專利名稱：蓋板及其制造方法、太陽能玻璃、光伏器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)材料領(lǐng)域，尤其涉及一種蓋板及其制造方法、太陽能玻璃、光伏器件。
背景技術(shù)：
玻璃具有透明、強度高、不透氣的特點，在日常環(huán)境中呈化學(xué)惰性，也不會與生物起作用，因此用途非常廣泛。常見的玻璃包括汽車玻璃、平板玻璃、保溫玻璃等。 玻璃還應(yīng)用于光伏器件中，用作光伏器件中太陽能電池的蓋板。參考圖1，示出了現(xiàn)有技術(shù)光伏器件一實施例的示意圖。所述光伏器件包括基底11 ;位于基底11上的粘合層12，所述粘合層12中還設(shè)置有多個太陽能電池13，本實施例中所述太陽能電池13為晶硅電池；蓋板玻璃14。所述基底11、粘合層12和蓋板玻璃14構(gòu)成太陽能電池多層結(jié)構(gòu)。光伏器件工作時，光投射至蓋板玻璃14，之后透過所述蓋板玻璃14到達粘合層12，處于粘合層12中的太陽能電池13將接收到的光能轉(zhuǎn)換為電能，以實現(xiàn)光伏器件的功能。在太陽能電池13將光轉(zhuǎn)換為電信號后，所述太陽能電池13會積累大量負電荷，所述太陽能電池13呈負電勢。為了使用安全，所述光伏器件還設(shè)置有包覆于太陽能電池多層結(jié)構(gòu)端部的邊框15，所述邊框15與地端相連，或者所述邊框15與ー低電勢的電源電壓相連。這樣，人在接觸所述光伏器件時，接觸到邊框15不會發(fā)生觸電危險。在光伏器件的使用過程中，邊框15和太陽能電池13之間存在電勢差，所述電勢差可引起漏電流的發(fā)生，最終導(dǎo)致光伏器件的功率衰減(Potential Induced Degradation,PID)，影響光伏器件的性能，如何減小PID是本領(lǐng)域技術(shù)人員研究的熱點。在“26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exnibition,5-8Setember 2011, Hamburg, Germany” 中，Simon Koch 等人發(fā)表了名為 “POLARIZATIONEFFECTS AND TESTS FOR CRYSTALLINE SILICON CELLS”的文章，Simon Koch 等人認為蓋板玻璃中的堿金屬離子等金屬陽離子是造成PID問題的誘因之一。下面結(jié)合參考圖1，說明蓋板玻璃中的金屬陽離子造成PID問題的原因。在光伏器件中，所述蓋板玻璃14通常采用鈉鈣玻璃，鈉鈣玻璃中包含多種金屬陽離子，例如Na+等堿金屬離子、Ca2+等堿土金屬離子和Fe3+等其他金屬陽離子。由于邊框15接地或與ー低電勢的電源電壓相連，而所述太陽能電池13呈負電勢，所述邊框15的電勢高于所述太陽能電池13的電勢，因此在光伏器件中形成方向自邊框15至太陽能電池13的電場(如圖I中箭頭所示方向)。在所述蓋板玻璃14中，所述電場的方向自上至下。鈉鈣玻璃中的金屬陽離子在所述自上至下電場的作用下會朝向太陽能電池13運動。所述金屬陽離子遷移到太陽能電池13的表面或者進入太陽能電池13內(nèi)部，將引起太陽能電池13性能的下降，從而造成PID問題，進而造成光伏器件性能的下降
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是防止或延緩諸如光伏器件等的工作器件的性能下降。為了解決上述問題，本發(fā)明提供ー種蓋板，適于覆蓋工作器件，所述工作器件在蓋板形成有電場，所述蓋板包括透光基體，所述透光基體具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述工作器件；阻擋層，位于所述透光基體的第一表面，用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而逸出，以抑制所述工作器件的性能退化；抗反射層，位于所述透光基體的第二表面，用于減少透光基體第二表面上入射光的反射?？蛇x地，所述阻擋層為透光絕緣材料。可選地，所述阻擋層的光透過率大于或等于90%?？蛇x地，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合?？蛇x地，所述阻擋層的厚度在2(T250nm的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的厚度在2(T50nm的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的厚度為20nm、30nm或40nm?？蛇x地，所述阻擋層的厚度在5(Tl50nm的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的厚度為80nm、lOOnm、120nm或150nm?？蛇x地，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅摻雜氧化鋁，所述阻擋層的厚度為lOOnm。可選地，所述抗反射層為單層結(jié)構(gòu)?？蛇x地，所述抗反射層的材料與所述阻擋層的材料相同?？蛇x地，所述抗反射層為多層結(jié)構(gòu)，包括依次位于透光基體第二表面的多層抗反射薄膜?？蛇x地，所述抗反射層的材料與所述阻擋層的材料相同。可選地，所述抗反射層的材料為ニ氧化硅，或者，所述抗反射層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合?？蛇x地，所述透光基體為玻璃?？蛇x地，所述透光基體內(nèi)物質(zhì)為金屬陽離子。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種太陽能玻璃，裝配于太陽能電池，所述太陽能電池在所述太陽能玻璃位置處形成電場，所述太陽能玻璃包括玻璃，所述玻璃具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述太陽能電池；透光絕緣層，位于所述玻璃的第一表面，所述透光絕緣層的材料為ニ氧化硅，或者，所述透光絕緣層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合；抗反射層，位于所述玻璃的第ニ表面，用于減少玻璃第二表面上入射光的反射?？