專(zhuān)利名稱(chēng)：陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
陣列基板是薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)的主要組成之一，在制造陣列基板的過(guò)程中，通過(guò)減少所使用的光刻掩膜版(Mask)的數(shù)量，可顯著減少陣列基板的制造成本，進(jìn)而能減少TFT IXD的制造成本。圖I示出了具有底柵型薄膜晶體管(TFT)的陣列基板的典型結(jié)構(gòu)，其在襯底11上從下至上依次形成有柵電極12、柵極絕緣層13、有源層14、源電極15、漏電極16、鈍化層17及像素電極18。另外，在鈍化層16中還形成有用于電連接像素電極18及漏電極16的像素電極過(guò)孔19。其中，由于柵電極12表面與襯底11表面之間存在高度差，因此，柵電極12以上的各層在對(duì)應(yīng)于柵電極12邊緣的區(qū)域都具有階差，從而形成了臺(tái)階狀的源電極15及臺(tái)階狀的漏電極16。現(xiàn)有的制造圖I所示的陣列基板的方法已從最初的7Mask技術(shù)發(fā)展為目前的4Mask技術(shù)，4個(gè)Mask分別用于形成圖案化的柵電極、圖案化的有源層及源/漏電極、像素電極過(guò)孔、圖案化的像素電極。在制造上述陣列基板的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)雖然4Mask技術(shù)相比與7Mask技術(shù)已經(jīng)在工藝流程上大大簡(jiǎn)化，設(shè)備利用率和產(chǎn)能也大幅提高，但其仍存在較大的降低成本的空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法，可進(jìn)一步減少所使用掩膜版的數(shù)量，以進(jìn)一步降低陣列基板的制造成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種陣列基板的制造方法，包括形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形； 形成包括像素電極的圖形。進(jìn)一步地，所述陣列基板的有源層包括本征半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，在所述利用等離子體灰化工藝，去除所述第一凹入部的光刻膠，然后刻蝕掉溝道區(qū)域的源/漏金屬層之后，還包括刻蝕掉溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層。進(jìn)一步地，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形，具體包括形成柵絕緣層、有源層及源/漏金屬層；涂布光刻膠，通過(guò)雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，去除位于薄膜晶體管區(qū)域以外區(qū)、域的光刻膠，在薄膜晶體管區(qū)域形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域的第一凹入部及對(duì)應(yīng)于臺(tái)階狀源電極中較低區(qū)域的第二凹入部，其中第二凹入部保留的光刻膠的厚度大于第一凹入部保留的光刻膠的厚度；刻蝕掉沒(méi)有覆蓋所述光刻膠圖案的區(qū)域的源/漏金屬層和有源層，暴露出所述柵絕緣層；利用等離子體灰化工藝，去除所述第一凹入部的光刻膠，然后刻蝕掉溝道區(qū)域的
源/漏金屬層；利用等離子體灰化工藝，去除掉除臺(tái)階狀漏電極中較低區(qū)域上方之外區(qū)域的光刻膠；形成鈍化層，所述鈍化層的厚度小于漏電極區(qū)域保留的光刻膠的厚度，以使所述鈍化層在所述保留的光刻膠的上方形成斷層；去除所述保留的光刻膠及其上的所述鈍化層，以在所述漏電極上方的所述鈍化層中形成鈍化層過(guò)孔。進(jìn)一步地，所述形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形，具體包括在基板上沉積柵金屬層，利用普通掩摸板進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線(xiàn)的圖形。進(jìn)一步地,所述形成包括像素電極的圖形,具體包括在所述鈍化層上及所述鈍化層過(guò)孔中形成像素電極薄膜；利用普通掩膜版對(duì)所述像素電極薄膜進(jìn)行圖案化，以形成包括像素電極的圖形。進(jìn)一步地，當(dāng)所述柵極的厚度為250nm時(shí)，所述鈍化層的厚度為200nm。進(jìn)一步地，所述柵極的材料為鋁、銅、鑰、鉻中之一或任意組合。進(jìn)一步地，所述鈍化層為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層膜，或者為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。