本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)，適合用于如具有多條引線(外部端子)且由功率晶體管構(gòu)成的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：
在將半導(dǎo)體器件所具有的多條引線(外部端子)插入在布線基板上形成的多個安裝孔進(jìn)行連接時，必須對引線的形狀進(jìn)行加工，以使安裝孔的節(jié)距和引線的節(jié)距一致。例如，在日本特開昭62-237717號公報(專利文獻(xiàn)1)中，公開了通過根壓臂來壓住引線的根部，并通過頂端壓臂來壓住引線的頂端，接著，在將引線支撐臺往左右壓開的同時使加工臂的頂端下降，并通過加工臂將引線的中間部壓彎的引線的加工方法。壓彎引線的臺具有分別將引線的根部、引線的中間部及引線的頂端進(jìn)行固定的壁。另外，日本特開平8-46106號公報(專利文獻(xiàn)2)中，公開了在外部端子用彎曲加工的裝置中，通過使下端的圓錐部插入可動主體的圓錐孔，并將可動主體壓向左右壓寬，使嚙合材料的嚙合邊緣與半導(dǎo)體元件的外部端子嚙合，且沿著凹部的折曲型部使外部端子塑性變形為曲柄狀的方法。專利文獻(xiàn)1特開昭62-237717號公報專利文獻(xiàn)2特開平8-46106號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
例如，在具有3根引線(外部端子)的半導(dǎo)體器件中，外側(cè)的2根引線具有從將半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝的樹脂封裝體突出的根部、頂端部、以及位于根部和頂端部之間的彎曲部。但是，在將引線的形狀進(jìn)行加工時由于頂端部的變形，導(dǎo)致了引線的形狀不能滿足產(chǎn)品規(guī)格，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成品率降低的問題。本發(fā)明的所述內(nèi)容及所述內(nèi)容以外的目的和新特征在本說明書的描述及附圖說明中寫明。根據(jù)上述一實(shí)施方式，在將變形后的引線的頂端部進(jìn)行對齊時，不僅對于引線的頂端部，對于引線的彎曲部也應(yīng)通過金屬模來進(jìn)行沖壓。根據(jù)上述以實(shí)施方式，即可提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成品率。附圖說明圖1的(A)及(B)分別表示第1實(shí)施方式中3端子的半導(dǎo)體器件的正視圖及背視圖。圖2所示的是第1實(shí)施方式中3端子的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖。圖3所示的是第1實(shí)施方式中3端子的半導(dǎo)體器件的底視圖。圖4所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件的制造方法的工序圖。圖5所示的是第1實(shí)施方式中引線框的外形之一例的主要部分平面圖。圖6的(A)為將第1實(shí)施方式的引線框電鍍工序中的半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行放大的主要部分平面圖(正視圖)，(B)為沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖7的(A)為將第1實(shí)施方式的芯片封裝工序中的半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行放大的主要部分平面圖(正視圖)，(B)為沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖8的(A)為將第1實(shí)施方式的引線焊接工序中的半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行放大的主要部分平面圖(正視圖)，(B)為沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖9的(A)為第1實(shí)施方式的塑封工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(正視圖)，(B)為沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖10所示的是第1實(shí)施方式的拉桿切斷工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(正視圖)。圖11所示的是第1實(shí)施方式的引線切斷工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(正視圖)。圖12所示的是第1實(shí)施方式的引線電鍍工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(正視圖)。圖13所示的是第1實(shí)施方式的打標(biāo)工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(背視圖)。圖14所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(正視圖)。