專利名稱：分割濺鍍靶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及接合多個(gè)靶構(gòu)件而得的分割濺鍍靶，尤其涉及在靶構(gòu)件為由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成時(shí)所適用的分割濺鍍靶。
背景技術(shù)：
近年，濺鍍法在制造信息機(jī)器、AV機(jī)器、家電制品等各種電子零組件時(shí)用得很多，例如，在液晶顯示裝置等的顯示裝置中，薄膜晶體管(簡稱TFT)等的半導(dǎo)體組件就是通過濺鍍法形成。因?yàn)闉R鍍法是極為有效的將構(gòu)成透明電極層等的薄膜，以大面積、高精度形成的制法。
然而，最近的半導(dǎo)體組件中，為以IGZO(In-Ga-Zn-O)所代表的氧化物半導(dǎo)體取代非結(jié)晶娃(amorphous silicon)甚受注目。于是，涉及此氧化物半導(dǎo)體，也被列入利用派鍍法進(jìn)行氧化物半導(dǎo)體薄膜成膜的計(jì)畫中。然而，濺鍍時(shí)使用的氧化物半導(dǎo)體的濺鍍靶，由于其素材是陶瓷，故很難以一片靶構(gòu)件構(gòu)成大面積的靶。因此，準(zhǔn)備多片具有某程度大小的氧化物半導(dǎo)體靶構(gòu)件，并在具有所期望面積的支承板上進(jìn)行接合，以制造大面積的氧化物半導(dǎo)體濺鍍靶(例如參照專利文獻(xiàn)I)。此濺鍍靶的支承板，通常使用銅制的支承板，所述支承板與靶構(gòu)件的接合使用熱傳導(dǎo)良好的低熔點(diǎn)焊料，例如In系的金屬。例如，在制造大面積、板狀的氧化物半導(dǎo)體濺鍍靶時(shí)，準(zhǔn)備大面積的銅制支承板，將此支承板表面分成多個(gè)區(qū)域，準(zhǔn)備多片符合所述區(qū)域面積的氧化物半導(dǎo)體靶構(gòu)件。于是，在支承板上配置多個(gè)靶構(gòu)件，通過In系或Sn系金屬的低熔點(diǎn)焊料，將全部的靶構(gòu)件在支承板上進(jìn)行接合。接合時(shí)，考慮Cu與氧化物半導(dǎo)體的熱膨脹差，在鄰接的靶構(gòu)件間，以在室溫時(shí)可形成0. Imm至I. Omm間隙的方式調(diào)整配置。使用如此將多個(gè)氧化物半導(dǎo)體靶構(gòu)件接合而得的分割濺鍍靶，并通過濺鍍使薄膜成膜而形成半導(dǎo)體組件時(shí)，在濺鍍處理中，從靶構(gòu)件間的間隙使支承板的構(gòu)成材料Cu也被濺鍍，有所謂混入形成的氧化物半導(dǎo)體薄膜中的問題的疑慮。薄膜中的Cu雖僅有數(shù)ppm程度的混入量，但對氧化物半導(dǎo)體的影響極大，例如，TFT組件特性中的電場效果移動性(field-effect mobility),在相當(dāng)于祀構(gòu)件間的間隙位置所形成的半導(dǎo)體組件(混入Cu的薄膜)，與其它部分的半導(dǎo)體組件相比，有變低的傾向，0N/0FF比也有變低的傾向。如此不妥現(xiàn)象，被指責(zé)為以往大面積化傾向的主要阻礙原因，目前要求急速改善技術(shù)。再者，如此的分割濺鍍靶的問題，即使在靶構(gòu)件為氧化物半導(dǎo)體以外的材質(zhì)時(shí)，也有產(chǎn)生同樣不妥現(xiàn)象的可能性，為了促進(jìn)濺鍍靶的大面積化，是必需解決的課題。專利文獻(xiàn)I :日本特開2005-232580號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明欲解決的課題]本發(fā)明是在如以上事情的背景下所成者，以提供一種分割濺鍍靶為目的，為具有大面積的濺鍍靶，通過將多個(gè)靶構(gòu)件接合而得的分割濺鍍靶，經(jīng)由濺鍍形成薄膜時(shí)，可以有效防止支承板的構(gòu)成材料混入成膜的薄膜中。