專利名稱：一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成芯片的夾持和搬運技術(shù)，尤其是一種非接觸式的氣爪夾持搬運裝置，具體地說是一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置。
背景技術(shù)：
目前，隨著科技的進步，集成芯片制造行業(yè)也在飛速發(fā)展，集成芯片的體積做的越來越小，但功能確越來越強大，集成度越來越高。由于集成芯片本身的特殊性，決定了其對環(huán)境和搬運設(shè)備具有較嚴格的要求，不允許其在移動過程中有振動、碰撞以及表面磨損或污染等現(xiàn)象。當前現(xiàn)有技術(shù)中的傳統(tǒng)搬運方式已經(jīng)落后，已不能適應(yīng)小型高精密度芯片的夾持和搬運要求，而且如何能實現(xiàn)一種高效穩(wěn)定的非接觸式搬運，以確保芯片安全性，也是各芯片廠家為提高芯片的良品率所要不斷追求的目標。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)現(xiàn)狀，而提供利用腔體中空氣漩渦中心產(chǎn)生的負壓和腔體邊緣空氣溢出形成的正壓使芯片懸浮達到動態(tài)平衡的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置。該裝置耗氣量小、吸附力穩(wěn)定并能相互抵消高壓氣體對芯片的剪切作用力，防止芯片在夾持搬運過程中自轉(zhuǎn)。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，包括整體結(jié)構(gòu)為圓柱體的裝置本體，裝置本體包括制有主進氣腔的安裝座體和與安裝座體底部圓平面固定連接的氣爪主體；氣爪主體的上部和下部等弧度等數(shù)量分別均布制有構(gòu)成氣爪外圍層的第一回旋流腔和構(gòu)成氣爪內(nèi)圍層的第二回旋流腔，氣爪主體內(nèi)部分別制有能與每個第一回旋流腔和每個第二回旋流腔相切連通的第一導氣通道和第二導氣通道， 并且兩相鄰的第一回旋流腔以及兩相鄰的第二回旋流腔的進氣方向均相反，氣爪主體內(nèi)中部制有徑向連通外界的下凹排氣區(qū)，下凹排氣區(qū)沿氣爪主體的軸心向下貫通制有排氣通道，氣爪主體下端面與每個第一回旋流腔同軸對應(yīng)制有軸向延伸至中部構(gòu)成氣爪外圍環(huán)形負壓真空吸引區(qū)域的負壓吸引通道，第一回旋流腔與負壓吸引通道的對應(yīng)連接間留有連通下凹排氣區(qū)的排氣間隙，第二回旋流腔貫通氣爪主體的下端面構(gòu)成氣爪內(nèi)圍環(huán)形正壓排斥區(qū)，安裝座體底部圓平面分別制有連通第一導氣通道與主進氣腔的第一導氣孔和連通第二導氣通道與主進氣腔的第二導氣孔。為優(yōu)化上述技術(shù)方案，采取的措施還包括
上述的氣爪主體由三片圓形硅材料加工制作的上氣爪層、中氣爪層和下氣爪層組合構(gòu)成，并且上氣爪層、中氣爪層和下氣爪層之間采用硅-硅陽極鍵合技術(shù)固定相粘接。上述的安裝座體為鋁材料加工制作的具有一端開口構(gòu)成主進氣腔的空心柱形體， 主進氣腔的內(nèi)壁制有方便于外部管路連接的內(nèi)螺紋，安裝座體的底部圓平面與氣爪主體上氣爪層的上端面采用鋁-硅陽極鍵合技術(shù)固定相粘接。上述的上氣爪層和下氣爪層分別貫通制有構(gòu)成六個第一回旋流腔的上通孔和構(gòu)成六個第二回旋流腔的下通孔，負壓吸引通道由分別貫通下氣爪層和中氣爪層的負壓吸引孔和吸引過渡孔組成，第一回旋流腔的下端口和吸引過渡孔的上端口之間留有的距離構(gòu)成了第一回旋流腔留有的排氣間隙。