專利名稱：半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法和電子電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文討論的實(shí)施方案涉及半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
氮化物半導(dǎo)體中包含的GaN、AlN和InN，以及包含這些氮化物半導(dǎo)體的混合晶體的材料具有寬的帶隙，并且用于高輸出電子器件、短波長發(fā)光器件等。場效應(yīng)晶體管(FETs)如高電子遷移率晶體管(HEMTs)用于高輸出電子器件中。包含氮化物半導(dǎo)體的HEMTs用于高輸出和高效放大器、大功率開關(guān)器件等當(dāng)中。在包含用作電子供給層的AlGaN和用作電子傳輸層的GaN的HEMT中，因AlGaN與GaN之間的晶格常數(shù)差引起的失真在AlGaN中導(dǎo)致壓電極化。相應(yīng)地，生成高濃度二維電子氣，并由此可改善HEMT的特性。用于包含氮化物半導(dǎo)體的HEMT的GaN的帶隙可以為3. 4eV，其大于Si的帶隙(即I. IeV)以及GaAs的帶隙(即I. 4eV)。因此，HEMT可在高電壓操作。形成在這樣的HEMT的半導(dǎo)體襯底表面上的柵電極、源電極和漏電極經(jīng)由線接合連接到引線框等。例如，日本特許公開專利公報(bào)No. 2010-21347公開了相關(guān)技術(shù)。將高壓施加到例如在高電壓操作的高擊穿電壓功率器件的電極。因此，高壓電流流過接合線，用于施加電壓到電極。當(dāng)相鄰接合線之間的距離減小時(shí)，漏電流可因接合線之間的電勢差增加而增加。當(dāng)以用于高沖擊電壓的成型樹脂(具有高粘度的成型樹脂)進(jìn)行密封時(shí)，接合線被施加到成型樹脂的力擠壓，并且接合線的形狀可以改變。因此，相鄰接合線之間的距離可減小。另外，接合線被施加到成型樹脂的力擠壓，并且可從諸如電極的耦接部分脫落。隨著低阻接合線的實(shí)現(xiàn),接合線的材料可包含銅。當(dāng)接合線的材料包含銅時(shí)，銅與其它材料可能因利用成型樹脂材料的密封不提供足夠的防濕性而被氧化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實(shí)施方案的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件包含具有電極的半導(dǎo)體芯片；與所述電極對應(yīng)的引線；將所述電極耦接到所述引線的金屬線；覆蓋所述金屬線與所述電極之間的耦接部分以及在所述金屬線與所述引線之間的耦接部分的第一樹脂部分；和覆蓋所述金屬線、所述第一樹脂部分和所述半導(dǎo)體芯片的第二樹脂部分。根據(jù)所述半導(dǎo)體器件，所述耦接部分通過形成所述第一樹脂部分來固定，并且形成所述第二樹脂部分用于樹脂密封?？梢砸愿呤章侍峁└叨瓤煽康陌雽?dǎo)體器件。本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)和新穎特征的一部分將在隨后的具體實(shí)施方式
部分闡述，并且一部分將在查閱下文之后或通過實(shí)踐本發(fā)明的學(xué)習(xí)之后而對于本領(lǐng)域技術(shù)人員變得更明顯。


圖I不出一種不例性半導(dǎo)體器件；圖2不出半導(dǎo)體芯片的一個(gè)不例性頂表面；圖3A到3E示出一種用于制造半導(dǎo)體芯片的示例性方法；圖4A到4F示出一種用于制造半導(dǎo)體芯片的示例性方法；圖5示出一種示例性半導(dǎo)體器件；圖6A到6F示出一種制造半導(dǎo)體器件的示例性方法；圖7示出一種示例性供電電路；和 圖8示出一種示例性高頻放大器。