[解決課題的手段]為了解決所述課題，本發(fā)明的特征為在支承板上，通過低熔點(diǎn)焊料接合多個(gè)靶構(gòu)件而形成的分割濺鍍靶中，沿著接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙，在支承板上設(shè)置保護(hù)體。依據(jù)本發(fā)明，在支承板上接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙，并未露出支承板表面，可以有效地防止支承板的結(jié)構(gòu)材料被濺鍍。本發(fā)明中的保護(hù)體，為指覆蓋在支承板上已接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙處露出的支承板表面者，是指具有使對成膜的薄膜具有不良影響的物質(zhì)，在濺鍍時(shí)不由間隙發(fā)生 的作用者。作為如此的保護(hù)體，為在支承板表面，配置帶狀的保護(hù)構(gòu)件，或是將成為保護(hù)體的物質(zhì)，通過涂布、鍍覆、濺鍍等方法設(shè)置，以氧化支承板本身的表面形成氧化被膜而設(shè)置。尤其，本發(fā)明中，保護(hù)體是以配置帶狀的保護(hù)構(gòu)件為佳。作為如此保護(hù)體的材質(zhì)，即使混入成膜的薄膜中也不會賦與不良影響的物質(zhì)，例如，可以使用構(gòu)成靶構(gòu)件的組成元素中的全部或一部分、含有此等元素的合金或氧化物等。又，作為別的材質(zhì)者，為在濺鍍時(shí)可以抑制間隙內(nèi)部的濺鍍現(xiàn)象的物質(zhì)，例如，可以使用其體積電阻比靶構(gòu)件大的物質(zhì)，也就是將高電阻物質(zhì)作為保護(hù)體。將如此高電阻物質(zhì)作為保護(hù)體使用時(shí)，高電阻物質(zhì)的體積電阻率(Q - cm)以具有靶構(gòu)件的體積電阻率10倍以上值的物質(zhì)為佳。又，涉及所述保護(hù)體的材質(zhì)，此材質(zhì)的化學(xué)組成與為了與支承板接合而使用的低熔點(diǎn)焊料的化學(xué)組成在實(shí)質(zhì)上是相異者。例如，將金屬銦作為低熔點(diǎn)焊料使用時(shí)，此時(shí)的保護(hù)體是指不是金屬銦的意思。又，在靶構(gòu)件間的間隙，雖有殘留低熔點(diǎn)焊料的金屬銦的情形，但在此間隙殘留的銦固化時(shí)，其表面會氧化。在如此接合中使用的低熔點(diǎn)焊料的金屬銦于間隙中固化的情形，在所述銦表面由于難以形成均勻的氧化膜，故不能發(fā)揮與作為所述本發(fā)明的保護(hù)體的高電阻物質(zhì)的同樣效果。本發(fā)明中的分割濺鍍靶以板狀、圓筒狀者作為對象。板狀的濺鍍靶是在板狀支承板上，將具有方形面的多個(gè)板狀靶構(gòu)件平面配置后接合者作為對象。又，圓筒狀的濺鍍靶是在圓筒狀支承板上，將多個(gè)圓筒狀靶構(gòu)件(中空圓柱)穿透，在圓筒狀支承板的圓柱軸方向配置成多段狀并且接合者，或是，將中空圓柱沿圓柱軸方向縱向割切的彎曲狀靶構(gòu)件，往圓筒狀支承板的外側(cè)面，在圓周方向多個(gè)并列并經(jīng)接合者為對象。此板狀或圓筒狀的分割濺鍍靶，在大面積的濺鍍裝置中用得很多。又，本發(fā)明雖是以板狀、圓筒狀的形狀作為對象，但并不妨礙對其他形狀的分割濺鍍靶的應(yīng)用，有關(guān)靶構(gòu)件并未限制為此形狀。因此，涉及靶構(gòu)件的組成，也可以適用IGZO或ZTO等氧化物半導(dǎo)體或透明電極(ITO)或Al等金屬，靶構(gòu)件的組成方面也沒有限制。本發(fā)明中的保護(hù)體優(yōu)選為Zn、Ti、Sn任何一種金屬箔，或是含有80質(zhì)量％以上的Zn.Ti.Sn中任何一種以上的金屬箔，或是陶瓷薄片或高分子薄片。只要是如此的金屬箔或陶瓷薄片，與In系或Sn系金屬的低熔點(diǎn)焊料的反應(yīng)性低，氧化物半導(dǎo)體成膜的情形，即使微量地混入成膜的氧化物半導(dǎo)體薄膜中，與Cu比較，對TFT組件特性的影響也可以變少。