上述的中氣爪層的上表面制有帶有六個徑向排氣通道的下凹區(qū)，下凹區(qū)與上氣爪層的下表面合圍的空間構(gòu)成了上述連通外界的下凹排氣區(qū)，兩相鄰的徑向排氣通道間形成有與上氣爪層粘接相連的梯形凸臺，每個徑向排氣通道均經(jīng)過相應(yīng)的吸引過渡孔的軸心線。上述的第一導氣通道由上氣爪層上表面制有的下凹孔和下凹槽組成，下凹槽的出氣端與第一回旋流腔相切連通，下凹槽的進氣端連接下凹孔，下凹孔與安裝座體的第一導氣孔相連通。上述的第二導氣通道由上氣爪層和中氣爪層同軸貫通制有的上層進氣孔和中層導氣過渡孔以及下氣爪層上表面制有的下凹腔和下凹導氣槽共同組成；下凹導氣槽與第二回旋流腔相切連通，下凹導氣槽的另一端依次與下凹腔、中層導氣過渡孔和上層進氣孔相連通，上層進氣孔經(jīng)第二導氣孔與主進氣腔相連通，中層導氣過渡孔穿設(shè)在中氣爪層的梯形凸臺上。上述的排氣通道由中氣爪層貫通制有的排氣導孔和下氣爪層制有的排氣通孔組成，第二回旋流腔均布圍繞在排氣通孔周圍，負壓吸引孔均布在第二回旋流腔的外周。上述的負壓吸引孔的直徑和吸引過渡孔的直徑相同，第一回旋流腔的直徑大于吸引過渡孔的直徑并小于徑向排氣通道的寬度。上述的第一回旋流腔、第二回旋流腔、排氣導孔和排氣通孔均具有相同的直徑。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的氣爪主體制有雙層結(jié)構(gòu)的回旋流腔，外圍的回旋流腔構(gòu)成了底面對芯片吸引夾持的真空吸引區(qū)域，內(nèi)圍的回旋流腔腔體內(nèi)的氣流從邊緣溢出， 對芯片產(chǎn)生斥力形成環(huán)形正壓排斥區(qū)，能有效防止芯片與氣爪直接接觸造成芯片表面損傷或磨損。另外采用所有兩相鄰回旋流腔的進氣方向相反的設(shè)計方案，能在相鄰腔體內(nèi)形成相反的回旋流，相反旋轉(zhuǎn)的回旋流對吸附芯片產(chǎn)生的剪切力作用將相互抵消，并能避免芯片在夾持搬運過程中自轉(zhuǎn)。本發(fā)明兩層腔體的設(shè)計保證了能在較少的耗氣量下獲得足夠的吸引力，具有結(jié)構(gòu)簡潔，設(shè)計合理以及吸附穩(wěn)定，對芯片損傷小等特點。


圖1是本發(fā)明實施例的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是圖1中安裝座體的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖3是圖1中安裝座體的正視結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本發(fā)明上氣爪層零件的正向視圖； 圖5是本發(fā)明中氣爪層零件的正向視圖； 圖6是本發(fā)明下氣爪層零件的正向視圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例作進一步詳細描述。圖1至6為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
其中的附圖標記為安裝座體1、主進氣腔la、第一導氣孔lb、第二導氣孔lc、底部圓平面11、氣爪主體2、上氣爪層21、第一回旋流腔21a、下凹孔21b、下凹槽21c、上層進氣孔21d、中氣爪層22、吸引過渡孔22a、中層導氣過渡孔22b、排氣導孔22c、下凹區(qū)221、徑向排氣通道221a、梯形凸臺222、下氣爪層23、第二回旋流腔23a、下凹腔23b、下凹導氣槽 23c、排氣通孔23d、負壓吸引孔23e。