蛇x地，所述玻璃為鈉鈣玻璃。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種光伏器件，包括基底，所述基底內(nèi)設(shè)置有太陽能電池；位于基底上的透光基體；位于透光基體上的抗反射層，用于減少光的反射；所述光伏器件還包括位于透光基體和太陽能電池之間的阻擋層，用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)進入至太陽能電池，以抑制所述太陽能電池的性能退化?？蛇x地，所述阻擋層為透光絕緣材料。可選地，所述阻擋層的光透過率大于或等于90%。可選地，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。
可選地，所述阻擋層的厚度在2(T250nm的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的厚度在2(T50nm的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的厚度為20nm、30nm或40nm。可選地，所述阻擋層的厚度在5(Tl50nm的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的厚度為80nm、lOOnm、120nm或150nm?？蛇x地，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅摻雜氧化鋁，所述阻擋層的厚度為lOOnm?？蛇x地，所述透光基體為玻璃。
可選地，所述透光基體內(nèi)物質(zhì)為金屬陽離子?？蛇x地，所述基底包括襯底層和位于襯底層上的粘合層，所述太陽能電池設(shè)置在所述粘合層內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層與所述基底相接觸?？蛇x地，所述阻擋層與所述透光基體相接觸?？蛇x地，所述阻擋層與所述粘合層、透光基體相接觸；所述阻擋層的折射率與粘合層的折射率相等，或者，所述阻擋層的折射率與所述透光基體的折射率相等，或者所述阻擋層的折射率位于粘合層的折射率和透光基體的折射率之間?？蛇x地，所述阻擋層的折射率在I. 2^2. 2的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述阻擋層的折射率在I. 3^1. 8的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述粘合層的材料為こ烯-醋酸こ烯共聚物或聚こ烯醇縮丁醛的ー種或多種?？蛇x地，所述太陽能電池為晶硅電池。相應(yīng)地，本發(fā)明提供一種蓋板的制造方法，所述蓋板用于覆蓋工作器件，所述工作器件在蓋板位置處形成有電場，該方法包括提供透光基體，所述透光基體具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面相對于第二表面更接近所述工作器件；在透光基體的第一表面形成用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而逸出、以抑制所述工作器件的性能退化的阻擋層?？蛇x地，還包括在所述透光基體的第二表面形成減少入射光反射的抗反射層，該抗反射層與所述阻擋層的厚度相同且同步形成。 可選地，所述透光基體是玻璃，所述透光基體內(nèi)物質(zhì)是金屬陽離子?？蛇x地，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合；在透光基體的第一表面形成阻擋層的步驟包括通過物理氣相沉積、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、溶膠凝膠、卷對卷、旋涂、噴涂、狹縫涂布或浸涂的方法形成阻擋層。可選地，所述抗反射層為單層結(jié)構(gòu)，在形成阻擋層的同時形成抗反射層?？蛇x地，通過浸涂的方法同時在透光基體的兩個表面分別形成阻擋層和抗反射層。可選地，所述抗反射層為包括多層抗反射薄膜的多層結(jié)構(gòu)；在透光基體的第二表面形成抗反射層的步驟包括依次在所述透光基體的第二表面形成多層抗反射薄膜?？蛇x地，在形成阻擋層的步驟之后，還包括對所述阻擋層進行烘干處理?？蛇x地，對所述阻擋層進行烘干處理的步驟包括以10(T300°C的溫度進行烘干。
可選地，在形成阻擋層、形成抗反射層的步驟之后，還包括對所述玻璃進行加熱處理，以使所述玻璃轉(zhuǎn)化為鋼化玻璃。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點I.阻擋層位干與工作器件 相鄰的第一表面，能起到阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因受電場作用而從所述第一表面逸出的作用，從而可以防止透光基體內(nèi)物質(zhì)進入至工作器件中，進而可以抑制由所述透光基體內(nèi)物質(zhì)所造成的工作器件性能的退化。2.可選方案中，所述抗反射層的材料與所述阻擋層的材料相同，可以采用同一エ藝中同時在透光基體的兩個表面形成所述阻擋層和抗反射層，從而簡化制造步驟，降低生產(chǎn)成本。3.本發(fā)明提供的光伏器件中，位于透光基體和多個太陽能電池之間的阻擋層用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因電場作用而進入至太陽能電池，可以抑制所述太陽能電池的性能退化。4.可選方案中，所述阻擋層，用于阻擋堿金屬離子到達太陽能電池的位置處，以防止堿金屬離子對太陽能電池的腐蝕，減小PID問題。5.可選方案中，阻擋層與透光基體、設(shè)置有多個太陽能電池的粘合層均相接觸，所述阻擋層的折射率與粘合層的折射率相等，或者，所述阻擋層的折射率與所述透光基體的折射率相等，或者所述阻擋層的折射率位于粘合層的折射率和透光基體的折射率之間，可以增加阻擋層的光透過率，提高光伏器件的光轉(zhuǎn)換效率。


