專利名稱：一種陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)、陣列基板以及顯示裝置。
技術(shù)背景L形狀對(duì)位標(biāo)識(shí)是陣列測試時(shí)電子發(fā)射器定位用的一種標(biāo)識(shí)，可以使電子發(fā)射器找到每個(gè)工作區(qū)域的中心點(diǎn)，使電子束精確的打中測試的像素區(qū)域。通常需要至少2至3個(gè)對(duì)位標(biāo)識(shí)完成精確對(duì)位，對(duì)位標(biāo)識(shí)的數(shù)量越多則對(duì)位越精準(zhǔn)。由于受到對(duì)位標(biāo)識(shí)對(duì)位器械識(shí)別范圍的限制，大尺寸顯示屏的陣列基板的周邊需要制作很多對(duì)位標(biāo)識(shí)，以滿足精確對(duì)位的要求?，F(xiàn)有技術(shù)中對(duì)位標(biāo)識(shí)的結(jié)構(gòu)如圖2和圖3所示，在柵極(Gate) 102上方的柵絕緣層和鈍化層有橋孔(Via Hole)106，透明電極105形成對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案，并通過橋孔106與柵極102連接在一起。對(duì)位標(biāo)識(shí)的工作原理是，電信號(hào)經(jīng)由柵極，通過橋孔傳達(dá)到透明電極從而顯示出對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案。由于各層結(jié)構(gòu)的圖形不同，每層結(jié)構(gòu)與其周邊的環(huán)境形成了高度差，通常稱為端差。由圖3中可以看出，陣列基板上基板101、柵極絕緣層103、柵極鈍化層104這三層為有效區(qū)域共同的結(jié)構(gòu)。因此高于這三層形成的端差可以稱之為正端差，而低于這三層形成的端差可稱為負(fù)端差。圖3中顯示最大的端差為柵極102右端橋孔106位置附近拱起的高坡與圖右側(cè)柵極鈍化層104的高度差，理論值等于柵極102和透明電極105的厚度之和，該端差為正端差。正端差會(huì)對(duì)摩擦工藝中使用到的摩擦布造成損傷。摩擦工藝是液晶顯示器件制作中非常重要的步驟。摩擦強(qiáng)度不均勻很容易在產(chǎn)品上顯示出來。如果在進(jìn)行摩擦工藝時(shí)，摩擦布的絨毛損傷，會(huì)導(dǎo)致?lián)p傷部位摩擦強(qiáng)度與其他地方不同。如圖I所示為一款32英寸顯示屏周邊的L形對(duì)位標(biāo)識(shí)(L Mark) 100的分布示意圖，L形對(duì)位標(biāo)識(shí)100孤立延伸在玻璃基板上，且裸露不被取向膜覆蓋。在進(jìn)行摩擦工藝時(shí)，這類裸露對(duì)位標(biāo)識(shí)的正端差會(huì)對(duì)摩擦布的絨毛造成損傷。以圖I所示的32英寸顯示屏為例，左右兩側(cè)的對(duì)位標(biāo)識(shí)100在摩擦方向正好延伸至顯示區(qū)。摩擦工藝進(jìn)行到對(duì)位標(biāo)識(shí)100上時(shí)，由于正端差的存在，摩擦布表面的絨毛受損，導(dǎo)致該處摩擦強(qiáng)度與其他地方不同，在產(chǎn)品上則表現(xiàn)為該處比其他地方灰度偏低，在暗態(tài)下最為明顯，稱之為LO水平黑線。已有的測試經(jīng)驗(yàn)顯示，裸露在基板上，孤立的正端差才容易造成LO水平黑線。圖I中左右兩側(cè)的L形對(duì)位標(biāo)識(shí)100都有可能在水平方向上延伸出一條LO水平黑線，這種不良的存在大大降低了產(chǎn)品品質(zhì)，使企業(yè)遭受重大的經(jīng)濟(jì)損失。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種減小正端差對(duì)摩擦工藝中摩擦布損傷的對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)，該陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)包括聯(lián)接區(qū)和對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)，所述聯(lián)接區(qū)自下而上分別為基板和柵極；所述對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)自下而上分別為基板、柵絕緣層、鈍化層和透明電極，所述透明電極延伸至聯(lián)接區(qū)，并覆蓋在聯(lián)接區(qū)的柵極上。其中，對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的厚度大于聯(lián)接區(qū)的厚度。其中，對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的像素電極具有對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案。其中，對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案為L形。其中，柵極的寬度為180μπι 220μπι。