專利名稱：一種高頻半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種高頻半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
氮化鎵的介質(zhì)擊穿電場(chǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅或砷化鎵，因此采用氮化鎵制成的半導(dǎo)體元件能夠承受很高的電壓。而且氮化鎵能夠與其他鎵類化合物半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，能夠有效降低電離雜質(zhì)散射，這些特性使氮化鎵特別適用于制造高頻的大功率半導(dǎo)體元件，尤其是射頻器件和高耐壓大電流的開(kāi)關(guān)器件。但是器件的柵長(zhǎng)決定了器件的本征電流增益截止頻率，對(duì)于小柵長(zhǎng)的器件而言，功率增益和功率附加效率都難以增加，使電子在距離表面很近的情況下，容易受到表面態(tài)的影響，難以形成良好的歐姆接觸，而且源極和漏極的電阻過(guò)高，降低了半導(dǎo)體元件的頻率響應(yīng)特性。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種高頻半導(dǎo)體元件。本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)措施實(shí)現(xiàn)。一種高頻半導(dǎo)體元件，包括氮化鎵制成的半導(dǎo)體核心、封裝外殼和引線框架，所述引線框架的一部分和所述半導(dǎo)體核心設(shè)置于所述封裝外殼內(nèi)，所述半導(dǎo)體核心包括襯底、 半導(dǎo)體層和隔離層，所述隔離層上設(shè)置有η型摻雜層，所述半導(dǎo)體層電連接有源極和漏極， 所述隔離層電連接有柵極，所述柵極與所述η型摻雜層電氣分離。所述柵極和η型摻雜層之間設(shè)置有鈍化層。所述η型摻雜層與源極和漏極接觸。所述柵極包括浮柵結(jié)構(gòu)。所述柵極和隔離層之間設(shè)置有介質(zhì)層。本實(shí)用新型用生長(zhǎng)的方式實(shí)現(xiàn)了摻雜層形成，采用離子注入的方式使金屬和半導(dǎo)體之間的隧穿幾率更快，從而降低了歐姆接觸電阻，增強(qiáng)了半導(dǎo)體元件的頻率響應(yīng)特性。

利用附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明，但附圖中的內(nèi)容不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制。圖1是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的右視圖。圖3是圖1的仰視圖。附圖標(biāo)記封裝外殼1，引腳2。
具體實(shí)施方式
[0017]結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例1本實(shí)施例的高頻半導(dǎo)體元件如圖1-3所示，包括氮化鎵制成的半導(dǎo)體核心、封裝外殼和引線框架，所述引線框架的一部分和所述半導(dǎo)體核心設(shè)置于所述封裝外殼內(nèi)，所述半導(dǎo)體核心包括襯底、半導(dǎo)體層和隔離層，所述隔離層上設(shè)置有η型摻雜層，所述半導(dǎo)體層電連接有源極和漏極，所述隔離層電連接有柵極，所述柵極與所述η型摻雜層電氣分離。實(shí)施例2本實(shí)施例參照?qǐng)D1-3，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，所述柵極和η型摻雜層之間設(shè)置有鈍化層。所述η型摻雜層與源極和漏極接觸。所述柵極包括浮柵結(jié)構(gòu)。所述柵極和隔離層之間設(shè)置有介質(zhì)層。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種高頻半導(dǎo)體元件，其特征在于包括氮化鎵制成的半導(dǎo)體核心、封裝外殼和引線框架，所述引線框架的一部分和所述半導(dǎo)體核心設(shè)置于所述封裝外殼內(nèi)，所述半導(dǎo)體核心包括襯底、半導(dǎo)體層和隔離層，所述隔離層上設(shè)置有η型摻雜層，所述半導(dǎo)體層電連接有源極和漏極，所述隔離層電連接有柵極，所述柵極與所述η型摻雜層電氣分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體元件，其特征在于所述柵極和η型摻雜層之間設(shè)置有鈍化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體元件，其特征在于所述η型摻雜層與源極和漏極接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體元件，其特征在于所述柵極包括浮柵結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻半導(dǎo)體元件，其特征在于所述柵極和隔離層之間設(shè)置有介質(zhì)層。
專利摘要一種高頻半導(dǎo)體元件，包括氮化鎵制成的半導(dǎo)體核心、封裝外殼和引線框架，所述引線框架的一部分和所述半導(dǎo)體核心設(shè)置于所述封裝外殼內(nèi)，所述半導(dǎo)體核心包括襯底、半導(dǎo)體層和隔離層，所述隔離層上設(shè)置有n型摻雜層，所述半導(dǎo)體層電連接有源極和漏極，所述隔離層電連接有柵極，所述柵極與所述n型摻雜層電氣分離。所述柵極和n型摻雜層之間設(shè)置有鈍化層。所述n型摻雜層與源極和漏極接觸。所述柵極包括浮柵結(jié)構(gòu)。所述柵極和隔離層之間設(shè)置有介質(zhì)層。本實(shí)用新型用生長(zhǎng)的方式實(shí)現(xiàn)了摻雜層形成，采用離子注入的方式使金屬和半導(dǎo)體之間的隧穿幾率更快，從而降低了歐姆接觸電阻，增強(qiáng)了半導(dǎo)體元件的頻率響應(yīng)特性。
文檔編號(hào)H01L29/45GK202231017SQ20112032367
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月31日
發(fā)明者席伍霞 申請(qǐng)人:杰群電子科技(東莞)有限公司