具體實(shí)施例方式基本上相同的部件、相似的部件等指定為相同的附圖標(biāo)記，并且那些部件的描述可以省略或縮減。圖I示出一種示例性半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件可包括半導(dǎo)體芯片，其上形成有分立封裝的HEMT晶體管。在圖I中，半導(dǎo)體芯片10用諸如焊料的芯片附接劑30固定在引線框主體20上。半導(dǎo)體芯片10可為包含基于GaN的材料的HEMT。圖2示出半導(dǎo)體芯片的一個(gè)示例性頂表面。圖2中示出的半導(dǎo)體芯片可為圖I中示出的半導(dǎo)體芯片。在圖2中，包含諸如Al、Au或Cu的金屬材料的柵電極極板11、源電極極板12和漏電極極板13形成在半導(dǎo)體芯片10的表面上。柵電極極板11用接合線41耦接到柵極引線21。源電極極板12用接合線42耦接到源極引線22。漏電極極板13用接合線43耦接到漏極引線23。接合線41、42和43可為金屬線，并且可包含諸如Al、Au或Cu的金屬材料。接合線41在從柵電極極板11與接合線41之間的耦接部分延伸到柵極引線21與接合線41之間的耦接部分的區(qū)域中用第一樹脂部分51覆蓋。接合線42在從源電極極板12與接合線42之間的耦接部分延伸到源極引線22與接合線42之間的耦接部分的區(qū)域中用第一樹脂部分52覆蓋。接合線43在從漏電極極板13與接合線43之間的耦接部分延伸到漏極引線23與接合線43之間的耦接部分的區(qū)域中用第一樹脂部分53覆蓋。第一樹脂部分51、52和53包含諸如聚酰亞胺的樹脂材料。第一樹脂部分51、52和53通過例如噴涂樹脂材料來形成。因此，接合線41、42和43的變形等可以減少。包含諸如聚酰亞胺的樹脂材料的第一樹脂部分51、52和53的防濕性高于成型樹脂的防濕性。半導(dǎo)體芯片10，分別覆蓋有第一樹脂部分51、52和53的接合線41、42和43，引線框主體20，柵極引線21的一部分，源極引線22的一部分，以及漏極引線23的一部分均覆蓋有第二樹脂部分60。第二樹脂部分60包含成型樹脂等。樹脂密封可通過轉(zhuǎn)移成型法來進(jìn)行。在半導(dǎo)體器件中，在接合線41、42和43等分別用第一樹脂部分51、52和53覆蓋之后，第一樹脂部分用第二樹脂部分60覆蓋。當(dāng)通過轉(zhuǎn)移成型法等進(jìn)行樹脂密封時(shí)，接合線41、42和43的變形、斷開等可因?yàn)榻雍暇€41、42和43分別用第一樹脂部分51、52和53覆蓋而得以減少。諸如成型樹脂的樹脂材料可能不具有足夠的防濕性。形成包含具有高防濕性的樹脂材料如聚酰亞胺的第一樹脂部分51、52和53，由此減少來自外部的濕氣入侵。包含在接合線41、42和43中的Cu等的氧化或腐蝕可得以減少。作為金屬線，可使用為金屬絲的接合線41、42和43。或者，可使用金屬帶等代替金屬絲。圖3A到3E示出制造半導(dǎo)體芯片的示例性方法。圖3A到3E中示出的半導(dǎo)體芯片可為圖I或2中示出的半導(dǎo)體芯片。
的半導(dǎo)體層通過諸如金屬有機(jī)氣相外延(MOVPE)的外延生長形成在襯底110上。襯底110可包含Si、SiC、藍(lán)寶石(Al2O3)等。用于外延生長電子傳輸層121及其它層的緩沖層(未示出)形成在襯底110上。緩沖層可為例如具有O. Iym厚度的未摻雜i-AIN層。電子傳輸層121可為具有3μπι厚度的未摻雜i-GaN層。間隔層122可為具有5nm厚度的未摻雜i-AlGaN層。電子供給層123可為具有30nm厚度并以5 X IO18CnT3的濃度摻雜有作為雜質(zhì)元素的Si的n-Al0.25Ga0.75N層。帽層124可為具有IOnm厚度并以5 X IO18CnT3的濃度摻雜有作為雜質(zhì)元素的Si的η-GaN層。如圖3B中所示，移除待形成源電極132和漏電極133的區(qū)域中的帽層124，以使電子供給層123在該區(qū)域暴露。例如，將光刻膠施加到帽層124的表面上。光刻膠通過曝光裝置曝光，并隨后顯影以在待形成源電極132和漏電極133的區(qū)域中形成具有開口的光刻膠圖案(未示出)。光刻膠圖案(未示出)開口中的帽層124利用基于氯的氣體通過諸如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)的干蝕刻移除。光刻膠圖案(未示出)通過有機(jī)溶劑等移除。由此，在待形成源電極132和漏電極133的區(qū)域中移除帽層124，并且在該區(qū)域中暴露電子供給層123。如圖3C中所示，源電極132和漏電極133形成在通過移除帽層124所暴露的電子供給層123的區(qū)域中。例如，將光刻膠施加到其上形成帽層124的表面上。光刻膠通過曝光裝置曝光，并隨后顯影，以在待形成源電極132和漏電極133的區(qū)域中形成具有開口的光刻膠圖案(未示出)。