專利名稱：固體攝像裝置、其制造方法、電子設(shè)備和半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝像裝置、其 制造方法、電子設(shè)備以及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
諸如數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等電子設(shè)備包括諸如固體攝像裝置等半導(dǎo)體裝置。例如，固體攝像裝置包括CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)型圖像傳感器和CCD(電荷耦合器件)型圖像傳感器。在固體攝像裝置中，在半導(dǎo)體基板的表面中設(shè)有其中布置有多個像素的攝像區(qū)。在每個像素中形成有光電轉(zhuǎn)換部。光電轉(zhuǎn)換部例如為光電二極管，并且通過使用光接收面來接收經(jīng)外附的光學(xué)系統(tǒng)而入射的光并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，從而生成信號電荷。在固體攝像裝置中，在CMOS型圖像傳感器中，像素配置為不僅包括光電轉(zhuǎn)換部，還包括像素晶體管。像素晶體管讀出由光電轉(zhuǎn)換部生成的信號電荷，并將信號電荷作為電信號而輸出到信號線。在固體攝像裝置中，一般來說，在半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體層)的有光入射的正面?zhèn)?front surface side)設(shè)有電路、布線等。S卩，光電轉(zhuǎn)換部接收從設(shè)有電路、布線等的正面?zhèn)热肷鋪淼墓?。因此，存在著由于入射到電路、布線等上的光被遮擋或反射而難以提高感光度的情況。為改善該缺陷，提出了“背面照射型”，其中使用光電轉(zhuǎn)換部接收從與設(shè)有電路、布線等的正面相反的背面?zhèn)?rear surface side)入射的光。在“背面照射型”中，光電二極管設(shè)置于被制成薄膜的半導(dǎo)體層上，從而以高感光度接收從背面?zhèn)热肷涞墓?。然后，在半?dǎo)體基板的正面?zhèn)?，將支撐基板用粘合劑接合至包括布線的布線層的正面(參照日本未經(jīng)審查的專利申請?zhí)亻_2005-285988號公報、日本未經(jīng)審查的專利申請?zhí)亻_2009-176777號公報以及日本未經(jīng)審查的專利申請?zhí)亻_2009-277732號公報)。圖39為表示“背面照射型” CMOS型圖像傳感器芯片的重要部分的橫截面圖。在圖39中，不僅表示了像素區(qū)PA，還表示了設(shè)在像素區(qū)PA外圍的外圍電路部SC和焊盤部PAD。此外，與之伴隨地，表示了劃切(scribe)區(qū)LA，當(dāng)將排列設(shè)置于半導(dǎo)體晶片上的多個圖像傳感器芯片分割成多個時，對所述劃切區(qū)LA進(jìn)行劃切。在CMOS型圖像傳感器芯片中，如圖39所示，在半導(dǎo)體層101的內(nèi)部，在像素區(qū)PA中設(shè)有光電二極管21。如圖39所示，在像素區(qū)PA中，在半導(dǎo)體層101的上表面?zhèn)?背面?zhèn)?隔著防反射膜HT而設(shè)有濾色器CF和片上透鏡0CL。以此方式，提供了這樣的配置，其中，來自半導(dǎo)體層101的上表面?zhèn)?背面?zhèn)?的光經(jīng)由片上透鏡OCL和濾色器CF而入射至光電二極管21。
如圖39所示，在半導(dǎo)體層101的下表面?zhèn)?正面?zhèn)?，在像素區(qū)PA中設(shè)有像素晶體管Tr，并且在外圍電路部SC中設(shè)有用于構(gòu)成外圍電路的外圍晶體管31。然后，布線層110形成為覆蓋半導(dǎo)體層101的整個下表面。在布線層110中，在絕緣膜IlOZ中設(shè)有多個布線110H。然后，支撐基板SK利用粘接層201而接合于布線層110的整個下表面。如圖39所示，在焊盤部PAD中，在布線層110中設(shè)有焊盤電極IlOP。在焊盤電極IlOP的上表面?zhèn)仍O(shè)有開口 KK，并且在焊盤電極IlOP的因開口 KK而露出的上表面上設(shè)有接合線BW。當(dāng)在焊盤部PAD中將接合線BW形成于焊盤電極IlOP上時，會對焊盤電極IlOP施加機(jī)械沖擊。因此，存在這樣的情況，即，在布線層Iio中的位于焊盤電極IlOP和粘接層201之間的絕緣膜IlOZ的部分中發(fā)生微小裂紋。

除此之外，在劃切區(qū)LA中，因為當(dāng)對排列在半導(dǎo)體晶片上的多個圖像傳感器芯片進(jìn)行分割時會產(chǎn)生機(jī)械沖擊，故存在布線層110的絕緣膜IlOZ中發(fā)生微小裂紋的情況。這樣，在布線層110的絕緣膜IlOZ中，存在這樣的情況，即，由于布線層110和支撐基板SK之間存在軟質(zhì)粘接層201，故因機(jī)械沖擊而在絕緣膜IlOZ中發(fā)生微小裂紋。此外，在通過涂敷而形成粘接層201的情況下，存在因涂敷不均和空隙的產(chǎn)生而使接合質(zhì)量下降的情況。于是，隨著這些缺陷的產(chǎn)生，存在因產(chǎn)品產(chǎn)量下降而難于以高的制造效率來制造諸如固體攝像裝置的半導(dǎo)體裝置的情況。

發(fā)明內(nèi)容
因此，期望提供可提高產(chǎn)品的可靠性與產(chǎn)品產(chǎn)量并可以以高的制造效率進(jìn)行制造的固體攝像裝置、固體攝像裝置的制造方法、電子設(shè)備以及半導(dǎo)體裝置。 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供了一種固體攝像裝置，該裝置具有半導(dǎo)體層，其包括形成在像素區(qū)中的光電轉(zhuǎn)換元件以及形成在與光入射表面相反的表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件；布線層，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于布線層和支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，其中，所述布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使焊盤電極的位于半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在形成有焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得形成有焊盤電極的部分由于凸部而至少比像素區(qū)的部分薄。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供了一種固體攝像裝置，該裝置具有半導(dǎo)體層，其包括形成在像素區(qū)中的光電轉(zhuǎn)換元件以及形成在與光入射表面相反的表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件；布線層，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于布線層和支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，其中，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在位于像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得在劃切區(qū)中被切割的部分由于凸部而至少比像素區(qū)的部分薄。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，提供了一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括在半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成光電轉(zhuǎn)換元件；在半導(dǎo)體層的作為與光入射表面相反的一側(cè)的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件；在半導(dǎo)體層的作為與光入射表面相反的一側(cè)的表面上形成包括焊盤電極的布線層以覆蓋半導(dǎo)體元件；在布線層的與半導(dǎo)體層相反側(cè)的表面中通過粘接層而布置支撐基板，并且利用粘接層將支撐基板粘接于布線層；形成開口以使得焊盤電極的位于半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出；并且在使用開口而露出的焊盤電極的表面上設(shè)置接合線，其中，在布置支撐基板前，還包括在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中的形成有焊盤電極的部分中設(shè)置凸部的工藝，并且在布置支撐基板的工藝中，在布線層和支撐基板之間將粘接層形成為使得焊盤電極的形成部分由于凸部而至少比像素區(qū)的部分薄。根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，提供了一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括在半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成光電轉(zhuǎn)換兀件；在半導(dǎo)體 層的作為與光入射表面的相反側(cè)的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件；在半導(dǎo)體層的作為與光入射表面的相反側(cè)的表面上形成包括焊盤電極的布線層以覆蓋半導(dǎo)體元件；在布線層的與半導(dǎo)體層相反側(cè)的表面中通過粘接層而布置支撐基板，并且利用粘接層將支撐基板粘接于布線層；并且在位于像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中進(jìn)行切割，其中，在布置支撐基板前，還包括在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)置凸部的工藝，并且在布置支撐基板的工藝中，在布線層和支撐基板之間將粘接層形成為使得在劃切區(qū)中被切割的部分由于凸部而至少比像素區(qū)的部分薄。根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，提供了一種電子設(shè)備，該設(shè)備具有半導(dǎo)體層，其包括形成在像素區(qū)中的光電轉(zhuǎn)換元件以及形成在與光入射表面相反的表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件；布線層，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于布線層和支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，其中，所述布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使焊盤電極的位于半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在形成有焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得形成有焊盤電極的部分由于凸部而至少比像素區(qū)的部分薄。根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，提供了一種電子設(shè)備，該設(shè)備具有半導(dǎo)體層，其包括形成在像素區(qū)中的光電轉(zhuǎn)換元件以及形成在與光入射表面相反的表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件；布線層，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于布線層和支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，其中，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在位于像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得在劃切區(qū)中被切割的部分由于凸部而至少比像素區(qū)的部分薄。根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該裝置具有半導(dǎo)體層，其表面上形成有半導(dǎo)體元件；布線層，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于布線層和支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，其中，所述布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使焊盤電極的位于半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在形成有焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得形成有焊盤電極的部分由于凸部而比其他部分薄。根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該裝置具有半導(dǎo)體層，其表面上形成有半導(dǎo)體元件；布線層，其設(shè)置于半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于布線層和支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板，其中，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在位于像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得在劃切區(qū)中被切割的部分由于凸部而比其他部分薄。 在本發(fā)明的實施方式中，在布置支撐基板前，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在形成有焊盤電極的部分中設(shè)置凸部。由于凸部的存在，粘接層在布線層和支撐基板之間形成為使得焊盤電極的形成部分比其他部分薄。此外，在本發(fā)明的實施方式中，在布置支撐基板前，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面中的至少一個表面中，在劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)置凸部。由于凸部的存在，在布線層和支撐基板之間，對于粘接層而言，在劃切區(qū)中被切割的部分比其他部分薄。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可提供可提高產(chǎn)品可靠性與產(chǎn)品產(chǎn)量且可以高的制造效率制造的固體攝像裝置、固體攝像裝置的制造方法、電子設(shè)備以及半導(dǎo)體裝置。


