專利名稱：半導體裝置及半導體裝置的生產方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置及半導體裝置的生產方法，尤其是涉及防止密封材料的泄漏的半導體裝置。
背景技術：
在JP2009-32733A中公開有半導體裝置用引線框架，在一框架部設有凸部，在另一框架部設有與該凸部嚙合的凹部，在使兩個框架部疊合時，使該凸部和凹部嚙合。由此，凝膠泄漏時從密封部的移動距離增加，因此，能夠使直至凝膠泄漏的時間延遲。但是，在JP2009-32733A的技術中，由于只是使凸部嚙合凹部的結構，因此，在凸部與凹部之間必然存在嚙合所需要的間隙。因此，如果經過一段時間，密封材料就會從凸部與凹部之間存在的間隙泄漏。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，提供一種即使經過一段時間，也能防止密封材料泄漏的裝置及方法。本發(fā)明的半導體裝置具有:平板狀的電導通部，其在垂直上部配置并電連接有半導體元件；殼體，其在設于內壁下部的結合部結合所述電導通部的周緣部，并且內壁上部包圍所述電導通部的全周；密封材料，其從垂直上方覆蓋所述半導體元件及所述電導通部。而且，一體成形所述電導通部和所述殼體，作為所述結合部，在所述殼體的內壁下部設有與所述電導通部的周緣部結合的形狀的空間。關于本發(fā)明的實施方式、本發(fā)明的優(yōu)點，下面，與附圖一起詳細進行說明。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式的電動機驅動用三相逆變器的電路圖；圖2是第一實施方式的一個功率模塊的剖面圖；圖3A是第一實施方式的功率模塊的局部放大剖面圖；圖3B是圖3A的局部放大剖面圖；圖4A是第二實施方式的功率模塊的局部放大剖面圖；圖4B是圖4A的局部放大剖面圖；圖4C是表示圖4A所示的構成的變形構成的圖；圖5A是第三實施方式的功率模塊的局部放大剖面圖；圖5B是圖5A的局部放大剖面圖；圖6A是第四實施方式的功率模塊的局部放大剖面圖；圖6B是用圖6A的虛線包圍的部分的局部放大剖面圖。
具體實施方式
下面，基于附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。(第一實施方式)圖1是具備本發(fā)明的第一實施方式的非絕緣型的功率模塊10的電動機驅動用三相逆變器14的電路圖。如圖1所示，一個功率模塊10具有多個功率半導體11 (半導體元件)及多個續(xù)流二極管12 (半導體元件)。各續(xù)流二極管12與各功率半導體11反并聯連接。功率半導體11例如由半導體開關元件、GT0, IGBT等半導體元件構成。這個功率模塊10為用于驅動交流電動機13的三相逆變器14的一相量。直流電源15的電力通過平滑用電容器16和三個功率模塊10轉換為驅動交流電動機13的三相交流電力。交流電動機13例如用于電動汽車(EV)及混合動力汽車(HEV)。詳細地說，在逆變器14上連接有:連接交流電動機13和逆變器14的外部母線(輸出側)21、連接直流電源15和逆變器14的外部母線(P側)22及外部母線(N側)23。一個功率模塊10具備與外部母線(輸出側)21連接的輸出電極24、與外部母線(P側)22連接的P型電極25及與外部母線(N側)23連接的N型電極26。圖2是一個功率模塊10的剖面圖。圖1表示了三個功率模塊10，三個都是相同的構成。另外，在圖1的電路圖中，對于一個功率模塊10，只表示功率半導體為兩個，續(xù)流二極管為兩個。但是，在實際安裝狀態(tài)下，對于一個功率模塊10，使用四個功率半導體、四個續(xù)流二極管，兩個功率半導體、兩個續(xù)流二極管分別并聯連接。功率模塊10在殼體31的內部具有與該殼體31 —體成形的芯片安裝電極41 (電導通部)、配置(安裝)于該芯片安裝電極41的垂直上部的多個半導體芯片51、以冷卻半導體芯片51為目的所具備的冷卻器61。另外,冷卻器61是與殼體31 —起以電絕緣的狀態(tài)固定芯片安裝電極41的基部。左右兩個半導體芯片51，如果其一方是功率半導體11，則另一方是續(xù)流二極管12。左右兩個半導體芯片51利用焊錫52可電導通地接合于芯片安裝電極41的垂直上方。