本實(shí)用新型還提供一種陣列基板，包括上述的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)。本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。(三)有益效果上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)的柵極上方?jīng)]有柵絕緣層和鈍化層，不再采用橋孔聯(lián)接?xùn)艠O和像素電極，而是在聯(lián)接區(qū)刻蝕掉鈍化層和柵絕緣層后直接將像素電極覆蓋在柵電極上，形成柵極和像素電極的聯(lián)接結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)消除了現(xiàn)有技術(shù)中柵極末端橋孔附近的正端差，極大地減小了在進(jìn)行摩擦工藝時(shí)端差對(duì)摩擦布絨毛的損傷。相應(yīng)地，使用了上述陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)的陣列基板、以及使用上述陣列基板的顯示裝置，也具有上述優(yōu)點(diǎn)。

圖I是一種32英寸顯示屏周邊的L形對(duì)位標(biāo)識(shí)分布示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)對(duì)位標(biāo)識(shí)俯視圖；圖3是圖2中A-A截面視圖；圖4是圖2中B-B截面視圖；圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例俯視圖；圖6是圖5中C-C截面視圖；圖7是圖5中D-D截面視圖。其中，100 :L形對(duì)位標(biāo)識(shí)；101 :基板；102 :柵極；103 :柵絕緣層；104 :鈍化層；105 :透明電極；106 :橋孔；107 :對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)包括聯(lián)接區(qū)和對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)，柵極和像素電極在水平方向重疊的區(qū)域?yàn)槁?lián)接區(qū)，例如圖2所示現(xiàn)有技術(shù)中的Hl區(qū)域，即圖3中hi左側(cè)透明電極105覆蓋的區(qū)域；聯(lián)接區(qū)外其他透明電極覆蓋的區(qū)域?yàn)閷?duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)。本實(shí)施例是本實(shí)用新型在大尺寸液晶顯示屏上的應(yīng)用，本實(shí)施例TFT陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)俯視圖如圖5所示，其聯(lián)接區(qū)為圖中所示的H2區(qū)域，即圖6中h2左側(cè)透明電極105覆蓋的區(qū)域，柵極102和透明電極105在聯(lián)接區(qū)聯(lián)接在一起。透明電極105覆蓋的聯(lián)接區(qū)外的其他區(qū)域?yàn)閷?duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)，對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的透明電極105有一 L形狀的對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案107。如圖6和圖7所示，在聯(lián)接區(qū)的基板101上有柵極102，對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的基板101上依次有柵絕緣層103、鈍化層104和透明電極105，透明電極105延伸至聯(lián)接區(qū)，并覆蓋在柵極102上。對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的厚度大于聯(lián)接區(qū)的厚度，也就是說在聯(lián)接區(qū)形成一個(gè)凹陷區(qū)域，其端差為負(fù)端差。本實(shí)施例結(jié) 構(gòu)中不存在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中裸露在外的正端差，極大的減小了在進(jìn)行摩擦工藝時(shí)端差對(duì)摩擦布絨毛的損傷。此外，減小摩擦方向端差的面積同樣可以降低對(duì)位標(biāo)識(shí)對(duì)摩擦工藝的影響。本實(shí)施例將現(xiàn)有技術(shù)中柵極102的寬度d從1400 μ m左右減小至180 μ m 220 μ m,以減小由于對(duì)位標(biāo)識(shí)對(duì)摩擦工藝影響造成的LO水平黑線的寬度，使其不易被察覺。本實(shí)施例中聯(lián)接區(qū)的功能是實(shí)現(xiàn)柵極102和透明電極105的聯(lián)接，其形狀不受限制、在不斷路的情況下其尺寸越小越好，可根據(jù)產(chǎn)品或工藝需要進(jìn)行調(diào)整。