圖I是ー種現(xiàn)有技術(shù)光伏器件的示意圖；圖2是本發(fā)明蓋板ー實施方式的示意圖；圖3是本發(fā)明蓋板第一實施例的示意圖；圖4是本發(fā)明蓋板第二實施例的示意圖；圖5是本發(fā)明光伏器件一實施例的不意圖；圖6是本發(fā)明蓋板制造方法ー實施方式的流程示意圖；圖7是本發(fā)明蓋板制造方法第一實施例的流程示意圖；圖8是本發(fā)明蓋板制造方法第二實施例的流程示意圖；圖9是本發(fā)明蓋板制造方法第三實施例的流程示意圖。
具體實施例方式在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明提供ー種蓋板，參考圖2，示出了本發(fā)明蓋板一實施方式的示意圖。本實施方式中，所述蓋板10用于覆蓋于光伏器件、液晶顯示模組等的工作器件(圖未示)上，所述工作器件工作過程中會形成電場，所述蓋板10處于所述電場中。具體地，所述蓋板10包括透光基體100,所述透光基體100具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述工作器件。具體地，圖2所示實施方式中，在應(yīng)用蓋板10時，所述光伏器件、液晶顯示模組等的工作器件位于蓋板10的下方，所述第一表面為透光基體100的下表面，所述第二表面為透光基體100的上表面，工作器件與所述透光基體100的下表面相鄰。阻擋層101，位于所述透光基體100的第一表面，用于阻擋所述透光基體100內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而逸 出，以抑制所述工作器件的性能退化。所述阻擋層101位干與工作器件相鄰的第一表面，能起到阻擋所述透光基體100內(nèi)物質(zhì)(例如Na+等堿金屬離子，Ca2+等的堿土金屬離子，以及Fe3+等的其他金屬陽離子)因受電場作用而從所述第一表面逸出的作用，從而可以防止透光基體100內(nèi)物質(zhì)進入至工作器件中，進而可以抑制由所述透光基體100內(nèi)物質(zhì)所造成的工作器件性能的退化。抗反射層102,位于所述透光基體100的第二表面,用于減少透光基體100第二表面入射光的反射。光可以從所述透光基體100第二表面入射，透過所述透過基體100到達透光基體100與第二表面相対的第一表面，進而透射至與透光基體100第二表面相鄰的エ作器件。所述抗反射層102位于空氣與透光基體100之間，可以增加光從空氣至透光基體100的透過率，提高光的利用率。 下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明技術(shù)方案做進ー步說明。參考圖3，示出了本發(fā)明蓋板第一實施例的示意圖。本實施例以應(yīng)用于光伏器件中的蓋板為例進行說明，所述光伏器件包括太陽能電池(圖未示)、位于所述太陽能電池上的蓋板20，所述光伏器件在使用過程中能形成如圖中箭頭所示方向的電場。但是本發(fā)明對此不做限制，在其他實施例中，還可以是其他類型的工作器件。此外，所述電場還可以是光伏器件之外的器件形成，只要所述器件會在蓋板20位置處形成電場即可。所述蓋板20包括透光基體200，位于所述透光基體200下表面的阻擋層201，位于所述透光基體200上表面的抗反射層202。本實施例中，所述透光基體200為玻璃，具體地，所述透光基體200為鈉鈣玻璃，包含有多種金屬陽離子，例如=Na+等堿金屬離子，Ca2+等堿土金屬離子，以及Fe3+等的其他金屬陽離子。所述金屬陽離子在圖3中箭頭所示方向的電場作用下，在透光基體200中會向下運動。所述阻擋層201，用于阻擋所述金屬陽離子在箭頭所示方向的電場的作用下從阻擋層201的下表面逸出，從而防止了所述多種金屬陽離子到達太陽能電池位置處而造成太陽能電池的退化，進而防止了光伏器件性能的衰退。本實施例中，所述阻擋層201為透光絕緣材料，一方面，阻擋層201為透光材料可以使大部分光可以透過阻擋層201到達太陽能電池，以提高光利用率；另一方面，所述阻擋層201為絕緣材料可以防止阻擋層201的引入會影響到太陽能電池的電學(xué)性能。優(yōu)選地，所述阻擋層201的光透過率大于或等于90%。具體地，所述阻擋層201的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層201的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。所述阻擋層201的厚度通常在2(T250nm的范圍內(nèi)。阻擋層201的厚度過大容易造成成本的増加，同時所述阻擋層201厚度過小時會使阻擋層201的阻擋效果受到影響。因此優(yōu)選地，所述阻擋層201的厚度在5(Tl50nm的范圍內(nèi)。然而，有些エ藝方法(例如化學(xué)氣相沉積)形成阻擋層201時，所述阻擋層201的厚度在2(T50nm的范圍內(nèi)。這樣厚度范圍的阻擋層201仍能起到阻擋堿金屬離子、堿土金屬離子，以及Fe3+等其他金屬陽離子的作用，可以起到抑制太陽能電池性能退化的作用。需要說明的是，基于大量實驗測試證明，阻擋層201的厚度為20nm、30nm、40nm、80nm、lOOnm、120nm或150nm時效果最佳。當然，阻擋層201的厚度位于20 30nm、30 40nm、4(T80nm、8(Tl00nm、10(ri20nm或12(Tl50nm范圍內(nèi)時也具有良好的阻擋效果?？狗瓷鋵?02，其折射率位于空氣的折射率與透光基體200的折射率之間，可以起 到減少光從空氣入射至透光基體200時光的反射，增加光的透過率。如圖3所示，本實施例中，所述抗反射層202為單層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述抗反射層202還可以起到阻擋堿金屬離子、堿土金屬離子以及其他金屬陽離子的作用。例如，玻璃中的堿金屬離子、堿土金屬離子以及其他金屬陽離子由于熱擴散的原因容易從玻璃的上表面逸出。所述抗反射層202可以在減少光反射的同時起到阻擋堿金屬離子逸出的作用。