半導體芯片51與固定于殼體31的強電電極端子53，通過接合線54 56及通電用金屬電極57而連接。處于中央的電極端子53用螺釘與外部母線電連接。另外，外部母線為外部母線(P側)、外部母線(N側)、外部母線(輸出側)的任一個。在功率模塊10的垂直下方固定有冷卻器61。在冷卻器61與芯片安裝電極41之間夾入用于使它們電絕緣的絕緣板62。絕緣板62確保絕緣，同時，涂布或含浸有用于提高熱導電性的油脂。殼體31和冷卻器61用安裝部件即螺栓63及螺母64固定。S卩，利用殼體31和冷卻器61夾持芯片安裝電極41及絕緣板62，利用螺栓63及螺母64將它們緊固。由此，功率模塊10的各零件被固定。以半導體芯片51 (半導體元件)的表面與空氣中的濕氣及氧不接觸、不氧化、不腐蝕的方式，用密封材料65密封殼體31內部。即，密封材料65從垂直上方覆蓋半導體芯片51及芯片安裝電極41。作為密封材料65使用凝膠狀的樹脂。這樣，在利用密封材料65將殼體31內部密封的功率模塊10中，存在密封材料65從殼體31和芯片安裝電極41的間隙泄漏這樣的問題。圖3A是功率模塊10的局部放大剖面圖，圖3B是圖3A用虛線包圍的部分的局部放大剖面圖。殼體31是芯片安裝電極41的周緣部42嵌合(結合)在設置于內壁31b的下部的切口 32內，并且內壁31b的上部包圍芯片安裝電極41的全周的結構。作為嵌合部(結合部)的切口 32，是由水平壁32a和垂直壁32b構成的空間。在此，殼體31設定為從箱體上除掉蓋的全部和底的一部分的形狀時，在該殼體31的四個平壁狀的內壁31b的下端設置有切口 32。另一方面，平板狀的芯片安裝電極41的平面的形狀為長方形。以芯片安裝電極41的周緣部42插入嵌合到切口 32的方式，芯片安裝電極41向面方向(圖3A的水平方向)延設。下面，將與切口嵌合的部位的芯片安裝電極定義為“周緣部”，將周緣部以外剩下的部位定義為“電極主體部”。這樣，分為兩個部位定義時，如圖3A所示，芯片安裝電極41由周緣部42和電極主體部43構成。另外，在周緣部42和電極主體部43的邊界記載為點劃線。點劃線在后述的實施方式中也有記載。通過周緣部42插入嵌合切口 32，分別使周緣部42的上表面42a和切口 32的水平壁32a抵接，且使周緣部42的側面42b和切口 32的垂直壁32b抵接而形成密封，密封材料65不會從殼體31的切口 32和芯片安裝電極41的周緣部42的抵接面泄漏。但是，由于不能避免在殼體31及芯片安裝電極41產生的制造偏差，因此，若在殼體31的切口 32和芯片安裝電極41的周緣部42的抵接面產生間隙時，則不能完全抑止密封材料65的泄漏。另外，在結構上具有狹小部的情況下，狹小部的凝膠相對于普通部難以進行固化，因此，未固化殘渣有可能在凝膠密封、固化工序后泄漏。因此，在本發(fā)明的第一實施方式中，以構成殼體31的材料的收縮率比構成芯片安裝電極41 (電導通部)的材料的收縮率大的方式，選擇殼體31及芯片安裝電極41的材料，且一體成形殼體31及芯片安裝電極41。構成殼體31的材料可以使用例如，聚苯硫醚(PPS)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、液晶聚合物(LCP)、芳香族聚酰胺(PA6T)、聚酰胺66 (PA66)樹脂材料。另一方面，構成芯片安裝電極41的材料可以使用例如銅(Cu)、銅一鑰合金(CuMo)、銅一鎢合金(CuW)、鑰一鎢合金(MoW)、鋁(Al)的金屬材料或鋁-碳化硅(AlSiC)的陶瓷與金屬的復合材料。作為一體成形殼體31及芯片安裝電極41的方法例如有將溶化的樹脂材料澆注到設置(配置)了芯片安裝電極41的模具中而成形殼體31，在樹脂材料凝固后，從模具中取出的方法。該一體成形的方法在所有實施方式中使用。在一體成形殼體31及芯片安裝電極41時，收縮率比構成芯片安裝電極41的材料大的樹脂材料即殼體31的一方收縮較大。由于該收縮率之差，在與殼體31抵接的周緣部42的整個外周，從周圍向與周緣部的面正交的方向作用一定的壓力。在此，與殼體31抵接的周緣部42的外周是水平方向的平面即上表面42a，垂直方向的平面即側面42b。因此，壓力從切口 32的水平壁32a朝向垂直下方作用在周緣部42的上表面42a，另外，壓力從切口32的垂直壁32b朝向殼體內側(圖3B的右)作用在周緣部42的側面42b (參照圖3B的箭頭)。