如圖1至圖6所示，本發(fā)明的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，包括整體結(jié)構(gòu)為圓柱體的裝置本體，裝置本體包括制有主進氣腔Ia的安裝座體1和與安裝座體1底部圓平面 11固定連接的氣爪主體2 ；氣爪主體2的上部和下部等弧度等數(shù)量分別均布制有構(gòu)成氣爪外圍層的第一回旋流腔21a和構(gòu)成氣爪內(nèi)圍層的第二回旋流腔23a，氣爪主體2內(nèi)部分別制有能與每個第一回旋流腔21a和每個第二回旋流腔23a相切連通的第一導氣通道和第二導氣通道，并且兩相鄰的第一回旋流腔21a以及兩相鄰的第二回旋流腔23a的進氣方向均相反，氣爪主體2內(nèi)中部制有徑向連通外界的下凹排氣區(qū)，下凹排氣區(qū)沿氣爪主體2的軸心向下貫通制有排氣通道，氣爪主體2下端面與每個第一回旋流腔21a同軸對應(yīng)制有軸向延伸至中部構(gòu)成氣爪外圍環(huán)形負壓真空吸引區(qū)域的負壓吸引通道，第一回旋流腔21a與負壓吸引通道的對應(yīng)連接間留有連通下凹排氣區(qū)的排氣間隙，第二回旋流腔23a貫通氣爪主體 2的下端面構(gòu)成氣爪內(nèi)圍環(huán)形正壓排斥區(qū)，安裝座體1底部圓平面11分別制有連通第一導氣通道與主進氣腔Ia的第一導氣孔Ib和連通第二導氣通道與主進氣腔Ia的第二導氣孔 lc。本發(fā)明主要有安裝座體1和氣爪主體2兩大主體部件構(gòu)成，安裝座體1制有與外部氣路相連接的主進氣腔la，氣爪主體2內(nèi)部制有用于連通主進氣腔Ia與第一回旋流腔21a以及主進氣腔Ia與第二回旋流腔23a的第一導氣通道和第二導氣通道，氣爪主體2內(nèi)中部還制有徑向連通外界的下凹排氣區(qū)，下凹排氣區(qū)用于排放第一回旋流腔21a和第二回旋流腔 23a的腔體中排出的氣體。本發(fā)明采用雙層結(jié)構(gòu)的回旋流腔設(shè)計，外圍的第一回旋流腔21a 通過負壓吸引通道形成氣爪主體2下端面的環(huán)形負壓真空吸引區(qū)域，真空吸引區(qū)和內(nèi)圍的第二回旋流腔23a的中心產(chǎn)生的負壓區(qū)相配合能同時作用于芯片，將被夾持的芯片吸起， 同時第二回旋流腔23a腔體邊緣有不斷溢出的氣體，溢出的氣體形成的空氣正壓力又對芯片產(chǎn)生斥力，將芯片推開，阻止芯片與氣爪接觸，使被夾持的芯片最終在回旋流產(chǎn)生的負壓力、腔體邊緣溢出的空氣的斥力和芯片自重三者之間達到平衡，保證芯片穩(wěn)定安全的夾持搬運。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明兩相鄰的回旋流腔進氣方向相反，能在相鄰腔體內(nèi)形成旋轉(zhuǎn)方向相反的回旋流，相反方向旋轉(zhuǎn)的回旋流能使壓縮氣體對被吸附的芯片產(chǎn)生的剪切力相互抵消，從而減少剪切力對芯片造成的損傷，同時還能避免芯片在夾持搬運過程中自轉(zhuǎn)。另外雙層回旋流腔的設(shè)計，能更好的利用有限的氣體，保證了能在較少的耗氣量的前提下獲得足夠的吸引力。實施例中，從圖1中可以看出，氣爪主體2由三片圓形硅材料加工制作的上氣爪層 21、中氣爪層22和下氣爪層23組合構(gòu)成，并且上氣爪層21、中氣爪層22和下氣爪層23之間采用硅-硅陽極鍵合技術(shù)固定相粘接。本發(fā)明的氣爪主體2為了方便加工制作，減少制造難度，采用三片式的組合結(jié)構(gòu)制作而成，分成三部分更有利于第一導氣通道和第二導氣通道的內(nèi)部走向制作。如圖2、圖3所示，本發(fā)明的安裝座體1為鋁材料加工制作的具有一端開口構(gòu)成主進氣腔Ia的空心柱形體，主進氣腔Ia的內(nèi)壁制有方便于外部管路連接的內(nèi)螺紋，安裝座體1的底部圓平面11與氣爪主體2上氣爪層21的上端面采用鋁-硅陽極鍵合技術(shù)固定相粘接。本發(fā)明的主進氣腔Ia的內(nèi)壁設(shè)計有Mlhl. 5的螺紋，主要是方便與氣泵相連接。