金屬膜，例如具有約20nm厚度的Ta膜以及具有約200nm厚度的Al膜通過真空沉積等形成在整個(gè)表面上。沉積在光刻膠圖案上的金屬膜隨后通過利用有機(jī)溶劑通過剝離移除。源電極132和漏電極133利用金屬膜形成在未形成光刻膠圖案的區(qū)域中。由于沉積的金屬膜例如Ta膜與電子供給層123接觸，所以通過在氮?dú)夥罩杏?00°C至700°C范圍的溫度如550°C進(jìn)行熱處理而在源電極132和漏電極133之間建立歐姆接觸。當(dāng)在沒有熱處理的情況下建立歐姆接觸時(shí)，可不進(jìn)行熱處理。如圖3D中所示，與柵極絕緣膜對應(yīng)的絕緣膜140形成在帽層124上。例如，絕緣膜140可包含氧化鋁(Al2O3)。例如，具有約IOnm厚度的絕緣膜140在300°C的襯底溫度下使用三甲基鋁(TMA)和純水(H2O)通過原子層沉積(ALD)來沉積。如圖3E中所示，柵電極131形成在絕緣膜140上的某個(gè)區(qū)域中。例如，將光刻膠施加到其上形成絕緣膜140的表面上。光刻膠通過曝光裝置曝光，并隨后顯影以在待形成柵電極131的區(qū)域中形成具有開口的光刻膠圖案(未示出)。金屬膜例如具有約40nm厚度的Ni膜和具有約400nm厚度的Au膜通過真空沉積形成在整個(gè)表面上。沉積在光刻膠圖案上的金屬膜隨后利用有機(jī)溶劑通過剝離移除。柵電極131利用金屬膜形成在未形成光刻膠圖案的區(qū)域中。作為金屬膜的Ni膜形成在絕緣膜140上，并且根據(jù)需要隨后可進(jìn)行熱處理
坐寸ο形成保護(hù)膜等。如圖2中所示，形成耦接到柵電極131的柵電極極板11，耦接到源電極132的源電極極板12，以及耦接到漏電極133的漏電極極板13。柵電極131可包括柵電極極板11，源電極132可包括源電極極板12，并且漏電極133可包括漏電極極板13。由此形成半導(dǎo)體芯片10。 可形成具有包含GaN或AlGaN的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體芯片10?；蛘?，可形成具有包含InAlN或InGaAlN的半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體芯片。在包含在高壓下操作的晶體管以及其他組件的電子器件中，半導(dǎo)體層可包含Si、GaAs、SiC、C等。圖4A到4F示出制造半導(dǎo)體器件的一個(gè)示例性方法。如圖4A中所示，引線框160通過加工金屬片材等來制備。引線框160可包含包括銅等的導(dǎo)電性金屬材料。引線框160包括引線框主體20(其上固定有半導(dǎo)體芯片10)、柵極引線21、源極引線22和漏極引線23。漏極引線23耦接到引線框主體20。柵極引線21用它與漏極引線23之間的接合部分161而耦接到漏極引線23的一側(cè)。源極引線22用它與漏極引線23之間的接合部分162而耦接到漏極引線23的另一側(cè)。如圖4B中所示，半導(dǎo)體芯片10用諸如焊料的芯片附接劑30固定到引線框主體20。如圖4C中所示，通過線接合來進(jìn)行連接。柵電極極板11用接合線41耦接到柵極引線21。源電極極板12用接合線42耦接到源極引線22。漏電極極板13用接合線43耦接到漏極引線23。接合線41、42和43中包含的材料可與柵電極極板11、源電極極板12或漏電極極板13中包含的材料基本上相同或相似。如圖4D中所示，接合線41、42和43通過分別用第一樹脂部分51、52和53覆蓋來固定。例如，接合線41在從柵電極極板11與接合線31之間的耦接部分延伸到柵極引線21與接合線41之間的耦接部分的區(qū)域中用第一樹脂部分51覆蓋。接合線42在從源電極極板12與接合線42之間的耦接部分延伸到源極引線22與接合線42之間的耦接部分的區(qū)域中用第一樹脂部分52覆蓋。接合線43在從漏電極極板13與接合線43之間的耦接部分延伸到漏極引線23與接合線43之間的耦接部分的區(qū)域中用第一樹脂部分53覆蓋。第一樹脂部分51、52和53中包含的材料可為聚酰亞胺等等。第一樹脂部分51、52和53通過利用在待形成第一樹脂部分51、52和53的區(qū)域中具有開口的陰影掩模噴涂諸如聚酰亞胺的樹脂材料來形成?；蛘?，第一樹脂部分51、52和53可通過使用分配器等供給諸如聚酰亞胺的樹脂材料來形成。如圖4E中所示，半導(dǎo)體芯片10以及引線框160的一部分通過用第二樹脂部分60覆蓋來固定。