即，由于一體成形時的殼體31及芯片安裝電極41的收縮，產生有切口周圍的殼體31向垂直方向和水平方向兩個方向按壓周緣部42的壓力。由此，通過垂直方向(芯片安裝電極41的板厚方向(圖3B的上下方向))的抵接面及水平方向(芯片安裝電極41的面方向(圖3B的水平方向))的抵接面這兩個面，提高了殼體31和芯片安裝電極41的密接性。即，在殼體31和芯片安裝電極41的兩個抵接面無間隙，因此，可以防止密封材料65通過殼體31和芯片安裝電極41的抵接面的間隙向殼體31外部泄漏。在此，總結第一實施方式的作用效果，為如下所述。即，第一實施方式的半導體裝置具有:平板狀的芯片安裝電極41 (電導通部)，其在垂直上部配置并電連接有半導體芯片51 (半導體元件)；殼體31，其在設于內壁31b的下部的切口 32 (嵌合部)嵌合有該芯片安裝電極41的周緣部42，并且內壁31b的上部包圍芯片安裝電極41的全周；密封材料65，其從垂直上方覆蓋半導體芯片51及芯片安裝電極41。在該半導體裝置中，使構成殼體31的材料的收縮率比構成芯片安裝電極41的材料的收縮率大，并且一體成形芯片安裝電極41和殼體31。這樣,根據第一實施方式,在殼體31及芯片安裝電極41 一體成形時,設置于殼體31的內壁31b下部的切口 32的周圍的殼體31比與該切口 32嵌合的周緣部42收縮大。由于該一體成形時的殼體31與芯片安裝電極41的收縮率的差異，即使在殼體31及芯片安裝電極41的尺寸上產生制造偏差，切口 32周圍的殼體31也可利用垂直方向(芯片安裝電極41的板厚方向)的抵接面和水平方向(芯片安裝電極41的面方向)抵接面這兩個面與芯片安裝電極41的周緣部42密接，因此，芯片安裝電極41的周緣部42和殼體31的抵接面的間隙不存在，可以防止密封材料65向殼體外泄漏。(第二實施方式)圖4A是第二實施方式的功率模塊10的局部放大剖面圖，圖4B是用圖4A的虛線包圍的部分的局部放大剖面圖。與第一實施方式的圖3A及圖3B相同的部分附加相同符號。在第一實施方式中，芯片安裝電極41的周緣部42的板厚(垂直方向的厚度)與芯片安裝電極41的電極主體部43相同。在第二實施方式中，周緣部42的板厚比電極主體部43薄，并且作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設有與該周緣部42嵌合的形狀的槽33。即，如圖4B所示，周緣部42由一個上表面42a、兩個下表面42d、42e、三個側面42b、42c、42f構成。下表面有兩個，因此，將42d設為第一下表面，將42e設為第二下表面42e。側面有三個,因此,將42b設為第一側面,將42c設為第二側面,將42f設為第三側面。周緣部42的上表面42a比電極主體部43的上表面43a低。周緣部42的上表面42a和電極主體部43的上表面43a通過第二側面42c連接。第一下表面42d形成與電極主體部43的下表面43b相同的面，第二下表面42e形成比第一下表面42d高的位置。第一下表面42d和第二下表面42e通過第三側面42f連接。這樣，為了使周緣部42的板厚比電極主體部43的板厚小，例如，使用沖壓及切削這類方法即可。另一方面，如圖4B所示，槽33 (嵌合部)由兩個水平壁33a、33c、兩個垂直壁33b、33d構成。水平壁是兩個，因此，將33a設為第一水平壁，將33c設為第二水平壁。垂直壁也是兩個，因此，將33b設為第一垂直壁,將33d設為第二垂直壁。第一水平壁33a處于比電極主體部43的上表面43a低的位置，第二水平壁33c處于比殼體31的下表面31a高的位置。第二側壁33d處于比殼體內壁31b靠殼體外側(圖4B的左邊)。在第二實施方式中，在殼體31的內壁31b的下部作為嵌合部設置的不是切口而是槽33，因此，殼體30也與周緣部42的第二下表面42e抵接。因此，一體成形殼體31及芯片安裝電極41時，壓力從槽33的第一水平壁33a朝向垂直下方作用在周緣部42的上表面42a，壓力從槽33的第二水平壁33c朝向垂直上方作用在周緣部42的第二下表面42e (參照圖4B的箭頭)。即，利用一體成形時的收縮，產生從垂直方向的上下夾住周緣部42的壓力，因此，進一步提高殼體31和芯片安裝電極41的兩個水平方向的抵接面的密接性。