圖I為表示本發(fā)明的實施方式I的相機(jī)的配置的配置圖；圖2為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的配置概要的圖；圖3為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的詳細(xì)配置的圖；圖4為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的詳細(xì)配置的圖；圖5為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖6A和6B為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖7為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖8為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖9為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖10為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖11為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖12為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖13為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖14為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖15為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖16為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖17為表示本發(fā)明的實施方式I的裂紋發(fā)生率的圖；圖18為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的重要部分的圖；圖19為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖20為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖21為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖22為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖23為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖24為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖25為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖26為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖27為表示本發(fā)明的實施方式2的缺陷芯片數(shù)的圖；圖28為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的重要部分的圖；圖29為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖30為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖； 圖31為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖32為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖33為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖34為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖35為表示本發(fā)明的實施方式4的固體攝像裝置的重要部分的圖；圖36為表示本發(fā)明的實施方式4的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖37為表示本發(fā)明的實施方式4的固體攝像裝置的制造方法的圖；圖38為表示本發(fā)明的實施方式的固體攝像裝置的部分橫截面的橫截面圖；并且圖39為表示“背面照射型” CMOS型圖像傳感器芯片的重要部分的橫截面圖。
具體實施例方式參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。下面，以下列順序進(jìn)行說明。I.實施方式I (在布線層的下表面的焊盤部中設(shè)有凸部的情況)2.實施方式2(在布線層的下表面的劃切區(qū)中設(shè)有凸部的情況)

3.實施方式3 (在支撐基板的上表面中設(shè)有凸部的情況)4.實施方式4 (在布線層的下表面和支撐基板的上表面中各設(shè)有凸部的情況)5.其他〈I.實施方式1>[I]裝置配置(1-1)相機(jī)的重要部分的配置圖I為表示本發(fā)明的實施方式I的相機(jī)40的配置的配置圖。如圖I所示，相機(jī)40具有固體攝像裝置I、光學(xué)系統(tǒng)42、控制單元43以及信號處理部44。下面，說明每個部分。
因為從攝像面PS接收通過光學(xué)系統(tǒng)42入射的光(對象圖像)并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，故固體攝像裝置I生成信號電荷。這里，基于從控制單元43輸出的控制信號來驅(qū)動固體攝像裝置I。具體來說，讀出信號電荷并將其作為原始數(shù)據(jù)而輸出。光學(xué)系統(tǒng)42包括諸如成像透鏡、光圈等光學(xué)部件，并且布置為使入射的緣于對象圖像的光H向固體攝像裝置I的攝像面PS會聚?？刂茊卧?3將各種控制信號輸出給固體攝像裝置I和信號處理部44，且被驅(qū)動以控制固體攝像裝置I和信號處理部44。信號處理部44用于對從固體攝像裝置I輸出的電信號進(jìn)行信號處理以便生成對象圖像的數(shù)字圖像。 (1-2)固體攝像裝置的配置下面，說明固體攝像裝置I的配置概要。圖2為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置I的配置概要的圖。圖2為表示了整個上表面的上表面圖。固體攝像裝置I為CMOS型圖像傳感器，如圖2所示，固體攝像裝置I包括半導(dǎo)體層 101。半導(dǎo)體層101例如由單晶硅板狀主體形成。如圖2所示，在半導(dǎo)體層101的表面(xy面)中設(shè)有芯片區(qū)CA和劃切區(qū)LA。如圖2所示，芯片區(qū)CA為以水平方向X和垂直方向y分割成的矩形，并且設(shè)有像素區(qū)PA和外圍區(qū)SA。在芯片區(qū)CA中，如圖2所示，像素區(qū)PA為矩形區(qū)域，并且分別沿水平方向X和垂直方向y排列布置有多個像素P。即，像素P形成為矩陣形式。在像素區(qū)PA中設(shè)有的多個像素P各配置為由所接收的入射光生成信號電荷。在后面會說明像素P的詳細(xì)配置。在芯片區(qū)CA中，如圖2所示，外圍區(qū)SA位于像素區(qū)PA的周圍。在外圍區(qū)SA中，在例如右側(cè)邊緣部中設(shè)有多個焊盤部PAD。雖然在后面詳述，但焊盤部PAD中設(shè)置有露出正面的焊盤電極，且焊盤電極與外部器件電連接。除此之外，在外圍區(qū)SA中設(shè)有外圍電路部SC。在外圍電路部SC中，設(shè)有例如垂直驅(qū)動電路、列電路、水平驅(qū)動電路、外部輸出電路、時序發(fā)生器(TG)、快門驅(qū)動電路等電子電路以作為外圍電路。垂直驅(qū)動電路設(shè)置于外圍區(qū)SA中的像素區(qū)PA的左側(cè)部，并且配置為驅(qū)動像素區(qū)PA中的像素P以便以行為單位選擇所述像素P。列電路設(shè)置于外圍區(qū)SA中的像素區(qū)PA的下邊緣部，并且用于以列為單位對從像素P輸出的信號進(jìn)行信號處理。這里，列電路包括CDS (相關(guān)雙采樣)電路(未圖示)，并進(jìn)行用于除去固定模式噪聲的信號處理。水平驅(qū)動電路設(shè)置于外圍區(qū)SA中的列電路的下邊緣部。水平驅(qū)動電路配置為包括移位寄存器，于是，將列電路中為每列像素P保持的信號依次輸出給外部輸出電路。外部輸出電路電連接于外圍區(qū)SA中的列電路，并且在對從列電路輸出的信號進(jìn)行信號處理后輸出至外部。外部輸出電路例如包括AGC(自動增益控制)電路和ADC電路，并且在AGC電路對信號施加增益后，通過ADC電路而將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號以輸出至外部?？扉T驅(qū)動電路用于以行為單位選擇像素P并調(diào)整像素P的曝光時間。時序發(fā)生器電連接于外圍區(qū)SA中的各垂直驅(qū)動電路、列電路、水平驅(qū)動電路、夕卜部輸出電路以及快門驅(qū)動電路。時序發(fā)生器通過生成各種時序信號并輸出給垂直驅(qū)動電路、列電路、水平驅(qū)動電路、外部輸出電路以及快門驅(qū)動電路，從而對各部分進(jìn)行驅(qū)動控制。如圖2所示，在半導(dǎo)體層101的表面(xy面)中，劃切區(qū)LA定位為圍繞在芯片區(qū)CA的周圍。這里，劃切區(qū)LA設(shè)置為包括各沿水平方向X和垂直方向y延伸的部分并在芯片區(qū)CA周圍繪出矩形。雖然在后面詳述，但多個芯片區(qū)CA設(shè)置為排列在切塊前的大型晶片的表面上，而劃切區(qū)LA設(shè)置為在多個芯片區(qū)CA之間以線狀延伸。在劃切區(qū)LA中，因與刀片接觸而被切塊，并分割成設(shè)有上述芯片區(qū)CA的固體攝像裝置I。 (1-3)固體攝像裝置的詳細(xì)配置下面，說明根據(jù)本實施方式的固體攝像裝置I的詳細(xì)配置。圖3和圖4為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的詳細(xì)配置的圖。圖3表示圖2中所示的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。S卩，在圖3中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。此外，圖4表示像素P的電路配置。如圖3所示，固體攝像裝置I包括半導(dǎo)體層101、布線層110、粘接層201以及支撐基板SK。在固體攝像裝置I中，在半導(dǎo)體層101的下表面(正面)側(cè)設(shè)有布線層110。接著，在布線層110的下表面中設(shè)有粘接層201，并且布線層110的下表面使用粘接層201而粘接有支撐基板SK。在固體攝像裝置I中，如圖3所示，在像素區(qū)PA中設(shè)有像素P。然后，在像素P中設(shè)有光電二極管21、像素晶體管Tr、濾色器CF以及片上透鏡0CL。即，固體攝像裝置I為“背面照射型”，并且像素P接收從半導(dǎo)體層101的上表面(背面)側(cè)入射的入射光H，所述上表面(背面)側(cè)是與設(shè)有布線層110的下表面(正面)相反的一側(cè)。然后，像素P生成信號電荷，且使用像素晶體管(未圖示)讀出所生成的信號電荷并將其輸出為信號。而且，如圖3所示，在外圍電路部SC中，設(shè)有用于構(gòu)成外圍電路的外圍晶體管31。此外，如圖3所示，在焊盤部PAD中，設(shè)有焊盤電極IlOP和接合線BW。下面，依次說明構(gòu)成固體攝像裝置I的每個部分。(A)半導(dǎo)體層101半導(dǎo)體層101例如由單晶硅半導(dǎo)體形成。半導(dǎo)體層101的厚度例如為I 30iim，并且其內(nèi)部設(shè)有光電二極管21。