又，由于高分子薄片是高電阻物質(zhì)，故在濺鍍時(shí)，于靶構(gòu)件間的間隙中能抑制濺鍍現(xiàn)象，可以防止對成膜的薄膜的不良影響。作為陶瓷薄片者，可以使用氧化鋁或氧化硅為的薄片。作為本發(fā)明中高分子薄片的材質(zhì)者，可以列舉酚樹脂、美耐皿(三聚氰胺)樹脂、環(huán)氧樹脂、脲醛樹脂、氯化乙烯樹脂、聚乙烯、聚丙烯等合成樹脂材料；或是聚乙烯、聚氯化乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等泛用塑料材料；聚醋酸乙烯酯、ABS樹脂、AS樹脂、丙烯酸樹脂等準(zhǔn)泛用塑料材料等。再者，也可以使用聚甲醛、聚碳酸酯、改質(zhì)聚苯基醚(PPE)、聚對苯二甲酸二丁酯等工程塑料；或是聚芳基酸酯(Polyarylate)、聚砜、聚苯基硫化物、聚醚醚酮、聚醢亞胺樹脂、氟素樹脂等超工程塑料。尤其，聚醢亞胺樹脂等也是帶狀的材料，由于耐熱性、絕緣性也高，故為適用于本發(fā)明者。金屬箔或是陶瓷薄片、或是高分子薄片的厚度優(yōu)選為0. OOOlmm至I. 0_。金屬箔或是陶瓷薄片的寬度優(yōu)選為與在靶構(gòu)件間所形成的間隙相同或是在此以上的寬度，考慮到作業(yè)性等時(shí)，寬度優(yōu)選為5. Omm至20mm。又,在支承板上配置Zn、Ti、Sn的任一金屬箔,或是含有80質(zhì)量％以上的Zn、Ti、Sn的任一種以上的合金箔，或是陶瓷薄片或高分子薄片時(shí)，可以使用低熔點(diǎn)焊料或?qū)щ娦詢擅婺z帶等加以黏貼。本發(fā)明中的保護(hù)體，優(yōu)選為以具有將帶狀的第I保護(hù)構(gòu)件與帶狀的第2保護(hù)構(gòu)件的積層結(jié)構(gòu)，積層有如此的帶狀保護(hù)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)時(shí)，可以容易進(jìn)行制造本發(fā)明相關(guān)的分割濺鍍靶，可以配合靶構(gòu)件或支承板的材質(zhì)適當(dāng)選擇第I保護(hù)構(gòu)件與第2保護(hù)構(gòu)件的材質(zhì)。 此第I保護(hù)構(gòu)件與第2保護(hù)構(gòu)件的帶狀寬度可以相等，也可以相異。又，此積層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體，為使第I保護(hù)構(gòu)件在靶構(gòu)件側(cè)、第2保護(hù)構(gòu)件在支承板側(cè)的狀態(tài)，沿著接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙配置。本發(fā)明中的保護(hù)體通過帶狀的保護(hù)構(gòu)件來設(shè)置的情形，積層狹幅的第I保護(hù)構(gòu)件與寬幅的第2保護(hù)構(gòu)件，可以作成在第I保護(hù)構(gòu)件的兩端側(cè)露出第2保護(hù)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)，變成于寬幅的第2保護(hù)構(gòu)件的上積層狹幅的第I保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)。靶構(gòu)件與支承板的接合雖通過In或Sn等低熔點(diǎn)焊料來進(jìn)行，但可預(yù)想通過接合時(shí)的加熱處理，保護(hù)構(gòu)件與低熔點(diǎn)焊料反應(yīng)而合金化。為了反復(fù)使用此接合的低熔點(diǎn)焊料，使用頻率變高時(shí)，通過與保護(hù)構(gòu)件的合金化，低熔點(diǎn)焊料的組成會產(chǎn)生變動，靶構(gòu)件與支承板的接合變得不充分，被認(rèn)為對接合強(qiáng)度或接合面積有不良的影響。在此，選擇與低熔點(diǎn)焊料不反應(yīng)的材料作為第2保護(hù)構(gòu)件，通過在其上設(shè)置與低熔點(diǎn)焊料容易反應(yīng)材料的第I保護(hù)構(gòu)件，則能抑制第I保護(hù)構(gòu)件與低熔點(diǎn)焊料的接觸，可以防止低熔點(diǎn)焊料的組成變動。本發(fā)明中，積層帶狀保護(hù)構(gòu)件而設(shè)置保護(hù)體的情形，第I保護(hù)構(gòu)件的厚度優(yōu)選為