例如，第二樹脂部分60通過轉(zhuǎn)移成型法來形成。第二樹脂部分60可包含成型樹脂，并且可包含適用于高擊穿電壓的材料。第二樹脂部分60的性質(zhì)可與第一樹脂部分51、52和53的性質(zhì)不同。第一樹脂部分51、52和53的材料可與第二樹脂部分60的材料不同。如圖4F中所示，切割并移除將漏極引線23耦接到柵極引線21的接合部分161。切割并移除將漏極引線23耦接到源極引線22的接合部分162。由此，制得半導(dǎo)體器件。柵極引線21和源極引線22可不被耦接到引線框主體20，并且可通過第二樹脂部分60中包含的成型樹脂固定。第二樹脂部分60可包含成型樹脂，并且可包含其它材料等。圖5示出一種示例性半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可包括其上形成分立封裝的HEMT晶體管的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片可為圖I中示出的半導(dǎo)體芯片10。圖5示出其中第二樹脂部分60的表面的一部分被移除的狀態(tài)。半導(dǎo)體芯片10用諸如焊料的芯片附接劑30固定在引線框主體20上。半導(dǎo)體芯片10可為包含基于GaN的材料的HEMT。柵電極極板11與接合線41之間的耦接部分用第一樹脂部分211覆蓋。柵極引線21與接合線41之間的耦接部分用第一樹脂部分221覆蓋。源電極極板12與接合線42之間的耦接部分用第一樹脂部分212覆蓋。源極引線22與接合線42之間的耦接部分用第一 樹脂部分222覆蓋。漏電極極板13與接合線43之間的耦接部分用第一樹脂部分213覆蓋。漏極引線23與接合線43之間的耦接部分用第一樹脂部分223覆蓋。第一樹脂部分211、
212、213、221、222和223包含諸如聚酰亞胺的樹脂材料，并且通過例如噴涂樹脂材料來形成。整個(gè)半導(dǎo)體芯片10，第一樹脂部分211、212、213、221、222和223，接合線41、42和43，以及引線框主體20用第二樹脂部分60覆蓋并密封。第二樹脂部分60可包含成型樹脂等，并且樹脂密封可通過轉(zhuǎn)移成型方法來進(jìn)行。形成第一樹脂部分211、212、213、221、222和223而沒有接合線41、42和43的變形或斷開。接合線41、42和43的耦接部分通過形成第一樹脂部分211、212、213、221、222和223來固定。第二樹脂部分60通過轉(zhuǎn)移成型法等形成，而沒有接合線41、42或43從相應(yīng)的電極極板或引線脫離，并且進(jìn)行樹脂密封。可以高產(chǎn)率提供高度可靠的半導(dǎo)體器件。圖6A到6F示出一種制造半導(dǎo)體器件的示例性方法。如圖6A中所示，引線框160通過加工金屬片材等來制備。引線框160可包含包括銅等的導(dǎo)電性金屬材料。如圖6B中所示，半導(dǎo)體芯片10用諸如焊料的芯片附接劑30固定到引線框主體20。如圖6C中所示，耦接通過線接合來進(jìn)行。柵電極極板11用接合線41耦接到柵極引線21。源電極極板12用接合線42耦接到源極引線22。漏電極極板13用接合線43耦接到漏極引線23。如圖6D中所示，接合線41、42和43的耦接部分通過用第一樹脂部分211、212、
213、221、222和223覆蓋來固定。例如，柵電極極板11與接合線41之間的耦接部分用第一樹脂部分211覆蓋。柵極引線21與接合線41之間的耦接部分用第一樹脂部分221覆蓋。源電極極板12與接合線42之間的耦接部分用第一樹脂部分212覆蓋。源極引線22與接合線42之間的耦接部分用第一樹脂部分222覆蓋。漏電極極板13與接合線43之間的耦接部分用第一樹脂部分213覆蓋。漏極引線23與接合線43之間的耦接部分用第一樹脂部分223覆蓋。第一樹脂部分211、212、213、221、222和223中包含的材料可為諸如聚酰亞胺的樹脂材料。例如，第一樹脂部分通過利用在其中待形成第一樹脂部分211、212、213、221、222和223的區(qū)域中具有開口的陰影掩模噴涂諸如聚酰亞胺的樹脂材料來形成。或者，第一樹脂部分211、212、213、221、222和223可通過使用分配器等供給諸如聚酰亞胺的樹脂材料來形成。如圖6E中所示，固定在引線框160上的半導(dǎo)體芯片10以及引線框160的一部分通過用第二樹脂部分60覆蓋來固定。