而且，在半導(dǎo)體層101的下表面(正面)處設(shè)有像素晶體管Tr和外圍晶體管31。而且，在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)上隔著防反射膜HT而設(shè)有濾色器CF和片上透鏡0CL。除此之外，在半導(dǎo)體層101中，在焊盤部PAD中設(shè)有開口 KK。開口 KK形成為貫穿設(shè)在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)上的防反射膜HT并貫穿半導(dǎo)體層101。S卩，開口 KK沿深度方向z貫穿防反射膜HT和半導(dǎo)體層101。(A-I)光電二極管 21如圖3所示，在半導(dǎo)體層101的內(nèi)部設(shè)有光電二極管21。光電二極管21設(shè)置為對應(yīng)于像素區(qū)PA中的像素P。即，為設(shè)在像素區(qū)PA中的多個像素P之每一個而設(shè)置有光電二極管21。光電二極管21形成為用于生成和累積因接收入射光H并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換而造成的信號電荷。例如，光電二極管21包括n型電荷累積區(qū)(未圖示)，并且n型電荷累積區(qū)(未圖示)設(shè)置于半導(dǎo)體層101的p型半導(dǎo)體區(qū)(未圖示)中。而且，在半導(dǎo)體層101的正面?zhèn)鹊膎型電荷累積區(qū)中，設(shè)有雜質(zhì)濃度高的p型半導(dǎo)體區(qū)(未圖示)以作為空穴累積區(qū)。(A-2)像素晶體管Tr如圖3所示，在半導(dǎo)體層101的下表面(正面)中設(shè)有像素晶體管Tr。像素晶體管Tr設(shè)置為對應(yīng)于像素區(qū)PA中的像素P。即，以與光電二極管21同樣的方式，為設(shè)在像素 區(qū)PA中的多個像素P之每一個設(shè)置有像素晶體管Tr。如圖4所示，像素晶體管Tr包括傳輸晶體管22、放大晶體管23、選擇晶體管24和復(fù)位晶體管25，并且設(shè)置為將來自光電二極管21的信號電荷作為電信號而輸出。在各晶體管22 25中，例如，在半導(dǎo)體層101的內(nèi)部形成有溝道區(qū)(未圖示)。而且，在半導(dǎo)體層101的正面中，在溝道區(qū)(未圖示)上隔著柵極絕緣膜(未圖示)而設(shè)有柵極。例如，柵極由包含n型雜質(zhì)的多晶硅形成。而且，在半導(dǎo)體層101的正面中，夾著柵極設(shè)有一對源極、漏極區(qū)(未圖示)。在像素晶體管Tr中，傳輸晶體管22配置為將光電二極管21生成的信號電荷作為電信號而輸出至放大晶體管23的柵極。具體來說，如圖4所示，傳輸晶體管22設(shè)置于光電二極管21和浮動擴(kuò)散區(qū)FD之間。而且，由于對柵極施加有來自傳輸線26的傳輸信號，故傳輸晶體管22將光電二極管21中累積的信號電荷作為輸出信號而傳輸給浮動擴(kuò)散區(qū)FD。在像素晶體管Tr中，放大晶體管23配置為對從傳輸晶體管22輸出的電信號進(jìn)行放大和輸出。具體來說，如圖4所示，放大晶體管23的柵極連接于浮動擴(kuò)散區(qū)FD。而且，放大晶體管23的漏極連接于電源電位供給線Vdd，而放大晶體管23的源極連接于選擇晶體管24。當(dāng)將選擇晶體管24選擇為導(dǎo)通狀態(tài)時，通過從設(shè)在像素區(qū)PA外部的恒流源I提供恒定電流，使得放大晶體管23工作為源極跟隨器。因此，通過將選擇信號提供給選擇晶體管24，在放大晶體管23中對從浮動擴(kuò)散區(qū)FD輸出的輸出信號進(jìn)行放大。在像素晶體管Tr中，選擇晶體管24配置為當(dāng)輸入選擇信號時將使用放大晶體管23輸出的電信號輸出給垂直信號線27。具體來說，如圖4所示，選擇晶體管24的柵極連接于對其提供有選擇信號的地址線28。當(dāng)提供選擇信號時，選擇晶體管24處于導(dǎo)通狀態(tài)，并將采用上述放大晶體管23放大的輸出信號輸出給垂直信號線27。在像素晶體管Tr中，復(fù)位晶體管25配置為對放大晶體管23的柵極電位進(jìn)行復(fù)位。具體來說，如圖4所示，復(fù)位晶體管25的柵極連接于對其提供有復(fù)位信號的復(fù)位線29。此外，復(fù)位晶體管25的漏極連接于電源電位供給線Vdd，而復(fù)位晶體管25的源極連接于浮動擴(kuò)散區(qū)FD。然后，當(dāng)將復(fù)位信號從復(fù)位線29提供至柵極時，復(fù)位晶體管25將放大晶體管23的柵極電位經(jīng)由浮動擴(kuò)散區(qū)FD而復(fù)位至電源電位。各個晶體管22、24、25的各柵極以沿水平方向x排列的多個像素P所形成的行為單位進(jìn)行連接，并且對于以行為單位排列的多個像素而言，所述柵極被同時驅(qū)動。具體來說，采用由上述垂直驅(qū)動電路(未圖示)提供的選擇信號，以水平線(像素行)為單位沿垂直方向依次進(jìn)行選擇。然后，利用從時序發(fā)生器(未圖示)輸出的各種時序信號來控制每個像素P的晶體管。因此，對于像素P的每列，將每個像素P中的輸出信號通過垂直信號線27而讀出至列電路(未圖示)。然后，通過由水平驅(qū)動電路(未圖示)進(jìn)行選擇，將列電路中保持的信號依次輸出給外部輸出電路(未圖示)。(A-3)外圍晶體管31如圖3所示，外圍晶體管31設(shè)置于外圍電路部SC中并用于構(gòu)成外圍電路。如圖3所示，以與像素晶體管Tr同樣的方式，外圍晶體管31設(shè)置于半導(dǎo)體層101的正面(下表面)中。在外圍晶體管31中，例如，在半導(dǎo)體層101 的內(nèi)部形成有溝道區(qū)(未圖示)。而且，在半導(dǎo)體層101的正面中，在溝道區(qū)(未圖示)上隔著柵極絕緣膜(未圖示)設(shè)有柵極。例如，柵極由包含η型雜質(zhì)的多晶硅形成。而且，在半導(dǎo)體層101的正面中，夾著柵極而設(shè)有一對源極、漏極區(qū)(未圖示)。(Α-4)濾色器 CF如圖3所示，對應(yīng)于像素區(qū)PA中的像素P而設(shè)置有濾色器CF。濾色器CF設(shè)置于半導(dǎo)體層101的上表面(背面)偵U。這里，在半導(dǎo)體層101的上表面中形成有防反射膜ΗΤ，從而防止從上方入射的入射光H被半導(dǎo)體層101的上表面反射。通過適當(dāng)?shù)剡x擇材料和膜厚度來形成防反射膜ΗΤ，從而利用光的干涉作用來實現(xiàn)防反射功能。例如，防反射膜HT由諸如SiN、SiON等絕緣材料制成。除此之外，防反射膜HT可由諸如鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、鎂、釔或鑭系元素等元素的氧化物制成。不僅可設(shè)有防反射膜HT，還可設(shè)有平坦化膜。而且，在防反射膜HT的上表面設(shè)有濾色器CF。濾色器CF形成為對從半導(dǎo)體101的背面?zhèn)韧ㄟ^片上透鏡OCL入射的入射光H進(jìn)
行著色并使其透射。濾色器CF例如包括紅光濾色器層(未圖示)、綠光濾色器層(未圖示)和藍(lán)光濾色器層(未圖示)，且以拜耳(Bayer)陣列布置為使每個三原色濾色器對應(yīng)于每個像素P。例如，使用諸如旋涂法等涂敷方法涂敷出由包含著色顏料和光致抗蝕劑樹脂的涂敷液形成的涂層，并利用光刻技術(shù)對涂層進(jìn)行圖形化處理，從而形成濾色器CF。(A-5)片上透鏡 OCL如圖3所示，對應(yīng)于像素區(qū)PA中的像素P而設(shè)置有片上透鏡OCL。在半導(dǎo)體層101的背面(上表面)側(cè)上的濾色器CF的上表面上，設(shè)有片上透鏡OCL。片上透鏡OCL為從半導(dǎo)體層101的背面以凸?fàn)钕蛏戏酵怀龅耐雇哥R，并且將從半導(dǎo)體層101的背面?zhèn)热肷涞娜肷涔釮向光電二極管21會聚。例如，片上透鏡OCL由諸如樹脂等有機(jī)材料制成。(B)布線層 110如圖3所示，在半導(dǎo)體層101的與形成有濾色器CF和片上透鏡OCL的上表面(背面)相反的下表面(正面)側(cè)，設(shè)有布線層110。這里，布線層110設(shè)置于半導(dǎo)體層101的下表面上，覆蓋設(shè)在像素區(qū)PA中的像素晶體管Tr和設(shè)在外圍電路部SC中的外圍晶體管31。布線層110包括布線IlOH和絕緣膜110Z，且在絕緣膜IlOZ中，布線IlOH形成為電連接于每個元件。布線層110由重復(fù)層疊的布線和絕緣膜形成。每個布線IlOH例如通過層疊而形成，以便用作諸如圖4所示的傳輸線26、地址線28、垂直信號線27和復(fù)位線29等布線。此外，每個布線IlOH形成為電連接于外圍晶體管31。除此之外，如圖3所示，在布線層110中，在絕緣膜IlOZ的內(nèi)部設(shè)有焊盤電極IlOP0焊盤電極IlOP形成為寬度比每個布線IlOH寬。此外，焊盤電極IlOP設(shè)置于與層疊的多個布線IlOH中的設(shè)置于底層的布線IlOH相同的深度處。這里，通過對形成為覆蓋布線IlOH和焊盤電極IlOP的形成區(qū)域的導(dǎo)電層(未圖示)進(jìn)行圖形化處理，從而分別形成設(shè)置于底層的布線IlOH以及焊盤電極110P。即 ，兩者由同一層形成。在布線層110中，例如由諸如鋁等金屬導(dǎo)電材料制成布線IlOH和焊盤電極110P。然后，由諸如氧化硅化合物的絕緣材料制成絕緣膜110Z。如圖3所示，在焊盤電極IlOP的上表面?zhèn)仍O(shè)有開口 KK。在焊盤部PAD中，開口 KK形成為沿深度方向z而貫穿防反射膜HT和半導(dǎo)體層101。此外，開口 KK形成為使焊盤電極IlOP的上表面從布線層110中露出。然后，在焊盤電極IlOP中，如圖3所示，將接合線BW設(shè)置于因開口 KK而露出的上表面中，并且將外部器件和固體攝像裝置I電連接。在本實施方式中，如圖3所示，在布線層110的下表面中，僅在焊盤部PAD中的形成有焊盤電極IlOP的部分設(shè)有以凸?fàn)钔怀龅耐共?11。凸部111由絕緣膜IlOZ形成。凸部111的側(cè)面傾斜，從而其寬度隨著從布線層110的下表面趨向下方而變窄。隨后，粘接層201形成為覆蓋布線層110的下表面。因為在布線層110的下表面中，僅在焊盤部PAD中設(shè)置有凸部111，故在絕緣膜IIOZ中，焊盤電極IIOP與粘接層201之間的厚度Tlll比底層布線層IlOH與粘接層201之間的厚度TllO厚。隨后，利用粘接層201而將支撐基板SK粘接于布線層110的下表面。這里，布線層110的下表面隔著粘接層201而與支撐基板SK的平坦上表面相對。在支撐基板SK和布線層110的下表面之間，在布線層110的下表面中設(shè)有凸部111的部分比其他部分薄。因此，在布線層110的下表面處，設(shè)有焊盤電極IlOP的部分中的粘接層201的膜厚度T2比其他部分中的粘接層201的膜厚度Tl薄。(C)粘接層 201如圖3所示，在布線層110的與形成有半導(dǎo)體層101的上表面?zhèn)认喾吹南卤砻鎮(zhèn)龋O(shè)有粘接層201。如圖3所示，粘接層201位于布線層110和支撐基板SK之間，并將支撐基板SK粘接于布線層110的下表面。在本實施方式中，如圖3所示，將粘接層201設(shè)置為使得在焊盤部PAD中的膜厚度比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA的各部分中的膜厚度薄。如圖3所示，粘接層201位于布線層110的下表面和支撐基板SK的平坦上表面之間，在所述布線層Iio的下表面處，僅在焊盤部PAD中設(shè)有凸部111。因此，在粘接層201中，在焊盤部PAD中設(shè)有焊盤電極IlOP的部分的膜厚度T2比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA中的其他部分的膜厚度Tl薄。如果粘接層201由能夠在這樣的溫度下硬化的材料制成則為適當(dāng)?shù)?，所述溫度低于?dāng)在布線層Iio中形成布線IlOH時所使用的耐熱性低的材料(例如Al、Cu)的劣化開始溫度(例如450 0C )。例如，粘接層201通過涂敷苯并環(huán)丁烯而形成。當(dāng)利用加熱處理加熱苯并環(huán)丁烯時，提高了回流特性。因此，在使用苯并環(huán)丁烯的情況下，可提高布線層110和支撐基板SK的粘合性。即，在接合面中，可抑制諸如孔和空隙等缺陷的產(chǎn)生。除此之外，例如，可利用無機(jī)S0G、有機(jī)SOG或者抗蝕劑與聚酰亞胺或者諸如聚芳醚的有機(jī)樹脂設(shè)置粘接層201。在此情況中，因為在低于布線層IlOH的劣化開始溫度(例如450°C )的溫度處發(fā)生硬化，故可抑制施加給布線層110的熱效應(yīng)。

具體來說，作為無機(jī)S0G，例如可使用諸如氫硅倍半氧烷(HSQ)和聚硅氮烷(PSZ)等材料。此外，作為有機(jī)S0G，例如，可使用氫硅倍半氧烷和甲基硅倍半氧烷的雜化材料或者甲基硅倍半氧烷(MSQ)。作為有機(jī)樹脂，例如，可使用作為環(huán)化聚異戊ニ烯、線型酚醛樹脂和感光劑的組合的抗蝕劑，或者可使用作為光酸產(chǎn)生劑、交聯(lián)劑、PHS基樹脂、線型酚醛樹脂和甲基丙烯酸樹脂的組合的抗蝕劑以作為化學(xué)増幅抗蝕劑。此外，作為聚芳醚，可使用諸如陶氏化學(xué)公司(Dow Chemical Company)制造的SiLK(商品名)或者霍尼,爾國際公司(Honeywell International Inc.)制造的 FLARE (商品名)或 GX_3(商品名)等材料。不具體限定粘接層201的厚度，但O. 5 10 μ m較為合適。這是因為在薄的情況下，覆蓋步驟變得困難，而在厚的情況下，難以獲得足夠的強(qiáng)度。(D)支撐基板SK如圖3所示，在布線層110的作為與半導(dǎo)體層101側(cè)的表面(上表面)的相反側(cè)的表面(下表面)處，設(shè)有支撐基板SK。支撐基板SK例如為硅基板，并且粘接于布線層110以確保整體強(qiáng)度。這里，支撐基板SK的上表面平坦，并且在平坦表面和布線層110的下表面之間設(shè)置有粘接層201以使兩者接合。[2]制造方法下面，說明用于制造上述固體攝像裝置I的制造方法的重要部分。圖5 16為表示本發(fā)明的實施方式I的固體攝像裝置的制造方法的圖。這里，圖5表示在采用切塊處理而分割成上述固體攝像裝置I之前的晶片W的上 表面。圖6 16以與圖3同樣的方式表不了圖2中所不的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。即，在圖6 16中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。在本實施方式中，如圖5所示，在盤狀晶片W的表面上形成多個固體攝像裝置I。這里，通過如圖6 15中的(A) (K)所示的各エ藝，在晶片W中形成多個固體攝像裝置
