本發(fā)明涉及到一種溝槽終端結構肖特基器件，本發(fā)明還涉及一種溝槽終端結構肖特基器件的制備方法。

背景技術：
功率半導體器件被大量使用在電源管理和電源應用上，特別涉及到肖特基結的半導體器件已成為器件發(fā)展的重要趨勢，肖特基器件具有正向開啟電壓低開啟關斷速度快等優(yōu)點。肖特基二極管可以通過多種不同的布局技術制造，最常用的為平面布局，傳統(tǒng)的平面肖特基二極管具有較為復雜的制造工藝，需要三次光刻腐蝕工藝完成器件的生產(chǎn)制造。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對上述問題提出，提供一種溝槽終端結構肖特基器件及其制備方法。一種溝槽終端結構肖特基器件，其特征在于：包括：襯底層，為半導體材料；漂移層，為第一傳導類型的半導體材料，位于襯底層之上；溝槽，位于器件邊緣漂移層中，溝槽內壁表面有絕緣材料，臨靠溝槽內壁區(qū)域設置有第二傳導類型半導體材料；導電層，為金屬或多晶半導體材料，位于器件的邊緣，覆蓋于器件邊緣的第二傳導類型半導體材料表面和臨靠器件邊緣的溝槽側壁，并且此導電層不與器件上表面的電極金屬相連；肖特基勢壘結，位于漂移層表面。一種溝槽終端結構肖特基器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：在襯底層上通過外延生產(chǎn)形成第一傳導類型的半導體材料層；在表面形成第一鈍化層，在待形成溝槽區(qū)域表面去除第一鈍化層；進行刻蝕半導體材料，形成溝槽；進行雜質摻雜；在溝槽內壁形成第二鈍化層，腐蝕去除器件表面第一鈍化層；在器件表面淀積金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結；上表面淀積導電層，進行光刻腐蝕去除部分導電層。本發(fā)明的半導體器件具有溝槽結構的終端，將浮空導電層加入到器件的溝槽終端結構中，從而改變器件的邊緣電勢分布，同時簡化了器件的制造流程，使用兩次光刻工藝，可以實現(xiàn)器件的生產(chǎn)制造。附圖說明圖1為本發(fā)明的一種溝槽終端結構肖特基器件剖面示意圖；圖2為本發(fā)明的第二種溝槽終端結構肖特基器件剖面示意圖。其中，1、襯底層；2、二氧化硅；3、第一導電半導體材料；4、第二導電半導體材料；5、肖特基勢壘結；6、導電層；10、上表面金屬層；11、下表面金屬層。具體實施方式實施例1圖1為本發(fā)明的一種溝槽終端結構肖特基器件剖面圖，下面結合圖1詳細說明本發(fā)明的半導體裝置。一種溝槽終端結構肖特基器件，包括：襯底層1，為N導電類型半導體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過下表面金屬層11引出電極；第一導電半導體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導類型的半導體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導電半導體材料4，位于溝槽側壁和底部，為P傳導類型的半導體硅材料；肖特基勢壘結5，位于第一導電半導體材料3的表面，為半導體硅材料與勢壘金屬形成的硅化物；二氧化硅2，位于溝槽內壁；器件邊緣的溝槽寬度為12um，溝槽深度為3um；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極；導電層6，為金屬材料，與上表面金屬層10材料相同，位于器件邊緣。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導電半導體材料層3；第二步，表面淀積氮化硅，進行光刻腐蝕工藝，半導體材料表面去除部分氮化硅；第三步，干法刻蝕，去除部分裸露半導體硅材料形成溝槽；第四步，進行硼擴散，形成第二導電半導體材料4，同時在溝槽內壁形成二氧化硅2；第五步，腐蝕去除氮化硅；第六步，在半導體材料表面淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結5；第七步，在表面淀積金屬形成上表面金屬層，進行光刻腐蝕工藝腐蝕去除表面部分金屬，形成導電層6和上表面金屬層10，進行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，器件結構如圖1所示。實施例2圖2為本發(fā)明的一種溝槽終端結構肖特基器件剖面圖，下面結合圖2詳細說明本發(fā)明的半導體裝置。一種溝槽終端結構肖特基器件，包括：襯底層1，為N導電類型半導體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過下表面金屬層11引出電極；第一導電半導體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導類型的半導體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導電半導體材料4，位于溝槽側壁和底部，為P傳導類型的半導體硅材料；肖特基勢壘結5，位于第一導電半導體材料3的表面，為半導體硅材料與勢壘金屬形成的硅化物；二氧化硅2，位于溝槽內壁；器件邊緣的溝槽寬度為12um，溝槽深度為2um；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極；導電層6，為金屬材料，與上表面金屬層10材料相同，位于器件邊緣。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導電半導體材料層3；第二步，表面淀積氮化硅，進行光刻腐蝕工藝，半導體材料表面去除部分氮化硅；第三步，進行硼擴散，形成第二導電半導體材料4；第四步，干法刻蝕，去除部分裸露半導體硅材料形成溝槽；第五步，熱氧化在溝槽內壁形成二氧化硅2，腐蝕去除氮化硅；第六步，在半導體材料表面淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結5；第七步，在表面淀積金屬形成上表面金屬層，進行光刻腐蝕工藝腐蝕去除表面部分金屬，形成導電層6和上表面金屬層10，進行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，器件結構如圖2所示。通過上述實例闡述了本發(fā)明，同時也可以采用其它實例實現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明不局限于上述具體實例，因此本發(fā)明由所附權利要求范圍限定。