專利名稱：等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠在基體的表面處理等中使用的感應(yīng)耦合型的等離子處理裝置。
背景技術(shù)：
以往，為了進(jìn)行在基體上形成薄膜的制膜處理、和/或針對基體表面的蝕刻處理，而使用等離子處理裝置。關(guān)于等離子處理裝置，存在利用在電極間施加高頻電壓而產(chǎn)生的電場來生成等離子的電容耦合型等離子處理裝置、和/或利用使高頻電流流過高頻天線(線圈)而產(chǎn)生的感應(yīng)電磁場來生成等離子的感應(yīng)耦合型等離子處理裝置等。其中，感應(yīng)耦合型等離子處理裝置具有能夠生成雖為高密度但電子溫度低、離子能量小(即，制膜速度快，對被處理物的損傷小)的等離子這樣的優(yōu)點(diǎn)。在感應(yīng)耦合型等離子處理裝置中，向真空容器內(nèi)導(dǎo)入氫等等離子生成氣體后，生成感應(yīng)電磁場，由此使等離子生成氣體分解而生成等離子。然后，與等離子生成氣體不同而將制膜原料氣體或蝕刻氣體導(dǎo)入真空容器內(nèi)，通過等離子使制膜原料氣體的分子分解而使其堆積在基體上，或者使蝕刻氣體的分子分解來生成用于蝕刻的離子或自由基。在現(xiàn)有的感應(yīng)耦合型等離子處理裝置中，大多使用外部天線方式的等離子處理裝置，該外部天線方式的等離子處理裝置將用于生成感應(yīng)電磁場的高頻天線配置在真空容器的外側(cè)，通過在真空容器的壁的一部分上設(shè)置的電介質(zhì)制的壁或窗，而將該感應(yīng)電磁場導(dǎo)入到真空容器的內(nèi)部(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。然而，近些年，由于基體及在基體上形成的薄膜的大面積化進(jìn)展，與此相伴而使得真空容器大型化，所以因真空容器內(nèi)外的壓力差的關(guān)系而使電介質(zhì)制的壁(或窗)變厚。由此，產(chǎn)生向真空容器內(nèi)導(dǎo)入的感應(yīng)電磁場的強(qiáng)度變小，從而生成的等離子的密度降低這樣的問題。與此相對，在如專利文獻(xiàn)2所記載的那樣將高頻天線設(shè)置在真空容器的內(nèi)部的內(nèi)部天線方式的感應(yīng)耦合型等離子處理裝置中，與電介質(zhì)制的壁(或窗)的厚度無關(guān)而能夠容易提高等離子的密度。因此，適合于基體及薄膜的大面積化。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開平08-227878號公報(bào)(
、圖5)專利文獻(xiàn)2:日本特開 2001-035697 號公報(bào)(
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、圖 11)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題然而，在天線表面部由電介質(zhì)等覆蓋的內(nèi)部天線方式的感應(yīng)耦合型等離子處理裝置中，高頻天線與等離子電容耦合，由此電子流入天線，因此在天線上產(chǎn)生直流的自偏置電壓。并且，因在天線中產(chǎn)生的直流的自偏置電壓使等離子中的離子加速而向高頻天線入射，從而存在天線表面被濺射這樣的問題。由此，高頻天線的壽命縮短，而且被濺射的高頻天線的材料作為雜質(zhì)而混入到被處理物中。
另外，在內(nèi)部天線方式中，制膜材料或蝕刻時(shí)的副生成物附著于高頻天線的表面，因該附著物落下而可能在基體的表面產(chǎn)生顆粒狀的異物(顆粒)。本發(fā)明要解決的課題在于提供一種等離子處理裝置，該等離子處理裝置能夠以比外部天線方式的等離子處理裝置高的密度生成等離子，并且能夠抑制作為內(nèi)部天線方式的問題點(diǎn)的雜質(zhì)向被處理物的混入、和/或顆粒的產(chǎn)生。用于解決課題的手段為了解決上述課題而作成的本發(fā)明的等離子處理裝置的特征在于，具備:a)密閉容器，其在內(nèi)部用于進(jìn)行等離子處理，且具有周圍由大致正交棱線包圍的壁；b)天線配置部，其設(shè)置在所述壁的內(nèi)表面與外表面之間，且由在內(nèi)表面?zhèn)染哂虚_口的空洞構(gòu)成；c)高頻天線，其配置在所述天線配置部內(nèi)；以及d)電介質(zhì)制的分隔板，其覆蓋所述壁的內(nèi)表面的由所述大致正交棱線包圍的部分整體。