進(jìn)一步地，所述柵金屬層、所述源/漏金屬層的形成工藝為濺射工藝。進(jìn)一步地，所述柵絕緣層、所述有源層及所述鈍化層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中，由于通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形，使得整個(gè)陣列基板的制造過(guò)程中僅使用了三個(gè)掩膜版，相比于現(xiàn)有的4Ma sk技術(shù)進(jìn)一步減低了陣列基板的制造成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。 圖I為現(xiàn)有技術(shù)中具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板的剖面示意圖；圖2A 2L為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制造流程的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形；形成包括像素電極的圖形。優(yōu)選地，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形，具體包括形成柵絕緣層、有源層及源/漏金屬層；涂布光刻膠，通過(guò)雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，去除位于薄膜晶體管區(qū)域以外區(qū)域的光刻膠，在薄膜晶體管區(qū)域形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域的第一凹入部及對(duì)應(yīng)于臺(tái)階狀源電極中較低區(qū)域的第二凹入部，其中第二凹入部保留的光刻膠的厚度大于第一凹入部保留的光刻膠的厚度；進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕掉沒(méi)有覆蓋所述光刻膠圖案的區(qū)域的源/漏金屬層和有源層，暴露出所述柵絕緣層；利用等離子體灰化工藝，去除所述第一凹入部的光刻膠，然后刻蝕掉溝道區(qū)域的
源/漏金屬層；利用等離子體灰化工藝，去除掉除臺(tái)階狀漏電極中較低區(qū)域上方之外區(qū)域的光刻膠；形成鈍化層，所述鈍化層的厚度小于漏電極區(qū)域保留的光刻膠的厚度，以使所述鈍化層在所述保留的光刻膠的上方形成斷層；去除所述保留的光刻膠及其上的所述鈍化層，以在所述漏電極上方的所述鈍化層中形成鈍化層過(guò)孔。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中，由于通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形，使得整個(gè)陣列基板的制造過(guò)程中僅使用了三個(gè)掩膜版，相比于現(xiàn)有的4Ma sk技術(shù)進(jìn)一步減低了陣列基板的制造成本。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在本發(fā)明的實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝，包括曝光、顯影、刻蝕等形成圖形的工藝；源/漏電極指源電極和漏電極；源/漏金屬層，指形成源/漏電極的金屬。一次構(gòu)圖工藝，指使用一張掩模板(mask)的構(gòu)圖工藝。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法，參照?qǐng)D2A 圖2L對(duì)該方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。步驟一、形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形。此步驟可以采用任何可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)的現(xiàn)有技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。比如，利用普通掩摸工藝實(shí)現(xiàn)，如圖2A所示，借助普通掩膜版(圖中未示出)對(duì)襯底201上的柵極金屬層(圖中未示出)進(jìn)行圖案化，以形成的圖案化的包括柵極202和柵線(xiàn)(圖中未示出)的圖形。具體地，包括在基板(襯底)上沉積柵金屬層，利用普通掩摸板進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線(xiàn)的圖形。普通(常規(guī))掩膜版指通常所使用的具有透光區(qū)和非透光區(qū)的掩膜版，借助該第一常規(guī)掩膜版對(duì)形成在柵極金屬層上的光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后，需要保留的柵極金屬層上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的柵極金屬層上的光刻膠被去除，通過(guò)刻蝕步驟，將不需要的柵極金屬層刻蝕掉，剩余的柵極金屬層即為所需的圖案化的柵電極202。形成柵極金屬層的工藝可以為濺射工藝，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。