圖15所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序中加工前的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖16所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序中加工前的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖(沿著圖15的B-B線剖開的主要部分剖面圖)。圖17所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序的加工過程中的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖18所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序的加工過程中的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖(沿著圖17的B-B線剖開的主要部分剖面圖)。圖19所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序中加工后的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖20所示的是第1實(shí)施方式的引線彎曲工序中加工后的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖(沿著圖19的B-B線剖開的主要部分剖面圖)。圖21所示的是第1實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖(正視圖)。圖22所示的是第1實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中沖模的下金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖23所示的是第1實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模的上金屬模及半導(dǎo)體器件主要部分平面圖。圖24所示的是第1實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的頂端部的主要部分剖面圖。圖25所示的是第1實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的主要部分剖面圖。圖26所示的是第1實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的其他例的主要部分剖面圖。圖27所示的是第2實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中沖模的下金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖28所示的是第2實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模的上金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖29所示的是第2實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的頂端部的主要部分剖面圖。圖30所示的是第2實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的主要部分剖面圖。圖31所示的是第2實(shí)施方式的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的其他例的主要部分剖面圖。圖32的(A)及(B)分別表示第2實(shí)施方式的變形例中的5端子的半導(dǎo)體器件的正視圖及底視圖。圖33所示的是第2實(shí)施方式中變形例的引線頂端對齊工序中沖模的下金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖34所示的是第2實(shí)施方式的變形例的引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模的上金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖35所示的是第2實(shí)施方式中變形例的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的頂端部的主要部分剖面圖。圖36所示的是第2實(shí)施方式中變形例的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的主要部分剖面圖。圖37所示的是第2實(shí)施方式中變形例的引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的其他例的主要部分剖面圖。圖38的(A)為本發(fā)明者研究的引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，(B)為沿著(A)的C-C線剖開的主要部分剖面圖。