在此，“大致正交棱線”是指所述壁的內(nèi)表面與其周圍的壁的內(nèi)表面相交的線，其內(nèi)角為70 120°。本發(fā)明的等離子處理裝置中，在密閉容器的壁的內(nèi)表面與外表面之間設(shè)置天線配置部，在天線配置部的內(nèi)部配置高頻天線。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在密閉容器內(nèi)生成比外部天線方式的情況強(qiáng)的感應(yīng)電磁場。并且，通過高頻天線和密閉容器的內(nèi)部由電介質(zhì)制的分隔板分隔，由此能夠防止高頻天線被濺射，或者在高頻天線上附著制膜材料或蝕刻時(shí)的副生成物而產(chǎn)生顆粒的情況。并且，通過設(shè)有天線配置部的壁的內(nèi)表面?zhèn)日w由分隔板覆蓋，由此在壁面和分隔板上不會產(chǎn)生臺階。通常，當(dāng)在密閉容器內(nèi)存在臺階那樣的凹凸時(shí)，在該部分附著制膜材料或副生成物而成為產(chǎn)生顆粒的原因，但在本發(fā)明中，由于在密閉容器內(nèi)不會產(chǎn)生無益的臺階，因此能夠消除產(chǎn)生這樣的顆粒的原因。另外，優(yōu)選所述天線配置部內(nèi)為真空或由電介質(zhì)構(gòu)件填充。由此，在天線配置部內(nèi)能夠防止不需要的放電。在由電介質(zhì)構(gòu)件填充的情況下，優(yōu)選在天線配置部內(nèi)盡量不產(chǎn)生間隙，但也可以產(chǎn)生少許的間隙。另外，還可以使用將由電介質(zhì)構(gòu)件填充后的天線配置部內(nèi)進(jìn)一步進(jìn)行真空排氣這樣的結(jié)構(gòu)。所述天線配置部可以在同一壁的內(nèi)部設(shè)置多個(gè)。由此，在密閉容器內(nèi)能夠從多個(gè)高頻天線生成感應(yīng)電磁場，因此能夠進(jìn)行更大面積的薄膜的制作或更大面積的被處理基體的處理。發(fā)明效果本發(fā)明的等離子處理裝置形成為如下結(jié)構(gòu):在密閉容器的壁的內(nèi)表面與外表面之間設(shè)置的天線配置部內(nèi)配置高頻天線，且該天線配置部的內(nèi)部空間和密閉容器的內(nèi)部空間由電介質(zhì)制的分隔板進(jìn)行分隔。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒈痊F(xiàn)有的外部天線方式的等離子處理裝置強(qiáng)的感應(yīng)電磁場向密閉容器的內(nèi)部導(dǎo)入，并且能夠防止高頻天線被濺射，或者在高頻天線上附著制膜材料或蝕刻時(shí)的副生成物而產(chǎn)生顆粒的情況。另外，由于設(shè)有天線配置部的壁的內(nèi)表面整體由分隔板覆蓋，因此不會因設(shè)置分隔板而產(chǎn)生臺階，從而能夠防止在臺階的部分附著制膜材料或副生成物而產(chǎn)生顆粒的情況。


圖1是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第一實(shí)施例的縱向剖視圖。圖2是比較例的等離子處理裝置的主要部分縱向剖視圖。圖3是表示本實(shí)施例的等離子處理裝置中使用的真空容器的一例的縱向剖視圖。圖4是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第二實(shí)施例的縱向剖視圖。圖5是比較例的等離子處理裝置的主要部分縱向剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的等離子處理裝置的第三實(shí)施例的主要部分縱向剖視圖。圖7是表示第三實(shí)施例的變形例的主要部分縱向剖視圖。圖8(a)是在本發(fā)明的等離子處理裝置的第四實(shí)施例中表示高頻天線的作用部與在真空容器的壁的內(nèi)部設(shè)置的空洞的壁面的關(guān)系的圖，圖8(b)是表示使作用部與空洞的壁面的距離X變化時(shí)的在作用部周邊形成的感應(yīng)電磁場的變化的圖，圖8(c)是表示距離X與磁場強(qiáng)度的變化的曲線圖。圖9是表示在X = 20mm和x = 83mm這兩種情況下使高頻電力變化時(shí)的電子密度的變化的曲線圖。圖10是表示第四實(shí)施例的變形例的主要部分縱向剖視圖。圖11是表示第四實(shí)施例的另一變形例的主要部分縱向剖視圖。圖12是表示實(shí)施例1的變形例的主要部分縱向剖視圖。圖13是表示實(shí)施例1的另一變形例的主要部分縱向剖視圖。
