專利名稱：硅雙向觸發(fā)二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅雙向觸發(fā)二極管，尤其是涉及一種設(shè)置有焊片和引線裝置的硅雙向觸發(fā)二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的二極管一般包括有晶粒，即通常所說的PN結(jié)，但一般包含一個(gè)，晶粒被封裝在塑料內(nèi)，然后晶粒的左右兩端通常兩條引線引出，同時(shí)所采用的原料中鉛等金屬元素較多。實(shí)用新型發(fā)明人在使用中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在下述問題一、晶粒一般未采用三層結(jié)構(gòu)，或雖有三層結(jié)構(gòu)但對稱性不好；二，所采用的材料不夠環(huán)保，超過我國和歐盟等地區(qū)的環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，大量使用對環(huán)境造成較大破壞。有鑒于此，本實(shí)用新型發(fā)明人乃積極開發(fā)研究，并為改進(jìn)上述產(chǎn)品的不足，經(jīng)過長久努力研究與實(shí)驗(yàn)，終于開發(fā)設(shè)計(jì)出本實(shí)用新型的硅雙向觸發(fā)二極管。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種硅雙向觸發(fā)二極管，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)不對稱、容易受到污染及不夠環(huán)保的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，所述晶粒包括NPN三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)中兩端結(jié)構(gòu)完全相同，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。優(yōu)選地，所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層、一防護(hù)層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護(hù)層中央與所述引線連接。優(yōu)選地，所述晶粒的兩端設(shè)置有焊片，所述焊片遇熱融化將所述引線裝置與所述晶粒焊接在一起。優(yōu)選地，所述晶粒和所述連接層相連側(cè)的表面積相等。優(yōu)選地，所述硅雙向觸發(fā)二極管為環(huán)保材料制作。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案后，由于在所述晶粒的三層結(jié)構(gòu)的兩端完全相同，同時(shí)兩側(cè)設(shè)置有引線裝置，引線裝置設(shè)置為干字結(jié)構(gòu)，包括有連接層和防護(hù)層，因此晶粒與引線裝置牢固連接在一起，防護(hù)層能夠使得對引線加工時(shí)不會污染晶粒，使得本實(shí)用新型二極管的連接強(qiáng)度和工作穩(wěn)定性得到提高，同時(shí)采用環(huán)保材料制作，更能保護(hù)環(huán)境。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例分解結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。請參閱圖1和圖2，為本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式
，一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括晶粒1和環(huán)氧模塑料4，所述晶粒1設(shè)置有PNP三層結(jié)構(gòu)，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒1和引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料4將所述晶粒1和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。這樣，引線裝置的設(shè)置可使得本實(shí)用新型的連接更為可靠。上述結(jié)構(gòu)中，所述晶粒1設(shè)置有PNP三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)中兩端結(jié)構(gòu)完全相同，兩端完全對稱的設(shè)置使得本實(shí)用新型兩端所加電壓的伏安特性幾乎完全對稱，較好地實(shí)現(xiàn)兩端觸發(fā)。作為優(yōu)選方式，所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層3、一防護(hù)層5和一引線6，所述連接層3與所述相接，所述引線6的一端連接至連接層3中央，所述防護(hù)層5中央與所述引線6連接并與所述連接層3隔有適當(dāng)距離。如此，當(dāng)所述焊片2遇熱融化將所述引線裝置與所述晶粒1焊接在一起，通常焊片2遇熱融化的溫度設(shè)置為370°C的高溫，以保證焊接的效果，同時(shí)所述晶粒、所述焊片2和所述連接層3相連側(cè)的表面積相等，這樣大幅提高了晶粒1與引線裝置的連接面積，使得連接穩(wěn)固性大幅提高。在二極管的制作工藝中，對引線的處理中存在電鍍錫這樣一個(gè)步驟，在該步驟中引線6放入電鍍槽中滾動時(shí)，由于防護(hù)層5的存在，使得電鍍液不至于粘附在晶粒1上，從而確保了產(chǎn)品的質(zhì)量。同時(shí)，所述硅雙向觸發(fā)二極管為環(huán)保材料制作，二極管的組成材料晶粒1、焊片2、 引線裝置等均采用符合中國“電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法”的有關(guān)規(guī)定，同時(shí)也符合歐盟環(huán)保法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品中五氧化砷等15種高關(guān)注物質(zhì)含量均低于0. 的標(biāo)準(zhǔn)，能夠節(jié)省資源、減少對環(huán)境的污染。同時(shí)，采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案后，本實(shí)用新型產(chǎn)品擊穿電壓值差3V，擊穿電流為100微安，擊穿電壓根據(jù)型號不同，約為幾十伏特，但兩端電壓電流特性完全相同，動態(tài)恢復(fù)電壓為5伏，峰值脈沖電流為2安培，產(chǎn)品性能符合設(shè)計(jì)要求和國家標(biāo)準(zhǔn)。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，其特征在于所述晶粒包括NPN三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)中兩端結(jié)構(gòu)完全相同，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向觸發(fā)二極管，其特征在于所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層、一防護(hù)層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護(hù)層中央與所述引線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅雙向觸發(fā)二極管，其特征在于所述晶粒的兩端設(shè)置有焊片，所述焊片遇熱融化將所述引線裝置與所述晶粒焊接在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅雙向觸發(fā)二極管，其特征在于所述晶粒和所述連接層相連側(cè)的表面積相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的硅雙向觸發(fā)二極管，其特征在于所述硅雙向觸發(fā)二極管為環(huán)保材料制作。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種硅雙向觸發(fā)二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，所述晶粒的兩側(cè)設(shè)置有焊片，所述焊片的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒、焊片與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒、焊片和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。本實(shí)用新型產(chǎn)品可廣泛適用于各種需要使用硅雙向觸發(fā)二極管的場合。
文檔編號H01L29/861GK202084550SQ20112000840
公開日2011年12月21日 申請日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者張春培 申請人:連云港金堂福半導(dǎo)體器件有限公司