如圖4、圖5、圖6所示，上氣爪層21和下氣爪層23分別貫通制有構(gòu)成六個第一回旋流腔21a的上通孔和構(gòu)成六個第二回旋流腔23a的下通孔，負壓吸引通道由分別貫通下氣爪層23和中氣爪層22的負壓吸引孔2 和吸引過渡孔2 組成，第一回旋流腔21a的下端口和吸引過渡孔2 的上端口之間留有的距離構(gòu)成了第一回旋流腔21a留有的排氣間隙。本發(fā)明的第一回旋流腔21a與吸引過渡孔22a為非密封連接的，第一回旋流腔21a的中心產(chǎn)生的真空負壓經(jīng)吸引過渡孔2 連通至負壓吸引孔23e，第一回旋流腔21a的內(nèi)腔周壁的回旋壓縮氣體通過留有的排氣間隙排出。實施例中，如圖5所示，中氣爪層22的上表面制有帶有六個徑向排氣通道221a的下凹區(qū)221，下凹區(qū)221與上氣爪層21的下表面合圍的空間構(gòu)成了上述連通外界的下凹排氣區(qū)，兩相鄰的徑向排氣通道221a間形成有與上氣爪層21粘接相連的梯形凸臺222，每個徑向排氣通道221a均經(jīng)過相應(yīng)的吸引過渡孔22a的軸心線。圖中可以看出，本發(fā)明的第一回旋流腔21a正位于徑向排氣通道221a內(nèi)，因而能經(jīng)徑向排氣通道221a排出回旋的氣體。實施例中，如圖5、圖6所示，排氣通道由中氣爪層22貫通制有的排氣導孔22c和下氣爪層23制有的排氣通孔23d組成，第二回旋流腔23a均布圍繞在排氣通孔23d周圍， 負壓吸引孔2 均布在第二回旋流腔23a的外周。本發(fā)明制有排氣通道的主要作用是用于排出第二回旋流腔23a產(chǎn)生的高壓回旋氣體，第二回旋流腔23a中心產(chǎn)生的負壓能配合負壓吸引孔2 形成對被夾持的芯片產(chǎn)生更大的吸附力，同時第二回旋流腔23a腔體內(nèi)邊緣溢出氣流對芯片又產(chǎn)生斥力，阻止芯片與氣爪接觸。本發(fā)明的第一導氣通道由上氣爪層21上表面制有的下凹孔21b和下凹槽21c組成，下凹槽21c的出氣端與第一回旋流腔21a相切連通，下凹槽21c的進氣端連接下凹孔 21b，下凹孔21b與安裝座體1的第一導氣孔Ib相連通。下凹孔21b和下凹槽21c為具有一定深度的槽孔，采用這種走向配合才能更有利于第一回旋流腔21a產(chǎn)生回旋流。本發(fā)明的第二導氣通道由上氣爪層21和中氣爪層22同軸貫通制有的上層進氣孔 21d和中層導氣過渡孔22b以及下氣爪層23上表面制有的下凹腔2 和下凹導氣槽23c共同組成；下凹導氣槽23c與第二回旋流腔23a相切連通，下凹導氣槽23c的另一端依次與下凹腔23b、中層導氣過渡孔22b和上層進氣孔21d相連通，上層進氣孔21d經(jīng)第二導氣孔Ic 與主進氣腔Ia相連通，中層導氣過渡孔22b穿設(shè)在中氣爪層22的梯形凸臺222上。中層導氣過渡孔22b設(shè)置在梯形凸臺222上有利于中層導氣過渡孔22b與上層進氣孔21d的密封對接，第二導氣通道多段式設(shè)計也是為了處于下部的第二回旋流腔23a更容易產(chǎn)生回旋流。本發(fā)明的負壓吸引孔2 的直徑和吸引過渡孔2 的直徑相同，第一回旋流腔21a 的直徑大于吸引過渡孔22a的直徑并小于徑向排氣通道221a的寬度。第一回旋流腔21a、第二回旋流腔23a、排氣導孔22c和排氣通孔23d均具有相同的直徑。本發(fā)明在工作時，壓縮氣體分別經(jīng)第一導氣通道和第二導氣通道進入第一回旋流腔和第二回旋流腔，壓縮氣體將沿著第一回旋流腔和第二回旋流腔的內(nèi)表面形成回旋流， 第一回旋流腔的回旋流中心產(chǎn)生負壓區(qū)與第二回旋流腔產(chǎn)生的負壓區(qū)同時作用于芯片，將芯片吸起，同時第二回旋流腔的腔體邊緣又有氣體不斷溢出，產(chǎn)生空氣正壓力將芯片推開， 避免芯片與氣爪接觸。