符號說明AG電鍍膜B底面(第4面)CO夾頭F正面(第1面)FD1第1壓彎沖模FD2第2壓彎沖模FSD下金屬模固定部(第2固定部)FSU上金屬模固定部(第1固定部)FP1第1彎曲沖頭FP2第2彎曲沖頭GSD下金屬模導(dǎo)引部(第2導(dǎo)引部)GSU上金屬模導(dǎo)引部(第1導(dǎo)引部)L1引線長度L2封裝體長度LE1第1引線LE2第2引線LE3第3引線LE4第4引線LE5第5引線LE1a，LE2a，LE3a，LE4a，LE5a根部(第1部分)LE2b，LE3b，LE4b，LE5b彎曲部(第2部分)LE1c，LE2c，LE3c，LE4c，LE5c頂端部(第3部分)LEW引線寬度LET引線厚度(縱深)LF引線框(配線材料)LFH保持部P1，P2節(jié)距PT0，PT1，PT2半導(dǎo)體器件R背面(第2面)RS樹脂封裝體(封裝體)S側(cè)面(第3面)SC半導(dǎo)體芯片SCB芯片安裝部SD0，SD1，SD2，SD3下金屬模(第2金屬模)SD1a，SD2a，SD3a下金屬模(第2金屬模)SDM0，SDM1，SDM2，SDM3沖模SDM1a，SDM2a，SDM3a沖模SU0，SU1，SU2，SU3上金屬模(第1金屬模)SU1a，SU2a，SU3a上金屬模(第1金屬模)TB拉桿W1突起部的寬度W2槽部的寬度W4，W6突起部上表面的寬度W5，W7槽部底面的寬度WG，WS引線(導(dǎo)電性材料)θ1，θ2，θ3，θ4角度具體實(shí)施方式在以下實(shí)施方式中，為了方便，在必要時將幾個部分或?qū)?shí)施方式分割來說明，除了需要特別說明的以外，這些都不是彼此獨(dú)立且無關(guān)系的，而是與其它一部分或者全部的變形例、詳細(xì)內(nèi)容及補(bǔ)充說明等相互關(guān)聯(lián)的。另外，在以下實(shí)施方式中提及要素數(shù)等(包括個數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)時，除了特別說明及原理上已經(jīng)明確限定了特定的數(shù)量等除外，所述的特定數(shù)并非指固定的數(shù)量，而是可大于等于該特定數(shù)或可小于等于該特定數(shù)。而且，在以下實(shí)施方式中，除了特別說明及原理上已經(jīng)明確了是必要時除外，所述的構(gòu)成要素(包括要素步驟等)也并非是必須的要素。同樣地，在以下實(shí)施方式中提及的構(gòu)成要素等的形狀、位置關(guān)系等時，除了特別說明時及原理上已經(jīng)明確了并非如此時，實(shí)質(zhì)上包括與前述形狀等相近或者類似的。同理，上述的數(shù)值及范圍也是同樣的。以下根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，為了說明實(shí)施方式的所有圖中，原則上對具有同一功能的構(gòu)件采用同一符號，省略掉重復(fù)的說明。另外，在除了需要特別說明的以外，對具有同一或同樣的部分原則上不進(jìn)行重復(fù)說明如圖38所示，3端子的半導(dǎo)體器件PT0的結(jié)構(gòu)如下：即，在將半導(dǎo)體芯片(圖中未示出)進(jìn)行封裝的樹脂封裝體(封裝體)RS的下表面(底面、下端)有3根引線(外部端子)即第1引線LE1、第2引線LE2以及第3引線LE3突出的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片安裝在與第1引線LE1連結(jié)的芯片安裝部上，半導(dǎo)體芯片上如形成有功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管)。第1引線LE1與功率MOSFET的漏極電連接，第2引線LE2與功率MOSFET的柵極電連接，第3引線LE3與功率MOSFET的源極電連接。第2引線LE2和第3引線LE3彼此相互隔開而從樹脂封裝體RS的下表面突出。另外，在第2引線LE2和第3引線LE3之間的分別與第2引線LE2及第3引線LE3隔開的位置上，第1引線LE1從樹脂封裝體RS的下表面突出。因此，第2引線LE2及第3引線LE3分別與第1引線LE1隔開而位于第1引線LE1的外側(cè)。第1引線LE1由以下部分構(gòu)成：與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE1a、以及與根部LE1a連結(jié)的直線形狀的頂端部(第3部分)LE1c構(gòu)成。另一方面，第2引線LE2由以下部分構(gòu)成：與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE2a、直線形狀的頂端部(第3部分)LE2c、以及一端與根部LE2a連結(jié)且另一端與頂端部LE2c連結(jié)的彎曲部(第2部分)LE2b。其中，第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距(間隔)比第1引線LE1的根部LE1a和第2引線LE2的根部LE2a之間的節(jié)距大。同樣地，第3引線LE3由以下部分構(gòu)成：與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE3a、直線形狀的頂端部(第3部分)LE3c、以及一端與根部LE3a連結(jié)且另一端與頂端部LE3c連結(jié)的彎曲部(第2部分)LE3b。其中，第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距比第1引線LE1的根部LE1a和第3引線LE3的根部LE3a之間的節(jié)距大。如上所述，在第2引線LE2及第3引線LE3上形成彎曲部的原因是，由于在安裝有3端子的半導(dǎo)體器件PT0的布線基板上形成的安裝孔的節(jié)距與3端子的半導(dǎo)體器件PT0所具有的第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距相同。但是，在制造上述3端子的半導(dǎo)體器件PT0時，還存在如下問題：(1)在第2引線LE2及第3引線LE3上分別形成彎曲部LE2b、LE3b時，由于所述彎曲部LE2b、LE3b上殘留的加工應(yīng)力，導(dǎo)致第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE2c、LE3c也發(fā)生變形。