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      太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng)的制作方法

      文檔序號(hào):7177893閱讀:1009來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及光電技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng)。
      背景技術(shù)
      隨著全球能源的日趨緊張,太陽(yáng)能以無(wú)污染、市場(chǎng)空間大等獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)受到世界各國(guó)的廣泛重視。光伏發(fā)電具有安全可靠、無(wú)噪聲、故障率低等優(yōu)點(diǎn),太陽(yáng)能電池是光伏發(fā)電技術(shù)中將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換為電能的主要器件。常見(jiàn)的晶體硅太陽(yáng)能電池是由背電極、背場(chǎng)、半導(dǎo)體材料構(gòu)成的P型層、N型層、 P-N結(jié)、減反射薄膜、正面柵電極等部分構(gòu)成。當(dāng)太陽(yáng)光照射到太陽(yáng)能電池表面時(shí),減反射薄膜和絨面結(jié)構(gòu)可有效減少電池表面的光反射損失。太陽(yáng)能電池中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)吸收太陽(yáng)光能后,激發(fā)產(chǎn)生電子、空穴對(duì),電子、空穴對(duì)被半導(dǎo)體內(nèi)部P-N結(jié)自建電場(chǎng)分開(kāi),電子流入N 區(qū),空穴流入P區(qū),形成光生電場(chǎng),如果將晶體硅太陽(yáng)電池的正、負(fù)電極與外部電路連接,外部電路中就有光生電流流過(guò)。目前多數(shù)的晶硅太陽(yáng)能電池采用P型硅片,經(jīng)過(guò)磷擴(kuò)散后形成P-N結(jié),在P型硅上制作背電極和背場(chǎng),在擴(kuò)散形成的N面制作正面柵電極,整個(gè)器件利用P-N結(jié)的光生伏特效應(yīng)來(lái)工作。采用絲網(wǎng)印刷制作的晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)中,背場(chǎng)主要由鋁漿燒結(jié)形成,起到表面鈍化降低背表面復(fù)合速率,提供背發(fā)射增加光程,形成歐姆接觸,降低接觸電阻,利用鋁吸雜效應(yīng),提高少子壽命,另外在電池片背面形成P+層鋁背場(chǎng)來(lái)提高太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓,進(jìn)而提高其轉(zhuǎn)換效率和輸出功率。因此,增大背場(chǎng)的覆蓋面積以提高電池片的使用效率顯得尤為重要,而盲目地增加覆蓋面積可能會(huì)使?jié){料漏到電池片的邊沿導(dǎo)致電池片的正負(fù)極發(fā)生短路。因此,在增大背場(chǎng)的覆蓋面積這個(gè)問(wèn)題上,控制背場(chǎng)邊沿與電池片邊沿的距離十分關(guān)鍵。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),以解決太陽(yáng)能電池片使用效率不高的問(wèn)題。本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),所述背場(chǎng)覆蓋在太陽(yáng)能電池片的背表面,并且所述背場(chǎng)的邊沿距離太陽(yáng)能電池片的邊沿為0. 4mm至0. 6mm。優(yōu)選地,所述背場(chǎng)的邊沿距離太陽(yáng)能電池片的邊沿為0. 5mm。優(yōu)選地,所述背場(chǎng)由鋁漿燒結(jié)形成。本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),將背場(chǎng)范圍拓寬至太陽(yáng)能電池片邊沿的 0. 4mm至0. 6mm,背場(chǎng)面積增大可以有效降低背表面載流子的復(fù)合率,進(jìn)而增強(qiáng)短路電流。 對(duì)進(jìn)入太陽(yáng)能電池片內(nèi)部的光線,增大的背場(chǎng)面積可以延長(zhǎng)光線反射的光程,配合表面絨面結(jié)構(gòu)可以形成光陷阱效果,進(jìn)一步提高光的利用率。

      [0010]參照附圖閱讀了本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
      以后,將會(huì)更清楚地了解本實(shí)用新型的各個(gè)方面。其中,圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng)的分布結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū),本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是, 附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率,僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。本實(shí)用新型的核心思想在于,提供一種太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),將背場(chǎng)范圍拓寬至太陽(yáng)能電池片邊沿的0. 4mm至0. 6mm,背場(chǎng)面積增大可以有效降低背表面載流子的復(fù)合率, 進(jìn)而增強(qiáng)短路電流。對(duì)進(jìn)入太陽(yáng)能電池片內(nèi)部的光線,增大的背場(chǎng)面積可以延長(zhǎng)光線反射的光程,配合表面絨面結(jié)構(gòu)可以形成光陷阱效果,進(jìn)一步提高光的利用率。