具體實(shí)施例方式使用圖1 圖13，對本發(fā)明的等離子處理裝置的實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施例1首先，對實(shí)施例1的等離子處理裝置10進(jìn)行說明。如圖1所示，等離子處理裝置10具有:金屬制的真空容器11 ;在真空容器的內(nèi)部空間111中配置的基體保持部12 ;在真空容器11的側(cè)壁設(shè)置的氣體導(dǎo)入口 131 ;在真空容器11的下壁設(shè)置的氣體排出口 132 ’天線配置部14，其在真空容器11的上壁112設(shè)置的貫通孔(空洞)的內(nèi)部配置有高頻天線18 ;以及覆蓋該上壁112的內(nèi)表面1121整體的電介質(zhì)制的分隔板15。另外，在本實(shí)施例中，內(nèi)表面1121是指由大致正交棱線113包圍的區(qū)域，上壁112是指與該內(nèi)表面1121對應(yīng)的壁。另外，作為分隔板15的材料，可以使用氧化物、氮化物、碳化物、氟化物等。在這些材料中，能夠適合使用石英、氧化鋁、氧化鋯、氧化釔、氮化硅或碳化硅。天線配置部14形成為通過堵塞上壁112的內(nèi)表面1121側(cè)的開口的分隔板15、堵塞外表面1122側(cè)的開口的蓋16、在內(nèi)表面1121與分隔板15之間以及外表面1122與蓋16之間設(shè)置的氣密封件17來將內(nèi)部空間密閉的結(jié)構(gòu)。在蓋16上設(shè)有真空排氣口 161，經(jīng)由真空排氣口 161來將內(nèi)部空間的空氣排出，由此能夠使天線配置部14內(nèi)成為真空。本實(shí)施例中 使用的高頻天線18是將棒狀導(dǎo)體成形為U字形而得到的構(gòu)件。在由這樣的纏繞數(shù)不足一圈的線圈構(gòu)成的高頻天線中，能夠?qū)㈦姼幸种频幂^低，因此高頻電力的投入時(shí)施加在高頻天線18上的電壓降低，其結(jié)果是，能夠防止被處理基體因等離子而受到損傷的情況。另外，作為天線導(dǎo)體，可以使用管狀的導(dǎo)體，且在管內(nèi)流過冷卻水等制冷劑。高頻天線18的兩端經(jīng)由饋通體(feed through) 162而安裝于蓋16。因此,僅通過將蓋16裝拆，就能夠容易將高頻天線18從等離子處理裝置裝拆。高頻天線18的一端與高頻電源連接，另一端接地。以在保持于基體保持部12的基體S上形成薄膜的制膜處理為例來說明本實(shí)施例的等離子處理裝置10的動(dòng)作。首先，使基體S保持在基體保持部12上，將內(nèi)部空間111的空氣、水蒸氣等從氣體排出口 132排出，并且將天線配置部14內(nèi)的空氣、水蒸氣等從真空排氣口 161排出，由此使內(nèi)部空間111及天線配置部14內(nèi)形成為真空。接著，從氣體導(dǎo)入口131導(dǎo)入等離子生成用氣體及制膜原料氣體。然后，使高頻電流流過高頻天線18，由此在高頻天線18的周圍生成感應(yīng)電磁場。該感應(yīng)電磁場通過分隔板15而向內(nèi)部空間111導(dǎo)入，將等離子生成用氣體電離。由此，生成等離子。與等離子生成用氣體一起導(dǎo)入到內(nèi)部空間111的制膜原料氣體被等離子分解，而堆積在基體S上。另外，進(jìn)行蝕刻處理時(shí)的等離子處理裝置10的動(dòng)作除了不從氣體導(dǎo)入口 131導(dǎo)入制膜原料氣體而導(dǎo)入用于蝕刻的等離子生成用氣體這一點(diǎn)之外，與上述的制膜處理同樣。在本實(shí)施例的等離子處理裝置10中，作為特征的結(jié)構(gòu)而存在如下結(jié)構(gòu):設(shè)有天線配置部14的上壁112的內(nèi)表面1121側(cè)整體由分隔板15覆蓋，由此在內(nèi)表面1121與分隔板15之間不產(chǎn)生臺階。在例如圖2所示的比較例那樣將分隔板15A僅設(shè)置在天線配置部14A的正下方的部分的情況下，在分隔板15A與內(nèi)表面1121之間形成臺階115。在該臺階115的部分容易附著制膜材料或蝕刻時(shí)的副生成物。這樣的附著物向基體S的表面落下而成為產(chǎn)生顆粒的原因。與此相對，本實(shí)施例的等離子處理裝置10以覆蓋內(nèi)表面1121的整面的方式設(shè)置分隔板15，因此沒有圖2的比較例那樣的臺階，難以產(chǎn)生附著物。圖3表示第一實(shí)施例的變形例。