因此，在之后的工序中，必須使發(fā)生變形的頂端部LE2c、LE3c對齊成為直線狀。因此，如圖38所示，使用具有下金屬模SD0及上金屬模SU0的沖模SDM0，通過下金屬模SD0的平坦的上表面和上金屬模SU0平坦的下表面對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c進(jìn)行沖壓。由此，便可使第1引線LE1、第2引線LE2以及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c對齊。但是，如果第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的長度過長，將難于保證第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距與在安裝有半導(dǎo)體器件PT0的布線基板上形成的安裝孔的節(jié)距為相同距離。這是由于以下原因造成的：即，第1引線LE1、第2引線LE2以及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c沒對齊的原因是由于是由殘留于第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b上的加工應(yīng)力引起的。即使將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的長度拉長后，殘留于第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b的加工應(yīng)力的量并沒有顯著增加，而是幾乎保持不變。但是，將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的長度拉長的部分，將使第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c彼此之間將越離越遠(yuǎn)(更難于使其對齊)。(2)另外，第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的剖面形狀為四邊形。因此，在第2引線LE2及第3引線LE3上形成彎曲部LE2b、LE3b時，由于加工應(yīng)力容易集中在第2引線LE2及第3引線LE3的彎曲部LE2b、LE3b的角部，所以與剖面形狀為圓形的引線(請參照專利文獻(xiàn)1)時相比，第2引線LE2及第3引線LE3的頂端部LE2c、LE3c的變形量將變大。(3)而且，近年來，為了確保半導(dǎo)體器件PT0的安裝成功率，出現(xiàn)了逐漸將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c的偏差管理值(規(guī)格)縮小的傾向，而上述的沖模SDM0無法滿足所要求的管理值，因此，造成了半導(dǎo)體器件PT0本身的生產(chǎn)成品率顯著降低的現(xiàn)象。本實(shí)施方式中，公開了在具有多條引線的半導(dǎo)體器件中，特別是3端子的功率晶體管及5端子的功率晶體管中，通過將多條引線的頂端部彼此間的節(jié)距限定在規(guī)定值內(nèi)(減少引線頂端部沒對齊的現(xiàn)象)便可提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成品率的技術(shù)。(第1實(shí)施方式)《半導(dǎo)體器件》下面用圖1～圖3來說明第1實(shí)施方式中具有多條引線的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式中，以3端子的半導(dǎo)體器件作為具有多條引線的半導(dǎo)體器件的一例進(jìn)行說明。圖1的(A)及(B)分別為3端子的半導(dǎo)體器件的正視圖和背視圖，圖2所示的是3端子的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖，圖3所示的是3端子的半導(dǎo)體器件的底視圖。如圖1～圖3所示，3端子的半導(dǎo)體器件PT1的結(jié)構(gòu)如下：即，在將半導(dǎo)體芯片(圖中未示出)進(jìn)行封裝的樹脂封裝體(封裝體)RS的下表面(底面、下端)有3根引線(外部端子)即第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3突出的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片安裝在與第1引線LE1連結(jié)的芯片安裝部上，且半導(dǎo)體芯片上形成有功率晶體管。本實(shí)施方式中，功率晶體管以功率MOSFET為例。因此，第1引線LE1與功率MOSFET的漏極電連接、第2引線LE2與功率MOSFET的柵極電連接、第3引線LE3與功率MOSFET的源極電連接。換言之即是，也可將第1引線LE1稱為漏極引線、將第2引線LE2稱為柵極引線、以及將第3引線LE3稱為源極引線。第2引線LE2及第3引線LE3相互隔開并從樹脂封裝體RS的下表面突出。另外，在第2引線LE2和第3引線LE3之間，第1引線LE1分別與第2引線LE2及第3引線LE3隔開而從樹脂封裝體RS的下表面突出。因此，第2引線LE2及第3引線LE3分別與第1引線LE1隔開而位于第1引線LE1的外側(cè)。本實(shí)施方式中，以第1引線LE1配置在第2引線LE2和第3引線LE3之間的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了說明，但是第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的配置方式并不僅限于此。