芯片在自身重量和回旋流產(chǎn)生的負壓力以及腔體邊緣溢出的空氣斥力的三者作用下達到一個平衡點，另外相鄰回旋流腔間進氣口方向相反，在回旋流腔內(nèi)形成相反的漩渦流，因此溢出氣體對芯片的剪切作用力相互抵消，避免了芯片自轉(zhuǎn)，這樣芯片就能被氣爪穩(wěn)定的夾持，方便搬運。本發(fā)明主要用于集成芯片行業(yè)，由于芯片較小，因而本發(fā)明的體積相對也比較小， 本發(fā)明氣爪主體整體的直徑為14毫米，回旋流腔直徑2. 7毫米，整體高度為0. 25毫米，上層進氣孔和中層導氣過渡孔的直徑為0. 8毫米，中氣爪層的下凹區(qū)為采用下凹0. 06毫米的排氣設(shè)計，回旋流腔進氣口寬為0. 2毫米。本發(fā)明采用雙層回旋流腔體設(shè)計，能在較小尺寸和較少耗氣量下獲得較大的吸引力夾持芯片。本發(fā)明的最佳實施例已闡明，由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員做出的各種變化或改型都不會脫離本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，包括整體結(jié)構(gòu)為圓柱體的裝置本體，其特征是: 所述的裝置本體包括制有主進氣腔(Ia)的安裝座體(1)和與安裝座體(1)底部圓平面 (11)固定連接的氣爪主體O)；所述氣爪主體O)的上部和下部等弧度等數(shù)量分別均布制有構(gòu)成氣爪外圍層的第一回旋流腔(21a)和構(gòu)成氣爪內(nèi)圍層的第二回旋流腔03a)，氣爪主體O)內(nèi)部分別制有能與每個第一回旋流腔(21a)和每個第二回旋流腔(23a)相切連通的第一導氣通道和第二導氣通道，并且兩相鄰的第一回旋流腔Ola)以及兩相鄰的第二回旋流腔(23a)的進氣方向均相反，所述氣爪主體內(nèi)中部制有徑向連通外界的下凹排氣區(qū)，下凹排氣區(qū)沿氣爪主體( 的軸心向下貫通制有排氣通道，氣爪主體( 下端面與每個第一回旋流腔Ola)同軸對應(yīng)制有軸向延伸至中部構(gòu)成氣爪外圍環(huán)形負壓真空吸引區(qū)域的負壓吸引通道，第一回旋流腔(21a)與負壓吸引通道的對應(yīng)連接間留有連通下凹排氣區(qū)的排氣間隙，所述第二回旋流腔(23a)貫通氣爪主體的下端面構(gòu)成氣爪內(nèi)圍環(huán)形正壓排斥區(qū)，所述安裝座體(1)底部圓平面(11)分別制有連通第一導氣通道與主進氣腔(Ia) 的第一導氣孔(Ib)和連通第二導氣通道與主進氣腔(Ia)的第二導氣孔(Ic)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的氣爪主體由三片圓形硅材料加工制作的上氣爪層(21)、中氣爪層0 和下氣爪層組合構(gòu)成，并且上氣爪層(21)、中氣爪層0 和下氣爪層之間采用硅-硅陽極鍵合技術(shù)固定相粘接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的安裝座體(1)為鋁材料加工制作的具有一端開口構(gòu)成主進氣腔(Ia)的空心柱形體，所述主進氣腔 (Ia)的內(nèi)壁制有方便于外部管路連接的內(nèi)螺紋，安裝座體(1)的底部圓平面(11)與氣爪主體(2)上氣爪層的上端面采用鋁-硅陽極鍵合技術(shù)固定相粘接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的上氣爪層和下氣爪層分別貫通制有構(gòu)成六個第一回旋流腔(21a)的上通孔和構(gòu)成六個第二回旋流腔(23a)的下通孔，所述負壓吸引通道由分別貫通下氣爪層和中氣爪層 (22)的負壓吸引孔(23e)和吸引過渡孔(22a)組成，所述第一回旋流腔Qla)的下端口和吸引過渡孔0 )的上端口之間留有的距離構(gòu)成了第一回旋流腔Ola)留有的排氣間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的中氣爪層02)的上表面制有帶有六個徑向排氣通道021a)的下凹區(qū)021)，所述下凹區(qū)(221)與上氣爪層的下表面合圍的空間構(gòu)成了上述連通外界的下凹排氣區(qū)，所述兩相鄰的徑向排氣通道021a)間形成有與上氣爪層粘接相連的梯形凸臺022)，所述每個徑向排氣通道021a)均經(jīng)過相應(yīng)的吸引過渡孔(22a)的軸心線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的第一導氣通道由上氣爪層上表面制有的下凹孔(21b)和下凹槽Olc)組成，所述下凹槽Olc)的出氣端與第一回旋流腔(21a)相切連通，下凹槽Olc)的進氣端連接下凹孔 (21b)，所述下凹孔(21b)與安裝座體(1)的第一導氣孔(Ib)相連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的第二導氣通道由上氣爪層和中氣爪層0 同軸貫通制有的上層進氣孔(21d)和中層導氣過渡孔02b)以及下氣爪層上表面制有的下凹腔(23b)和下凹導氣槽(23c)共同組成；所述下凹導氣槽03c)與第二回旋流腔(23a)相切連通，下凹導氣槽03c)的另一端依次與下凹腔0北)、中層導氣過渡孔(22b)和上層進氣孔(21d)相連通，所述上層進氣孔 (21d)經(jīng)第二導氣孔(Ic)與主進氣腔(Ia)相連通，所述中層導氣過渡孔(22b)穿設(shè)在中氣爪層02)的梯形凸臺(222)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的排氣通道由中氣爪層0 貫通制有的排氣導孔(22c)和下氣爪層制有的排氣通孔(23d)組成，所述第二回旋流腔(23a)均布圍繞在排氣通孔(23d)周圍，所述負壓吸引孔(23e)均布在第二回旋流腔03a)的外周。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的負壓吸引孔的直徑和吸引過渡孔0 )的直徑相同，所述第一回旋流腔Ola)的直徑大于吸引過渡孔0 )的直徑并小于徑向排氣通道021a)的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，其特征是所述的第一回旋流腔Ola)、第二回旋流腔03a)、排氣導孔(22c)和排氣通孔(23d)均具有相同的直徑。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置，包括制有主進氣腔的安裝座體和氣爪主體；氣爪主體分別制有構(gòu)成氣爪外圍層的第一回旋流腔和構(gòu)成氣爪內(nèi)圍層的第二回旋流腔，氣爪主體內(nèi)制有與每個第一回旋流腔和每個第二回旋流腔相切連通的導氣通道，并且兩相鄰的第一回旋流腔以及兩相鄰的第二回旋流腔的進氣方向相反，氣爪主體制有徑向連通外界的下凹排氣區(qū)，下凹排氣區(qū)制有排氣通道，氣爪主體下端面與每個第一回旋流腔同軸對應(yīng)制有負壓吸引通道，第一回旋流腔與負壓吸引通道間留有排氣間隙，第二回旋流腔貫通氣爪主體的下端面，安裝座體底部圓平面制有連通第一導氣通道與主進氣腔的第一導氣孔和連通第二導氣通道與主進氣腔的第二導氣孔。
文檔編號H01L21/683GK102569149SQ201210020940
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月31日
發(fā)明者居曉峰, 李建強, 林金偉, 梁冬泰, 許棟明, 路波 申請人:寧波大學