā)光強(qiáng)度提升時(shí)，其光線將更容易對(duì)顯示面板中的薄膜晶體管產(chǎn)生光漏電的問題。因此， 本實(shí)施例在第一導(dǎo)電層中設(shè)置遮光部SHl可以避免來自基板100下方的光線(背光模組的光線)對(duì)薄膜晶體管T產(chǎn)生光漏電的問題。換言的，通過遮光部SHl以及柵極G的遮蔽，可以防止來自基板100下方的光線(背光模組的光線)射入半導(dǎo)體層SE，而使得薄膜晶體管 T產(chǎn)生光漏電。
圖5是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖6是圖5的像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線1-1’以及剖面線11-11’的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5以及圖6，此實(shí)施例與上述圖 2的實(shí)施例相似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號(hào)表示，且不在重復(fù)說明。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層Ml除了第一電極El的外，更包括遮光部SHl以及遮光部SH2，遮光部SHl以及遮光部SH2是對(duì)應(yīng)設(shè)置于柵極G的下方的兩側(cè)，并且延伸至數(shù)據(jù)線DL的下方。在此，遮光部 SHl、SH2可以與第一電極El連接在一起，因此第一導(dǎo)電層Ml的第一電極El與遮光部SHl、 SH2為一塊狀圖案。
類似地，在柵極G的下方設(shè)置遮光部SH1、SH2可以遮蔽來自基板100下方的光線， 以避免薄膜晶體管T產(chǎn)生光漏電。換言的，通過遮光部SH1、SH2以及柵極G的遮蔽，可以防止來自基板100下方的光線(背光模組的光線)射入半導(dǎo)體層SE，而使得薄膜晶體管T產(chǎn)生光漏電。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8是依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖8的沿著剖面線1-1’以及11-11’的剖面圖即如圖7所示。請(qǐng)參照?qǐng)D7以及圖8，此實(shí)施例與上述圖6的實(shí)施例相似，因此相同的元件以相同的標(biāo)號(hào)表示，且不在重復(fù)說明。在本實(shí)施例中，接觸窗開口 Cl是位于柵極G以及第二電極E2之間。由于柵極G與第二電極E2都是屬于第二導(dǎo)電層(M2)，因此在定義接觸窗開口 Cl時(shí)則要特別注意避開柵極G以及第二電極E2所在的處，以避免后續(xù)柵極G與第二電極E2之間產(chǎn)生短路。另外，在本實(shí)施例中，接觸窗開口 C2是位于接觸窗開口 Cl的上方。然，本發(fā)明不限制接觸窗開口 C2必需位于接觸窗開口 Cl的正上方。
綜上所述，本發(fā)明的電容器是由第一電極、第二電極以及第三電極構(gòu)成，且第一電極位于第二電極下方的第一絕緣層的下。因此本發(fā)明可以在不影響像素結(jié)構(gòu)的開口率的前提下提高電容器的儲(chǔ)存電容值。另外，因電容器的第一電極、第二電極以及第三電極都不是設(shè)置于數(shù)據(jù)線下方，因此本發(fā)明的電容器不增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。此外，在柵極的下方設(shè)置遮光部可以遮蔽來自基板下方的光線，以避免薄膜晶體管產(chǎn)生光漏電。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括一第一電極，位于一基板上； 一第一絕緣層，覆蓋該第一電極； 一柵極，位于該第一絕緣層上；一第二電極，位于該第一電極的上方的該第一絕緣層上； 一第二絕緣層，覆蓋該柵極以及該第二電極； 一半導(dǎo)體層，位于該柵極上方的該第二絕緣層上；一源極以及一漏極，位于該半導(dǎo)體層上，其中該柵極、該半導(dǎo)體層、該源極以及該漏極構(gòu)成一薄膜晶體管；一第三電極，位于該第二電極的上方的該第二絕緣層上，其中該第三電極與該第一電極電性連接，且該第一電極、該第二電極以及該第三電極構(gòu)成一電容器； 一第三絕緣層，覆蓋該源極、該漏極以及該第三電極；以及一像素電極，位于該第三絕緣層上且與該漏極電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一遮光部，其對(duì)應(yīng)設(shè)置于該柵極的下方，且該遮光部被該第一絕緣層覆蓋。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該遮光部從該第一電極延伸至該柵極的下方。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的其中一側(cè)邊且未延伸至該數(shù)據(jù)線的下方。
5.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的兩側(cè)邊且延伸至該數(shù)據(jù)線的下方。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極與該第三電極連接在一起。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三絕緣層中具有一接觸窗開口，該像素電極通過該接觸窗與該第三電極以及該漏極電性連接。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層以及該第二絕緣層中具有一接觸窗開口，且該第三電極通過該接觸窗開口與該第一電極電性連接。
9.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接觸窗位開口于該柵極以及該第二電極之間。
10.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括在一基板上形成一第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層包括一第一電極； 在該第一導(dǎo)電層上形成一第一絕緣層；于該第一絕緣層上形成一第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括一柵極以及一第二電極，且該第二電極位于該第一電極的上方；在該第二導(dǎo)電層上形成一第二絕緣層； 于該柵極上方的該第二絕緣層上形成一半導(dǎo)體層；于該第二絕緣層上形成一第三導(dǎo)電層，該第三導(dǎo)電層包括一源極、一漏極以及一第三電極，該源極與該漏極位于該半導(dǎo)體層上，該第三電極位于該第二電極的上方且與該第一電極電性連接，其中該柵極、該半導(dǎo)體層、該源極以及該漏極構(gòu)成一薄膜晶體管，且該第一電極、該第二電極以及該第三電極構(gòu)成一電容器；于該第三導(dǎo)電層上形成一第三絕緣層；以及于該第三絕緣層上形成一像素電極，其中該像素電極與該漏極電性連接。
11.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)電層更包括一遮光部，其對(duì)應(yīng)設(shè)置于該柵極的下方。
12.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該遮光部從該第一電極延伸至該柵極的下方。
13.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的其中一側(cè)邊且未延伸至該數(shù)據(jù)線的下方。
14.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的兩側(cè)邊且延伸至該數(shù)據(jù)線的下方。
15.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該漏極與該第三電極連接在一起。
16.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該第三絕緣層之后，更包括在該第三絕緣層中形成一接觸窗開口，以暴露出該第三電極，且該像素電極通過該接觸窗開口與該第三電極電性連接。
17.如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于形成該第二絕緣層之后，更包括在該第一絕緣層以及該第二絕緣層中形成一接觸窗開口，以暴露出該第一電極， 且該第三電極通過該接觸窗開口與該第一電極電性連接。
18.如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該接觸窗開口位于該柵極以及該第二電極之間。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)，其包括第一電極、第一絕緣層、柵極、第二電極、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、源極以及漏極、第三電極、第三絕緣層以及像素電極。第一電極位于基板上。第一絕緣層覆蓋第一電極。柵極位于第一絕緣層上。第二電極位于第一電極的上方的第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋柵極以及第二電極。半導(dǎo)體層位于柵極上方的第二絕緣層上。源極以及漏極位于半導(dǎo)體層上。第三電極位于第二電極的上方的第二絕緣層上且與第一電極電性連接。第三絕緣層覆蓋源極、漏極以及第三電極。像素電極位于第三絕緣層上且與漏極電性連接。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102520556SQ201110396188
公開日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者林志宏, 蔡五柳, 陳茂松, 魏全生, 黃朝祥 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司