具體地，所述抗反射層202的材料為ニ氧化硅，或者，所述抗反射層202的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的ー種或多種的組合。需要說明的是，優(yōu)選地，所述抗反射層202的材料與所述阻擋層201的材料相同，這樣，一方面可以減少所用材料的數(shù)量，減少材料成本；另ー方面還可以采用同一エ藝中同時在透光基體200的兩個表面形成所述阻擋層201和抗反射層202，從而簡化制造步驟。參考圖4，示出了本發(fā)明蓋板第二實施例的示意圖。本實施例仍以應(yīng)用于光伏器件中的蓋板為例進行說明。本實施例中蓋板30包括透光基體300，位于所述透光基體300下表面的阻擋層301，位于所述透光基體300上表面的抗反射層302。其中，所述透光基體300為玻璃，包含堿金屬離子，但是本發(fā)明對此不做限制。本實施例與第一實施例的相同之處不再贅述，本實施例與第一實施例的不同之處在于，所述抗反射層302為ー多層結(jié)構(gòu),包括依次位于透光基體300上表面上的多層抗反射薄膜 L1、L2、L3......Ln0具體地，結(jié)合考慮抗反射薄膜LI、L2、L3……Ln抗反射效果以及光透過率，優(yōu)選地，單層抗反射薄膜的厚度位于4(Tl60nm的范圍內(nèi)。其中，單層抗反射薄膜的厚度為50nm、80nm、lOOnm、120nm時效果最佳。當然，單層抗反射薄膜的厚度位于40 50nm、50 80nm、8(Tl00nm、10(Tl20nm或12(Tl60nm的范圍內(nèi)時也有良好的抗反射效果和較高的光透過率。具體地，所述抗反射薄膜LI、L2、L3……Ln的材料為ニ氧化硅，或者，所述抗反射薄膜LI、L2、L3……Ln的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。需要說明的是，在上述實施例中，本發(fā)明均以應(yīng)用于太陽能電池中的蓋板為例，但是本發(fā)明對此不做限制，在其他實施例中還可以是應(yīng)用于其他工作器件中的蓋板，例如應(yīng)用于液晶顯示模組中的蓋板。只要所述工作器件會在蓋板處形成電場即可。還需要說明的是，在上述實施例中，透光基體以玻璃為例，透光基體內(nèi)物質(zhì)以金屬陽離子為例，但是本發(fā)明對此不做限制，還可以是其他的材料的透光基體，例如透明塑料。透光基體內(nèi)物質(zhì)還可以是陰離子、帶電團簇等，只要透光基體內(nèi)物質(zhì)會因電場的作用向工作器件方向移動并逸出即可。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以基于上述實施例，對本發(fā)明進行相應(yīng)地修改、變形或替換。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種太陽能玻璃，所述太陽能玻璃裝配于光伏器件中，所述光伏器件在使用過程中會形成電場，所述太陽能玻璃處于所述電場中，具體地，所述太陽能玻璃包括玻璃，所述玻璃包金屬陽離子，所述玻璃具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述太陽能電池，具體地，所述玻璃為鈉鈣玻璃。透光絕緣層，位于所述玻璃的第一表面，用于阻擋所述玻璃內(nèi)的金屬陽離子在所述電場作用下從玻璃的第一表面逸出，從而防止所述金屬陽離子對太陽能電池的腐蝕，進 而抑制了所述金屬陽離子所造成的太陽能電池的性能退化。抗反射層，位于所述玻璃的第二表面，用于減少玻璃第二表面上入射光的反射。具體地，所述透光絕緣層的材料為ニ氧化硅，或者，所述透光絕緣層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種光伏器件，參考圖5，示出了本發(fā)明光伏器件一實施例的示意圖。所述光伏器件，包括襯底層401 ;位于襯底層401上的粘合層402，所述粘合層402中設(shè)置有多個太陽能電池403 ;位于粘合層402上的透光基體406 ;位于透光基體406上的抗反射層407 ;位于所述透光基體406和所述多個太陽能電池403之間的阻擋層405 ；所述襯底層401、粘合層402、阻擋層405、透光基體406和抗反射層407構(gòu)成太陽能電池多層結(jié)構(gòu)，所述光伏器件還包括裝配于所述太陽能電池多層結(jié)構(gòu)端部的邊框404。其中，襯底層401，用于支撐所述多個太陽能電池403，還可以起到保護所述太陽能電池403的作用。粘合層402，用于固定所述多個太陽能電池403，還用于實現(xiàn)太陽能電池403與其他各層的貼合。需要說明的是，本實施例中，所述襯底層401和內(nèi)置有多個太陽能電池的粘合層402構(gòu)成基底，但是本發(fā)明對此不做限制，在其他實施例中，所述基底還可以為內(nèi)置有太陽能電池的單層結(jié)構(gòu)。本實施例中，為了提高光利用率，所述粘合層402的材料為透光的粘合剤。具體地，所述粘合層402的材料為こ烯-醋酸こ烯共聚物(EVA)或聚こ烯醇縮丁醛(PVB)的ー種或多種。但是，本發(fā)明對粘合層402的材料不做限制。邊框404，連接于地端或與一低電勢的電源電壓(圖未示)相連，用于保證光伏器件的使用安全性。具體地，所述邊框404通常為導(dǎo)電材料，例如鋁等金屬材料。在光伏器件的使用過程中，所述邊框404與所述太陽能電池403之間的電勢差會形成圖5中箭頭所示方向的電場，所述透光基體406于所述電場中。所述透光基體406，用于保護太陽能電池403，還起到使光透射至太陽能電池403的作用。本實施例中，所述透光基體406為玻璃，具體地，所述透光基體406為鈉鈣玻璃，包含多種金屬陽離子，例如Na+等堿金屬離子、Ca2+等堿土金屬離子等。所述金屬陽離子在所述電場的作用下會朝向太陽能電池403方向移動。