0.OOOlmm至0. 3mm,第2保護(hù)構(gòu)件的厚度是優(yōu)選為0. Imm至0. 7mm。第I保護(hù)構(gòu)件與第2保護(hù)構(gòu)件的合計(jì)厚度優(yōu)選為0. 3mm至I. Omm0又，積層同寬度的第I保護(hù)構(gòu)件與第2保護(hù)構(gòu)件時(shí)，保護(hù)構(gòu)件的寬度優(yōu)選為5mm至30mm。積層狹幅的第I保護(hù)構(gòu)件與寬幅的第2保護(hù)構(gòu)件時(shí)，第I保護(hù)構(gòu)件的寬度優(yōu)選為與在靶構(gòu)件間形成的間隙相同或是比此大的寬度，考慮到作叢性等時(shí)，優(yōu)選為5mm至20mm。寬幅的第2保護(hù)構(gòu)件的寬度優(yōu)選為比第I保護(hù)構(gòu)件的寬度寬3臟至10mnin又，本發(fā)明中的保護(hù)體，也可以是由第I保護(hù)構(gòu)件與在第I保護(hù)構(gòu)件的兩端側(cè)并列配置的第2保護(hù)構(gòu)件所成的三列結(jié)構(gòu)。如此，在第I保護(hù)構(gòu)件的兩側(cè)并列配置第2保護(hù)構(gòu)件時(shí)，變成與積層所述狹幅與寬幅的保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體發(fā)揮同樣效果。又，第I保護(hù)構(gòu)件的兩端側(cè)是指在帶狀的第I保護(hù)構(gòu)件的長方向延伸的兩邊。作成此三列結(jié)構(gòu)的保護(hù)體時(shí)，第I保護(hù)構(gòu)件及第2保護(hù)構(gòu)件的厚度是以0. OOOlmm至I. Omm為佳。又，第I保護(hù)構(gòu)件的寬度是與在靶構(gòu)件間形成的間隙相同、或是比此大的寬度為佳，考慮到作業(yè)性等時(shí)，以5mm至20mm為佳。第2保護(hù)構(gòu)件的寬度是以3mm至IOmm為佳。本發(fā)明中保護(hù)體作成所述二層結(jié)構(gòu)或是三列結(jié)構(gòu)的情形，將第2保護(hù)構(gòu)件作成由Cu、Al、Ti、Ni、Zn、Cr、Fe的任何單一金屬或是含有這些金屬的任何合金所成的金屬箔，將第I保護(hù)構(gòu)件，優(yōu)選為含有靶構(gòu)件所含元素的一種以上的單一金屬或是合金或陶瓷材料形成者。本發(fā)明中靶構(gòu)件為通過氧化物半導(dǎo)體所構(gòu)成時(shí)，優(yōu)選為構(gòu)成靶構(gòu)件的氧化物半導(dǎo)體所含元素的一種所成的單一金屬或合金或是陶瓷材料形成第I保護(hù)構(gòu)件。本發(fā)明中的保護(hù)體作成所述二層結(jié)構(gòu)或是三列結(jié)構(gòu)的情形，第I保護(hù)構(gòu)件優(yōu)選為由含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg的任何一種以上的氧化物或是氮化物所成的陶瓷材料形成。只要是此等陶瓷材料，由于與靶構(gòu)件有相同組成，或一部分的組成與靶構(gòu)件相同，故即使于成膜時(shí)混入膜中，對TFT組件特性的影響也小。又，只要為Zr02、Al2O3等陶瓷材料，由于電阻高，可以抑制在濺鍍時(shí)對分割部分的電漿進(jìn)入，可以有效防止Zr或Al的濺鍍。