Io隨后，通過如圖16(L)所示的エ藝，通過在劃切區(qū)LA中切割而對晶片W進(jìn)行分割。隨后，如圖3所示，提供了各部分，從而完成了固體攝像裝置I。下面，依次說明固體攝像裝置I的各個制造エ藝。(A)晶片W的制備首先，如圖6(A)所示，制備晶片W。
這里，制備晶片W，所述晶片W中，將半導(dǎo)體層101隔著嵌入氧化物膜102(所謂的BOX層)設(shè)置于半導(dǎo)體基板100的上表面上。具體地，半導(dǎo)體基板100和半導(dǎo)體層101為單晶硅半導(dǎo)體，而嵌入氧化物膜102為
氧化硅膜。這樣,將所謂的SOI (silicon on insulator,絕緣體上娃)基板制備為晶片W。這里，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定嵌入氧化物膜102和半導(dǎo)體層101的膜厚度。然后，在使半導(dǎo)體層101的與作為嵌入氧化物膜102和半導(dǎo)體層101交界的表面(背面)相反的ー側(cè)的表面(正面)露出的狀態(tài)下，制 造裝置支撐晶片W。(B)光電ニ極管21的形成接下來，如圖6(B)所示，形成光電ニ極管21。這里，對應(yīng)于布置于像素區(qū)PA中的多個像素P之每ー個而設(shè)置光電ニ極管21。具體來說，在半導(dǎo)體層101的形成有光電ニ極管21的部分中，從半導(dǎo)體層101的上表面?zhèn)?，適當(dāng)?shù)貙㈦s質(zhì)離子注入。由此，在半導(dǎo)體層101的內(nèi)部提供了光電ニ極管21。(C)像素晶體管Tr和外圍晶體管31的形成接下來，如圖7中的(C)所示，形成像素晶體管Tr和外圍晶體管31。這里，在半導(dǎo)體層101的與形成有嵌入氧化物膜102的下表面(背面)相反的一側(cè)的上表面(正面)中，形成像素晶體管Tr和外圍晶體管31。如圖7中的(C)所示，將像素晶體管Tr設(shè)置為對應(yīng)于像素區(qū)PA中的像素P。將外圍晶體管31設(shè)置于外圍電路部SC中。具體來說，在半導(dǎo)體層101的上表面上形成柵極絕緣膜(未圖示)后，在柵極絕緣膜的上表面上形成柵極(未圖示)。例如，在使用氧化硅膜形成柵極絕緣膜(未圖示)后，例如，沉積多晶硅膜。隨后，通過對多晶硅膜進(jìn)行圖形化處理而形成柵極。隨后，例如，在半導(dǎo)體層101的上表面上將源極、漏極區(qū)(未圖示)形成為一対。如此，形成每個像素晶體管Tr和外圍晶體管31。(D)布線層110的形成接下來，如圖8中的(D)所示，形成布線層110。這里，在半導(dǎo)體層101的上表面(正面)，將布線層110設(shè)置為覆蓋像素區(qū)PA的像素晶體管Tr和外圍電路部SC的外圍晶體管31。具體來說，例如，在用諸如氧化硅的絕緣材料沉積絕緣膜IlOZ以便覆蓋像素晶體管Tr和外圍晶體管31之后，在絕緣膜IIOZ的表面上進(jìn)行平坦化處理。隨后，通過在絕緣膜IlOZ的平坦表面上用諸如Al等金屬材料沉積導(dǎo)電膜(未圖示)并對導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化處理，形成第一層(底層)布線110H。隨后，通過重復(fù)實施這些エ藝，形成第二層絕緣膜IlOZ與布線IlOH以及第三層(頂層)絕緣膜IlOZ與布線110H。在本實施方式中，在形成布線層110的同時，還形成焊盤電極110P。這里，當(dāng)在第三層(頂層)布線IlOH的形成部分上沉積金屬材料時，由同時還沉積在焊盤電極110P的形成部分中的金屬材料提供導(dǎo)電膜。隨后，在對導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化處理而形成第三層(頂層)布線IlOH的同吋，對導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化處理而形成焊盤電極IlOPo這樣，二者由同一層形成。隨后，沉積作為頂層的絕緣膜IlOZ以覆蓋第三層(頂層)布線IlOH和焊盤電極IlOP的上表面。因此，頂層絕緣膜IlOZ的上表面形成為使得形成有第三層(頂層)布線IlOH和焊盤電極IlOP的部分以凸?fàn)钕蛏贤怀?。即，在布線層110的上表面中，在焊盤部PAD的形成有焊盤電極IlOP的部分中形成凸部111。與之伴隨地，在布線層110的上表面中，在像素區(qū)PA和外圍電路部SC的形成有第三層(頂層)布線IlOH的部分中形成凸部112。凸部111和凸部112各自的側(cè)面形成為使得其寬度隨著從布線層110的上表面趨向上方而變窄。這里，在每個圖中，從圖中省略了層疊多個絕緣膜IlOZ的界面。(E)對凸部112的處理 接下來，如圖9中的(E)所示，對凸部112進(jìn)行處理。這里，對在像素區(qū)PA和外圍電路部SC中的形成在布線層110的上表面中的凸部112進(jìn)行處理。未對形成在焊盤部PAD中的凸部111進(jìn)行處理。具體來說，在像素區(qū)PA和外圍電路部SC中形成的每個凸部112的中央部分中設(shè)置溝槽TR。在本實施方式中，在凸部112中設(shè)置溝槽TR，使得溝槽TR的底面對應(yīng)于布線層110的上表面的除設(shè)有第三層(頂層)布線IlOH和焊盤電極IlOP的部分以外的表面的高度。在該處理中，首先，在布線層110的上表面上沉積光致抗蝕劑(未圖示)。隨后，在布線層Iio的上表面中，通過在露出設(shè)有溝槽TR的部分并覆蓋其他部分的狀態(tài)下，用光刻技術(shù)對光致抗蝕劑(未圖示)進(jìn)行圖形化處理，形成抗蝕劑圖形膜(未圖示)。隨后，通過將抗蝕劑圖形(未圖示)用作掩模而對凸部112進(jìn)行干式蝕刻處理，從而在凸部112中設(shè)置溝槽TR。(F)凸部112的除去接下來，如圖10中的(F)所示，除去凸部112。這里，除去在像素區(qū)PA和外圍電路部SC中的設(shè)在布線層110的上表面上的凸部112 (如虛線所示)。具體來說，除去了形成在像素區(qū)PA和外圍電路部SC中的每個凸部112。因此，對布線層Iio的上表面上的像素區(qū)PA和外圍電路部SC的部分進(jìn)行平坦化，并且僅在焊盤部PAD中留下凸部111。例如，對布線層110的上表面進(jìn)行諸如CMP處理的平坦化處理。平坦化處理縮短了研磨時間。此外，通過用軟質(zhì)研磨墊來進(jìn)行平坦化處理。在本實施方式中，像素區(qū)PA和外圍電路部SC的凸部112小于設(shè)在焊盤部PAD中的凸部111。因此，可通過進(jìn)行平坦化處理而僅除去像素區(qū)PA和外圍電路部SC的部分的凸部112，并且在焊盤部PAD中留下凸部111。從而，在布線層110的與支撐基板SK相対的表面中，在形成有焊盤電極IlOP的部分中設(shè)置了凸部111。(G)支撐基板SK的布置接下來，如圖11中的(G)所示，布置支撐基板SK。這里，在布線層110的與半導(dǎo)體層101側(cè)的下表面相反的一側(cè)的上表面上，布置支撐基板SK。在本實施方式中，將作為硅半導(dǎo)體基板的支撐基板SK通過用粘接層201粘接于布線層Iio的上表面。例如，通過將苯并環(huán)丁烯作為粘合材料涂敷于布線層110的上表面上，從而設(shè)置粘接層201。隨后，將支撐基板SK布置于布線層110上方，以使布線層110的上表面和支撐基板SK的下表面相對且彼此粘合。具體來說，在真空室內(nèi)部，通過加熱或加壓處理，使支撐基板SK隔著粘接層201而與布線層Iio的上表面相對。例如，在KT2Torr的減壓氣氛下，如果在350°C的溫度處進(jìn)行 加熱，則在1000N的壓カ下加壓五分鐘。因此，將支撐基板SK粘接于布線層110。粘接層201設(shè)置于布線層110的僅在焊盤部PAD中設(shè)有凸部111的表面和支撐基板SK的平坦表面之間。因此，在粘接層201中，焊盤部PAD中的設(shè)有焊盤電極IlOP的部分比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA的其他部分薄。在本エ藝中，開始時在低溫區(qū)(150°C 200°C )對粘接層201進(jìn)行固化。因此，可防止在處理前對由耐熱性低的材料(例如Al或Cu)制成的布線IlOH施加熱效應(yīng)。此外，在本エ藝中，因為熱處理等中的流動性而使粘接層201在布線層110的上表面上大范圍地延展，故不會發(fā)生諸如涂敷不均的缺陷，故可提高布線層110和支撐基板SK的粘合性。(H)半導(dǎo)體基板100的翻轉(zhuǎn)接下來，如圖12中的(H)所示，將半導(dǎo)體基板100上下翻轉(zhuǎn)。這里，將半導(dǎo)體基板100翻轉(zhuǎn)，使得半導(dǎo)體基板100的朝下的表面變?yōu)槌?。具體來說，使朝向從其中支撐基板SK位于上方而半導(dǎo)體基板100位于下方的狀態(tài)(參照圖11)變?yōu)槠渲邪雽?dǎo)體基板100位于上方而支撐基板SK位于下方的狀態(tài)。因此，在使設(shè)有嵌入氧化物膜102和半導(dǎo)體層101的正面的相反側(cè)的背面露出的狀態(tài)下，以制造裝置支撐半導(dǎo)體基板100。(I)半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102的除去接下來，如圖13中的⑴所示，除去半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。這里，依次除去設(shè)在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)上的半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。具體來說，例如采用背面研磨法，從其上表面?zhèn)瘸ビ捎谠谙去ㄋ嚩股媳砻媛冻龅陌雽?dǎo)體基板100 (參照圖12)。同樣地，采用背面研磨法，從其上表面?zhèn)瘸デ度胙趸锬?02 (參照圖12)。因此，使半導(dǎo)體層101的上表面(背面)露出。這里，不僅可采用背面研磨法，還可通過進(jìn)行諸如CMP處理或濕法蝕刻處理等エ藝而如上所述地除去半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。例如，在進(jìn)行濕法蝕刻處理的情況下，由于苯并環(huán)丁烯的耐化學(xué)溶液性高，故可防止粘接層201被化學(xué)溶液侵蝕(蝕刻)。

(J)濾色器CF和片上透鏡OCL的形成接下來，如圖14中的(J)所示，形成濾色器CF和片上透鏡0CL。這里，對應(yīng)于半導(dǎo)體層101的上表面(背面)側(cè)的像素P，依次設(shè)置濾色器CF和片上透鏡OCL。具體來說，在半導(dǎo)體層101的背面(上表面)側(cè)用絕緣材料形成防反射膜HT。例如，防反射膜HT由諸如SiN或SiON的絕緣材料制成。不僅可設(shè)置防反射膜HT，還可設(shè)置平坦化膜。隨后，在防反射膜HT的上表面上形成濾色器CF。例如，通過將三原色濾色器層(未圖示)以拜耳陣列布置為對應(yīng)于每個像素P，而由三原色濾色器層形成濾色器CF。當(dāng)形成濾色器CF時，例如，通過涂敷包括根據(jù)每種顔色的著色劑和樹脂的涂敷液而形成著色層(未圖示)，并且利用光刻技術(shù)對著色層進(jìn)行圖形化處理，從而形成每個濾色器。隨后，在濾色器CF的上表面上形成片上透鏡0CL。當(dāng)形成片上透鏡OCL時，例如，通過將透鏡材料沉積于濾色器CF的上表面上而形成透鏡材料膜(未圖示)，并且在透鏡材料膜上設(shè)置光致抗蝕劑膜(未圖示)。隨后，通過對光致抗蝕劑膜進(jìn)行圖形化處理以形成透鏡形狀，并且通過將透鏡形狀的抗蝕劑圖形用作掩模而對透鏡材料膜進(jìn)行回蝕處理，從而形成片上 透鏡0CL。(K)開ロ KK的形成接下來，如圖15中的⑷所示，形成開ロ KK。這里，在焊盤部PAD中，使在布線層110中設(shè)置的焊盤電極IlOP的上表面露出，從而形成開ロ KK。具體來說，通過對設(shè)置于焊盤電極IlOP上方的各層進(jìn)行蝕刻處理，從而形成開ロKKoS卩，除去防反射膜HT和半導(dǎo)體層101的部分，以使開ロ KK在焊盤部PAD中沿深度方向z貫穿防反射膜HT和半導(dǎo)體層101。隨后，通過將布線層110的一部分除去以形成開ロ KK，從而使布線層110中的焊盤電極IlOP的上表面露出。因此，開ロ KK形成為使得焊盤電極110P的在半導(dǎo)體層101側(cè)的上表面露出。這樣，如圖5所示，在晶片W的表面上形成多個固體攝像裝置I。(L)切割接下來，如圖16中的(L)所示，進(jìn)行切割。這里，在設(shè)置于鄰接排列的多個固體攝像裝置I之間的劃切區(qū)LA中，通過用刀片(未圖示)切塊而分割成各個固體攝像裝置I。即，通過在多個固體攝像裝置I之間進(jìn)行切害I]，從而分割成多個芯片。(M)接合線BW的形成接下來，如圖3所示，形成接合線BW。這里，在設(shè)置于開ロ KK上方的焊盤電極IlOP的上表面上，利用引線接合設(shè)置接合線BW。