所述抗反射層407，用于減少光從空氣入射至透光基體406時的光的反射。本實施例中所述抗反射層407為多層結(jié)構(gòu)，包括依次位于透光基體406上的多層抗反射薄膜LI、L2、L3……Ln，但是本發(fā)明對抗反射層407的單層或多層的結(jié)構(gòu)及其材料不做限制。所述光伏器件還包括阻擋層405，用于阻擋所述透光基體406內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而進入至太陽能電池403，以抑制所述太陽能電池403的性能退化。本實施例中，所述阻擋層405，用于阻擋堿金屬離子在圖5中箭頭所示方向電場的作用下到達太陽能電池403的位置處，以防止Na+等堿金屬離子對太陽能電池403的腐蝕，減小PID問題。本實施例中，所述阻擋層405與所述透光基體406、設(shè)置有多個太陽能電池403的粘合層402均相接觸，所述阻擋層405可以防止Na+等堿金屬離子從透光基體406的下表面逸出。如圖5所示，Na+等堿金屬離子在電場作用下雖然向下運動，但是由于阻擋層405的阻擋作用，Na+等堿金屬離子仍處于透光基體406內(nèi)。但是本發(fā)明對此不做限制，為了實現(xiàn)阻擋層405對透光基體406內(nèi)物質(zhì)與多個太 陽能電池403的隔離，所述阻擋層405位于所述透光基體406與所述多個太陽能電池403之間即可。具體地說，所述阻擋層405可以與所述透光基體406不相接觸，還可以與所述粘合層402不相接觸，還可以與所述透光基體406、粘合層402均不相接觸，還可以位于粘合層402內(nèi)部、太陽能電池403上方的位置處。具體地，所述阻擋層405為透光絕緣材料。優(yōu)選地，所述阻擋層405的光透過率大于或等于90%。本實施例中，所述阻擋層405與所述透光基體406、設(shè)置有多個太陽能電池403的粘合層402均相接觸。為了確保阻擋層405具有良好的光學(xué)透過率，所述阻擋層405的折射率的優(yōu)選范圍1. 2-2. 2，其中最佳范圍為I. 3-1. 8。例如，對于未設(shè)置有阻擋層的光伏器件而言，透光基體406 (玻璃)、粘合層402 (乙烯-醋酸こ烯共聚物)構(gòu)成的疊層具有88. 32%的光透過率。透光基體406 (玻璃)和粘合層402 (こ烯-醋酸こ烯共聚物)之間設(shè)置厚度為lOOnm，折射率為I. 43的ニ氧化硅材料的阻擋層405，透光基體406、阻擋層405、粘合層402三層的光透過率為88. 19%。由此可見通過使透光基體406、阻擋層405、粘合層402三層實現(xiàn)折射率匹配，在新引入ー層材料的同時幾乎不影響到光透過率。本實施例中，所述阻擋層405的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層405的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。但是本發(fā)明對阻擋層405的材料不做限制。 所述阻擋層405的厚度通常在2(T250nm的范圍內(nèi)。阻擋層405的厚度過大容易造成材料的浪費，同時所述阻擋層405厚度過小的會使阻擋層405的阻擋效果受到影響。因此優(yōu)選地，所述阻擋層405的厚度在5(Tl50nm的范圍內(nèi)。然而，有些エ藝方法(例如化學(xué)氣相沉積)下，所述阻擋層405的厚度在2(T50nm的范圍內(nèi)。這樣厚度范圍的阻擋層405仍能起到阻擋堿金屬離子、堿土金屬離子等金屬陽離子的作用，可以起到抑制光伏組件的PID問題。需要說明的是，基于大量實驗測試證明，阻擋層405的厚度為20nm、30nm、40nm、80nm、lOOnm、120nm或150nm時效果最佳。當然，阻擋層405的厚度位于20 30nm、30 40nm、4(T80nm、8(Tl00nm、100nnri20nm或120 150nm范圍內(nèi)時也具有良好的阻擋效果。
下面結(jié)合具體實驗數(shù)據(jù)，說明本發(fā)明光伏器件抑制PID問題的效果。表I中列出了不設(shè)置阻擋層以及設(shè)置不同材料、不同厚度阻擋層的光伏器件樣品的性能。此處以“剩余輸出功率百分比”作為表征光伏器件性能的參數(shù)。具體地說，所述剩余輸出功率百分比是指光伏器件進行測試之后輸出功率與做測試之前輸出功率的比值。
需要說明的是，表I中各樣品進行測試的測試條件均相同。具體的測試參數(shù)如下在溫度為85° C，相対濕度為85%的環(huán)境條件下，在光伏器件的邊框和內(nèi)部電路之間施加1000V DC的電壓，對光伏器件進行加速老化試驗，然后測試光伏器件的I-V曲線，并基于所述I-V曲線獲得輸出功率。此外，對于表I中阻擋層材料為ニ氧化硅摻雜其他氧化物(即氧化鋁，氧化鋁和氧化鋯)的樣品，阻擋層的主要成分為ニ氧化硅，摻雜材料的固含量不超過66%。表I
序號阻擋層材料I RA擋層厚度丨剩舍輸出功率百分比
1無阻擋層04丨,3%
2ニ氣化硅20nm54.1%
3ニ氧化硅50nm43.4%
_4__ニ 氣ィ匕硅__I OOnm__59.1 %_
5ニ氧化硅I50nm55.6%
6ニ 氧化硅250nm56.2%
Iニ氧化砝摻氧化4S 1= 20nin J57.5%
8ニ氧化硅摻氧化銘丨_ 50nm 1_51.3%I
9ニ氧化硅摻氧化鋁IOOnm f62.9%
10ニ氧化硅摻氧化鋁150nm f 63.7%
IIニ氧化桂摻氧化鋁250nm I= 63.8%
12ニ氧化桂摻氣化鋁和氧化鋯 20nm I:56.1%
13ニ氧化硅摻氣化鋁和氧化鎮(zhèn) 50nm f47.8%
14ニ氣化硅摻氧化鋁和氧化鋯丨OOnm I=60.2%
15ニ氧化硅摻氣化鋁和氧化鋯 ISOnm I:58.9%
16J ニ氣化硅摻I化4S和氧化鋯t 250ran I: 61.9%對于序號I的樣品來說，光伏器件內(nèi)未設(shè)置阻擋層，剰余輸出功率百分比僅為