第1引線LE1由以下部分構(gòu)成：與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE1a、以及與根部LE1a連結(jié)的直線形狀的頂端部(第3部分)LE1c。另外，頂端部LE1c插入形成于布線基板上的安裝孔內(nèi)，且經(jīng)由焊錫等與布線基板電連接。另一方面，第2引線LE2由以下部分構(gòu)成：與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE2a、直線形狀的頂端部(第3部分)LE2c、以及一端與根部LE2a連結(jié)且另一端與頂端部LE2c連結(jié)的彎曲部(第2部分)LE2b。其中，第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距比第1引線LE1的根部LE1a和第2引線LE2的根部LE2a之間的節(jié)距大。另外，頂端部LE2c插入形成于布線基板上的安裝孔內(nèi)，且經(jīng)由焊錫等與布線基板電連接。同樣地，第3引線LE3由以下部分構(gòu)成：與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE3a、直線形狀的頂端部(第3部分)LE3c、以及一端與根部LE3a連結(jié)且另一端與頂端部LE3c連結(jié)的彎曲部(第2部分)LE3b。其中，第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距比第1引線LE1的根部LE1a和第3引線LE3的根部LE3a之間的節(jié)距大。另外，頂端部LE3c插入形成于布線基板上的安裝孔內(nèi)，且經(jīng)由焊錫等與布線基板電連接。另外，3端子的半導(dǎo)體器件PT1所具有的第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距相同。如上所述，在第2引線LE2及第3引線LE3上分別形成彎曲部LE2b、LE3b的原因如下：由于在安裝有3端子的半導(dǎo)體器件PT1的布線基板等上形成的安裝孔的節(jié)距與3端子的半導(dǎo)體器件PT1所具有的第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距相同。第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的剖面形狀為四邊形。在以下的說明中，將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的各個面稱為正面(第1面)、背面(第2面)、側(cè)面(第3面)及底面(第4面)。正面為圖2及圖3中的符號F所示的面。背面為圖2及圖3中的符號R所示的面，即為正面的相反側(cè)的面。側(cè)面為圖1(B)及圖3中的符號S所示的面，底面為圖1(B)及圖3中的符號B所示的面。從剖面上看時，第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊囊贿叺拈L度(圖1(A)及圖3中的符號LEW所示的引線寬度)比從剖面上看時第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的側(cè)面?zhèn)鹊囊贿叺拈L度(圖2及圖3中的符號LET所示的引線厚度(縱深))長。例如，從剖面上看時，第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊囊贿叺拈L度(引線寬度LEW)為0.5mm。另外，例如，從剖面上看時，第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的側(cè)面?zhèn)鹊囊贿叺拈L度(引線厚度LET)為0.4mm。如圖1(A)所示，從樹脂封裝體RS的下表面突出的第1引線LE1的引線長度L1為第1引線LE1的延伸方向上的樹脂封裝體RS的封裝體長度L2的至少2倍。例如，從樹脂封裝體RS的下表面突出的第1引線LE1的引線長度L1為12.5mm，樹脂封裝體RS的封裝體長度L2為5.0mm。另外，如圖1(A)所示，從第1引線LE1的剖面的中心到第2引線LE2的頂端部LE2c的剖面的中心的節(jié)距P1例如為(2.5+0.4)mm至(2.5-0.1)mm的范圍內(nèi)的值。同樣地，從第1引線LE1的剖面的中心到第3引線LE3的頂端部LE3c的剖面的中心的節(jié)距P2例如為(2.5+0.4)mm至(2.5-0.1)mm的范圍內(nèi)的值?！栋雽?dǎo)體器件的制造方法》接下來通過圖4～圖26按工序順序?qū)Φ?實(shí)施方式中的3端子的半導(dǎo)體器件PT1的制造方法進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，以形成有功率晶體管的半導(dǎo)體芯片作為構(gòu)成3端子的半導(dǎo)體器件PT1的半導(dǎo)體芯片的一例進(jìn)行說明。而且，以功率MOSFET作為所述功率晶體管的一例進(jìn)行說明。圖4所示的是半導(dǎo)體器件的制造方法的工序圖。圖5所示的是引線框的外形之一例的主要部分平面圖。圖6的(A)及(B)分別為將引線框電鍍工序中的半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行放大后的主要部分平面圖及沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖7的(A)及(B)分別為將芯片封裝工序中的半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行放大后的主要部分平面圖及沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖8的(A)及(B)分別為將引線焊接工序中的半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行放大的主要部分平面圖及沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。