作為所述陶瓷材料者，例如可以列舉111203、2110、41203、21'02、1102、120、1620等；或是ZrN、TiN、 AlN、GaN、ZnN、InN等。又，此等陶瓷材料，由于很難加工作成如金屬般的箔，故利用蒸鍍法、濺鍍法、電漿熔射法、涂布法等形成第I保護(hù)構(gòu)件，可以適用于本發(fā)明。本發(fā)明中靶構(gòu)件為氧化物半導(dǎo)體的情形，所述氧化物半導(dǎo)體可使用由含有In、Zn、Ga中任何一種以上的氧化物所成者。具體上可以列舉IGZO(In-Ga-Zn-O)、GZO(Ga-Zn-O)、IZO(In-Zn-O)、ZnO0又，本發(fā)明中靶構(gòu)件為氧化物半導(dǎo)體的情形，所述氧化物半導(dǎo)體可使用由含有Sn、Ti、Ba、Ca、Zn、Mg、Ge、Y、La、Al、Si、Ga中任何一種以上的氧化物所成者。具體上可以列舉Sn_Ba_0、Sn_Zn_0、Sn-Ti_0、Sn_Ca_0、Sn-Mg-O、Zn-Mg-O、Zn_Ge_0、Zn_Ca_0、Zn-Sn-Ge-O^或是，將此等氧化物的Ge變更成Mg、Y、La、Al、Si、Ga的氧化物。因此，本發(fā)明中靶構(gòu)件為氧化物半導(dǎo)體的情形，所述氧化物半導(dǎo)體可使用由含有Cu、Al、Ga、In的任何一種以上的氧化物所成者。具體上可以列舉Cu20、CuAlO2, CuGaO2,CuInO20[發(fā)明效果]依據(jù)本發(fā)明，將多個(gè)靶構(gòu)件接合而得到的分割濺鍍靶中，通過濺鍍，可以有效地防止支承板的結(jié)構(gòu)材料混入成膜的薄膜中。


圖I表示分割濺鍍靶概略立體圖。圖2表示本實(shí)施形態(tài)的支承板的概略平面圖。圖3表示配置單層的保護(hù)體的概略截面圖。圖4表示配置二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體的概略截面圖。圖5表示由不同寬度的保護(hù)構(gòu)件配置二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體的概略截面圖。圖6表示配置三列結(jié)構(gòu)的保護(hù)體的概略截面圖。主要組件符號說明10 支承板20 靶構(gòu)件30 間隙
50保護(hù)體51第I保護(hù)構(gòu)件52第2保護(hù)構(gòu)件60低熔點(diǎn)焊料。
具體實(shí)施方式

[實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)]以下，參考圖面說明有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。本實(shí)施形態(tài)的板狀濺鍍靶，如圖I所示，為在Cu制支承板10上，配置多個(gè)靶構(gòu)件20并經(jīng)接合者。在此等的祀構(gòu)件相互的間，形成0. Imm至I. Omm的間隙30。如圖2所示，在支承板10的表面，在相當(dāng)于靶構(gòu)件相互間形成的間隙位置，黏貼保護(hù)體50。保護(hù)體是使用低熔點(diǎn)焊料或?qū)щ娦詢擅婺z帶，而可以黏貼在支承板10表面。6片靶構(gòu)件使用In或Sn的低熔點(diǎn)焊料，如圖I所示般配置并接合。此接合為通過將支承板與靶構(gòu)件同時(shí)加熱到預(yù)定溫度，在支承板表面涂布熔融的低熔點(diǎn)焊料(In或Sn)，將靶構(gòu)件配置在所述低熔點(diǎn)焊料上并冷卻到室溫的方式進(jìn)行。圖3表示使用單層的保護(hù)體的截面概略圖。單層的保護(hù)體50，厚度是0. OOOlmm至