例如，半導(dǎo)體芯片10和引線框160的一部分通過由轉(zhuǎn)移成型方法形成的第二樹脂部分60固定。第二樹脂部分60可包含成型樹脂，并且可包含適用于聞?chuàng)舸╇妷旱牟牧稀５诙渲糠?0的性質(zhì)可與第一樹脂部分211、212、213、221、222和223的性質(zhì)不同。第一樹脂部分211、212、213、221、222和223的材料可與第二樹脂部分60的材料不同。如圖6F中所示，切割并移除將漏極引線23耦接到柵極引線21的接合部分161。切割并移除將漏極引線23耦接到源極引線22的接合部分162。由此，制得半導(dǎo)體器件。柵極引線21和源極引線22可不耦接到引線框主體20，并且可通過作為第二樹脂部分60的成型樹脂來固定。半導(dǎo)體器件通過圖6A到6F中示出的方法來構(gòu)造。用于構(gòu)造半導(dǎo)體芯片10的方 法可與圖3A到3E中示出的方法基本上相同或相似。圖7示出一種示例性供電電路。圖8示出一種示例性高頻放大器。圖7中示出的供電電路和圖8中示出的高頻放大器可包括圖I或5中示出的半導(dǎo)體器件。圖7中示出的供電電路460包括高壓初級側(cè)電路461、低壓次級側(cè)電路462和在初級側(cè)電路461與次級側(cè)電路462之間提供的變壓器463。初級側(cè)電路461包括AC電源464、橋式整流電路465，以及多個(gè)，例如四個(gè)開關(guān)元件466、開關(guān)元件467等。次級側(cè)電路462包含多個(gè)，例如三個(gè)開關(guān)元件468。在圖7中，例如，在圖I中示出的半導(dǎo)體器件可用作初級側(cè)電路461的開關(guān)元件466和467。初級側(cè)電路461的開關(guān)元件466和467每個(gè)可為常閉型半導(dǎo)體器件。次級側(cè)電路462中使用的開關(guān)元件468每個(gè)可為包含硅的金屬絕緣體-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MISFET)。圖8中示出的高頻放大器470可用在用于移動電話基站的功率放大器中。高頻放大器470包括數(shù)字預(yù)失真電路471、混頻器472、功率放大器473和定向耦合器474。數(shù)字預(yù)失真電路471補(bǔ)償輸入信號中的非線性失真。混頻器472的一個(gè)將其中待補(bǔ)償非線性失真輸入信號與交流信號混合。功率放大器473將與交流信號混頻的輸入信號放大。在圖8中，功率放大器473可包括圖I中不出的半導(dǎo)體器件。定向I禹合器474執(zhí)行例如輸入信號和輸出信號的監(jiān)測。例如，基于開關(guān)的切換，另一混頻器472可將輸出信號與交流信號混頻，并將混頻信號傳輸?shù)綌?shù)字預(yù)失真電路471。上文已經(jīng)根據(jù)上述優(yōu)點(diǎn)描述了本發(fā)明的示例實(shí)施方案。將認(rèn)識到，這些實(shí)施例僅是對本發(fā)明的舉例說明。許多變化與修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括 具有電極的半導(dǎo)體芯片； 與所述電極對應(yīng)的引線； 將所述電極耦接到所述引線的金屬線； 覆蓋所述金屬線與所述電極之間的耦接部分以及所述金屬線與所述引線之間的耦接部分的第一樹脂部分；和 覆蓋所述金屬線、所述第一樹脂部分和所述半導(dǎo)體芯片的第二樹脂部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬線用所述第一樹脂部分來覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬線是接合線或金屬帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬線包含選自Al、Au和Cu中的至少一種材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電極耦接到包含在所述半導(dǎo)體芯片中的電子器件的電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體芯片包括電子器件，所述電子器件具有包含氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述氮化物半導(dǎo)體包含第一組和第二組中的至少其一，所述第一組包括GaN和AlGaN，并且所述第二組包括InAlN和InGaAIN。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電子器件是高電子遷移率晶體管(HEMT) ο
