新型多晶硅太陽(yáng)能電池片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池片。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池片是一種由于光生伏特效應(yīng)而將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件，是一種新型電源，具有永久性、清潔性和靈活性三大特點(diǎn)。但現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池片存在轉(zhuǎn)換效率低、生產(chǎn)成本高等不足。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述情況提供一種印刷漿料用量少，光電轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽(yáng)能電池片。本實(shí)用新型的目的可通過(guò)以下方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種新型多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片，硅片的表面設(shè)有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對(duì)稱線上，另外二根分置在所述對(duì)稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣的距離均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成，所述氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間，所述氮化硅薄膜鈍化層厚度為42— 45nm，折射率為2.02—2.12，所述二氧化鈦薄膜厚度為42— 45nm，折射率為2.15—2.25，由于二氧化鈦薄膜主要起減反射作用，減少太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射，提高太陽(yáng)能的光電轉(zhuǎn)換效率；氮化硅薄膜鈍化層主要起鈍化作用，減少電池的表面復(fù)合，改善電池性能；所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，一列背電極位于硅片背面中間，其余兩列背電極各自距離中間一列背電極52mm，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線，所述框線呈間隔狀均勻布滿背電極周邊，所述背電極是長(zhǎng)為18mm且寬為2.3mm的矩形豎條狀，且同列背電極之間的間隔為12mm，每列背電極中位于首尾兩端的背電極與硅片邊緣的間隔各自為9_，這種結(jié)構(gòu)和背電極能減少漿料的使用，降低制造成本。本實(shí)用新型具有漿料耗量少，光電轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0004]圖1，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0005]圖2，本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0006]圖3，背電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]圖4，每段背電極與框線結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]對(duì)照?qǐng)D1、圖2、圖3、圖4可知，一種新型多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片1，硅片的表面設(shè)有反折射膜2，反折射膜的上面印有主柵線3和次柵線4，硅片的背面印有背電極5，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對(duì)稱線上，另外二根分置在所述對(duì)稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40.，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣的距離均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成，所述氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間，所述氮化硅薄膜鈍化層厚度為42— 45nm，折射率為2.02—2.12，所述二氧化鈦薄膜厚度為42— 45nm，折射率為2.15-2.25，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，一列背電極位于硅片背面中間，其余兩列背電極各自距離中間一列背電極52_，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線6，所述框線呈間隔狀均勻布滿背電極周邊，所述背電極是長(zhǎng)為18mm且寬為2.3mm的矩形豎條狀，且同列背電極之間的間隔為12mm，每列背電極中位于首尾兩端的背電極與硅片邊緣的間隔各自為9mm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片(1)，硅片的表面設(shè)有反折射膜(2)，反折射膜的上面印有主柵線(3)和次柵線(4)，硅片的背面印有背電極(5)，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對(duì)稱線上，另外二根分置在所述對(duì)稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40.，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣的距離均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形；所述反折射膜是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成，所述氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間，所述氮化硅薄膜鈍化層厚度為42— 45nm，折射率為2.02-2.12，所述二氧化鈦薄膜厚度為42— 45nm，折射率為2.15-2.25，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，一列背電極位于硅片背面中間，其余兩列背電極各自距離中間一列背電極52mm，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線(6)，所述框線呈間隔狀均勻布滿背電極周邊，所述背電極是長(zhǎng)為18mm且寬為2.3mm的矩形豎條狀，且同列背電極之間的間隔為12mm，每列背電極中位于首尾兩端的背電極與硅片邊緣的間隔各自為9mm ο
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種新型多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片，硅片的表面設(shè)有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線，本實(shí)用新型具有漿料耗量少，光電轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。
【IPC分類】H01L31-0216, H01L31-042, H01L31-0224
【公開(kāi)號(hào)】CN204348730
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520091123
【發(fā)明人】葉挺寧
【申請(qǐng)人】江西金泰新能源有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年2月10日