I.Omm,以Zn、Ti、Sn的任一金屬箔、含有80質(zhì)量％以上的Zn、Ti、Sn任何一種以上的合金箔形成。在所述單層的保護(hù)體50的兩端側(cè)，形成存在In的低熔點(diǎn)焊料60的狀態(tài)。圖4表示積層同寬度的帶狀保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體的截面概略圖。二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體50是由第I保護(hù)構(gòu)件51與第2保護(hù)構(gòu)件52所構(gòu)成。因此，所述第I保護(hù)構(gòu)件51與第2保護(hù)構(gòu)件52的寬度，考慮到作業(yè)性等而設(shè)定為5mm至20mm。又，在所述第I保護(hù)構(gòu)件51及第2保護(hù)構(gòu)件52的兩端側(cè)，形成存在In的低熔點(diǎn)焊料60的狀態(tài)。圖5表示積層不同寬度的保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體截面概略圖。二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體50是由第I保護(hù)構(gòu)件51與第2保護(hù)構(gòu)件52所構(gòu)成。因此，所述第I保護(hù)構(gòu)件51的寬度，考慮到作業(yè)性等而設(shè)定為5mm至20mm,第2保護(hù)構(gòu)件52的寬度是設(shè)定為8mm至30mm,比起第I保護(hù)構(gòu)件，第2保護(hù)構(gòu)件的寬度較寬。因此，通過在第2保護(hù)構(gòu)件的幾乎中央處配置第I保護(hù)構(gòu)件51，形成在第I保護(hù)構(gòu)件的兩端側(cè)露出第2保護(hù)構(gòu)件52的狀態(tài)。所述露出部分的寬度，在兩端側(cè)的各個(gè)單側(cè)是I. 5_至5_。又，在第I保護(hù)構(gòu)件51及第2保護(hù)構(gòu)件52的兩端側(cè)，形成存有In的低熔點(diǎn)焊料60的狀態(tài)。圖4及圖5所示的第2保護(hù)構(gòu)件52，厚度是0. Imm至0. 7mm,以Cu、Al、Ti、Ni、Zn、Cr、Fe的任一金屬箔、含有此等任何一種以上的合金箔所形成。圖4及圖5所示的第I保護(hù)構(gòu)件51,厚度是0. OOOlmm至0. 3mm,為通過構(gòu)成革巴構(gòu)件20的元素的一種所成單一金屬、含有在靶構(gòu)件所含元素的一種以上的合金、或是ln203、ZnO、A1203、ZrO2, TiO2, IZO、IGZO的任何陶瓷材料所形成。圖4及圖5所示二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體，例如，可以通過電漿熔射，將A1203、ZrO2的陶瓷吹付到0. 3mm厚度的Cu箔上而制作。使用市售的氣體電漿熔射裝置，在厚度0. 3mm的Cu箔表面上，以平均粒徑200 ii m的ZrO2粉末作為原料，可以形成0. OOOlmm厚的ZrO2陶瓷層。又，Al2O3的情形也可以同樣制作。圖6表示使用三列結(jié)構(gòu)的保護(hù)體時(shí)的截面概略圖。三列結(jié)構(gòu)的保護(hù)體50，為由在第I保護(hù)構(gòu)件51的長度方向延伸的兩端邊的兩側(cè)，與第2保護(hù)構(gòu)件52并列配置的結(jié)構(gòu)所成。此時(shí)，第I保護(hù)構(gòu)件51的寬度，考慮到作業(yè)性等而設(shè)定為5mm至20mm，第2保護(hù)構(gòu)件52的寬度為3mm至10mm。如圖6所示，形成在第I保護(hù)構(gòu)件51的兩端配置第2保護(hù)構(gòu)件，在所述第2保護(hù)構(gòu)件52的一端側(cè)存在In的低熔點(diǎn)焊料60的狀態(tài)。又，第I保護(hù)構(gòu)件及第2保護(hù)構(gòu)件的厚度是0. OOOlmm至I. 0mm。