步驟二、通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形。上述方法，可以采用多色調(diào)(Multi-tone)掩模板來(lái)實(shí)現(xiàn)，也可采用雙色調(diào)掩模板并結(jié)合等離子體灰化、離地剝離等工藝實(shí)現(xiàn)。其中，離地剝離是指借助膜層下方的光刻膠的剝離同時(shí)剝離掉光刻膠上方的膜層材料，實(shí)現(xiàn)某些特定圖案的工藝，具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程可參見(jiàn)下述具體實(shí)施例的描述。下面本實(shí)施例將詳細(xì)介紹，采用雙色調(diào)掩模板并結(jié)合等離子體灰化、離地剝離等工藝實(shí)現(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形的技術(shù)方案。具體地，包括如下步驟步驟201、形成柵絕緣層、有源層及源/漏金屬層。如圖2B所示，在完成所述步驟一的所述襯底201上依次形成柵絕緣層203、有源層204及源/漏金屬層205。具體地，在包括柵極202和柵線(xiàn)的襯底201上由下至上依次形成柵極絕緣層203、有源層204及源/漏金屬層205。其中，形成柵極絕緣層203及有源層204的工藝可以為化學(xué)氣相沉積工藝，也可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝；形成源/漏金屬層的工藝可以為濺射工藝，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。步驟202、涂布光刻膠，通過(guò)雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，去除位于薄膜晶體管區(qū)域以外區(qū)域的光刻膠，在薄膜晶體管區(qū)域形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域的第一凹入部及對(duì)應(yīng)于臺(tái)階狀源電極中較低區(qū)域的第二凹入部，其中第二凹入部保留的光刻膠的厚度大于第一凹入部保留的光刻膠的厚度。如圖2C及圖2D所示,該步驟具體包括在完成所述步驟201的所述襯底201上再形成一光刻膠層206，使用灰階掩膜版207 (此處以灰階掩模板為例，也可以使用其他雙色調(diào)掩模板，比如半色調(diào)掩模板等)對(duì)該光刻膠層206進(jìn)行曝光。由于灰階掩膜版207包括對(duì)應(yīng)于將要形成的溝道區(qū)域的第一半曝光區(qū)Al及對(duì)應(yīng)于將要形成的臺(tái)階狀源電極中較低區(qū)域的第二半曝光區(qū)A2，使用該灰階掩膜版207對(duì)該光刻膠層206進(jìn)行曝光、顯影后，會(huì)在光刻膠層206上形成對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)域的第一凹入部BI及對(duì)應(yīng)于所述臺(tái)階狀源電極中較低區(qū)域的第二凹入部B2?；译A掩膜版207上還包括對(duì)應(yīng)于所述臺(tái)階狀源電極中較高區(qū)域的第一遮光部A3，及對(duì)應(yīng)于將要形成的臺(tái)階狀漏電極的第二遮光部A4，灰階掩膜版207上對(duì)應(yīng)于襯底201其它部分的區(qū)域都為透光區(qū)。因此，對(duì)該光刻膠層206進(jìn)行曝光、顯影后，會(huì)形成圖2D所示的光刻膠圖案206'，且該光刻膠圖案206'僅覆蓋將要形成的薄膜晶體管的區(qū)域。步驟203、刻蝕掉沒(méi)有覆蓋光刻膠圖案的區(qū)域的源/漏金屬層和有源層，暴露出所述柵絕緣層。借助所述光刻膠圖案206'對(duì)完成所述步驟202的所述基板進(jìn)行刻蝕，如圖2D所示，刻蝕掉沒(méi)有覆蓋光刻膠圖案的區(qū)域的源/漏金屬層205和有源層204，以在沒(méi)有覆蓋所述光刻膠圖案的襯底上暴露出所述柵極絕緣層203，并形成圖案化的源/漏金屬層205'及圖案化的有源層204'，得到如圖2E所示的圖形。對(duì)源/漏金屬層進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用濕法刻蝕，對(duì)有源層進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用干法刻蝕。步驟204、利用等離子體灰化工藝，去除第一凹入部的光刻膠，然后刻蝕掉溝道區(qū)域的源/漏金屬層。對(duì)完成上述工藝的基板進(jìn)行等離子體灰化處理，去除第一凹入部BI的光刻膠，形成如圖2F所示的光刻膠圖形206"。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，等離子灰化處理時(shí)，其他區(qū)域的光刻膠也會(huì)被去除相同的厚度，但由于其他區(qū)域的光刻膠厚度均大于第一凹入部BI的光刻膠，在第一凹入部BI的光刻膠被去除時(shí)其他區(qū)域仍保留有光刻膠。