而且，圖6(A)、圖7(A)及圖8(A)中，僅示出了相當(dāng)于1個單位幀的樹脂封裝部分的區(qū)域。圖9的(A)及(B)分別為塑封工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖及沿著(A)的A-A線剖開的主要部分剖面圖。圖10所示的是拉桿切斷工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖11所示的是引線切斷工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖12所示的是引線電鍍工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖13所示的是打標(biāo)工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖14所示的是引線彎曲工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖15所示的是引線彎曲工序中加工前的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖16所示的是引線彎曲工序中加工前的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖(沿著圖15的B-B線剖開的主要部分剖面圖)。圖17所示的是引線彎曲工序的加工過程中的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖18所示的是引線彎曲工序的加工過程中的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖(沿著圖17的B-B線剖開的主要部分剖面圖)。圖19所示的是引線彎曲工序中加工后的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖20所示的是引線彎曲工序中加工后的成形金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖(沿著圖19的B-B線剖開的主要部分剖面圖)。圖21所示的是引線頂端對齊工序中半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖。圖22所示的是引線頂端對齊工序中沖模的下金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖23所示的是引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模的上金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖24所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的頂端部的主要部分剖面圖，圖25所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的主要部分剖面圖。圖26所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的其他例的主要部分剖面圖。<半導(dǎo)體芯片準(zhǔn)備工序>在半導(dǎo)體晶片的電路形成面(表面)上形成多個功率MOSFET。多個功率MOSFET在被稱為前端處理或擴(kuò)散過程的制造工序中，按照規(guī)定的制造工藝在半導(dǎo)體晶片上以芯片單位形成。接著，在判斷半導(dǎo)體晶片上形成的各半導(dǎo)體芯片的良品或不良品后，將半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，以將各個半導(dǎo)體芯片進(jìn)行劃片。半導(dǎo)體芯片具有表面以及位于所述表面相反側(cè)的背面。在半導(dǎo)體芯片的表面上形成有與功率MOSFET的柵極電連接的焊盤(電極片、表面電極)、以及與功率MOSFET的源極電連接的焊盤(電極片、表面電極)。形成于半導(dǎo)體芯片表面上的焊盤由金屬膜(如鋁(A1)膜)構(gòu)成，且從表面保護(hù)膜上形成的開口部露出。另外，半導(dǎo)體芯片的背面上形成有與功率MOSFET的漏極電連接的背面電極。<引線框準(zhǔn)備工序>如圖5所示，準(zhǔn)備具有第1面、與所述第1面為相反側(cè)的第2面、以及由金屬框架構(gòu)成的引線框(配線材料)LF。引線框LF如由銅(Cu)合金等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。在圖5所示的第2方向上，引線框LF為配置有多個單位幀(每一個幀相當(dāng)于1個半導(dǎo)體產(chǎn)品的量)的結(jié)構(gòu)。各單位幀具有芯片安裝部SCB、以及沿著與第2方向正交的第1方向延伸且相互間隔開配置的第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3。第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的剖面形狀為四邊形，例如，剖面中的正面(第1面)側(cè)及背面(第2面)側(cè)的一邊的長度(上述的引線寬度LEW)為0.5mm，而與此邊正交的側(cè)面?zhèn)鹊钠渌叺拈L度(上述的引線厚度LET)為0.4mm。