41.3%，對于設(shè)置有阻擋層的光伏器件樣品(序號2 16)來說，剰余輸出功率均大于41. 3%。尤其對于阻擋層阻擋效果好的樣品而言，剩余輸出功率百分比可以比未設(shè)置阻擋層時高出20個百分比。如表I所示，不同材料阻擋層使光伏器件具有不同的性能。具體地說，在阻擋層厚度均為20nm的條件下，7號樣品采用ニ氧化硅摻氧化鋁、12號樣品采用ニ氧化硅摻氧化鋁和氧化鋯作為阻擋層的剩余輸出功率百分比(分別為57. 5%,56. 1%)均大于2號樣品ニ氧化硅材料阻擋層的剩余功率百分比(54. 1%)。由此可見，ニ氧化硅與其他氧化物摻雜所形成的阻擋層比僅采用ニ氧化硅作為阻擋層的阻擋效果好。此外，對于同樣材料的樣品而言，不同厚度的阻擋層效果也不盡相同。對于ニ氧化娃材料的樣品而言(序號2 6),對應(yīng)于不同的阻擋層厚度20nm、50nm、lOOnm、150nm、250nm，光伏器件剩余輸出功率百分比分別為54. 1%、43. 4%, 59. 1%、55. 6%、56. 2%。由此可見，對于ニ氧化硅材料的阻擋層而言，阻擋效果并非隨著阻擋層厚度的増加而增強。具體地，隨著阻擋層厚度從20nm開始增加剩余輸出功率百分比會先有所下降，之后會隨著厚度的進ー步増加剩余輸出功率百分比有所上升，直至阻擋層厚度為IOOnm時達到峰值，之后會隨著厚度的増加剩余輸出功率百分比有所下降。由此可見，對于ニ氧化硅材料的阻擋層，IOOnm厚度具有最好的阻擋效果。對于ニ氧化硅摻雜氧化鋁材料的阻擋層(序號7 11)，隨著阻擋層厚度從20nm開始增加至250nm，剩余輸出功率百分比逐漸增加，相應(yīng)地，光伏器件的性能也越來越優(yōu)良。然而，150nm、250nm厚度的阻擋層比IOOnm厚度阻擋層所對應(yīng)的剩余輸出功率百分比的增加量小于I個百分點，也就是說，當阻擋層厚度達到IOOnm之后，隨著阻擋層厚度的増加阻擋 層阻擋效果的改善不夠明顯。而阻擋層厚度増加會造成成本的増加，因此結(jié)合阻擋效果和成本的因素，阻擋層的厚度為IOOnm時性價比最高。對于ニ氧化硅摻雜氧化鋁和氧化鋯材料的阻擋層(序號12 16)，隨著阻擋層厚度從20nm開始增加剩余輸出功率百分比會先有所下降，之后會隨著厚度的進ー步增加剩余輸出功率百分比有所上升，阻擋層厚度為IOOnm時剩余輸出功率百分比達到60. 2%，之后隨著厚度的増加剩余輸出功率百分比先有所下降，之后又開始上升。具體地，250nm厚度的阻擋層所對應(yīng)的剩余輸出功率百分比為61. 9%，與IOOnm厚度的阻擋層相比，250nm的厚度增加了 I. 5倍，但是剩余輸出功率百分比的増加量小于2個百分點。因此結(jié)合阻擋效果和成本的因素，阻擋層的厚度為IOOnm時性價比最高。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種蓋板的制造方法，參考圖6，示出了本發(fā)明蓋板制造方法ー實施方式的流程示意圖。所述蓋板的制造方法大致包括以下步驟步驟SI，提供透光基體，所述透光基體具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面用于鄰接工作器件；步驟S2，在透光基體的第一表面形成用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因工作器件所產(chǎn)生電場而逸出、以抑制所述工作器件的性能退化的阻擋層。下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明蓋板制造方法的技術(shù)方案做進ー步說明。參考圖7，示出了本發(fā)明蓋板制造方法第一實施例的示意圖。執(zhí)行步驟SI，提供透光基體500，本實施例中，所述透光基體500為玻璃，所述玻璃內(nèi)包括堿金屬離子、堿土金屬離子以及其他金屬陽離子。所述玻璃具有相対的上表面和下表面。本實施例中，所述下表面用于鄰接諸如太陽能電池、液晶顯示模組等的工作器件。執(zhí)行步驟S2，在玻璃的下表面形成用于阻擋堿金屬離子、堿土金屬離子以及其他金屬陽離子的阻擋層501，所述阻擋層501可以防止堿金屬離子、堿土金屬離子以及其他金屬陽離子受電場影響而逸出玻璃下表面，進而抑制所述工作器件的性能退化。具體地，所述阻擋層501的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層501的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合?？梢酝ㄟ^物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)、磁控灘射(magnetron sputtering)、化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)、溶膠凝膠(sol gel)、卷對卷(roll toroll)、旋涂(spin coating)、噴涂(spray coating)、狹縫涂布(slit coating)或浸涂(dipcoating)的方法形成所述阻擋層501。本實施例中，所述蓋板的制造方法還可以包括在透光基體500的第二表面(上表面)形成減少入射光反射的抗反射層502。這樣形成的蓋板，在抑制金屬陽離子對工作器件性能退化的同時，還可以增加光透過率。參考圖8，示出了本發(fā)明蓋板制造方法第二實施例的示意圖。本實施例中，所述 抗反射層為單層結(jié)構(gòu)，并且抗反射層的材料與阻擋層的材料相同，所述蓋板制造方法在提供透光基體500之后，同時在透光基體500的兩個表面上分別形成阻擋層501和抗反射層502。例如，所述阻擋層501和抗反射層502均為ニ氧化硅，可以通過浸涂(dipcoating)的方法同時在透光基體500的兩個表面分別形成阻擋層501和抗反射層502。參考圖9，示出了本發(fā)明蓋板制造方法第三實施例的示意圖。本實施例以形成多層結(jié)構(gòu)抗反射層為例。為了形成多層結(jié)構(gòu)的抗反射層，在透光基體500的第二表面形成抗反射層的步驟包括依次在所述透光基體500的第二表面形成多層抗反射薄膜LI、L2、L3……Ln，所述多層抗反射薄膜L1、L2、L3......Ln構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的抗反射層。需要說明的是，在上述蓋板的制造方法的實施例中，在形成阻擋層501的步驟之后，還包括對所述阻擋層501進行烘干處理。具體地，對所述阻擋層501進行烘干處理的步驟包括以10(T30(TC的溫度進行烘干。