專利名稱：一種減壓干燥設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及薄膜晶體管液晶顯示器的制造領(lǐng)域，具體涉及一種減壓干燥設(shè)備。
背景技術(shù)：
在目前的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)的生產(chǎn)制造過程中，需要采取多次曝光的技術(shù)。其每次曝光前都需要進行光阻的涂覆和涂覆后的減壓干燥的工藝方法。在減壓干燥過程中，大型基板很容易產(chǎn)生干燥不均，造成在整個基板范圍內(nèi)的光阻厚度和角度的不均勻，繼而影響到后續(xù)工程的生產(chǎn)制造，每一次的不均勻都可能造成產(chǎn)品的顯示品質(zhì)下降，而在目前的薄膜晶體管液晶顯示器中使用半曝光的情況越來越多，因此干燥不均對產(chǎn)品的影響也尤為突出。圖Ia為現(xiàn)有減壓干燥設(shè)備的頂蓋部分的示意圖；圖Ib為現(xiàn)有減壓干燥設(shè)備的底座部分的示意圖。如圖Ia和圖Ib所示，頂蓋部分相當于一個蓋子，底座部分相當于一個沒有蓋子的盒子，兩者共同可以圍成一個腔體。從圖中可以看出，現(xiàn)有的減壓干燥設(shè)備腔室的上蓋板上是密閉的，腔室的下蓋板有四個抽氣孔，分布在下底座的四個角落。參見圖2所示，在減壓干燥過程中，需要在抽氣孔1與氣泵(Pump)(圖中未示出) 之間設(shè)有一個抽氣閥門2進行控制，當抽氣閥門2打開時，可以進行抽氣；當抽氣閥門2關(guān)閉時，減壓干燥設(shè)備腔室即為一封閉的空間，腔體內(nèi)的氣體無法排出。在現(xiàn)有技術(shù)中，抽氣孔一般為1 4個不等，抽氣閥門一般為1 2個。由于流體存在粘滯性，所以在抽氣過程中，存在抽氣口附近氣體流動快；越遠離抽氣口速度越慢的問題。由于氣體流動的不均勻性造成了基板表面的壓力不均，造成光刻膠的干燥程度也不同。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種減壓干燥設(shè)備，使其在對基板進行減壓干燥時，可提高減壓干燥的均勻性。本實用新型實施例提供的一種減壓干燥設(shè)備，所述減壓干燥設(shè)備腔室的至少一個蓋板上具有抽氣孔，其中，所述蓋板上距離中心位置越近的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越大； 蓋板上距離中心位置越遠的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越小。本實用新型實施例通過布局減壓干燥設(shè)備抽氣孔的模式，可以保證整個基板范圍內(nèi)的減壓干燥過程中抽氣時的流動均勻性，保證光阻在減壓干燥過程中的均勻性，從而提高光阻的厚度和角度在整個基板上分布的均勻性。

圖Ia為現(xiàn)有減壓干燥設(shè)備的頂蓋部分的示意圖；圖Ib為現(xiàn)有減壓干燥設(shè)備的底座部分的示意圖；[0011]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中利用氣泵對減壓干燥設(shè)備進行抽氣的示意圖；圖3a為本實用新型實施例的減壓干燥設(shè)備的頂蓋部分的示意圖；圖北為本實用新型實施例的底座部分的意圖；圖如為本實用新型實施例的減壓干燥設(shè)備的上蓋的示意圖；圖4b為本實用新型實施例的減壓干燥設(shè)備的下蓋的示意圖。
具體實施方式
為了提高對基板進行減壓干燥的均勻性，參見圖3a和圖北所示，本實用新型實施例的減壓干燥設(shè)備腔室的至少一個蓋板上具有抽氣孔，其中，所述蓋板上距離中心位置越近的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越大；蓋板上距離中心位置越遠的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越小。所述蓋板可以為上蓋板或下蓋板，即只有一個蓋板上具有抽氣孔，或者所述蓋板為上蓋板和下蓋板，即上蓋板和下蓋板上都具有抽氣孔。所述蓋板上的抽氣孔的孔徑大小可以相同，也可以不同。比如根據(jù)所述蓋板上與中心的距離不同，所述抽氣孔的孔徑不同。 進一步地，可以設(shè)置為距離中心越遠的抽氣孔孔徑越大。當然，還可以根據(jù)腔體的容積變化抽氣孔的大小。