圖3是在具有由大致正交棱線113包圍的彎曲狀的上壁114的真空容器11中，在該彎曲狀的上壁114的內(nèi)表面1141與外表面1142之間設(shè)有多個(gè)天線配置部14的例子。另外，大致正交棱線的內(nèi)角0取何值在理論上都沒關(guān)系，但實(shí)用上為70° 120°左右(在上述第一實(shí)施例中，0 =90° )。分隔板15如第一實(shí)施例所示，以覆蓋內(nèi)表面1141整體的方式設(shè)置，但在設(shè)置分隔板15的部位如圖3(a)那樣彎曲的情況下，優(yōu)選分隔板15的形狀也與之匹配而彎曲。實(shí)施例2使用圖4，對實(shí)施例2的等離子處理裝置IOA進(jìn)行說明。本實(shí)施例的等離子處理裝置IOA中，在上壁112設(shè)有多個(gè)天線配置部14。高頻天線18在各天線配置部14各設(shè)有一個(gè)。這些高頻天線18與一個(gè)高頻電源并聯(lián)連接。附屬于天線配置部14的蓋16、真空排氣161、饋通體162及氣密封件17分別設(shè)置于各天線配置部14。但是，分隔板15在全部的天線配置部14中共用而僅設(shè)有一張，并以覆蓋內(nèi)表面1121的整面的方式設(shè)置。另外，本實(shí)施例及以下的實(shí)施例中敘述的上壁112及其內(nèi)表面1121的定義與第一實(shí)施例相同。本實(shí)施例的等離子處理裝置IOA的動(dòng)作與實(shí)施例1的等離子處理裝置10的動(dòng)作相同。在本實(shí)施例中，由于能夠從多個(gè)高頻天線18生成感應(yīng)電磁場，因此能夠進(jìn)行更大面積的薄膜的形成或?qū)Ω竺娣e的被處理基體的處理。另外，在如圖5所示的比較例那樣，將分隔板15A僅設(shè)置在天線配置部14A的正下方的部分的情況下，在各天線配置部14A中，在分隔板15A與內(nèi)表面1121之間產(chǎn)生臺階115，與此相對，在本實(shí)施例的等離子處理裝置IOA中不產(chǎn)生這樣的臺階，從而難以產(chǎn)生顆粒。實(shí)施例3使用圖6，對實(shí)施例3的等離子處理裝置IOB進(jìn)行說明。本實(shí)施例的等離子處理裝置IOB除了實(shí)施例1的等離子處理裝置10的結(jié)構(gòu)之外，還在天線配置部14內(nèi)填充有電介質(zhì)構(gòu)件21。電介質(zhì)構(gòu)件21的材料可以使用聚四氟乙烯(PTFE)、聚醚醚酮(PEEK)及其他樹月旨、氧化鋁、二氧化硅等陶瓷等。電介質(zhì)構(gòu)件21優(yōu)選無間隙地填充在天線配置部14內(nèi)，但實(shí)際制作時(shí)，在金屬制的真空容器的壁或高頻天線18與電介質(zhì)構(gòu)件21之間大多產(chǎn)生間隙
22。因此，在本實(shí)施例中，與實(shí)施例1的等離子處理裝置10同樣，在蓋16上設(shè)置真空排氣口 161，從真空排氣口 161排出空氣，從而將天線配置部14內(nèi)形成為真空。由此，能夠防止在間隙22中產(chǎn)生不需要的放電。另外，在圖6中，為了方便說明，將間隙22夸張示出。在圖6中，示出僅設(shè)置一個(gè)天線配置部14的例子，但如圖7所示，也可以采用如下結(jié)構(gòu):與實(shí)施例2同樣地設(shè)置多個(gè)天線配置部14，在各天線配置部14中填充電介質(zhì)構(gòu)件21。實(shí)施例4在本發(fā)明的等離子處理裝置中，為了效率良好地生成等離子，使在高頻天線18中流過高頻電流而生成的感應(yīng)電磁場有助于效率良好地等離子生成很重要。在本實(shí)施例中，示出能夠效率良好地生成等離子的天線配置部(空洞)14的結(jié)構(gòu)。在天線配置部14內(nèi)配置的高頻天線18的U字形導(dǎo)體中，最有助于等離子的生成及向基體S的表面處理的不是平行的兩根直線部182的導(dǎo)體，而是將它們連接的部分的導(dǎo)體。以下，將最有助于等離子的生成及向基體S的表面處理的部分的導(dǎo)體稱為“作用部”。在本實(shí)施例中，首先著眼于該 作用部181與空洞14的壁面141之間的距離x(圖8(a))。圖8(b)是使X變化而模擬在作用部181的周圍生成的感應(yīng)電磁場的結(jié)果。另夕卜，向作用部181的天線導(dǎo)體投入的高頻電力的頻率為13.56MHz，流過天線導(dǎo)體的電流為IOArms,天線導(dǎo)體的直徑為6.35mm,天線導(dǎo)體的導(dǎo)電性為1000000S/m。