專利名稱：分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及橋式整流器，具體涉及的是一種含有共N型及共P型的雙二極體晶粒的分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體橋式整流器是利用二極管的單向?qū)ㄐ赃M(jìn)行整流的最常用的電子元器件， 常用來將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?；半波整流利用二極管單向?qū)ㄌ匦裕谳斎霝闃?biāo)準(zhǔn)正弦波的情況下，輸出獲得正弦波的正半部分，負(fù)半部分則損失掉。橋式整流器利用四個(gè)二極管， 兩兩對(duì)接，輸入正弦波的正半部分是兩只管導(dǎo)通，得到正的輸出；輸入正弦波的負(fù)半部分時(shí)，另兩只管導(dǎo)通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到正弦波的正半部分；而橋式整流是對(duì)二極管半波整流的一種改進(jìn)，橋式整流器對(duì)輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。隨著國內(nèi)市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體整流器的大量需求，客戶對(duì)其封裝尺寸要求也越來越小， 如何使得半導(dǎo)體封裝更顯縮小，并且應(yīng)用將朝高頻、高速、大功率、大電流、低功耗、低成本、 高可靠及微型化等方面快速發(fā)展，還有待進(jìn)一步開發(fā)研究。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種全新結(jié)構(gòu)的分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器，其電路簡(jiǎn)單且外型尺寸具有極小化，特別是該整流器厚度超薄。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是為了使得半導(dǎo)體整流器更薄更小，必須要對(duì)其內(nèi)部的電路進(jìn)行改進(jìn)；分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒及一共P型的雙二極體晶粒，其特征在于該共N型晶粒的P型區(qū)與共P型晶粒的相對(duì)應(yīng)的N型區(qū)連接到第一組導(dǎo)線架的一端子電極上；共N型晶粒的另一 P型區(qū)則與共P型晶粒的另一 N型區(qū)連接到所述第一組導(dǎo)線架的另一端子電極上；并且共N型晶粒的N型區(qū)與共P型晶粒的P型區(qū)則分別連接到第二組導(dǎo)線架的兩端子電極上，從而構(gòu)成了一分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器。本實(shí)用新型的有益效果在于通過本實(shí)用新型內(nèi)部電路合理的設(shè)計(jì)，其電路簡(jiǎn)單， 外型尺寸極小，厚度超薄的全新結(jié)構(gòu)；并且與現(xiàn)有技術(shù)的整流器相比，其性能更加穩(wěn)定的特點(diǎn)ο
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明；

圖1及圖2為本實(shí)用新型的超薄整流器的電路示意圖；圖3為本實(shí)用新型的超薄整流器的結(jié)構(gòu)圖；圖4為本實(shí)用新型的超薄整流器的封裝示意具體實(shí)施方式
[0012]如圖1至圖4所示，分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒3 及一共P型的雙二極體晶粒4，所述該共N型的雙二極體晶粒3的P型區(qū)與共P型的雙二極體晶粒4的相對(duì)應(yīng)的N型區(qū)連接到第一組導(dǎo)線架2的一端子電極21上；共N型的雙二極體晶粒3的另一 P型區(qū)則與共P型的雙二極體晶粒4的另一 N型區(qū)連接到所述第一組導(dǎo)線架 2的另一端子電極22上；并且共N型的雙二極體晶粒3的N型區(qū)與共P型的雙二極體晶粒4的P型區(qū)則分別連接到第二組導(dǎo)線架1的兩端子電極(11、12)上，從而構(gòu)成了一分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器。在目前市場(chǎng)上用的同類整流器中，其0. 5 0. 8A/NBS厚度為2. 5mm士0. 2mm ;1 1. 5A/DB/DBS 厚度為3. 3mm+0. lmm/-0. 15mm ；1 1. 5A/DF/DFS 厚度為2. 5mm士0. 2mm ；而本實(shí)用新型貼片整流器的UBS/UBA厚度為1. 4mm+0/-0. 2mm ；其貼片焊點(diǎn)高度為1. 2mm士0. 1mm，并且引線切斷腳后短茬為0. 5 0. 2A mm。本實(shí)用新型可直接貼片于PCB板表面，其外形尺寸較小，并不占用更多的PCB板布線空間，通過該整流器內(nèi)部電路圖的優(yōu)化設(shè)計(jì)，從而使得本實(shí)用新型整流器在厚度設(shè)計(jì)較薄的同時(shí)，其性能更加穩(wěn)定。
權(quán)利要求1.分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒及一共P型的雙二極體晶粒，其特征在于該共N型晶粒的P型區(qū)與共P型晶粒的相對(duì)應(yīng)的N型區(qū)連接到第一組導(dǎo)線架的一端子電極上；共N型晶粒的另一 P型區(qū)則與共P型晶粒的另一 N型區(qū)連接到所述第一組導(dǎo)線架的另一端子電極上；并且共N型晶粒的N型區(qū)與共P型晶粒的P型區(qū)則分別連接到第二組導(dǎo)線架的兩端子電極上，從而構(gòu)成了一分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器。
專利摘要分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器，包括一共N型的雙二極體晶粒及一共P型的雙二極體晶粒，該共N型晶粒的P型區(qū)與共P型晶粒的相對(duì)應(yīng)的N型區(qū)連接到第一組導(dǎo)線架的一端子電極上；共N型晶粒的另一P型區(qū)則與共P型晶粒的另一N型區(qū)連接到所述第一組導(dǎo)線架的另一端子電極上；并且共N型晶粒的N型區(qū)與共P型晶粒的P型區(qū)則分別連接到第二組導(dǎo)線架的兩端子電極上，從而構(gòu)成了一分立半導(dǎo)體貼片超薄整流器；通過本實(shí)用新型內(nèi)部電路合理的設(shè)計(jì)，其電路簡(jiǎn)單，外型尺寸極小，厚度超薄的全新結(jié)構(gòu)；并且與現(xiàn)有技術(shù)的整流器相比，具有性能更加穩(wěn)定的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/31GK202003991SQ20112000602
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月6日
發(fā)明者陳榮紅 申請(qǐng)人:陳榮紅