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng)的分布結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D 1,太陽(yáng)能電池片10的背場(chǎng)11覆蓋在太陽(yáng)能電池片10的背表面,并且所述背場(chǎng)11的邊沿距離太陽(yáng)能電池片10的邊沿為0. 4mm至0. 6mm。在本實(shí)施例中,所述背場(chǎng)11的邊沿距離太陽(yáng)能電池片10的邊沿為0. 5mm。所述背場(chǎng)11由鋁漿燒結(jié)形成,將背場(chǎng)11的面積拓寬而不致使鋁漿漏至太陽(yáng)能電池片10的邊沿引起電池的正負(fù)極短路。增加的背場(chǎng)11面積可以進(jìn)一步有效降低背表面載流子的復(fù)合率,進(jìn)而增強(qiáng)短路電流。對(duì)進(jìn)入太陽(yáng)能電池片10內(nèi)部的光線,增大的背場(chǎng)11面積可以延長(zhǎng)光線反射的光程,配合表面絨面結(jié)構(gòu)可以形成光陷阱效果,進(jìn)一步提高光的利用率。制作太陽(yáng)能電池片10電極可以采用絲網(wǎng)印刷、蒸發(fā)、濺射、電鍍、噴涂等任何制作電極的方法,在本實(shí)施例中,采用絲網(wǎng)印刷的方式制作背場(chǎng)11和背電極12。首先選取檢驗(yàn)合格的P型單晶硅片,規(guī)格為125mmX 125mm,經(jīng)過(guò)化學(xué)清洗和表面制絨以在單晶硅片上形成金字塔結(jié)構(gòu),增加光的吸收,提高電池片的短路電流和轉(zhuǎn)換效率;再利用高溫?cái)U(kuò)散或者離子注入等工藝在P型單晶硅片上制作出N型的晶硅層,這樣便形成了 P-N結(jié)結(jié)構(gòu),然后經(jīng)過(guò)等離子刻蝕去除邊沿的擴(kuò)散層,通過(guò)化學(xué)腐蝕去掉擴(kuò)散形成的磷硅玻璃層,淀積氮化硅增透薄膜,所述氮化硅增透薄膜能減少硅片表面的光反射率,同時(shí)利用氫離子的成鍵來(lái)增強(qiáng)硅片表面和體內(nèi)的鈍化效果,降低載流子的復(fù)合;最后利用絲網(wǎng)印刷先后制作背電極12和背場(chǎng)11。增大的背場(chǎng)11面積不僅能用在上述規(guī)格的P型單晶硅片,太陽(yáng)能電池片10的材料還可以是規(guī)格為156mmX 156mm的多晶硅。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解,所述太陽(yáng)能電池的材料可以是單晶硅、多晶娃,還可以是有機(jī)半導(dǎo)體、納米材料、低維材料等。本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能電池10的背場(chǎng)11,僅需設(shè)計(jì)絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版結(jié)構(gòu),然后按照絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版結(jié)構(gòu)來(lái)制作背電極12和背場(chǎng)11,無(wú)需購(gòu)置新設(shè)備,不會(huì)增加額外成本,對(duì)各種類(lèi)型的太陽(yáng)能電池和各種制作正面、背面電極的工藝均可達(dá)到規(guī)?;a(chǎn)。上文中,參照附圖描述了本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
      。但是,本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解,在不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下,還可以對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
      作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本實(shí)用新型權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),所述背場(chǎng)覆蓋在太陽(yáng)能電池片的背表面,并且所述背場(chǎng)的邊沿距離所述太陽(yáng)能電池片的邊沿為0. 4mm至0. 6mm。
      2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),其特征在于,所述背場(chǎng)的邊沿距離所述太陽(yáng)能電池片的邊沿為0. 5mm。
      3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),其特征在于,所述背場(chǎng)由鋁漿燒結(jié)形成。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),所述背場(chǎng)覆蓋在太陽(yáng)能電池片的背表面,并且所述背場(chǎng)的邊沿距離所述太陽(yáng)能電池片的邊沿為0.4mm至0.6mm。本實(shí)用新型提供的太陽(yáng)能電池片的背場(chǎng),將背場(chǎng)范圍拓寬至太陽(yáng)能電池片邊沿的0.4mm至0.6mm,背場(chǎng)面積增大可以有效降低背表面載流子的復(fù)合率,進(jìn)而增強(qiáng)短路電流。對(duì)進(jìn)入太陽(yáng)能電池片內(nèi)部的光線,增大的背場(chǎng)面積可以延長(zhǎng)光線反射的光程,配合表面絨面結(jié)構(gòu)可以形成光陷阱效果,進(jìn)一步提高光的利用率。
      文檔編號(hào)H01L31/0224GK202049960SQ201120118220
      公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月20日
      發(fā)明者馮帥臣, 孫堅(jiān), 張茂勝, 李勇, 陳清波 申請(qǐng)人:江蘇伯樂(lè)達(dá)光伏有限公司
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