利用如圖2F所示的光刻膠圖形206"，刻蝕掉溝道區(qū)域的源/漏金屬層，形成如圖2G所示的圖形，即形成源電極208及漏電極209。當(dāng)有源層為本征半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層時(shí)，需要進(jìn)一步刻蝕掉溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層。當(dāng)有源層為有機(jī)半導(dǎo)體或者金屬氧化物時(shí)，則只需刻蝕源/漏金屬層即可。步驟205、利用等離子體灰化工藝，去除掉除臺(tái)階狀漏電極中較低區(qū)域上方之外區(qū)域的光刻膠。對(duì)圖2G所示基板進(jìn)行等離子體灰化工藝處理，由于在光刻膠圖案上設(shè)置了第二凹入部，使得臺(tái)階狀源電極208上方的光刻膠形狀與臺(tái)階狀源電極208的形狀相匹配，在進(jìn)行灰化步驟時(shí)，臺(tái)階狀源電極208中較低區(qū)域上的光刻膠與較高區(qū)域上的光刻膠能在同一時(shí)刻被完全去除。又由于在臺(tái)階狀漏電極209上方的光刻膠表面平坦，不具有與臺(tái)階狀漏電極209相匹配的形狀，因此在灰化過(guò)程中，臺(tái)階狀漏電極209中較高區(qū)域上的光刻膠被完全刻蝕掉時(shí)，較低區(qū)域上還會(huì)殘留有一些光刻膠，從而形成光刻膠殘留部210 (保留的光刻膠)。即，去除掉了除臺(tái)階狀漏電極中較低區(qū)域上方之外區(qū)域的光刻膠，如圖2H所示。步驟206、形成鈍化層，所述鈍化層的厚度小于漏電極區(qū)域保留的光刻膠的厚度，以使所述鈍化層在所述保留的光刻膠的上方形成斷層。具體地，鈍化層的形成工藝可以為化學(xué)氣相沉積工藝，或是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。如圖21所示，由于鈍化層211的厚度小于所述光刻膠殘留部210的厚度，因此，在所述光刻膠殘留部210的上方，鈍化層211形成斷層，即該處的鈍化層211不連續(xù)。在實(shí)際制造工藝中，光刻膠殘留部210的厚度在通常情況下可以與柵極的厚度相同，因此，只要鈍化層211的厚度小于柵電極的厚度，同樣能形成上述斷層。當(dāng)柵電極的厚度為250nm時(shí)，鈍化層211的厚度優(yōu)選為200nm，不僅能形成上述斷層，還能體現(xiàn)優(yōu)異的絕緣性能。步驟207、去除所述保留的光刻膠及其上的所述鈍化層，以在所述漏電極上方的所述鈍化層中形成鈍化層過(guò)孔。具體地，利用剝離液將保留的光刻膠210(光刻膠殘留部)進(jìn)行剝離處理，保留的光刻膠上方的鈍化層也會(huì)隨著保留的光刻膠的剝離而一起剝離(此處即為離地剝離工藝)，從而在所述漏電極209上的所述鈍化層211中形成鈍化層過(guò)孔212，如圖2J所示。步驟三、形成包括像素電極的圖形。其中一種實(shí)現(xiàn)方法可以為，具體包括如圖2K所示，在所述鈍化層211上及所述鈍化層過(guò)孔212中形成像素電極薄膜213 (比如氧化銦錫薄膜等)；如圖2L所示，利用普通掩膜版對(duì)所述像素電極薄膜進(jìn)行圖案化，以形成包括像素電極213'的圖形。具體地，像素電極 薄膜213的形成工藝可以為濺射工藝，或是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它工藝。借助該普通掩膜版對(duì)形成在氧化銦錫薄膜上的光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影后，需要保留的像素電極薄膜上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的像素電極薄膜上的光刻膠被去除，通過(guò)刻蝕步驟，將不需要的氧化銦錫薄膜刻蝕掉，剩余的像素電極薄膜即為所需的圖案化的像素電極213 ^。需要說(shuō)明的是所述柵金屬層的材料可以為鋁、銅、鑰、鉻中之一或任意組合；所述鈍化層為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層膜，或者為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中，由于通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形，使得整個(gè)陣列基板的制造過(guò)程中僅使用了三個(gè)掩膜版，相比于現(xiàn)有的4Mask技術(shù)進(jìn)一步減低了陣列基板的制造成本。