專利名稱：一種提高硅片平整度的拋光頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉提高硅片平整度的拋光頭，用于提高硅片拋光的平整度。
背景技術(shù)：
硅片在拋光加工過程中，使用有彈性的拋光墊，在一定的壓力下配合拋光藥液進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，由于彈性的原因使得硅片從邊緣到中心承受的壓力逐步減小，經(jīng)過拋光后，硅片整體形狀會(huì)變成中心鼓起，向邊緣逐步塌陷的“面包”狀，靠近邊緣的地方塌陷或更嚴(yán)重，產(chǎn)生“塌邊”現(xiàn)象，即邊緣比其它地方有明顯的塌陷，對整個(gè)硅片的平整度有比較大的影響。產(chǎn)生這種幾何缺陷以后，通過通常的機(jī)械化學(xué)拋光方法很難解決，重新進(jìn)行機(jī)械研磨，由于成品硅片厚度有一定限制，又不允許，拋光累計(jì)時(shí)間稍長便會(huì)導(dǎo)致硅片因?yàn)槠秸仍蚨l(fā)生不合格，由于單片硅片的價(jià)值很高，所以提高硅片平整度就成為本領(lǐng)域有待解決的技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種提高硅片平整度的拋光頭，其可通過調(diào)節(jié)氣體壓力或者換，用不同的彈性材料用以適應(yīng)不同尺寸硅片，以提高硅片拋光的平整度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是設(shè)計(jì)一種提高硅片平整度的拋光頭， 其特征在于，所述拋光頭包括硅片的固定盤、拋光墊、氣囊和上拋光盤，所述上拋光盤的斷面為倒U形，所述上拋光盤位于硅片的固定盤的上方，所述氣囊固定在所述上拋光盤的底面，所述拋光墊固定在所述氣囊的底面。其中優(yōu)選的技術(shù)方案是，所述氣囊為球狀氣囊。其中優(yōu)選的技術(shù)方案還包括，所述硅片固定盤為矩形盤。其中優(yōu)選的技術(shù)方案還包括，所述上拋光盤與硅片固定盤相對應(yīng)，亦為矩形盤。其中優(yōu)選的技術(shù)方案還包括，所述氣囊在非充氣狀態(tài)時(shí)為盤狀，緊貼上拋光盤的下表面。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于該提高硅片平整度的拋光頭可通過調(diào)節(jié)氣體壓力或者換用不同的彈性材料用以適應(yīng)不同尺寸的硅片，從而達(dá)到提高硅片拋光平整度的效果。

圖1是本實(shí)用新型提高硅片平整度的拋光頭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中氣囊2充氣狀態(tài)示意圖；圖3是本實(shí)用新型提高硅片平整度的拋光頭對硅片進(jìn)行拋光的示意圖。圖中1、上拋光盤；2、氣囊；3、拋光墊；4、加工硅片；5、硅片固定盤。氣囊固定在上拋光盤的上面，未充氣時(shí)氣囊同其下表面貼緊。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。如圖1所示，本實(shí)用新型是一種提高硅片平整度的拋光頭，包括硅片固定盤5，硅片固定盤5為矩形盤；拋光盤1，上拋光盤1的斷面為倒U形，上拋光盤1與硅片固定盤5相對應(yīng)，亦為矩形盤；氣囊2，氣囊2固定在上拋光盤1的底面，氣囊可以充氣，其中氣囊2為一球狀氣囊，在同硅片接觸時(shí)產(chǎn)生的壓力從氣囊中心到邊緣壓力逐步減小，該氣囊2在非充氣狀態(tài)時(shí)為平面，緊貼上拋光盤1的下表面；拋光墊3，拋光墊3固定在氣囊2的底面；欲將硅片拋光時(shí)，將氣囊2充氣，將硅片固定在硅片固定盤5上面，控制上拋光盤1的轉(zhuǎn)動(dòng)及上拋光盤1的上下位移，由拋光墊3對硅片拋光。