在透光基體500為玻璃的實施例中，所述蓋板的制造方法，在形成阻擋層501的步驟之后(或形成阻擋層和抗反射層的步驟之后)，還包括對所述玻璃進行加熱處理，以使所述玻璃轉(zhuǎn)化為鋼化玻璃。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述掲示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.ー種蓋板，適于覆蓋工作器件，所述工作器件在蓋板形成有電場，其特征在干，所述蓋板包括 透光基體，所述透光基體具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述工作器件； 阻擋層，位于所述透光基體的第一表面，用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而逸出，以抑制所述工作器件的性能退化； 抗反射層，位于所述透光基體的第二表面，用于減少透光基體第二表面上入射光的反射。
2.如權(quán)利要求I所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層為透光絕緣材料。
3.如權(quán)利要求2所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的光透過率大于或等于90%。
4.如權(quán)利要求I所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合。
5.如權(quán)利要求4所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的厚度在2(T250nm的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的厚度在2(T50nm的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述蓋板,其特征在于,所述阻擋層的厚度為20nm、30nm或40nm。
8.如權(quán)利要求5所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的厚度在5(Tl50nm的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的厚度為80nm、100nm、120nm或.150nmo
10.如權(quán)利要求I所述蓋板，其特征在于，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅摻雜氧化鋁，所述阻擋層的厚度為lOOnm。
11.如權(quán)利要求I至10中任ー權(quán)利要求所述蓋板，其特征在于，所述抗反射層為單層結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述蓋板，其特征在于，所述抗反射層的材料與所述阻擋層的材料相同。
13.如權(quán)利要求I至10中任ー權(quán)利要求所述蓋板，其特征在于，所述抗反射層為多層結(jié)構(gòu)，包括依次位于透光基體第二表面的多層抗反射薄膜。
14.如權(quán)利要求13所述蓋板，其特征在于，所述抗反射層的材料與所述阻擋層的材料相同。
15.如權(quán)利要求I所述蓋板，其特征在于，所述抗反射層的材料為ニ氧化硅，或者，所述抗反射層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的ー種或多種的組合。
16.如權(quán)利要求I所述蓋板，其特征在于，所述透光基體為玻璃。
17.如權(quán)利要求16所述蓋板，其特征在于，所述透光基體內(nèi)物質(zhì)為金屬陽離子。
18.—種太陽能玻璃，裝配于太陽能電池，所述太陽能電池在所述太陽能玻璃位置處形成電場，其特征在于，所述太陽能玻璃包括 玻璃，所述玻璃具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述太陽能電池； 透光絕緣層，位于所述玻璃的第一表面，所述透光絕緣層的材料為ニ氧化硅，或者，所述透光絕緣層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的一種或多種的組合； 抗反射層，位于所述玻璃的第二表面，用于減少玻璃第二表面上入射光的反射。
19.如權(quán)利要求18所述的太陽能玻璃，其特征在于，所述玻璃為鈉鈣玻璃。
20.一種光伏器件，其特征在于，包括 基底，所述基底內(nèi)設(shè)置有太陽能電池； 位于基底上的透光基體； 位于透光基體上的抗反射層，用于減少光的反射； 位于透光基體和太陽能電池之間的阻擋層，用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)進入至太陽能電池，以抑制所述太陽能電池的性能退化。
21.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層為透光絕緣材料。
22.如權(quán)利要求21所述光伏器件，其特征在干，所述阻擋層的光透過率大于或等于90%。
23.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在干，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的ー種或多種的組合。
24.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的厚度在2(T250nm的范圍內(nèi)。
25.如權(quán)利要求24所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的厚度在2(T50nm的范圍內(nèi)。
26.如權(quán)利要求25所述光伏器件，其特征在干，所述阻擋層的厚度為20nm、30nm或40nmo
27.如權(quán)利要求24所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的厚度在5(Tl50nm的范圍內(nèi)。