上述實(shí)施例中對(duì)位標(biāo)識(shí)的制作不需要改變TFT陣列基板的工藝順序，在TFT陣列基板的柵極102、柵絕緣層103、有源層、鈍化層104、電極線等制作完畢后，經(jīng)過如下步驟制作而成SI :通過曝光掩膜工藝將聯(lián)接區(qū)柵極102上的柵絕緣層103和鈍化層104刻蝕掉；S2 :沉積制作透明電極105 ；S3 :在透明電極105上刻蝕出對(duì)位標(biāo)識(shí)的圖案?，F(xiàn)有設(shè)計(jì)需要在聯(lián)接區(qū)刻蝕出橋孔，其使用的掩模板對(duì)應(yīng)聯(lián)接區(qū)橋孔的位置有橋孔圖形。本實(shí)用新型為消除橋孔位置帶來的正端差，需要對(duì)整個(gè)聯(lián)接區(qū)的柵絕緣層和鈍化層進(jìn)行刻蝕，因此使用了與現(xiàn)有設(shè)計(jì)不同的掩模板。步驟SI中曝光掩膜工藝使用的掩模板，在掩模板對(duì)應(yīng)陣列基板聯(lián)接區(qū)的位置有聯(lián)接區(qū)圖形，根據(jù)具體工藝的不同，該圖形區(qū)域可以是透光區(qū)或遮光區(qū)。例如，曝光掩膜工藝所使用的光刻膠為正膠，掩模板聯(lián)接區(qū)圖形區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)，反之則為遮光區(qū)。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種陣列基板，使用了上述的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，使用了上述的陣列基板。所述顯示裝置，可以為液晶面板、OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)面板、電泳顯示面板、手機(jī)、監(jiān)視器、平板電腦、電視等任何可以實(shí)現(xiàn)顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體，包括聯(lián)接區(qū)和對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)，其特征在于，所述聯(lián)接區(qū)自下而上分別為基板和柵極；所述對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)自下而上分別為基板、柵絕緣層、鈍化層和透明電極；所述透明電極延伸至聯(lián)接區(qū)，并覆蓋在聯(lián)接區(qū)的柵極上。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體，其特征在于，所述對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的厚度大于聯(lián)接區(qū)的厚度。
3.如權(quán)利要求I或2所述的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體，其特征在于，所述對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)的透明電極具有對(duì)位標(biāo)識(shí)圖案。
4.如權(quán)利要求I或2所述的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體，其特征在于，所述柵極的寬度為 180 μ m 220 μ m。
5.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求I 4任一項(xiàng)所述的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求5所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)結(jié)構(gòu)單元體、使用該對(duì)位標(biāo)識(shí)的陣列基板，以及顯示裝置。本實(shí)用新型公開的陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)包括聯(lián)接區(qū)和對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)，聯(lián)接區(qū)自下而上分別為基板和柵極；對(duì)位標(biāo)識(shí)顯示區(qū)自下而上分別為基板、柵絕緣層、鈍化層和透明電極；透明電極延伸至聯(lián)接區(qū)，并覆蓋在聯(lián)接區(qū)的柵極上。本實(shí)用新型消除了現(xiàn)有技術(shù)中柵極末端橋孔附近的正端差，極大的減小了在進(jìn)行摩擦工藝時(shí)端差對(duì)摩擦布絨毛的損傷。相應(yīng)地，使用了上述陣列基板對(duì)位標(biāo)識(shí)的陣列基板、以及使用上述陣列基板的顯示裝置，也具有上述優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L27/12GK202513149SQ201120467920
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者張龍, 楊端, 汪劍成, 王彪, 胡勇, 郭紅光 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司