另外，通過在殼體31設置槽33，芯片安裝電極41和殼體31所結合的部位的接觸面增多，密封材料65漏出到殼體外的距離變長，因此，能夠使密封材料65難以泄漏。圖4C是將周緣部42的上表面42a形成與電極主體部43的上表面43a相同的高度的變形構成圖。在圖4C所示的構成中，周緣部42的板厚也比電極主體部43薄，作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設置有與該周緣部42嵌合的形狀的槽33。因此，得到與圖4A所示的構成同樣的效果。以上，根據第二實施方式，使周緣部42的板厚比電極主體部43薄，并且作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設置與該周緣部42嵌合的形狀的槽33，因此，槽33周圍的殼體31不僅從水平方向而且從垂直方向的上下與芯片安裝電極41的周緣部42密接，因此，可以進一步減小芯片安裝電極41的周緣部42和殼體31的抵接面的間隙。(第三實施方式)圖5A是第三實施方式的功率模塊10的局部放大剖面圖，圖5B是圖5A的用虛線包圍的部分的局部放大剖面圖。與第一實施方式的圖3A及圖3B相同的部分附加相同的符號。如第二實施方式，通過使周緣部42的板厚比電極主體部43的板厚薄，利用一體成形殼體31及芯片安裝電極41時的收縮，產生從垂直方向的上下夾住周緣部42的壓力，殼體31和芯片安裝電極41的水平方向的抵接面的密接性提高。但是，在該構成中，隨著周緣部42的板厚變薄，相對于撓曲、變形，周緣部42的強度下降。為了解決該問題點，第三實施方式使周緣部42'的形狀形成越朝向芯片安裝電極41的外周，階梯地減薄的形狀，并且作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設有與該周緣部42'嵌合的形狀的槽33'。即，如圖5B所示，周緣部42'由一個上表面42a、三個下表面42d、42e、42g、三個側面42b、42f、42h構成。下表面是三個，因此將42d設為第一下表面，將42e設為第二下表面42e，將42g設為第三下表面。側面是三個，因此將42b設為第一側面，將42f設為第二側面,將42h設為第三側面。第一下表面42d形成與電極主體部43的下表面43b相同的面，第二下表面42e成為比第一下表面42d高的位置，第三下表面42g成為比第二下表面42e高的位置。第一下表面42d和第二下表面42e通過第二側面42f連接，第三下表面42g和第二下表面42e通過第三側面42h連接。這樣，為了使周緣部42'形成越朝向芯片安裝電極41的外周，越階梯地變薄的形狀，使用例如沖壓及切削這種方法即可。另一方面，如圖5B所示，槽33'(嵌合部)由三個水平壁33a、33c、33e、三個垂直壁33b、33d、33f構成。水平壁為三個，因此，將33a設為第一水平壁，將33c設為第二水平壁，將33e設為第三水平壁。垂直壁為三個，因此，將33b設為第一垂直壁，將33d設為第二垂直壁，將33f設為第三垂直壁。第一水平壁33a處于與電極主體部43的上表面43a相同的位置，第二水平壁33c處于比殼體31的下表面31a高的位置，第三水平壁33e處于比第二水平壁33c高，且比第一水平壁33a低的位置。第二垂直壁33d處于比第一垂直壁33b靠殼體內壁31b側(圖5B的右邊)，第三垂直壁33f處于第一垂直壁33b和第二垂直壁33d的中間。
現在，如圖5A所示，將周緣部42'從外周側分割為第一周緣部421、第二周緣部
422、第三周緣部423這三個(參照點劃線)，僅對作用于垂直方向的壓力進行考慮。在一體成形殼體31及芯片安裝電極41時，在第三周緣部423，朝向垂直下方的壓力只作用在上表面(42a)，在第二周緣部422，朝向垂直下方的壓力作用在上表面(42a)，朝向垂直上方的壓力作用在下表面(42e),在第一周緣部421,朝向垂直下方的壓力作用在上表面(42a),朝向垂直上方的壓力作用在下表面(42g)(參照圖5B的箭頭)。在此，板厚以第三周緣部423、第二周緣部422、第一周緣部421的順序依次減薄，因此，作用于板厚方向的力以第三周緣部
