硅片雙面拋光工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明硅片雙面拋光工藝，包括：第一步，硅片正面處理，在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑，使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；第二步，硅片背面處理，在硅片正面涂覆粘結(jié)劑，將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蝕層，使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘結(jié)劑，對硅片表面平坦度進行測定，使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；第三步，硅片正面最終修整，在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑和顆粒。本發(fā)明取消內(nèi)襯載體，簡化作業(yè)流程。
【專利說明】硅片雙面拋光工藝【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的硅片拋光工藝，特別是一種硅片雙面拋光工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]原硅片雙面拋光工藝流程為:貼付一正面一次拋光一剝離一AC-16洗凈一厚度分類一貼付一反面一次拋光一剝離一AC-16洗凈一ADE —厚度分類一治具刷洗一硅片嵌入治具上一反面一次拋光一反面二次拋光一手工剝離一治具刷洗一硅片嵌入治具上一正面一次拋光一正面二次拋光一手工剝離一AC-16洗凈一AC-14洗凈一終檢。
[0003]此流程合計供給24項，在對于硅片的精拋光過程中，實施的是無蠟型嵌入式載體加工，基本上是純手工操作，不同規(guī)格厚度的硅片需要采用不同厚度的載體，由人工用手一枚一枚嵌入孔內(nèi)，每次加工一次，再全部取出硅片，再對孔內(nèi)進行刷洗，刷洗后再嵌入硅片進行加工，以此反復(fù)進行，同時也是因人而異，在此實施的過程中，可變因素較多，極易發(fā)生作業(yè)事故，導(dǎo)致產(chǎn)品及工治具的損壞。
[0004]基本可歸納以下幾個問題點:
[0005]1、作業(yè)流程繁瑣，操作復(fù)雜，作業(yè)效率低下；
[0006]2、良品率低下；
[0007]3、易發(fā)生硅片破片及加工治具報廢(內(nèi)襯載體及研磨布)；
[0008]4、不同厚度規(guī)格產(chǎn)品需要使用不同厚度的載體(需要制作多幅載體)；
[0009]5、需另外人員配置及較長時間的人員培訓(xùn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種簡化操作流程、大幅提高良品率的硅片雙面拋光工藝。
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明硅片雙面拋光工藝，包括:第一步，硅片正面處理，具體為在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；第二步，硅片背面處理，具體為在硅片正面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘結(jié)劑，對硅片表面平坦度進行測定，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；第三步，硅片正面最終修整，具體為在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑和顆粒。
[0012]所述粘結(jié)劑為蠟。所述鏟刀的材質(zhì)為特氟龍。
[0013]本發(fā)明硅片雙面拋光工藝取消內(nèi)襯載體的使用及實施有蠟貼付拋光，簡化作業(yè)流程?？偨Y(jié)歸納以下幾點:
[0014]1、完全消除手工作業(yè)，良品率有大幅度提聞;
[0015]2、完全可以利用現(xiàn)有的工治具進行任何該類型產(chǎn)品的加工，無需再增加其他任何購置成本；
[0016]3、操作流程簡便、作業(yè)周期縮短、作業(yè)效率高；
[0017]4、無需再擔(dān)心加工過程中發(fā)生破片，導(dǎo)致硅片及研磨布的報廢；
[0018]5、無需再對人員的培訓(xùn)及配置，完全可以在現(xiàn)有的工作模式中完成。
【具體實施方式】
[0019]本發(fā)明硅片雙面拋光工藝，包括:第一步，硅片正面處理，具體為在硅片背面涂覆蠟，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用特氟龍鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的蠟，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；第二步，硅片背面處理，具體為在硅片正面涂覆蠟，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蝕層，然后使用特氟龍鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片正面的蠟，對硅片表面平坦度進行測定，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；第三步，硅片正面最終修整，具體為在硅片背面涂覆蠟，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用特氟龍伊刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的蠟和顆粒。
[0020]本發(fā)明硅片雙面拋光工藝完全是利用現(xiàn)有的加工設(shè)備，采用有蠟貼付在陶瓷板上。取消載體的使用，正、反兩面貼付，以此完成雙面拋光硅片的加工。此過程中，完全屬于機器自動貼付、拋光完成，人員僅是做簡單的搬運陶瓷板動作，所以在此實施過程中，人員手完全沒有接觸到硅片，硅片表面損傷就大大減少，良率較原工藝相比，整整提高約20%。
[0021]本發(fā)明硅片雙面拋光工藝取消內(nèi)襯載體的使用及實施有蠟貼付拋光，簡化作業(yè)流程?？偨Y(jié)歸納以下幾點:
[0022]1、完全消除手工作業(yè)，良品率有大幅度提聞;
[0023]2、完全可以利用現(xiàn)有的工治具進行任何該類型產(chǎn)品的加工，無需再增加其他任何購置成本；
[0024]3、操作流程簡便、作業(yè)周期縮短、作業(yè)效率高；
[0025]4、無需再擔(dān)心加工過程中發(fā)生破片，導(dǎo)致硅片及研磨布的報廢；
[0026]5、無需再對人員的培訓(xùn)及配置，完全可以在現(xiàn)有的工作模式中完成。
[0027]以上已對本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于實施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.硅片雙面拋光工藝，其特征在于，包括如下步驟: 第一步，硅片正面處理，具體為在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定； 第二步，硅片背面處理，具體為在硅片正面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘結(jié)劑，對硅片表面平坦度進行測定，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定； 第三步，硅片正面最終修整，具體為在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑和顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片雙面拋光工藝，其特征在于，所述粘結(jié)劑為蠟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片雙面拋光工藝，其特征在于，所述鏟刀的材質(zhì)為特氟龍。
【文檔編號】H01L21/304GK103567857SQ201310539683
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月4日
【發(fā)明者】余圖斌, 賀賢漢, 余卓朋, 李星 申請人:上海申和熱磁電子有限公司