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述電極與多個(gè)所述電極對應(yīng)，并且所述引線與多個(gè)所述引線對應(yīng)，并且 所述多個(gè)電極的每一個(gè)均通過所述金屬線耦接到包含在所述多個(gè)弓I線中的對應(yīng)弓I線。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述第一樹脂部分中包含的樹脂材料與在所述第二樹脂部分中包含的樹脂材料基本上不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一樹脂部分包含聚酰亞胺。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二樹脂部分包含成型樹脂。
13.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括 將半導(dǎo)體芯片布置在引線框上； 將在所述半導(dǎo)體芯片中包含的電極經(jīng)由金屬線耦接到在所述引線框中包含的引線；用第一樹脂部分來覆蓋所述金屬線與所述電極之間的耦接部分以及所述金屬線與所述引線之間的耦接部分；和 用第二樹脂部分來覆蓋所述金屬線、所述第一樹脂部分、所述半導(dǎo)體芯片、以及所述引線的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述金屬線用所述第一樹脂部分來覆蓋。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述金屬線是接合線或金屬帶。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括 用噴霧器或分配器供給所述第一樹脂部分中包含的材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括 將具有開口的掩模布置在其中待形成所述第一樹脂部分的區(qū)域中；和將所述第一樹脂部分中包含的材料噴涂在所述掩模上，以在所述開ロ的所述區(qū)域中形成所述第一樹脂部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一樹脂部分包含聚酰亞胺。
19.一種電子電路,包括 半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括 具有電極的半導(dǎo)體芯片； 與所述電極對應(yīng)的引線； 將所述電極耦接到所述引線的金屬線； 至少覆蓋在所述金屬線與所述電極之間的耦接部分以及在所述金屬線與所述引線之間的耦接部分的第一樹脂部分；和 覆蓋所述金屬線、所述第一樹脂部分和所述半導(dǎo)體芯片的第二樹脂部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子電路，其中所述電子電路是供電電路和高頻放大器中的ー種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其包括具有電極的半導(dǎo)體芯片；與所述電極對應(yīng)的引線；將所述電極耦接到所述引線的金屬線；覆蓋所述金屬線與所述電極之間的耦接部分以及所述金屬線與所述引線之間的耦接部分的第一樹脂部分；和覆蓋所述金屬線、所述第一樹脂部分和所述半導(dǎo)體芯片的第二樹脂部分。本發(fā)明還提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法。
文檔編號H01L23/31GK102651351SQ201210016429
公開日2012年8月29日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月23日
發(fā)明者今泉延弘, 今田忠纮, 岡本圭史郎, 吉川俊英 申請人:富士通株式會社