例如，通過使用金(Au)布線作為接合線而電連接接合線BW和焊盤電極110P。SP，在通過開ロ KK露出的焊盤電極IlOP的上表面上設(shè)置接合線BW。因此，完成了為背面照射型CMOS型圖像傳感器的固體攝像裝置I。[3]結(jié)論以上，在本實施方式中，在半導(dǎo)體層101的像素區(qū)PA中形成了包括光電ニ極管21的像素P。此外，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的上表面(背面)側(cè)相反的下表面(正面)側(cè)，作為半導(dǎo)體元件而形成了像素晶體管Tr和外圍晶體管31。隨后，在半導(dǎo)體層101的下表面上設(shè)置布線層110以覆蓋這些半導(dǎo)體元件。此外，支撐基板SK設(shè)置為在布線層110的與半導(dǎo)體層101側(cè)的上表面相反的一側(cè)的下表面上與布線層110相對。隨后，以布線層Iio和支撐基板SK之間的粘接層201將布線層110和支撐基板SK粘接。此外，將接合線BW連接于通過開ロ KK露出的焊盤部IlOP的上表面中。這里，布線層110包括焊盤電極110P，并且開ロ KK形成為使得焊盤電極IlOP的在半導(dǎo)體層101側(cè)的上表面露出。隨后,在布線層110的與支撐基板SK相對的下表面中，在形成有焊盤電極IlOP的部分中設(shè)置凸部111。粘接層201形成為使得形成有焊盤部IlOP的部分由于凸部111而至少比像素區(qū)PA的部分薄。當(dāng)在焊盤部PAD的焊盤電極IlOP中形成接合線BW時，對焊盤電極IlOP施加機(jī)械沖擊。因此，存在這樣的情況，即，在布線層110中的位于焊盤電極IlOP和粘接層201之間的絕緣膜IlOZ的部分中產(chǎn)生微小裂紋。然而，在本實施方式中，如圖3所示，作為 比絕緣膜IlOZ和支撐基板SK更軟質(zhì)的材料的粘接層201設(shè)置于布線層110的僅在焊盤部PAD中設(shè)有凸部111的下表面和支撐基板SK的平坦表面之間。在粘接層201中，在焊盤部PAD中的設(shè)有焊盤電極IlOP的部分的膜厚度T2比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA中的其他部分的膜厚度Tl薄。以此方式，在本實施方式中，從其上方施加機(jī)械沖擊的焊盤電極IlOP下方的粘接層201的膜厚度比其他部分薄。因此，由于來自引線接合的機(jī)械沖擊而施加于布線層110中的焊盤電極IIOP和粘接層201之間的絕緣膜IlOZ的應(yīng)カ得到緩解。當(dāng)對層疊有硬質(zhì)絕緣膜IlOZ和軟質(zhì)粘接層201的部分施加沖擊時，存在因為對硬質(zhì)絕緣膜IlOZ沿彎曲方向發(fā)生應(yīng)力集中而產(chǎn)生裂紋的情況。然而，當(dāng)軟質(zhì)粘接層201變薄時，因為應(yīng)カ集中減小，故減少了裂紋的發(fā)生。即，在軟質(zhì)層的厚度為零的極端情況下，沖擊得以傳遞，但由于難以產(chǎn)生應(yīng)力集中，故減少了裂紋的發(fā)生。這樣，在本實施方式中，當(dāng)在進(jìn)行引線接合的情況下施加機(jī)械沖擊時，可防止產(chǎn)生微小裂紋。圖17為表示本發(fā)明的實施方式I的裂紋發(fā)生率的圖。在圖17中，橫軸為“絕緣膜厚度”/ “粘接層厚度”，而縱軸為裂紋發(fā)生率。具體來說，在圖17中，“絕緣膜厚度”為圖3中的T111，并且為在構(gòu)成布線層110的頂層絕緣膜(圖3中的底層)中設(shè)有凸部111的部分的厚度。此外，“粘接層厚度”為圖3中的T2。在圖17中，表示了使“絕緣膜厚度”固定而“粘接層厚度”改變的情況下的結(jié)果。如圖17所示，隨著“絕緣膜厚度”/ “粘接層厚度”的值增大，裂紋發(fā)生率下降。由此可見，可通過使粘接層201變薄而降低裂紋發(fā)生率。具體來說，在本實施方式中，將凸部111設(shè)置于布線層110的與支撐基板SK相對的表面上。因此，在形成有凸部111的部分中，絕緣膜IlOZ的夾于焊盤電極IlOP和粘接層201之間的厚度Tlll比其他部分厚。因此，由于該部分的機(jī)械強(qiáng)度増大，故可適當(dāng)降低裂紋發(fā)生率。即，當(dāng)厚度Tlll變厚吋，由于圖17中的關(guān)系表現(xiàn)為向右移動，因此裂紋減少。此外，在本實施方式中，不僅對于在諸如進(jìn)行引線接合情況下的制造エ藝中所施加的沖擊，即使對于在裝置完成后所施加的沖擊，因為可緩解施加給絕緣膜IlOZ的應(yīng)力，故即便在此情況下仍可降低裂紋發(fā)生率。在使粘接層201的膜厚度變薄的情況下，存在涂敷不均和空隙的發(fā)生較顯著的情況。因此，接合質(zhì)量下降，并且存在產(chǎn)品產(chǎn)量下降的缺點。然而，在本實施方式中，僅使粘接層201的被施加機(jī)械沖擊的部分的膜厚度較薄，而使粘接層201的其他部分的膜厚度較厚。因此，在未施加機(jī)械沖擊的部分中，由于粘接層201的膜厚度厚，故可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。與之伴隨地，即使在被施加機(jī)械沖擊的粘接層201的膜厚度薄的部分中，由于涂敷時粘合材料從其外圍的粘接層201厚的部分繞過來，故仍可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。因此，在本實施方式中，可提高產(chǎn)品可靠性與產(chǎn)品產(chǎn)量，并以高的制造效率進(jìn)行制造。這里，為抑制涂敷不均的發(fā)生，優(yōu)選地，使T2 > O. 5 μ m,且使T1/T2處于2 10的范圍內(nèi)較為合適(參照圖3)。<2.實施方式2>[I]裝置配置等 圖18為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的重要部分的圖。圖18以與圖3相同的方式表示了圖2中所示的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。即，圖18中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。如圖18所示，在本實施方式中，布線層110的與支撐基板SK相対的下表面的形狀不同于實施方式I。除這一點及其他相關(guān)點之外，本實施方式與實施方式I相同。因此，省略了對重復(fù)部分的說明。如圖18所示，在布線層110的下表面中，以與實施方式I同樣的方式設(shè)置以凸?fàn)钕蛳峦怀龅耐共?11b。凸部Illb由絕緣膜IlOZ形成。然而，不同于實施方式I中的情況，凸部Illb設(shè)置于劃切區(qū)LA中而非設(shè)置于焊盤部PAD中。而且，粘接層201設(shè)置為覆蓋布線層110的下表面，并且粘接層201使支撐基板SK粘接于布線層110。這里，布線層110的設(shè)有凸部Illb的下表面是與支撐基板SK的平坦上表面相對的表面，并且布線層110和支撐基板SK之間夾有粘接層201。布線層110的設(shè)有凸部Illb的下表面和支撐基板SK之間的部分比其他部分薄。因此，在粘接層201中，設(shè)有凸部Illb的部分的厚度T3b比其他部分的膜厚度Tl薄。[2]制造方法下面，說明用于制造上述固體攝像裝置的制造方法的重要部分。圖19 26為表示本發(fā)明的實施方式2的固體攝像裝置的制造方法的圖。圖19 26以與圖18相同的方式表示了圖2中所示的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。S卩，圖19 26中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。這里，通過如圖19 25中的⑷ (G)所示的每個エ藝，如圖5所示，在晶片W中形成多個固體攝像裝置I。隨后，通過如圖26中的⑶所示的エ藝，通過在劃切區(qū)LA中切塊而對晶片W進(jìn)行分割。隨后，如圖18所示，提供了各部分，從而完成固體攝像裝置。 下面，依次說明固體攝像裝置的每個制造エ藝。⑷布線層110的正面的平坦化首先，如圖19(A)所示，對布線層110的上表面(正面)進(jìn)行平坦化。
在實施該エ藝前，實施圖6(A)、圖6(B)、圖7中的(C)和圖8中的(D)中的每個エ藝。即，如圖6(A)所示，制備晶片W。接下來，如圖6(B)所示，形成光電ニ極管21。接下來，如圖7(C)所示，形成像素晶體管Tr和外圍晶體管31。接下來，如圖8(D)所示，形成布線層110。因此，如圖8(D)所示，在布線層110的與設(shè)有半導(dǎo)體層101的下表面(背面)側(cè)相反的側(cè)的上表面(正面)中，在焊盤部PAD的形成有焊盤電極IlOP的部分中形成了凸部111。此外，與之伴隨地，在布線層110的上表面中，在像素區(qū)PA和外圍電路部SC中形成有第三層(頂層)布線IlOH的部分中形成了凸部112 。隨后，在本エ藝中，如圖19中的(A)所示，通過在布線層110的上表面中除去焊盤部PAD的凸部111以及像素區(qū)PA和外圍電路部SC的凸部112中的各凸部，從而使布線層110的上表面平坦化。例如，通過在布線層110的上表面中進(jìn)行諸如CMP處理的平坦化處理，從各焊盤部PAD以及像素區(qū)PA與外圍電路部SC中除去凸部111、112(參照圖19中的(A)中的虛線部分)。因此，布線層110形成為使得布線層110的上表面與半導(dǎo)體層101的上表面平行。(B)對凸部Illb的處理接下來，如圖20中的(B)所示，形成凸部111b。這里，通過對構(gòu)成在布線層110的上表面(正面)中的布線層110的頂層絕緣膜IlOZ進(jìn)行處理，從而在劃切區(qū)LA中形成凸部111b。具體來說，在構(gòu)成布線層110的頂層絕緣膜IlOZ中，將除形成有凸部Illb的區(qū)域以外的區(qū)域中的部分(虛線部分)除去，從而形成凸部111b。例如，在本エ藝中，在布線層110的上表面上沉積光致抗蝕劑膜(未圖示)。隨后，在布線層110的上表面中，在覆蓋設(shè)有凸部Illb的部分而露出其他部分的狀態(tài)下，用光刻技術(shù)對光致抗蝕劑(未圖示)進(jìn)行圖形化處理，從而提供抗蝕劑圖形(未圖示)。隨后，通過將抗蝕劑圖形(未圖示)用作掩模而對設(shè)有布線層110的絕緣膜IlOZ進(jìn)行干式蝕刻處理，從而在焊盤部PAD中設(shè)置凸部111b。(C)支撐基板SK的布置接下來，如圖21的(C)所示，布置支撐基板SK。這里，在布線層110的與半導(dǎo)體層101側(cè)的下表面相反的一側(cè)的上表面上，布置支撐基板SK。在本實施方式中，以與實施方式I中的情況相同的方式，使用粘接層201而將作為娃半導(dǎo)體基板的支撐基板SK粘接于布線層110的上表面。在本エ藝中，粘接層201設(shè)置于布線層110的僅在劃切區(qū)LA中設(shè)有凸部Illb的表面和支撐基板SK的平坦表面之間。因此，在粘接層201中，在劃切區(qū)LA中設(shè)有凸部Illb的部分比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和焊盤部PAD的其他部分薄。(D)半導(dǎo)體基板100的翻轉(zhuǎn)接下來，如圖22中的(D)所示，將半導(dǎo)體基板100上下翻轉(zhuǎn)。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，將半導(dǎo)體基板100翻轉(zhuǎn)，以使半導(dǎo)體基板100的朝下的表面(參照圖22)變?yōu)槌稀?br> (E)半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102的除去接下來，如圖23中的(E)所示，除去半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，依次除去設(shè)在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)上的半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。因此，露出了半導(dǎo)體層101的上表面(背面)。(F)濾色器CF和片上透鏡OCL的形成接下來，如圖24中的(F)所示，形成濾色器CF和片上透鏡0CL。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式 ，在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)側(cè)形成防反射膜HT后，對應(yīng)于像素P而依次設(shè)置濾色器CF和片上透鏡0CL。(G)開ロ KK的形成接下來，如圖25中的(G)所示，形成開ロ KK。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在焊盤部PAD中，將開ロ KK形成為使設(shè)在布線層Iio中的焊盤電極IlOP的上表面露出。這樣，以與圖5中的情況相同的方式，在晶片W的表面上形成多個固體攝像裝置I。(H)切割接下來，如圖26的(H)所示，進(jìn)行切割。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在設(shè)置于鄰接排列的多個固體攝像裝置I之間的劃切區(qū)LA中，通過用刀片(未圖示)切塊以進(jìn)行分割。即，通過在多個固體攝像裝置之間進(jìn)行切割，從而分割成多個芯片。(I)接合線BW的形成接下來，如圖18所示，形成接合線BW。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在設(shè)置于開ロ KK上方的焊盤電極IlOP的上表面上，利用引線接合而設(shè)置接合線BW。例如，使用金(Au)布線作為接合線BW，使接合線BW和焊盤電極IlOP電連接。因此，完成了為背面照射型CMOS型圖像傳感器的固體攝像裝置。[3]結(jié)論以上，在本實施方式中，以與實施方式I相同的方式，在半導(dǎo)體層101的像素區(qū)PA中形成了光電ニ極管21。隨后，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的表面相反的ー側(cè)的表面?zhèn)龋纬芍T如像素晶體管Tr等半導(dǎo)體元件。隨后，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的表面相反的ー側(cè)的表面上形成包括焊盤電極11OP的布線層110以覆蓋所述半導(dǎo)體元件。隨后，在布線層110的與半導(dǎo)體層101側(cè)的表面相反的一側(cè)的表面上通過粘接層201而布置支撐基板SK，并且使用粘接層201將支撐基板SK粘接于布線層110。隨后，在位于像素區(qū)PA周圍的劃切區(qū)LA中進(jìn)行切塊。在本實施方式中，與實施方式I中的情況不同，在布置支撐基板SK前，在布線層110的與支撐基板SK相対的下表面中，在劃切區(qū)LA的進(jìn)行切塊的部分中設(shè)置凸部111b。因此，在布置支撐基板SK后，位于布線層110和支撐基板SK之間的粘接層201形成為使得在劃切區(qū)LA中的通過切塊而切割的部分由于凸部Illb而比其他部分薄。當(dāng)通過進(jìn)行劃切而分割時，施加了機(jī)械沖擊。因此，存在在劃切區(qū)LA中的構(gòu)成布線層Iio的絕緣膜IlOZ中產(chǎn)生微小裂紋的情況。