28.如權(quán)利要求27所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的厚度為80nm、100nm、120nm 或 150nmo
29.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅摻雜氧化鋁，所述阻擋層的厚度為lOOnm。
30.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述透光基體為玻璃。
31.如權(quán)利要求30所述光伏器件，其特征在于，所述透光基體內(nèi)物質(zhì)為金屬陽離子。
32.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在干，所述基底包括襯底層和位于襯底層上的粘合層，所述太陽能電池設(shè)置在所述粘合層內(nèi)。
33.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層與所述基底相接觸。
34.如權(quán)利要求20或33所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層與所述透光基體相接觸。
35.如權(quán)利要求32所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層與所述粘合層、透光基體相接觸；所述阻擋層的折射率與粘合層的折射率相等，或者，所述阻擋層的折射率與所述透光基體的折射率相等，或者所述阻擋層的折射率位于粘合層的折射率和透光基體的折射率之間。
36.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的折射率在I.2 2. 2的范圍內(nèi)。
37.如權(quán)利要求36所述光伏器件，其特征在于，所述阻擋層的折射率在I.3^1. 8的范圍內(nèi)。
38.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述粘合層的材料為こ烯-醋酸こ烯共聚物或聚こ烯醇縮丁醛的ー種或多種。
39.如權(quán)利要求20所述光伏器件，其特征在于，所述太陽能電池為晶硅電池。
40.一種蓋板的制造方法，所述蓋板用于覆蓋工作器件，所述工作器件在蓋板位置處形成有電場，其特征在于，該方法包括 提供透光基體，所述透光基體具有相対的第一表面和第二表面，所述第一表面相對于第二表面更接近所述工作器件； 在透光基體的第一表面形成用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而逸出、以抑制所述工作器件的性能退化的阻擋層。
41.如權(quán)利要求40所述蓋板的制造方法，其特征在于，還包括 在所述透光基體的第二表面形成用于減少入射光反射的抗反射層，該抗反射層與所述阻擋層的厚度相同且同步形成。
42.如權(quán)利要求40所述蓋板的制造方法，其特征在于，所述透光基體是玻璃，所述透光基體內(nèi)物質(zhì)是金屬陽離子。
43.如權(quán)利要求42所述蓋板的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅，或者，所述阻擋層的材料為ニ氧化硅與氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭或氧化鈦中的ー種或多種的組合；在透光基體的第一表面形成阻擋層的步驟包括通過物理氣相沉積、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、溶膠凝膠、卷對卷、旋涂、噴涂、狹縫涂布或浸涂的方法形成阻擋層。
44.如權(quán)利要求41所述蓋板的制造方法，其特征在于，所述抗反射層為單層結(jié)構(gòu)，在形成阻擋層的同時形成抗反射層。
45.如權(quán)利要求44所述蓋板的制造方法，其特征在于，通過浸涂的方法同時在透光基體的兩個表面分別形成阻擋層和抗反射層。
46.如權(quán)利要求41所述蓋板的制造方法，其特征在于，所述抗反射層為包括多層抗反射薄膜的多層結(jié)構(gòu)；在透光基體的第二表面形成抗反射層的步驟包括依次在所述透光基體的第二表面形成多層抗反射薄膜。
47.如權(quán)利要求40所述蓋板的制造方法，其特征在于，在形成阻擋層的步驟之后，還包括對所述阻擋層進行烘干處理。
48.如權(quán)利要求47所述蓋板的制造方法，其特征在干，對所述阻擋層進行烘干處理的步驟包括以10(T30(TC的溫度進行烘干。
49.如權(quán)利要求42所述蓋板的制造方法，其特征在于，在形成阻擋層的步驟之后，還包括對所述玻璃進行加熱處理，以使所述玻璃轉(zhuǎn)化為鋼化玻璃。
全文摘要
一種蓋板及其制造方法、太陽能玻璃、光伏器件。所述蓋板，適于覆蓋工作器件，所述工作器件在蓋板形成有電場，所述蓋板包括透光基體，所述透光基體具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面鄰接于所述工作器件；阻擋層，位于所述透光基體的第一表面，用于阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因所述電場作用而逸出，以抑制所述工作器件的性能退化；抗反射層，位于所述透光基體的第二表面，用于減少透光基體第二表面上入射光的反射。所述阻擋層位于與工作器件相鄰的第一表面，能起到阻擋所述透光基體內(nèi)物質(zhì)因受電場作用而從所述第一表面逸出的作用，從而可以防止透光基體內(nèi)物質(zhì)進入至工作器件中，可以抑制由所述透光基體內(nèi)物質(zhì)所造成的工作器件性能的退化。
文檔編號H01L31/18GK102655178SQ20121013518
公開日2012年9月5日 申請日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者丁君, 史偉杰, 樸昇煥, 羅愛云 申請人:法國圣戈班玻璃公司