如圖8(b)所示，在X = 20mm的情況下，感應(yīng)電磁場大多被壁面141遮擋，由此向真空容器11的內(nèi)部空間放出的感應(yīng)電磁場變少。與此相對，可知當(dāng)X = 40mm時(shí)，向內(nèi)部空間放出的感應(yīng)電磁場比X = 20mm的情況變多，當(dāng)擴(kuò)寬到x = 80m時(shí)，幾乎不被壁面141遮擋，能夠效率良好地向真空容器11的內(nèi)部空間放出。圖8(c)中是以X為無限遠(yuǎn)的情況下向真空容器11的內(nèi)部空間放出的感應(yīng)電磁場的量為基準(zhǔn)(100% )，通過模擬來比較X變化時(shí)的向內(nèi)部空間放出的感應(yīng)電磁場的量的結(jié)果。X = 20mm時(shí),僅向內(nèi)部空間放出無限遠(yuǎn)時(shí)的約30%左右，但當(dāng)擴(kuò)大到x = 80mm時(shí)，向真空容器11的內(nèi)部空間放出無限遠(yuǎn)時(shí)的約90%左右的感應(yīng)電磁場。在本實(shí)施例中，以X彡30mm的方式設(shè)置天線配置部14，從而向內(nèi)部空間放出無限遠(yuǎn)時(shí)的50%以上的感應(yīng)電磁場。圖9中表示比較實(shí)際上使天線配置部14為X = 20mm或83mm時(shí)的等離子密度相對于高頻電力的變化的結(jié)果。在圖9的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，X = 20mm和x = 83mm時(shí)等離子密度差異較大，X = 83mm時(shí)的等離子密度為x = 20mm時(shí)的等離子密度的約200倍。由該結(jié)果可知，與例如使向高頻天線18投入的高頻電力成為4倍相比，使X成為4倍在提高等離子的電子密度上效率良好。由此，能夠以低成本生成高密度的等離子。圖10表示本實(shí)施例的等離子處理裝置的變形例。本變形例是著眼于天線配置部14的形狀的變形例，如圖10的(a) (C)所示，具有真空容器11的內(nèi)表面1121側(cè)的寬度比外表面1122側(cè)的寬度寬的結(jié)構(gòu)。通過這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠使在高頻天線18的作用部181的周圍形成的感應(yīng)電磁場容易向真空容器11的內(nèi)部空間放出。另外，雖然未圖示，但優(yōu)選天線配置部14的內(nèi)部由電介質(zhì)材料填充。另外，還考慮使用圖11所示的變形例。本變形例中，在天線配置部14的內(nèi)部沿著高頻天線18的作用部181而配置有磁性體構(gòu)件19，該磁性體構(gòu)件19在真空容器11的內(nèi)表面1121側(cè)具有開口且由鐵素體等構(gòu)成。通過該磁性體構(gòu)件19，向真空容器11的外表面1122側(cè)放出的感應(yīng)電磁場通過磁性體構(gòu)件19的內(nèi)部而向真空容器11的內(nèi)部空間放出，因此能夠有助于使從作用部181放出的感應(yīng)電磁場效率良好地生成等離子。實(shí)施例5本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例1 4所示的結(jié)構(gòu)。例如，在上述實(shí)施例1 4中，都在蓋16上設(shè)置用于使天線配置部14內(nèi)成為真空的真空排氣口 161，但也可以代替于此而如圖12所示，在蓋16上設(shè)置不活潑氣體導(dǎo)入口 163及不 活潑氣體排出口 164。在圖12的例子中，通過從不活潑氣體導(dǎo)入口 163導(dǎo)入氬或氮等不活潑氣體，將天線配置部14內(nèi)的空氣或水蒸氣，用不活潑氣體置換并將空氣或水蒸氣從不活潑氣體排出口 164排出，由此使天線配置部14內(nèi)由不活潑氣體充滿。由此，能夠防止在天線配置部14內(nèi)產(chǎn)生不需要的放電。另外，在上述實(shí)施例1 4中，天線配置部14均具有在上壁112上設(shè)置的貫通孔的外表面1122側(cè)設(shè)置蓋16的結(jié)構(gòu)，但也可以如圖13所示，采用通過設(shè)置僅在上壁112的內(nèi)表面1121側(cè)具有開口的空洞來形成天線配置部14B這樣的結(jié)構(gòu)。該情況下，高頻天線18的兩端固定在上壁112的未被貫通而殘留的部分上。符號說明:10、10A、IOB…等離子處理裝置11…真空容器111…內(nèi)部空間112、114 …上壁1121、1141 …內(nèi)表面1122、1142 …外表面113…大致正交棱線12…基體保持部131…氣體導(dǎo)入口132…氣體排出口14、14A、14B…天線配置部(空洞)141…天線配置部(空洞)的壁面15、15A. 分隔板115…臺階16 …蓋161…真空排氣口