在圖3至圖6中，使用高電阻物質(zhì)作為保護(hù)體的情形，形成通過高電阻物質(zhì)形成圖3的保護(hù)體50、圖4至圖6中的第I保護(hù)構(gòu)件51?？傊?，圖3至圖6中，在靶構(gòu)件、支承板、低熔點(diǎn)焊料、保護(hù)體(第I保護(hù)構(gòu)件)中，保護(hù)體(第I保護(hù)構(gòu)件)有最大體積電阻值變成重點(diǎn)。使用如此高電阻物質(zhì)的保護(hù)體的分割濺鍍靶，在直流濺鍍法、高周波濺鍍法的任一方法中，皆可以發(fā)揮效果，尤其在直流濺鍍法中為合適者。實(shí)施例以下說明具體的實(shí)施例。制成的分割濺鍍靶，為將無氧銅制的支承板(寬度30mm、 縱630mm、橫710mm)，與6片的IGZO制祀構(gòu)件(寬度6mm、縱210mm、橫355mm)接合而制成。接合用的低熔點(diǎn)焊料是使用In。又，靶構(gòu)件間的間隙是0.5mm。IGZO制靶構(gòu)件，為秤量In2O3、Ga2O3、ZnO的各原料粉末以Imol lmol 2mol的比率，通過球磨機(jī)研磨20小時(shí)混合處理。然后，將稀釋成4質(zhì)量％的聚乙烯醇水溶液作為黏著劑，以相對于粉總量為8質(zhì)量％添加并混合后，在500kgf/cm2的壓力下成型。隨后在大氣中經(jīng)1450°C、8小時(shí)燒成處理而得到板狀的燒結(jié)體。然后，將此燒結(jié)體通過平面研削機(jī)將兩面研磨，制成厚度6mm、縱210mm、橫355mm的IGZO制祀構(gòu)件。作為單層的保護(hù)體者，使用厚度0. 3mm的Zn、Ti的2種類金屬箔。作為積層不同寬度的保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體者，使用將厚度0. 3_、寬度20_的Cu金屬箔作為第2保護(hù)構(gòu)件，厚度0. 1_、寬度15_的Zn箔作為第I帶狀保護(hù)構(gòu)件并經(jīng)積層者。又，另一個(gè)的作為積層不同寬度的保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)的保護(hù)體者，使用在厚度0. 3mm、寬度20mm的Cu金屬箔的第2帶狀保護(hù)構(gòu)件上，使用原子比為In Ga =Zn= 111的合金靶，并通過濺鍍將0.0001mm厚度的IGZ膜(寬度15mm)當(dāng)作第I保護(hù)構(gòu)件而形成者。再者，作為積層相同寬度的保護(hù)構(gòu)件的二層結(jié)構(gòu)保護(hù)體者，使用將厚度0. 3_、寬度20_的Cu金屬箔作為第2保護(hù)構(gòu)件，將厚度100 y m的ZrO2當(dāng)作第I保護(hù)構(gòu)件，通過濺鍍將第2保護(hù)構(gòu)件的全寬覆蓋者。又，也可以使用以Al2O3取代ZrO2而覆蓋者。制作各分割濺鍍靶后，進(jìn)行濺鍍評估試驗(yàn)。此濺鍍評估試驗(yàn)，使用濺鍍裝置(SMD — 450B、Ulvac公司制)，在無堿玻璃基板(日本電氣硝子公司制)上形成厚度14
的IGZO薄膜。然后，對此成膜的基板，切取相當(dāng)于分割濺鍍靶的間隙部分的直接上部基板、以及間隙部分以外的基板，對切出的基板，通過原子吸光分析測定IGZO薄膜中Cu的混入量來進(jìn)行濺鍍評估。結(jié)果在表I中表示。又，對在間隙部分未配置保護(hù)體的分割濺鍍靶，也同樣進(jìn)行濺鍍評估試驗(yàn)作為比對。表I
權(quán)利要求
