專利名稱：一種新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及PECVD設(shè)備中晶圓傳送領(lǐng)域，具體為通過設(shè)計(jì)一種獨(dú)特的頂針結(jié)構(gòu)完成該頂針在加熱盤升降孔內(nèi)的順利升降。
背景技術(shù)：
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)的原理是利用低溫等離子體作為能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。在成膜過程中，為了使真空機(jī)械手與加熱盤進(jìn)行晶圓傳送，需要晶圓在加熱盤上順利升降，而晶圓的順利升降需要靠頂針的升降帶動(dòng)完成。頂針置于加熱盤上的升降孔中，在成膜過程中，由于腔體內(nèi)的高溫作用，加熱盤上的升降孔孔徑會(huì)變小，因此頂針與加熱盤的升降孔產(chǎn)生的摩擦力大，使得頂針升降不順暢，加熱盤與真空機(jī)械手傳輸晶圓的穩(wěn)定性差。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種獨(dú)特的頂針結(jié)構(gòu)，以減少頂針與升降孔的摩擦力，從而完成該頂針在加熱盤升降孔中的順利升降，進(jìn)而帶動(dòng)晶圓在加熱盤上的順利升降。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)由端頭和頂桿構(gòu)成，頂桿的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)。上述的新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)端頭和頂桿為一體結(jié)構(gòu)。上述的新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)所述的頂桿的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)，每一臺(tái)階的直徑相同或不同。本實(shí)用新型的原理如下當(dāng)PECVD設(shè)備需要進(jìn)行晶圓在加熱盤與真空機(jī)械手傳輸時(shí)，需要將晶圓從加熱盤表面升起，而此時(shí)由于高溫作用，加熱盤升降孔會(huì)變小，由于將頂針的頂桿外表面制成竹節(jié)狀不同直徑，減少了頂針與加熱盤升降孔的接觸面積，有效的減少了摩擦力，使得頂針在加熱盤的升降孔內(nèi)升降順暢，實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱盤表面的順利升降。本實(shí)用新型的有益效果是①通過將頂桿的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)，每相鄰段臺(tái)階的直徑不同，因此頂桿的外表面并不完全與升降孔壁接觸，因而減少了頂針與加熱盤升降孔的接觸面積，也就減少了摩擦，使得頂針在加熱盤升降孔中升降順暢，實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱盤表面的順利升降。②成本低。只需將頂針的外表面加工成所需要的竹節(jié)狀臺(tái)階，即可以起到減少與加熱盤內(nèi)孔摩擦力的作用。③穩(wěn)定性高。由于摩擦力減小，使得頂針穩(wěn)定升降，也即帶動(dòng)晶圓穩(wěn)定升降，提高了加熱盤與真空機(jī)械手傳輸晶圓的穩(wěn)定性。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型與加熱盤的連接示意圖。圖3是本實(shí)用新型與加熱盤的連接剖視圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，一種新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)由端頭(1)和頂桿(2)構(gòu)成，頂桿(2)的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)。上述的新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)端頭(1)和頂桿(2)為一體結(jié)構(gòu)。上述的新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)所述的頂桿(2)的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)， 每一臺(tái)階的直徑相同或不同。如圖2和圖3所示，操作時(shí)，將本實(shí)用新型置于加熱盤(3)上的升降孔(4)內(nèi)，在 PECVD工藝時(shí)，當(dāng)需要進(jìn)行晶圓在加熱盤與真空機(jī)械手傳輸時(shí)，通過頂針在加熱盤升降內(nèi)孔中的升降，實(shí)現(xiàn)晶圓的升降。
權(quán)利要求1.一種新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)，其特征在于由端頭(1)和頂桿(2)構(gòu)成，頂桿(2)的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)，其特征在于端頭(1)和頂桿(2)為一體結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的頂桿(2)的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)，每一臺(tái)階的直徑相同或不同。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種新型晶圓升降頂針結(jié)構(gòu)。采用的技術(shù)方案是由端頭和頂桿構(gòu)成，頂桿的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)。端頭和頂桿為一體結(jié)構(gòu)。所述的頂桿的外表面制成竹節(jié)狀臺(tái)階結(jié)構(gòu)，每一臺(tái)階的直徑相同或不同。本實(shí)用新型減少了頂針與加熱盤升降內(nèi)孔的接觸面積，也就減少了摩擦，使得頂針在加熱盤升降內(nèi)孔中升降順暢，實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱盤表面的順利升降，提高了加熱盤與真空機(jī)械手傳輸晶圓的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01L21/673GK202307840SQ201120442520
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月10日
發(fā)明者凌復(fù)華, 李忠然 申請(qǐng)人:沈陽拓荊科技有限公司