專利名稱：一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的pfa片架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及拋光硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架。
背景技術(shù)：
拋光硅片是集成電路產(chǎn)業(yè)最重要的基礎(chǔ)材料，電路被加工在拋光硅片的表面。伴隨著集成電路的特征線寬越來(lái)越小，硅片表面顆粒的直徑和數(shù)量越來(lái)越成為硅片質(zhì)量的重 要參數(shù)。拋光硅片在拋光后一般通過(guò)RCA、MEC等濕法清洗來(lái)時(shí)表面顆粒和表面金屬指標(biāo)達(dá)到客戶的要求。硅拋光片的最終清洗結(jié)束時(shí)只有通過(guò)甩干或者異丙醇干燥才能獲得潔凈干燥的表面。甩干是使硅拋光片在離心力的作用下去除表面吸附水而干燥的方式。異丙醇干燥技術(shù)是一種通過(guò)異丙醇蒸汽或者異丙醇和氮?dú)獾幕旌驼羝麑⒐杵砻娴乃?qiáng)制置換的干燥方法。硅拋光片在拋光后的清洗過(guò)程中，一般一個(gè)片架可以裝25或者26片，常用的硅拋光片的尺寸為4、5、6、8、12英寸，為避免硅拋光片表面之間相互擦傷，如圖I和圖2所示，片架內(nèi)的硅拋光片之間被片架內(nèi)的卡槽所隔離。在異丙醇干燥過(guò)程中，硅拋光片正面和背面都會(huì)與片架的卡槽所接觸，而接觸處的隙縫會(huì)有水殘留。在干燥硅拋光片過(guò)程中，殘留的水會(huì)在硅片表面的邊沿留下水跡，水跡的位置會(huì)有高密度的表面顆粒存在，使硅拋光片達(dá)不到表面顆粒的指標(biāo)要求。水跡的存在會(huì)降低硅拋光片的異丙醇干燥的成品率，該步的成品率一般只能達(dá)到85-90%。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架，提供提聞廣品的成品率。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架，包括框架，所述框架兩側(cè)設(shè)有側(cè)擋條，所述側(cè)擋條通過(guò)4-6根支柱支撐；所述側(cè)擋條上設(shè)有多個(gè)卡槽條。所述卡槽條之間的間距略大于硅拋光片的厚度。有益效果由于采用了上述的技術(shù)方案，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果本實(shí)用新型通過(guò)改變片架原先的設(shè)計(jì)形貌，主要是改變了卡槽的形狀設(shè)計(jì)和擴(kuò)大卡槽間的間距來(lái)減少硅拋光片在異丙醇干燥過(guò)程中殘留水跡的保留機(jī)會(huì)，盡可能的通過(guò)異丙醇將硅片表面的水膜置換完全，尤其是降低水膜與片架接觸部位的殘留機(jī)會(huì)，從而降低水跡出現(xiàn)的概率。因此本實(shí)用新型能夠顯著降低硅拋光片經(jīng)過(guò)異丙醇干燥后在硅片表面邊沿留下水跡的機(jī)會(huì)，顯著提高硅拋光片異丙醇干燥步驟地一次良品率。
圖I是現(xiàn)有技術(shù)的硅拋光片和片架接觸的正視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的硅拋光片和片架接觸的側(cè)視圖；圖3是PFA片架用于硅拋光片在異丙醇中干燥的示意圖；圖4是硅拋光片和片架接觸的正視圖；圖5是硅拋光片和片架接觸的側(cè)視圖；圖6是本實(shí)用新型的立體圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。本實(shí)用新型的實(shí)施方式涉及一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架，如圖3-6所示，包括框架9，所述框架9兩側(cè)設(shè)有側(cè)擋條6，所述側(cè)擋條6通過(guò)4-6根支柱7支撐；所述側(cè)擋條6上設(shè)有多個(gè)開(kāi)口朝向框架9內(nèi)側(cè)的卡槽條5。