162…饋通體163…不活潑氣體導(dǎo)入口164…不活潑氣體排出口17…氣密封件18…高頻天線181…作用部182…直線部19…磁性體構(gòu)件21 電介質(zhì)構(gòu)件22…間 隙S…基體
權(quán)利要求
1.一種等離子處理裝置，其特征在于， 具備: a)密閉容器，其用于在內(nèi)部進(jìn)行等離子處理，且具有周圍由大致正交棱線包圍的壁； b)天線配置部，其設(shè)置在所述壁的內(nèi)表面與外表面之間，且由在內(nèi)表面?zhèn)染哂虚_口的空洞構(gòu)成； c)高頻天線，其配置在所述天線配置部內(nèi)； d)電介質(zhì)制的分隔板，其覆蓋所述壁的內(nèi)表面的由所述大致正交棱線包圍的部分整體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述空洞在所述外表面?zhèn)染哂虚_口，該外表面?zhèn)乳_口由蓋密閉。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述高頻天線安裝于所述蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述天線配置部被密閉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述天線配置部內(nèi)為真空。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述天線配置部內(nèi)由不活潑氣體充滿。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 在所述天線配置部內(nèi)填充有電介質(zhì)構(gòu)件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 在同一壁上設(shè)有多個(gè)所述天線配置部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述高頻天線的作用部和與流過該作用部的電流相垂直的方向上的所述空洞的壁之間的距離為30mm以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述空洞以寬度從所述外表面?zhèn)瘸蛩鰞?nèi)表面?zhèn)茸儗挼姆绞叫纬伞?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置，其特征在于， 在所述天線配置部內(nèi)，所述高頻天線的作用部的周圍除了所述內(nèi)表面?zhèn)纫酝庥纱判泽w構(gòu)件覆蓋。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子處理裝置，其特征在于， 所述磁性體構(gòu)件的材料為鐵素體。
全文摘要
本發(fā)明公開一種等離子處理裝置，其能夠以比外部天線方式的等離子處理裝置高的密度生成等離子，并且能夠抑制作為內(nèi)部天線方式的問題點(diǎn)的、雜質(zhì)向被處理物的混入或顆粒的產(chǎn)生。本發(fā)明的等離子處理裝置具有金屬制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)設(shè)置的貫通孔(空洞)的內(nèi)部配置有高頻天線(18)的天線配置部(14)、以及覆蓋上壁(112)的內(nèi)表面(1121)整體的電介質(zhì)制的分隔板(15)。在該等離子處理裝置中，通過上壁(112)的內(nèi)表面(1121)側(cè)整體由分隔板(15)覆蓋，由此在內(nèi)表面(1121)與分隔板(15)之間不會產(chǎn)生臺階，因此能夠防止在臺階部分產(chǎn)生附著物引起的顆粒的產(chǎn)生。
文檔編號H01L21/205GK103202105SQ20118004254
公開日2013年7月10日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月10日
發(fā)明者節(jié)原裕一, 江部明憲 申請人:Emd株式會社