其中氣囊2為一球狀氣囊，在同硅片接觸時(shí)產(chǎn)生的壓力從氣囊中心到邊緣壓力逐步減小。本實(shí)用新型提高硅片平整度的拋光頭，見圖1，裝置采用一個(gè)帶有通氣孔的矩形鐵盤1，上面貼上一層有彈性的氣囊2，氣囊2下面貼有拋光墊3，充氣后該氣囊膨脹，形成一個(gè)球截面見圖2，上面貼上拋光墊配合拋光液進(jìn)行對硅片進(jìn)行拋光；由于氣囊2中心鼓起，同硅片4接觸施壓時(shí)，壓力從硅片中心到邊緣，由大逐步變小，硅片的去除量也就相應(yīng)的從中心到邊緣逐步變小，這種過程正好彌補(bǔ)同正常拋光的方法帶來的塌邊缺陷，可應(yīng)用到硅片的平整度修整中。調(diào)節(jié)氣體壓力或者換用不同的彈性材料用以適應(yīng)不同尺寸硅片的拋光。如圖3，使用硅片固定盤5固定四英寸硅片4，采用直徑97mm的拋光盤1，中心留有通氣孔。平面氣囊2從外面包著拋光盤，壓縮空氣通過中心孔通入氣囊中，調(diào)解氣體壓力是氣囊鼓起大概2-3毫米左右，通入拋光液，降下拋光頭，拋光墊3同硅片接觸，兩者基本重合，拋光墊3同硅片接觸直徑大約98-99毫米，最外圈1毫米左右的硅片部分在跑光過程中不作任何處理。施加壓力使拋光頭同硅片緊密接觸，然后拋光頭帶動(dòng)氣囊和拋光墊開始自轉(zhuǎn)，根據(jù)需要修整硅片的具體參數(shù)確定加工壓力和時(shí)間，加工時(shí)一般選擇對硅片背面，經(jīng)過幾分鐘的拋光，去除了硅片中心鼓起的材料部分，硅片的平整度一般可以由7個(gè)微米恢復(fù)到2-3微米以內(nèi)。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種提高硅片平整度的拋光頭，其特征在于，所述拋光頭包括硅片的固定盤、拋光墊、氣囊和上拋光盤，所述上拋光盤的斷面為倒U形，所述上拋光盤位于硅片的固定盤的上方，所述氣囊固定在所述上拋光盤的底面，所述拋光墊固定在所述氣囊的底面。
2.如權(quán)利要求1所述的提高硅片平整度的拋光頭，其特征在于，所述氣囊為球狀氣囊。
3.如權(quán)利要求1所述的提高硅片平整度的拋光頭，其特征在于，所述硅片固定盤為矩形盤。
4.如權(quán)利要求1所述的提高硅片平整度的拋光頭，其特征在于，所述上拋光盤與硅片固定盤相對應(yīng)，亦為矩形盤。
5.如權(quán)利要求1所述的提高硅片平整度的拋光頭，其特征在于，所述氣囊在非充氣狀態(tài)時(shí)為盤狀，緊貼上拋光盤的下表面。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種提高硅片平整度的拋光頭，該拋光頭包括硅片的固定盤、拋光墊、氣囊和上拋光盤，所述上拋光盤的斷面為倒U形，所述上拋光盤位于硅片的固定盤的上方，所述氣囊固定在所述上拋光盤的底面，所述拋光墊固定在所述氣囊的底面。該提高硅片平整度的拋光頭可通過調(diào)節(jié)氣體壓力或者換用不同的彈性材料用以適應(yīng)不同尺寸的硅片，從而達(dá)到提高硅片拋光平整度的效果。
文檔編號H01L21/304GK202185817SQ20112026143
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者李向清, 沈彪, 胡德良 申請人:江陰市愛多光伏科技有限公司