多個單位幀的第1方向上的一個端部都通過保持部LFH連結(jié)保持。因此，第1引線LE1的一端、第2引線LE2的一端以及第3引線LE3的一端通過保持部LFH連結(jié)保持。另外，在多個單位幀的第1方向上的一端和另一端之間形成有拉桿TB，所述拉桿TB對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行連結(jié)保持。多個單位幀的第1方向上的其他端部在之后的工序中成為安裝半導(dǎo)體芯片且形成樹脂封裝體的本體部的部分。多個單位幀的第1方向上的其他端部的每一個被彼此隔開，第1引線LE1的另一端在之后的工序中與安裝有半導(dǎo)體芯片的芯片安裝部SCB連結(jié)。成為各單位幀的本體部的部分中，第2引線LE2及第3引線LE3彼此隔開配置，另外，在第2引線LE2和第3引線LE3之間，第2引線LE2及第3引線LE3分別彼此隔開且配置有芯片安裝部SCB以及與芯片安裝部SCB連結(jié)的第1引線LE1。<引線框電鍍工序>如圖6的(A)及(B)所示，對引線框LF進(jìn)行電鍍處理。由此，便可在引線框LF的第1面上形成如由銀(Ag)構(gòu)成的電鍍膜AG。<芯片封裝工序>如圖7的(A)及(B)所示，由夾頭CO來運(yùn)送半導(dǎo)體芯片SC，使第1引線LE1的第1面面向半導(dǎo)體芯片SC的背面，并在各單位幀的芯片安裝部SCB的第1面上安裝半導(dǎo)體芯片SC。例如，可用金-錫(Au-Sn)共晶接合等將芯片安裝部SCB的第1面和半導(dǎo)體芯片SC的背面進(jìn)行貼合。由此，形成在半導(dǎo)體芯片SC上的功率MOSFET的漏極和第1引線LE1可經(jīng)由背面電極而被電連接。另外，本實(shí)施方式中，已對通過金-錫(Au-Sn)共晶接合等將芯片安裝部SCB的第1面和半導(dǎo)體芯片SC的背面進(jìn)行連接的方法進(jìn)行了說明，但是連接方法并不僅限于此。也可通過其他的導(dǎo)電性粘結(jié)材料(焊錫或銀(Ag)焊劑)將芯片安裝部SCB的第1面和半導(dǎo)體芯片SC的背面進(jìn)行連接。<引線焊接工序>如圖8的(A)及(B)所示，例如進(jìn)行鍵合時可通過兼用了超音波振動的釘頭式鍵合(球焊)法將形成于半導(dǎo)體芯片SC表面且與功率MOSFET的柵極電連接的焊盤(圖中未示出)和成為本體部的部分的第2引線LE2的第1面經(jīng)由導(dǎo)電性材料(例如引線WG)進(jìn)行電連接。由此，功率MOSFET的柵極和第2引線LE2間可經(jīng)由焊盤及引線WG進(jìn)行電連接。同樣地，可通過導(dǎo)電性材料(例如引線WS)將形成于半導(dǎo)體芯片SC表面且與功率MOSFET的源極電連接的焊盤(圖中未示出)和成為本體部的部分的第3引線LE3的第1面進(jìn)行電連接。由此，功率MOSFET的源極和第3引線LE3經(jīng)由焊盤及引線WS被電連接。引線WG、WS可使用金(Au)、銅(Cu)及鋁(Al)等金屬材料。<塑封工序>如圖9的(A)及(B)所示，將配置有半導(dǎo)體芯片SC的引線框LF安裝到金屬模成型機(jī)上，提高溫度后將液化的封裝樹脂壓鑄入金屬模成型機(jī)，并用封裝樹脂將成為本體部的部分進(jìn)行封裝，即可形成1個樹脂封裝體RS。接著，例如通過175℃的溫度進(jìn)行5小時的熱處理(后固化烘烤)。由此，便可通過樹脂封裝體RS將半導(dǎo)體芯片SC的一部分(上表面及側(cè)面)、引線WG、WS、芯片安裝部SCB、以及成為本體部的部分的第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3等進(jìn)行封裝。為了實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力，樹脂封裝體RS可由如添加了酚醛類硬化劑、硅膠、以及多種填充物(如二氧化硅)等的環(huán)氧樹脂類的熱硬化性絕緣樹脂構(gòu)成。<拉桿切斷工序>如圖10所示，使用切斷裝置將拉桿TB進(jìn)行切斷。所述拉桿TB在多個單位幀的第1方向上的一個端部和另一端部之間形成、且對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行連結(jié)保持。<引線切斷工序>如圖11所示，使用切斷裝置將對多個單位幀的第1方向上的一個端部連結(jié)保持的保持部LFH進(jìn)行切斷，并劃片為多個半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體產(chǎn)品)PT1。此時，通過使切斷裝置上的切斷沖頭沖打放置在切斷裝置的芯片上的引線框LF，便可將各半導(dǎo)體器件PT1從引線框LF的本體切離。<引線電鍍工序>如圖12所示，對從樹脂封裝體RS突出的第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行電鍍處理。由此，便可在從樹脂封裝體RS突出的第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的表面(正面、背面、側(cè)面、以及底面)上形成如厚度不超過10μm的由錫(Sn)類合金或錫-鉛(Sn-Pb)類合金構(gòu)成的電鍍膜(圖中未示出)。如為錫(Sn)類合金時，可為錫-銀(Sn-Ag)類合金、錫-銅(Sn-Cu)類合金、或者錫-鉍(Sn-Bi)類合金等。另外，也可為純錫(Sn)。<打標(biāo)工序>如圖13所示，可通過激光或油墨等在樹脂封裝體RS的背面印上產(chǎn)品名稱等。