423、第二周緣部422、第一周緣部421的順序依次變大。即，以第三周緣部423、第二周緣部422、第一周緣部421的順序，依次提高殼體31和芯片安裝電極41的水平方向的抵接面的密接性。另一方面，以第一周緣部421、第二周緣部422、第三周緣部423的順序，板厚依次變厚，因此，以該順序提高周緣部的強度。這樣，根據第三實施方式。將周緣部42'的形狀設定為越朝向芯片安裝電極41的外周越階梯地減薄的形狀，并且，作用嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設有與該周緣部42'嵌合的形狀的槽33'。由此，隨著周緣部42'的板厚越朝向芯片安裝電極41的外周(圖5B的左邊)越薄，殼體31和芯片安裝電極41的水平方向的抵接面的密接性提高。另外，隨著周緣部42'的板厚越朝向芯片安裝電極41的中央部(圖5B的右邊)越厚，周緣部42'的強度提高。根據第三實施方式，可以同時確保與殼體31的密接性及芯片安裝電極41的強度。在第三實施方式中，對將周緣部的形狀設定為越朝向芯片安裝電極41的外周越階梯地減薄的形狀，并且作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設置與該周緣部嵌合的形狀的槽的情況進行了說明，但不限于此。例如，也可以將周緣部的形狀設定為越朝向芯片安裝電極41的外周越連續(xù)地減薄的形狀，并且，作用為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設置與該周緣部嵌合的形狀的槽。(第四實施方式)圖6A是第四實施方式的功率模塊10的局部放大剖面圖，圖6B是圖6A的用虛線包圍的部分的局部放大剖面圖。與第一實施方式的圖3A及圖3B相同的部分附加相同的符號。一體成形殼體31及芯片安裝電極41之后，在因環(huán)境溫度的變化殼體31及芯片安裝電極41高溫化的情況下，產生與一體成形時相反的情況。即，收縮率比構成芯片安裝電極41的材料大的樹脂材料即殼體31 —方因高溫化產生大的膨脹。由此，不僅從周圍作用在與殼體31抵接的周緣部42的外周的壓力消失，而且，會在殼體31和芯片安裝電極41的抵接面產生間隙。第四實施方式為了解決該問題點，使周緣部42'，的形狀形成在最外側具有從其內側向垂直下方(垂直方向)突出的突起45的形狀，并且，作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設有與該周緣部42'，嵌合的形狀的槽33'，。即，如圖6B所示，周緣部42'，由一個上表面42a、三個下表面42d、42e、421、三個側面42b、42f、42j構成。下表面為三個，因此，將42d設為第一下表面，將42e設為第二下表面，將42i設為第四下表面。側面為三個，因此,將42b設為第一側面,將42f設為第二側面,將42j設為第四側面。第一下表面42d形成與電極主體部43的下表面43b相同的面，第二下表面42e為比第一下表面42d高的位置，第四下表面42i為第二下表面42e和第一下表面42d之間。第一下表面42d和第二下表面42e通過第三側面42f連接，第四下表面42i和第二下表面42e通過第四側面42j連接。這樣，在將周緣部42''的形狀形成為在最外側具有從其內側向垂直下方突出的突起45的形狀時，使用例如沖壓及切削這種方法即可。另一方面，如圖6B所示，槽33''(嵌合部)由三個水平壁33a、33c、331、三個垂直壁33b、33d、33j構成。水平壁為三個，因此，將33a設為第一水平壁，將33c設為第二水平壁，將33i設為第四水平壁。垂直壁為三個，因此，將33b設為第一垂直壁，將33d設為第二垂直壁，將33j設為第四垂直壁。第一水平壁33a處于與電極主體部43的上表面43a相同的位置，第二水平壁33c處于比殼體31的下表面31a高的位置，第四水平壁33i處于第一水平壁33a和第二水平壁33c之間。第二垂直壁33d處于比第一垂直壁33b靠殼體內壁側(圖6B的右邊)，第四垂直壁33 j處于第一垂直壁33b和第二垂直壁33d的中間。在因環(huán)境溫度的變化，殼體31及芯片安裝電極41變成高溫，殼體31及芯片安裝電極41膨脹的情況下，在突起部45的一側面即第一側面42b，從第一垂直壁33b朝向殼體內壁31b側(圖6B的右邊)作用壓力，在突起部45的另一側面即第四側面42 j，從第四垂直壁33j朝向殼體外側(圖6B的左邊)作用壓力(參照圖6B的箭頭)。