本發(fā)明實(shí)施例主要用于液晶顯示裝置的制造。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形； 通過(guò)一次構(gòu)圖エ藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形； 形成包括像素電極的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)一次構(gòu)圖エ藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形，具體包括 形成柵絕緣層、有源層及源/漏金屬層； 涂布光刻膠，通過(guò)雙色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，去除位于薄膜晶體管區(qū)域以外區(qū)域的光刻膠，在薄膜晶體管區(qū)域形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域的第一凹入部及對(duì)應(yīng)于臺(tái)階狀源電極中較低區(qū)域的第二凹入部，其中第二凹入部保留的光刻膠的厚度大于第一凹入部保留的光刻膠的厚度； 刻蝕掉沒(méi)有覆蓋所述光刻膠圖案的區(qū)域的源/漏金屬層和有源層，暴露出所述柵絕緣層； 利用等離子體灰化工藝，去除所述第一凹入部的光刻膠，然后刻蝕掉溝道區(qū)域的源/漏金屬層； 利用等離子體灰化工藝，去除掉除臺(tái)階狀漏電極中較低區(qū)域上方之外區(qū)域的光刻膠；形成鈍化層，所述鈍化層的厚度小于漏電極區(qū)域保留的光刻膠的厚度，以使所述鈍化層在所述保留的光刻膠的上方形成斷層； 去除所述保留的光刻膠及其上的所述鈍化層，以在所述漏電極上方的所述鈍化層中形成鈍化層過(guò)孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板的有源層包括本征半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，在所述利用等離子體灰化工藝，去除所述第一凹入部的光刻膠，然后刻蝕掉溝道區(qū)域的源/漏金屬層之后，還包括刻蝕掉溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形，具體包括 在基板上沉積柵金屬層，利用普通掩摸板進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線(xiàn)的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成包括像素電極的圖形，具體包括 在所述鈍化層上及所述鈍化層過(guò)孔中形成像素電極薄膜； 利用普通掩膜版對(duì)所述像素電極薄膜進(jìn)行圖案化，以形成包括像素電極的圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板的制造方法，其特征在干，當(dāng)所述柵極的厚度為250nm時(shí)，所述鈍化層的厚度為200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述柵極的材料為鋁、銅、鑰、鉻中之一或任意組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層膜，或者為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述柵金屬層、所述源/漏金屬層的形成エ藝為濺射エ藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述柵絕緣層、所述有源層及所述鈍化層的形成エ藝為化學(xué)氣相沉積エ藝。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板的制造方法，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有的陣列基板的制造方法仍存在較大的降低成本空間的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，包括形成包括柵極和柵線(xiàn)的圖形；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極、鈍化層以及鈍化層過(guò)孔的圖形；形成包括像素電極的圖形。整個(gè)陣列基板的制造過(guò)程中僅使用了三個(gè)掩膜版，相比于現(xiàn)有的4Mask技術(shù)進(jìn)一步減低了陣列基板的制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102629588SQ20111041530
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者李凡, 黃小妹 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司