然而，在本實施方式中，粘接層201設(shè)在布線層110的僅在劃切區(qū)LA中設(shè)有凸部Illb的下表面和支撐基板SK的平坦表面之間。在粘接層201中，劃切區(qū)LA的膜厚度T3b比其他部分的膜厚度Tl薄(參照圖18)。因此，在本實施方式中，緩解了由于來自劃切的機(jī)械沖擊而施加于布線層110中的絕緣膜IlOZ的應(yīng)力。這樣，在本實施方式中，可防止當(dāng)在實施劃切的情況下施加機(jī)械沖擊時產(chǎn)生微小裂紋。圖27為表示本發(fā)明的實施方式2的缺陷芯片數(shù)的圖。在圖27中，橫軸為“絕緣膜厚度”/ “粘接層厚度”，而縱軸為缺陷芯片數(shù)。具體來說，在圖27中，“絕緣膜厚度”為圖18中的Tlllb。即，“絕緣膜厚度”表示構(gòu)成布線層110的頂層絕緣膜(圖18中的底層)的設(shè)有凸部Illb的部分的厚度。此外，“粘接層厚度”為 圖3中的T2。此外，“粘接層厚度”為圖18中的T3b。在圖27中，表示了“絕緣膜厚度”固定而“粘接層厚度”可變的情況下的結(jié)果。如圖27所示，隨著“絕緣膜厚度”/ “粘接層厚度”的值變大，與劃切時產(chǎn)生的裂紋所伴隨的缺陷減少，并且每個晶片的缺陷芯片數(shù)下降。由此可見，可通過使粘接層201變薄而降低裂紋發(fā)生率。具體來說，在本實施方式中，將凸部Illb設(shè)置于布線層110的與支撐基板SK相對的表面上。因此，在形成有凸部Illb的部分中的絕緣膜IlOZ的厚度比其他部分中的厚。因此，由于該部分的機(jī)械強(qiáng)度増大，故可更適當(dāng)?shù)亟档土鸭y發(fā)生率。如上所述，在使粘接層201的膜厚度變薄的情況下，存在涂敷不均和空隙的發(fā)生較顯著的情況，因此，存在接合質(zhì)量下降的情況且有產(chǎn)品產(chǎn)量下降的缺點。然而，在本實施方式中，以與實施方式I相同的方式，僅使粘接層201的被施加機(jī)械沖擊的部分的膜厚度較薄，而使粘接層201的其他部分的膜厚度較厚。因此，在未施加機(jī)械沖擊的部分中，由于粘接層201的膜厚度厚，故可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。與之伴隨地，即使在被施加機(jī)械沖擊的粘接層201的膜厚度薄的部分中，由于涂敷時粘合材料從其外圍的粘接層201厚的部分繞過來，故仍可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。因此，在本實施方式中，可提高產(chǎn)品可靠性與產(chǎn)品產(chǎn)量，并且可以高的制造效率進(jìn)行制造。<3.實施方式3>[I]裝置配置等圖28為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的重要部分的圖。圖28以與圖3同樣的方式表示了圖2中所示的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。即，在圖28中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。如圖28所示，在本實施方式中，布線層110的與支撐基板SK相対的下表面的形狀不同于實施方式I。而且，支撐基板SK的與布線層110相対的上表面的形狀不同于實施方式I。除了這點及其他相關(guān)點之外，本實施方式與實施方式I相同。因此，省略了對重復(fù)部分的說明。如圖28所示，布線層110的下表面不同于實施方式I中的情況，并且整個表面是平坦的，且未設(shè)有以凸?fàn)钕蛳峦怀龅耐共俊?br> 關(guān)于這一點，如圖28所示，在支撐基板SK的上表面中設(shè)有以凸?fàn)钕蛏贤怀龅耐共縎I、S2，并且整個表面不是平坦的。如圖28所示，在支撐基板SK的上表面中，在焊盤部PAD中的形成有焊盤電極IIOP的部分中設(shè)有凸部SI。與之伴隨地，在支撐基板SK的上表面中的對應(yīng)于劃切區(qū)LA的部分中設(shè)有凸部S2。通過對支撐基板SK進(jìn)行處理而形成各凸部S1、S2。而且，在支撐基板SK的上表面和布線層110的下表面之間設(shè)有粘接層201以使ニ 者粘接。這里，布線層110的平坦下表面與支撐基板SK的設(shè)有凸部SI、S2的上表面相對，并且其間設(shè)有粘接層201。在布線層110的下表面和支撐基板SK的上表面之間，設(shè)有凸部S1、S2的部分比其他部分薄。因此，在支撐基板SK的上表面中的設(shè)有焊盤電極IlOP的部分的粘接層201的膜厚度T2c比像素區(qū)PA和外圍電路部SC中的部分的膜厚度Tl薄。而且，支撐基板SK的上表面中的對應(yīng)于劃切區(qū)LA的部分的粘接層201的膜厚度T3c比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的部分的膜厚度Tl薄。S卩，支撐基板SK的上表面中的設(shè)有焊盤電極IlOP的部分的粘接層201的膜厚度T2c和支撐基板SK的上表面中的對應(yīng)于劃切區(qū)LA的部分的粘接層201的膜厚度T3c比其他部分的膜厚度Tl薄。[2]制造方法下面，說明用于制造上述固體攝像裝置的制造方法的重要部分。圖29 34為表示本發(fā)明的實施方式3的固體攝像裝置的制造方法的圖。圖29 34以與圖28同樣的方式表示了圖2中所示的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。S卩，圖29 34中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。這里，通過如圖29 33中的⑷ (E)所示的每個エ藝，如圖5所示，在晶片W中形成多個固體攝像裝置I。隨后，通過如圖34中的(F)所示的エ藝，通過在劃切區(qū)LA中切塊而對晶片W進(jìn)行分割。然后，如圖28所示，提供了各部分，從而完成固體攝像裝置。

下面，依次說明固體攝像裝置的每個制造エ藝。⑷支撐基板SK的布置首先，如圖29(A)所示，布置支撐基板SK。在實施本エ藝之前，以與實施方式I同樣的方式實施圖6(A)、圖6(B)、圖7中的(C)以及圖8中的(D)中的每個エ藝。然后，以與實施方式2同樣的方式，實施圖19中的(A)中所示的エ藝。S卩，如圖6(A)所示，制備晶片W。接下來，如圖6(B)所示，形成光電ニ極管21。接下來，如圖7中的(C)所示，形成像素晶體管Tr和外圍晶體管31。接下來，如圖8中的(D)所示，形成布線層110。然后，如圖19中的(A)所示，通過在布線層110的上表面中除去焊盤部PAD的凸部111以及像素區(qū)PA和外圍電路部SC的凸部112中的每個凸部，從而使布線層110的上表面平坦化。隨后，如圖29中的⑷所示，將支撐基板SK布置于布線層110的上表面上。

這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，使用粘接層201而將作為硅半導(dǎo)體基板的支撐基板SK粘接于布線層110的上表面。在本實施方式中，將支撐基板SK制備為在支撐基板SK的下表面的對應(yīng)于焊盤部PAD的部分中設(shè)有凸部SI且在劃切區(qū)LA中設(shè)有凸部S2。然后，在布線層110的上表面上涂敷粘接層201之后，設(shè)有凸部SI、S2的支撐基板SK的下表面和布線層110的平坦上表面彼此相對地接合。因此，在粘接層201中，焊盤部PAD的設(shè)有凸部SI的部分比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的其他部分薄。此外，在粘接層201中，在劃切區(qū)LA中設(shè)有凸部S2的部分比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的其他部分薄。(B)半導(dǎo)體基板100的翻轉(zhuǎn)接下來，如圖30中的(B)所示，將半 導(dǎo)體基板100上下翻轉(zhuǎn)。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，將半導(dǎo)體基板100翻轉(zhuǎn)，以使使半導(dǎo)體基板100的朝下的表面變?yōu)槌稀?C)半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102的除去接下來，如圖31中的(C)所示，除去半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，依次除去設(shè)在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)上的半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102。由此，露出半導(dǎo)體層101的上表面(背面)。(D)濾色器CF和片上透鏡OCL的形成接下來，如圖32中的⑶所示，形成濾色器CF和片上透鏡0CL。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在半導(dǎo)體層101的上表面(背面)側(cè)形成防反射膜HT后，對應(yīng)于像素P而依次設(shè)置濾色器CF和片上透鏡0CL。(E)開ロ KK的形成接下來，如圖33中的(E)所示，形成開ロ KK。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在焊盤部PAD中，使設(shè)置于布線層110內(nèi)部的焊盤電極110P的上表面露出，從而形成開ロ KK。這樣，以與圖5中的情況相同的方式，在晶片W的表面上形成多個固體攝像裝置I。(F)切割接下來，如圖34中的(F)所示，進(jìn)行切割。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在鄰接排列的多個固體攝像裝置之間設(shè)有的劃切區(qū)LA中，通過用刀片(未圖示)切塊而進(jìn)行分割。即，通過在多個固體攝像裝置之間進(jìn)行切割，從而分割成多個芯片。(G)接合線BW的形成接下來，如圖28所示，形成接合線BW。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，在設(shè)置于開ロ KK上方的焊盤電極IlOP的上表面上，利用引線接合設(shè)置接合線BW。例如，通過使用金(Au)布線作為接合線BW，將接合線BW和焊盤電極IlOP電連接。因此，完成了為背面照射型CMOS型圖像傳感器的固體攝像裝置。[3]結(jié)論以上，在本實施方式中，以與實施方式I相同的方式，在半導(dǎo)體層101的像素區(qū)PA中形成光電ニ極管21。隨后，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的表面相反的ー側(cè)的表面?zhèn)?，形成諸如像素晶體管Tr等半導(dǎo)體元件。隨后，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的表面相反的ー側(cè)的表面上，形成包括焊盤電極IlOP的布線層110以覆蓋所述半導(dǎo)體元件。隨后，在布線層110的與半導(dǎo)體層101側(cè)的表面相反的ー側(cè)的表面上通過粘接層201而布置支撐基板SK，并且將支撐基板SK通過粘接層201粘接于布線層110。隨后，形成開ロ KK以使得焊盤電極IlOP在半導(dǎo)體層101側(cè)的表面露出。隨后，在由開ロ KK露出的焊盤電極IlOP的表面上設(shè)置接合線BW。隨后，在位于像素區(qū)PA周圍的劃切區(qū)LA中進(jìn)行切塊。在本實施方式中，不同于實施方式I中的情況，在布置支撐基板SK前，在形成有焊盤電極110P的部分中，在支撐基板SK的與布線層110相対的表面中設(shè)置凸部SI。與之伴隨地，在劃切區(qū)LA中的在切塊期間被切割的部分中，在支撐基板SK的與布線層110相対的表面中設(shè)置凸部S2。