以下結(jié)合附圖舉具體實施例詳細說明本實用新型的技術(shù)方案。參見圖如所示，本實施例的減壓干燥設(shè)備的上蓋中具有抽氣孔，從圖中可以看出，按照距離基板的位置，上蓋板上分布有均勻度不一的抽氣孔，中間部分的抽氣孔的分布密集，四周的抽氣孔的分布稀疏。參見圖4b所示，本實施例的減壓干燥設(shè)備的下蓋中具有抽氣孔，從圖中可以看出，按照距離基板的位置，下蓋板上分布有均勻度不一的抽氣孔，中間部分的抽氣孔的分布密集，四周的抽氣孔的分布稀疏。該實施方式中，下蓋板中的抽氣孔的孔徑比現(xiàn)有技術(shù)中的孔徑小，個數(shù)比現(xiàn)有技術(shù)中的個數(shù)多，分布情況可以為距離中心位置越近的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越大；距離中心位置越遠的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越小。當然，本實用新型還可以在上蓋板和下蓋板上同時設(shè)置抽氣孔，抽氣孔的具體設(shè)置方式如上所述。本實用新型實施例的減壓干燥設(shè)備的蓋板上分布有若干排氣孔，并且距離中心位置越近的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越大；距離中心位置越遠的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越小。利用該設(shè)備進行減壓干燥時，可以使被干燥的基板的上方和/或下方的蓋板上各個部位增加抽氣孔，使其在抽氣過程中的氣體流動盡量統(tǒng)一。也可以根據(jù)腔體的容積和尺寸，改變各個排氣口的孔徑大小，從而更好地維護此氣體流速的均一性。本實用新型是利用調(diào)整在光阻涂覆后的減壓干燥設(shè)備腔室的構(gòu)造。可以通過改變減壓干燥的設(shè)備腔室的抽氣孔的模式、孔徑的大小以及排布方式變化達到在整個基板范圍內(nèi)的減壓干燥過程中抽氣時氣體的流動均勻性，保證光阻在減壓干燥過程中的均勻性，提高光阻的厚度和角度在整個基板上分布的均勻性。特別對于在半曝光的制程中，薄膜晶體管的溝道以及類似的半曝光部分在玻璃基板上光阻的厚度和角度分布的均勻性得到改善。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種減壓干燥設(shè)備，其特征在于，所述減壓干燥設(shè)備腔室的至少一個蓋板上具有抽氣孔，其中，所述蓋板上距離中心位置越近的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越大；蓋板上距離中心位置越遠的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減壓干燥設(shè)備，其特征在于，所述蓋板為上蓋板，或者為下蓋板，或者為上蓋板和下蓋板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥設(shè)備，其特征在于，根據(jù)所述蓋板上與中心的距離不同，所述抽氣孔的孔徑不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減壓干燥設(shè)備，其特征在于，距離中心越遠的抽氣孔孔徑越大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥設(shè)備，其特征在于，所述蓋板上的抽氣孔的孔徑大小相同。
專利摘要本實用新型公開了一種減壓干燥設(shè)備，所述減壓干燥設(shè)備腔室的至少一個蓋板上具有抽氣孔，其中，所述蓋板上距離中心位置越近的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越大；蓋板上距離中心位置越遠的區(qū)域，抽氣孔的分布密度越小。本實用新型實施例通過布局減壓干燥設(shè)備抽氣孔的模式，可以保證整個基板范圍內(nèi)的減壓干燥過程中抽氣時的流動均勻性，保證光阻在減壓干燥過程中的均勻性，從而提高光阻的厚度和角度在整個基板上分布的均勻性。
文檔編號H01L21/00GK202067075SQ20112019235
公開日2011年12月7日 申請日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者李勃 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司