S卩，由于殼體31及芯片安裝電極41的膨脹，產生從水平方向的兩側夾住突起部45的壓力，因此，殼體31和芯片安裝電極41的垂直方向的抵接面的密接性進一步提高。這樣，根據第四實施方式，將周緣部42'，的形狀設定為在最外側具有從其內側向垂直方向突出的突起45的形狀，并且作為嵌合部，在殼體31的內壁31b下部設有與該周緣部42'，嵌合的形狀的槽33'，。由此，在因環(huán)境溫度的變化而變?yōu)楦邷兀瑲んw及電導通部膨脹的情況下，突起45周圍的殼體31從水平方向的兩側與芯片安裝電極41的周緣部42'，密接。因此，即使在隨著環(huán)境溫度的變化而膨脹時，也可減小殼體31和芯片安裝電極41的抵接面的間隙，防止密封材料65向殼體外泄漏。以上，參照附圖詳細說明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這樣的具體的構成，還包含添附的本發(fā)明請求范圍的宗旨內的各種變更及同等的構成。本申請主張基于2010年10月7日向日本特許廳申請的特愿2010 — 227823的優(yōu)先權，該申請的全部的內容通過參照編入到本說明書中。
權利要求
1.一種半導體裝置，具有: 平板狀的電導通部(41 )，其在垂直上部配置并電連接有半導體元件； 殼體(31)，其在設于內壁下部的結合部結合所述電導通部(41)的周緣部，并且內壁上部包圍所述電導通部(41)的全周； 密封材料(62 )，其從垂直上方覆蓋所述半導體元件及所述電導通部(41)，其中， 一體成形所述電導通部(41)和所述殼體， 作為所述結合部，在所述殼體的內壁下部設有與所述電導通部(41)的周緣部結合的形狀的空間。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中， 使所述電導通部(41)的周緣部的板厚比除了該周緣部而剩下的電導通部薄， 作為所述結合部，在所述殼體的內壁下部設有與所述電導通部(41)的周緣部結合的形狀的槽。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中， 構成所述殼體(31)的材料的收縮率比構成所述電導通部(41)的材料的收縮率大。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中， 使所述周緣部的形狀越朝向所述電導通部(41)的外周，越階梯地或連續(xù)地減薄， 作為所述結合部，在所述殼體的內壁下部設有與所述電導通部(41)的周緣部結合的形狀的槽。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中， 將所述周緣部的形狀設定為在最外側具有比其內側更向垂直方向突出的突起的形狀，作為所述結合部，在所述殼體的內壁下部設有與所述電導通部(41)的周緣部結合的形狀的槽。
6.一種半導體裝置的生產方法，在平板狀的電導通部(41)的垂直上部配置并電連接有半導體元件， 在內壁上部包圍所述電導通部(41)的全周的殼體(31)的內壁下部設有結合部，使所述電導通部(41)的周緣部與該結合部結合，之后， 利用密封材料(62)從垂直上方覆蓋所述半導體元件及所述電導通部(41)，其中， 通過向設置所述電導通部(41)的模具澆注所述樹脂材料，一體成形所述電導通部(41)和所述殼體(31)。
全文摘要
半導體裝置具有平板狀的電導通部，其在垂直上部配置并電連接有半導體元件；殼體，其在設于內壁下部的結合部結合該電導通部的周緣部，并且內壁上部包圍電導通部的全周；密封材料，其從垂直上方覆蓋半導體元件及電導通部。一體成形電導通部和殼體，作為結合部，在殼體的內壁下部設有與電導通部的周緣部結合的形狀的空間。
文檔編號H01L25/18GK103081096SQ201180043158
公開日2013年5月1日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權日2010年10月7日
發(fā)明者寶木伸一, 并木一茂, 朝倉大輔, 成瀬干夫, 村井宏彰, 古川資之 申請人:日產自動車株式會社