其中，所述卡槽條5之間的間距略大于硅拋光片的厚度，，并且所有與硅片接觸的位置有足夠的光潔度，如此卡槽條5之間預(yù)留足夠大的空間，保證硅拋光片在內(nèi)有相當(dāng)?shù)目臻g抖動(dòng)。與現(xiàn)有技術(shù)相比可見(jiàn)，本實(shí)用新型中大部分側(cè)面卡槽條被設(shè)計(jì)保留成兩段極短的部分，僅保留少數(shù)幾根支柱支撐框架，使用本實(shí)用新型的卡槽形狀和卡槽尺寸的片架和硅拋光片僅僅只有很少的幾個(gè)位置接觸，并以點(diǎn)接觸為主。本實(shí)用新型的工作方式如下先將硅拋光片I放入新設(shè)計(jì)的PFA片架2中，然后通過(guò)清洗機(jī)經(jīng)過(guò)清洗液清洗后放入異丙醇干燥機(jī)3內(nèi)，當(dāng)干燥箱內(nèi)充滿異丙醇蒸汽4時(shí)，硅拋光片I被干燥機(jī)內(nèi)的頂?shù)?頂起來(lái)，當(dāng)硅拋光片I離開(kāi)新設(shè)計(jì)的PFA片架2的底部接觸點(diǎn)緩緩升起時(shí)，硅拋光片與新設(shè)計(jì)的片架2的接觸點(diǎn)就只有左右各2個(gè)點(diǎn)，而由于異丙醇蒸汽4的不斷噴吹，導(dǎo)致硅拋光片在卡槽條5內(nèi)能夠有足夠的震動(dòng)，而且接觸的點(diǎn)不多，從而使硅拋光片I正面和背面與新設(shè)計(jì)的片架I的卡槽條5接觸位置的水膜也很容易被異丙醇置換帶走，這樣大大降低了殘留水跡的機(jī)會(huì)。實(shí)際得到的硅拋光片異丙醇干燥步驟的成品率可以達(dá)到95%以上。值得一提的是，本實(shí)用新型同樣適用于硅拋光片在異丙醇中干燥的各類花籃和載具，實(shí)現(xiàn)方式相當(dāng)靈活。不難發(fā)現(xiàn)，本實(shí)用新型通過(guò)改變片架原先的設(shè)計(jì)形貌，主要是改變了卡槽的形狀設(shè)計(jì)和擴(kuò)大卡槽間的間距來(lái)減少硅拋光片在異丙醇干燥過(guò)程中殘留水跡的保留機(jī)會(huì)，盡可能的通過(guò)異丙醇將硅片表面的水膜置換完全，尤其是降低水膜與片架接觸部位的殘留機(jī)會(huì)，從而降低水跡出現(xiàn)的概率。因此本實(shí)用新型能夠顯著降低硅拋光片經(jīng)過(guò)異丙醇干燥后在硅片表面邊沿留下水跡的機(jī)會(huì)，顯著提高硅拋光片異丙醇干燥步驟地一次良品率。
權(quán)利要求1.一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架，包括框架(9)，所述框架(9)兩側(cè)設(shè)有側(cè)擋條出)，其特征在于，所述側(cè)擋條(6)通過(guò)4-6根支柱(7)支撐；所述側(cè)擋條(6)上設(shè)有多個(gè)開(kāi)ロ朝所述框架(9)內(nèi)側(cè)的卡槽條(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架，其特征在于，所述卡槽條(5)之間的間距略大于硅拋光片的厚度。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于硅拋光片在異丙醇中干燥的PFA片架，包括框架，所述框架兩側(cè)設(shè)有側(cè)擋條，所述側(cè)擋條通過(guò)4-6根支柱支撐；所述側(cè)擋條上設(shè)有多個(gè)卡槽條。本實(shí)用新型通過(guò)改變片架原先的設(shè)計(jì)形狀，改變了卡槽的形狀設(shè)計(jì)和擴(kuò)大卡槽間的間距來(lái)減少硅拋光片在異丙醇干燥過(guò)程中殘留水跡的保留機(jī)會(huì)，盡可能的通過(guò)異丙醇將硅片表面的水膜置換完全，尤其是降低水膜與片架接觸部位的殘留機(jī)會(huì)，從而降低水跡出現(xiàn)的概率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK202547297SQ20122015118
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月11日
發(fā)明者盧峰, 厲惠宏, 張世波, 徐國(guó)科, 李剛, 李自炳, 林曉華, 王昆鵬, 田達(dá)晰 申請(qǐng)人:浙江金瑞泓科技股份有限公司