因此，在布置支撐基板SK后，在粘接層201中，在焊盤部PAD中設(shè)有焊盤電極IlOP的部分的膜厚度T2c比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的其他部分的膜厚度Tl薄(參照圖28)。即，以與實施方式I中的情況相同的方式，位于被從上方施加機(jī)械沖擊的焊盤電極IlOP下方的粘接層201的膜厚度比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的部分薄。因此，緩解了由于來自引線接合的機(jī)械沖擊而施加于布線層110中的位于焊盤電極IlOP和粘接層201之間的絕緣膜IlOZ的應(yīng)力。與之伴隨地，在本實施方式中，在粘接層201中，劃切區(qū)LA的膜厚度T3c比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的其他部分的膜厚度Tl薄(參照圖28)。即，以與實施方式2相同的方式，劃切區(qū)LA中被施加機(jī)械沖擊的部分中的粘接層201的膜厚度比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的部分中的薄。因此，緩解了由于來自于劃切的機(jī)械沖擊而施加于布線層110中的絕緣膜IlOZ的應(yīng)力。這樣，在本實施方式中，可防止如在實施引線接合或劃切的情況中施加機(jī)械沖擊時產(chǎn)生微小裂紋。此外，在本實施方式中，以與其他實施方式中的情況相同的方式，僅使粘接層201的被施加機(jī)械沖擊的部分的膜厚度較薄，而使粘接層201的其他部分的膜厚度較厚。因此，在未施加機(jī)械沖擊的部分中，由于粘接層201的膜厚度厚，故可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。與之伴隨地，即使在被施加機(jī)械沖擊的粘接層201的膜厚度薄的部分中，由于涂敷時粘合材料從其外圍的粘接層201厚的部分繞過來，故仍可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。因此，在本實施方式中，可提高產(chǎn)品可靠性和產(chǎn)品產(chǎn)量，并以高的制造效率進(jìn)行制造。具體來說，在本實施方式中，使凸部SI、S2僅設(shè)置在支撐基板SK的與布線層110相對的表面中而不設(shè)置在布線層110的表面中。<4.實施方式4>[I]裝置配置等圖35為表示本發(fā)明的實施方式4的固體攝像裝置的重要部分的圖。圖35以與圖3同樣的方式表示了圖2中所示的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。即，在圖35中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。如圖35所示，在本實施方式中，布線層110的與支撐基板SK相対的下表面的形狀不同于實施方式I。此外，支撐基板SK的與布線層110相對的上表面的形狀不同于實施方式I。除了這點及其他相關(guān)點之外，本實施方式與實施方式I相同。因此，省略了對重復(fù)部分的說明。如圖35所示，在布線層110的下表面中設(shè)有以凸?fàn)钕蛳峦怀龅耐共?11、112。具體來說，在布線層110的下表面中，在焊盤部PAD中的形成有焊盤電極IlOP的部分中形成凸部111。與之伴隨地，在像素區(qū)PA和外圍電路部SC的形成有第三層(圖35中底層的)布線IlOH的部分中形成凸部112。凸部111和凸部112的側(cè)面各形成為使得其寬度隨著從布線層110的下表面趨向下方而變窄。關(guān)于這一點，如圖35所示，在支撐基板SK的上表面中設(shè)有以凸?fàn)钕蛏贤怀龅耐共縎I。 具體來說，在支撐基板SK的上表面中，在焊盤部PAD的形成有焊盤電極IlOP的部分中設(shè)有凸部Si。通過對支撐基板SK進(jìn)行處理而形成凸部SI。隨后，在支撐基板SK的上表面和布線層110的下表面之間設(shè)置粘接層201，并且使布線層110粘接于支撐基板SK。這里，布線層110的設(shè)有凸部111、112的下表面與支撐基板SK的設(shè)有凸部SI的上表面相對，并且其間設(shè)有粘接層201。在支撐基板SK的上表面的設(shè)有凸部SI的部分和布線層110的下表面的其中在焊盤部PAD中設(shè)有凸部111的部分之間，與布線層110的下表面的間隙比其他部分的薄。因此，在支撐基板SK的上表面中的設(shè)有焊盤電極IlOP的部分中的粘接層201的膜厚度T2d比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA中的膜厚度TlO薄。具體來說，該部分的膜厚度T2d比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的未設(shè)有凸部112的部分的膜厚度TlO薄。而且，該部分的膜厚度T2d比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的設(shè)有凸部112的部分的膜厚度Tll 薄。[2]制造方法下面，說明用于制造上述固體攝像裝置的制造方法的重要部分。圖36和圖37為表示本發(fā)明的實施方式4的固體攝像裝置的制造方法的圖。圖36和圖37以與圖35同樣的方式表不了圖2中所不的X1-X2部分的橫截面和X3-X4部分的橫截面。S卩，在圖36和圖37中表示了像素區(qū)PA、外圍電路部SC、焊盤部PAD以及劃切區(qū)LA。這里，通過如圖36、37中的(A)、⑶所示的每個エ藝，如圖5所示，在晶片W中形成多個固體攝像裝置I。隨后，在通過在劃切區(qū)LA中切塊以對晶片W進(jìn)行分割之后，如圖35所示，提供了每個部分，從而完成固體攝像裝置。下面，依次說明固體攝像裝置的每個制造エ藝。⑷支撐基板SK的布置首先，如圖36中的(A)所示，布置支撐基板SK。在實施本エ藝之前，以與實施方式I同樣的方式實施圖6(A)、圖6(B)、圖7中的(C)和圖8中的(D)中的每個エ藝。S卩，如圖6(A)所示，制備晶片W。接下來，如圖6(B)所示，形成光電ニ極管21。接下來，如圖7中的(C)所示，形成像素晶體管Tr和外圍晶體管31。接下來，如圖8中的(D)所示，形成布線層110。因此，在布線層110中，在焊盤部PAD的設(shè)有焊盤電極IlOP的部分中形成凸部111，并在像素區(qū)PA和外圍電路部SC的形成有第三層(頂層)布線IlOH的部分中形成凸部 112。 隨后，如圖36中的(A)所示，在布線層110的上表面上布置支撐基板SK。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，通過用粘接層201而將作為硅半導(dǎo)體基板的支撐基板SK粘接于布線層110的上表面。在本實施方式中，將支撐基板SK制備為在支撐基板SK的下表面的對應(yīng)于焊盤部PAD的部分中設(shè)有凸部SI。隨后，在將粘接層201涂敷于布線層110的上表面上之后，使支撐基板SK的設(shè)有凸部SI的下表面和布線層110的設(shè)有凸部111和112的上表面彼此相對地接合。因此，在粘接層201中，焊盤部PAD的設(shè)有凸部SI的部分比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的其他部分薄。(B)半導(dǎo)體基板100的翻轉(zhuǎn)接下來，如圖37中的(B)所示，將半導(dǎo)體基板100上下翻轉(zhuǎn)。這里，以與實施方式I中的情況相同的方式，將半導(dǎo)體基板100翻轉(zhuǎn)，以使半導(dǎo)體基板100的朝下的表面變?yōu)槌稀?M)每個部分的形成接下來，如圖35所示，形成每個部分，從而完成固體攝像裝置。這里，以與實施方式I相同的方式，除去半導(dǎo)體基板100和嵌入氧化物膜102 (參照圖13)。接下來，以與實施方式I相同的方式形成濾色器CF和片上透鏡OCL (參照圖14)。接下來，以與實施方式I相同的方式形成開ロ KK(參照圖15)。接下來，以與實施方式I相同的方式進(jìn)行切割(參照圖16)。隨后，如圖35所示，以與實施方式I相同的方式形成接合線BW。這里，在焊盤電極IlOP的上方的設(shè)有開ロ KK的上表面上利用引線接合而設(shè)置接合線BW。因此，完成了為背面照射型CMOS型圖像傳感器的固體攝像裝置。[3]結(jié)論如上所述，在本實施方式中，以與實施方式I相同的方式，在半導(dǎo)體層101的像素區(qū)PA中形成光電ニ極管21。隨后，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的表面相反的ー側(cè)的表面?zhèn)刃纬芍T如像素晶體管Tr等半導(dǎo)體元件。隨后，在半導(dǎo)體層101的與入射光H入射至光電ニ極管21的表面相反的ー側(cè)的表面上形成包括焊盤電極IlOP的布線層110以覆蓋所述半導(dǎo)體元件。隨后，在布線層110的與半導(dǎo)體層101側(cè)的表面相反的一側(cè)的表面上通過粘接層201而布置支撐基板SK，并且通過粘接層201而將支撐基板SK粘接于布線層110。隨后，形成開ロ KK以使得焊盤電極IlOP的在半導(dǎo)體層101側(cè)的表面露出。隨后，在由開ロ KK露出的焊盤電極IlOP的表面上設(shè)置接合線BW。隨后，在位于像素區(qū)PA周圍的劃切區(qū)LA中進(jìn)行切塊。在本實施方式中，不同于實施方式I中的情況，在布置支撐基板SK前，在支撐基板SK的與布線層110相対的表面中，在形成有焊盤電極IlOP的部分中設(shè)置凸部SI。當(dāng)布置支撐基板SK時，使布線層110的其中在焊盤電極IlOP的形成部分中設(shè)有凸部111且在底層布線IlOH的形成部分中設(shè)有凸部112的表面隔著粘接層201而與支撐基板SK的設(shè)有凸部SI的表面相対。因此，在布置支撐基板SK后，在粘接層201中，在焊盤部PAD中設(shè)有焊盤電極IlOP的部分的膜厚度T2d比像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA的其他部分的膜厚度T10、T11薄(參照圖35)。即，將支撐基板SK布置為使得粘接層201中的焊盤電極IlOP的形成部分處的膜厚度T2d比作為像素區(qū)PA、外圍電路部SC和劃切區(qū)LA的最薄部分的膜厚度Tll薄。
這樣，在本實施方式中，以與實施方式I中的情況相同的方式，在被從上方施加機(jī)械沖擊的焊盤電極IlOP下方，粘接層201比像素區(qū)PA和外圍電路部SC的部分薄。因此，緩解了由于來自引線接合的機(jī)械沖擊而施加至布線層110中的位于焊盤電極IlOP和粘接層201之間的絕緣膜IlOZ的應(yīng)力。這樣，在本實施方式中，可防止當(dāng)在進(jìn)行引線接合的情況下施加機(jī)械沖擊時產(chǎn)生微小裂紋。此外，在本實施方式中，以與實施方式I中的情況相同的方式，僅使粘接層201的被施加機(jī)械沖擊的部分的膜厚度較薄，而使粘接層201的其他部分的膜厚度較厚。因此，在未施加機(jī)械沖擊的部分中，由于粘接層201的膜厚度厚，故可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。與之伴隨地，即使在被施加機(jī)械沖擊的粘接層201的膜厚度薄的部分中，由于涂敷時粘合材料從其外圍的粘接層201厚的部分繞過來，故仍可抑制涂敷不均和空隙的發(fā)生。因此，在本實施方式中，可提高產(chǎn)品可靠性與產(chǎn)品產(chǎn)量，并且可以高的制造效率進(jìn)行制造。特別地，在本實施方式中，在布線層110的與支撐基板SK相対的表面和支撐基板SK的與布線層110相対的表面中分別設(shè)置有凸部111、112、SI。<5.其他〉本發(fā)明的實現(xiàn)不限于上述實施方式，并且可采用各種變型例。在上述實施方式中，說明了這樣的情況，即，在布線層的與支撐基板相対的表面中，在焊盤電極的形成部分中設(shè)置凸部，以使在焊盤電極的形成部分中的粘接層至少比像素區(qū)的部分中的粘接層薄。此外，說明了這樣的情況，即，在支撐基板的與布線層相対的表面中，在焊盤電極的形成部分中設(shè)置凸部。而且，說明了這樣的情況，即，在上述布線層的表面和上述支撐基板的表面中，都在焊盤電極的形成部分中設(shè)置凸部。與之伴隨地，說明了這樣的情況，S卩，在布線層的與支撐基板相対的表面中，在通過切塊而切割的部分中設(shè)置凸部，以使在劃切區(qū)中通過切塊而切割的部分中的粘接層至少比像素區(qū)的部分中的粘接層薄。此外，說明了這樣的情況，即，在支撐基板的與布線層相對的表面中，在通過切塊而切割的部分中設(shè)置凸部。不僅包括這些情況，在上述布線層的表面和上述支撐基板的表面中，都可在通過切塊而切割的部分中設(shè)置凸部。即，可在支撐基板的與布線層相対的表面或支撐基板的與布線層相対的表面中的至少ー個表面中，在劃切區(qū)中通過切塊而切割的部分中設(shè)置凸部，從而實現(xiàn)本發(fā)明的操作和效果。在上述實施方式中，說明了沿深度方向隔著絕緣層而層疊有三層布線而形成布線層的情況，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明可適用于沿深度方向隔著絕緣層而層疊有多于三層布線的情況、沿深度方向隔著絕緣層而層疊有兩層布線的情況或者層疊有單層布線的情況。在上述實施方式中，說明了將傳輸晶體管、放大晶體管、選擇晶體管以及復(fù)位晶體管這四種晶體管設(shè)置為像素晶體管的情況，但本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明可適用于將傳輸晶體管、放大晶體管和復(fù)位晶體管這三種晶體管設(shè)置為像素晶體管的情況。在上述實施方式中，說明了姆關(guān)于一個光電ニ極管而設(shè)置ー個傳輸晶體管、放大晶體管、選擇晶體管和復(fù)位晶體管的情況，但本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明可適用于每關(guān)于多個光電ニ極管而設(shè)置ー個放大晶體管、選擇晶體管和復(fù)位晶體管的情況。