1.一種分割濺鍍靶，為在支承板上將多個(gè)靶構(gòu)件通過低熔點(diǎn)焊料接合而形成者，其特征在于，沿著接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙，在支承板上設(shè)置保護(hù)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的分割濺鍍靶，其特征在于，保護(hù)體是Zn、Ti、Sn中的任一種金屬箔，或是含有80質(zhì)量％以上的Zn、Ti、Sn中任一種以上的合金箔，或是陶瓷薄片，或是高分子薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的分割濺鍍靶，其特征在于，保護(hù)體是將帶狀的第I保護(hù)構(gòu)件與帶狀的第2保護(hù)構(gòu)件積層而成者。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分割濺鍍靶，其特征在于，保護(hù)體是將狹幅的第I保護(hù)構(gòu)件與寬幅的第2保護(hù)構(gòu)件積層而成者，且形成在第I保護(hù)構(gòu)件的兩端側(cè)露出第2保護(hù)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的分割濺鍍靶，其特征在于，保護(hù)體是由帶狀的第I保護(hù)構(gòu)件，與在第I保護(hù)構(gòu)件的兩端側(cè)并列配置的帶狀的第2保護(hù)構(gòu)件所成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的分割濺鍍靶，其特征在于，第2保護(hù)構(gòu)件為由Cu、Al、Ti、Ni、Zn、Cr、Fe中任一者的單一金屬或是含有這些金屬中任一者的合金所成的金屬箔，第I保護(hù)構(gòu)件為由含有靶構(gòu)件所含元素的一種以上的單一金屬或合金或是陶瓷材料或高分子材料所形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項(xiàng)所述的分割濺鍍靶，其特征在于，第I保護(hù)構(gòu)件為由含有In、Zn、Al、Ga、Zr、Ti、Sn、Mg中任一種以上的氧化物或是氮化物所成的陶瓷材料所形成。
8.一種分割濺鍍靶的制造方法，為制造在支承板上將多個(gè)靶構(gòu)件通過低熔點(diǎn)焊料接合而形成的分割濺鍍靶的方法，其特征在于，沿著接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙，在支承板上設(shè)置保護(hù)體， 并將多個(gè)靶構(gòu)件通過低熔點(diǎn)焊料接合在支承板上者。
9.一種保護(hù)體，為于權(quán)利要求8所述的分割濺鍍靶的制造方法中所使用者，其特征在于 積層有帶狀的第I保護(hù)構(gòu)件與第2保護(hù)構(gòu)件。
10.一種保護(hù)體或是第I保護(hù)構(gòu)件，為于權(quán)利要求8所述的分割濺鍍靶的制造方法中所使用的保護(hù)體，或是于權(quán)利要求9所述的分割濺鍍靶的制造方法中所使用的保護(hù)體的第I保護(hù)構(gòu)件，其特征在于，包含具有體積電阻率為構(gòu)成靶構(gòu)件的材料的體積電阻率的10倍以上的材質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明的分割濺鍍靶及其制造方法，其提供如下技術(shù)在將多個(gè)靶構(gòu)件接合而得到的分割濺鍍靶中，可通過濺鍍而有效地防止支承板(backing plate)的構(gòu)成材料混入成膜的薄膜中。本發(fā)明涉及一種分割濺鍍靶，為在支承板上，將多個(gè)靶構(gòu)件通過低熔點(diǎn)焊料接合而形成的分割濺鍍靶，其特征為沿著接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙，在支承板上設(shè)置保護(hù)體。
文檔編號H01L21/363GK102712997SQ201180005295
公開日2012年10月3日 申請日期2011年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月8日
發(fā)明者久保田高史, 渡邊廣幸 申請人:三井金屬礦業(yè)株式會社