此外，在上述實施方式中，說明了本發(fā)明應(yīng)用于相機(jī)的情況，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明可應(yīng)用于諸如掃描儀或復(fù)印機(jī)等設(shè)有固體攝像裝置的其他電子設(shè)備。此外，在上述實施方式中，說明了由SOI基板來制造固體攝像裝置的情況，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明可適用于由諸如硅基板等非SOI基板的半導(dǎo)體基板來制造固體攝像裝置的情況。此外，除CMOS圖像傳感器以外，如若需要，本發(fā)明還可應(yīng)用于的CXD型圖像傳感器的情況。除此之外，本發(fā)明還可應(yīng)用于各種半導(dǎo)體裝置，而不限于固體攝像裝置的情況。圖38為表示本發(fā)明的實施方式的固體攝像裝置的部分橫截面的橫截面圖。如圖38所示，可存在這樣的配置，其中，粘接層201覆蓋構(gòu)成固體攝像裝置I的半導(dǎo)體層101和布線層110的側(cè)面。在此情況中，例如，在實施方式I中布置支撐基板SK之前(圖10和圖11期間或之前)，如圖38所示，通過利用金剛石研磨的研磨エ藝對晶片(半導(dǎo)體層101)的邊緣部分進(jìn)行處理。然后，以與實施方式I相同的方式形成每個部分。因此，可防止在圖13中利用背面研磨法除去嵌入氧化物膜102時形成刀ロ形狀。這里，在上述實施方式中，固體攝像裝置I等效于本發(fā)明的固體攝像裝置和半導(dǎo)體裝置。此外，在上述實施方式中，光電ニ極管21等效于本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件。此外，在上述實施方式中，外圍晶體管31等效于本發(fā)明的半導(dǎo)體元件和外圍晶體管。此外，在上述實施方式中，相機(jī)40等效于本發(fā)明的電子設(shè)備。此外，在上述實施方式中，半導(dǎo)體層101等效于本發(fā)明的半導(dǎo)體層。此外，在上述實施方式中，布線層110等效于本發(fā)明的布線層。此外，在上述實施方式中，焊盤電極IIOP等效于本發(fā)明的焊盤電極。此外，在上述實施方式中，凸部lll、lllb、112、Sl、S2等效于本發(fā)明的凸部。此外，在上述實施方式中，粘接層201等效于本發(fā)明的粘接層。此外，在上述實施方式中，接合線BW等效于本發(fā)明的接合線。此夕卜，在上述實施方式中，入射光H等效于本發(fā)明的入射光。此外，在上述實施方式中，開ロ KK等效于本發(fā)明的開ロ。此外，在上述實施方式中，劃切區(qū)LA等效于本發(fā)明的劃切區(qū)。此外，在上述實施方式中，像素P等效于本發(fā)明的像素。此外，在上述實施方式中，像素區(qū)PA等效于本發(fā)明的像素區(qū)。此外，在上述實施方式中，外圍區(qū)SA等效于本發(fā)明的外圍區(qū)。此外，在上述實施方式中，支撐基板SK等效于本發(fā)明的支撐基板。此外，在上述實施方式中，像素晶體管Tr等效于本發(fā)明的半導(dǎo)體元件和像素晶體管。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，取決于設(shè)計需要和其它因素可出現(xiàn)各種變化、組合、子組合和替代。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像裝置，其包括 半導(dǎo)體層，其包括在該半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成的光電轉(zhuǎn)換元件以及在該半導(dǎo)體層的與光入射表面相反的表面?zhèn)戎行纬傻陌雽?dǎo)體兀件； 布線層，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及 粘接層，其設(shè)置于所述布線層和所述支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板， 其中，所述布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使所述焊盤電極的位于所述半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出， 在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中且形成有所述焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且 所述粘接層形成為使得形成有所述焊盤電極的部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
2.如權(quán)利要求I所述的固體攝像裝置，其中，在所述焊盤電極的因所述開口而露出的表面上連接有接合線。
3.如權(quán)利要求I或2所述的固體攝像裝置，其中，僅在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面中設(shè)有所述凸部。
4.如權(quán)利要求I或2所述的固體攝像裝置，其中，僅在所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中設(shè)有所述凸部。
5.如權(quán)利要求I或2所述的固體攝像裝置，其中，在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面和所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中各設(shè)有所述凸部。
6.如權(quán)利要求I或2所述的固體攝像裝置， 其中，在所述像素區(qū)中形成像素晶體管以作為所述半導(dǎo)體元件，所述像素晶體管用于讀出由所述光電轉(zhuǎn)換元件生成的電荷； 在位于所述像素區(qū)外圍的外圍區(qū)中形成外圍晶體管以作為所述半導(dǎo)體元件，所述外圍晶體管用于構(gòu)成用來驅(qū)動所述像素的外圍電路；并且 所述粘接層的形成有所述焊盤電極的部分比在所述外圍區(qū)中形成有所述外圍電路的部分薄。
7.如權(quán)利要求6所述的固體攝像裝置，還包括 在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面之至少任一個中的、位于所述外圍區(qū)周圍的劃切區(qū)中被切割的部分中的凸部， 其中，所述粘接層的在所述劃切區(qū)中被切割的部分至少比所述像素區(qū)的部分薄。
8.—種固體攝像裝置，其包括 半導(dǎo)體層，其包括在該半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成的光電轉(zhuǎn)換元件以及在該半導(dǎo)體層的與光入射表面相反的表面?zhèn)戎行纬傻陌雽?dǎo)體兀件； 布線層，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及粘接層，其設(shè)置于所述布線層和所述支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板， 其中，在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中，在位于所述像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)有凸部，并且 所述粘接層形成為使得在所述劃切區(qū)中被切割的部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
9.一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括 在半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成光電轉(zhuǎn)換元件； 在所述半導(dǎo)體層的作為光入射表面的相反側(cè)的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件； 在所述半導(dǎo)體層的作為光入射表面的相反側(cè)的表面上形成包括焊盤電極的布線層以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 在所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面通過粘接層而布置支撐基板，并且利用所述粘接層將所述支撐基板粘接于所述布線層； 形成開口以使得所述焊盤電極的位于所述半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出；并且 在所述焊盤電極的使用所述開口露出的表面上設(shè)置接合線， 其中，在布置所述支撐基板前，還包括在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中的形成有所述焊盤電極的部分中設(shè)置凸部的工藝，并且 在布置所述支撐基板的工藝中，在所述布線層和所述支撐基板之間，將所述粘接層形成為使得所述焊盤電極的形成部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
10.一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括 在半導(dǎo)體層的像素區(qū)中形成光電轉(zhuǎn)換元件； 在所述半導(dǎo)體層的作為光入射表面的相反側(cè)的表面?zhèn)刃纬砂雽?dǎo)體元件； 在所述半導(dǎo)體層的作為光入射表面的相反側(cè)的表面上形成包括焊盤電極的布線層以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 在所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面通過粘接層而布置支撐基板，并且利用所述粘接層將所述支撐基板粘接于所述布線層；并且在位于所述像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中進(jìn)行切割， 其中，在布置所述支撐基板前，還包括在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)置凸部的工藝，并且 在布置所述支撐基板的工藝中，在所述布線層和所述支撐基板之間，將所述粘接層形成為使得在所述劃切區(qū)中被切割的部分由于所述凸部而至少比所述像素區(qū)的部分薄。
11.一種電子設(shè)備，其包括如權(quán)利要求I至7之任一項所述的固體攝像裝置。
12.一種電子設(shè)備，其包括如權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置。
13.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 半導(dǎo)體層，其表面上形成有半導(dǎo)體元件； 布線層，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及 粘接層，其設(shè)置于所述布線層和所述支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板， 其中，所述布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使所述焊盤電極的位于所述半導(dǎo)體層一側(cè)的表面露出， 在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中，在形成有所述焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且 所述粘接層形成為使得形成有所述焊盤電極的部分由于所述凸部而比其他部分薄。
14.一種半導(dǎo)體裝置，其包括 半導(dǎo)體層，其表面上形成有半導(dǎo)體元件； 布線層，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 支撐基板，其設(shè)置于所述布線層的與所述半導(dǎo)體層相反的一側(cè)的表面?zhèn)纫耘c所述布線層相對；以及 粘接層，其設(shè)置于所述布線層和所述支撐基板之間，并用于粘接所述布線層和所述支撐基板， 其中，在所述布線層的與所述支撐基板相對的表面或所述支撐基板的與所述布線層相對的表面中的至少一個表面中，在位于所述像素區(qū)外圍的劃切區(qū)中被切割的部分中設(shè)有凸部，并且 所述粘接層形成為使得在所述劃切區(qū)中被切割的部分由于所述凸部而比其他部分薄。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種固體攝像裝置、其制造方法、一種電子設(shè)備和一種半導(dǎo)體裝置。所述固體攝像裝置包括半導(dǎo)體層，其中在像素區(qū)中形成有像素且在入射光的入射面的相反側(cè)形成有半導(dǎo)體元件；布線層，其在半導(dǎo)體層上設(shè)為覆蓋半導(dǎo)體元件；支撐基板，其在布線層的與半導(dǎo)體層相反的表面?zhèn)仍O(shè)置為與布線層相對；和粘接層，其將布線層和支撐基板粘接，其中，布線層包括焊盤電極，并且形成有開口以使焊盤電極露出，在布線層的與支撐基板相對的表面或支撐基板的與布線層相對的表面之至少一個中，在形成有焊盤電極的部分中設(shè)有凸部，并且粘接層形成為使得焊盤電極的形成部分比像素區(qū)的部分薄。本發(fā)明可提高產(chǎn)品可靠性、產(chǎn)品產(chǎn)量和制造效率。
文檔編號H01L27/146GK102683359SQ20121004460
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者澀木俊一 申請人:索尼公司