<引線彎曲(成形)工序>如圖14所示，使用成形金屬模將從樹脂封裝體RS突出的第2引線LE2及第3引線LE3加工成規(guī)定的形狀。首先，通過圖15及圖16來說明加工前的狀態(tài)。圖15及圖16中用虛線表示半導(dǎo)體器件PT1。成形金屬模具有由各種金屬模構(gòu)成的壓彎沖模和彎曲沖頭。壓彎沖模由第1壓彎沖模FD1及第2壓彎沖模FD2構(gòu)成。第1壓彎沖模FD1和第2壓彎沖模FD2之間的節(jié)距設(shè)定為：成形后可獲得所希望獲得的第2引線LE2的頂端部LE2c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距。彎曲沖頭由第1彎曲沖頭FP1及第2彎曲沖頭FP2構(gòu)成。以使第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3位于壓彎沖模和彎曲沖頭之間的方式將半導(dǎo)體器件PT1設(shè)置在成形金屬模上。此時，半導(dǎo)體器件PT1的設(shè)置如下：即，使半導(dǎo)體器件PT1的第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3排成一列的方向、與壓彎沖模和彎曲沖頭為面對面的方向正交。其次，通過圖17及圖18來說明加工過程中的狀態(tài)。圖17及圖18中用虛線表示半導(dǎo)體器件PT1。在第1引線LE1和第2引線LE2之間插入第1彎曲沖頭FP1的頂端，在第1引線LE1和第3引線LE3之間插入第2彎曲沖頭FP2的頂端。而且，使第1壓彎沖模FD1及第2壓彎沖模FD2在半導(dǎo)體器件PT1的兩個側(cè)面(第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3排成一列的方向上的兩側(cè))上移動。接著通過圖19及圖20來說明加工后的狀態(tài)。圖19及圖20中用虛線表示半導(dǎo)體器件PT1。將第1彎曲沖頭FP1往遠(yuǎn)離第1引線LE1的方向移動，同時將第2彎曲沖頭FP2往遠(yuǎn)離第1引線LE1的方向移動，并將第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c強(qiáng)行按開。由此，可將第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距設(shè)為規(guī)定的節(jié)距。此時，第2引線LE2的一部分彎曲而形成彎曲部LE2b，同時第3引線LE3的一部分也彎曲而形成彎曲部LE3b。<引線頂端對齊(打模)工序>在引線彎曲工序后的第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c中，由于彎曲的部分(彎曲部LE2b、LE3b)所產(chǎn)生的加工應(yīng)力，有可能導(dǎo)致第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c發(fā)生變形(導(dǎo)致沒對齊)。因此，為了使第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c呈直線的形狀對齊，所以使用沖模將第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c以及第3引線LE3的頂端部LE3c對齊。由此，如圖21所示，便可得到第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距滿足管理值(規(guī)格)的半導(dǎo)體器件PT1。首先通過圖22～圖25來說明沖模的上金屬模及下金屬模的形狀。使用的沖模SDM1具有圖22所示的下金屬模(第2金屬模)SD1及圖23所示的上金屬模(第1金屬模)SU1。半導(dǎo)體器件PT1被夾在下金屬模SD1的沖壓面和上金屬模SU1的沖壓面之間，并將第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的彎曲部LE2b和頂端部LE2c以及第3引線LE3的彎曲部LE3b和頂端部LE3c進(jìn)行沖壓。由此，便可使第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c以及第3引線LE3的頂端部LE3c對齊。如圖22、圖23及圖24所示，將第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c以及第3引線LE3的頂端部LE3c進(jìn)行沖壓的下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部(第2導(dǎo)引部)GSD的沖壓面及上金屬模SU1的上金屬模導(dǎo)引部(第1導(dǎo)引部)GSU的沖壓面為梳型。具體地說就是，下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)有沿著第1方向延伸的3個彼此隔開的突起部(凸部)。突起部的側(cè)壁與上表面為幾乎垂直的關(guān)系。另外，上金屬模SU1的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上也設(shè)置有沿著第1方向延伸的3個彼此隔開的槽部(凹部)，以對應(yīng)于下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部GSD上所設(shè)置的所述3個突起部。槽部的側(cè)壁與底面為幾乎垂直的關(guān)系。金屬模SD1突起部的寬度W1為固定值，如設(shè)定為大于等于第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的剖面中的正面?zhèn)?或者背面?zhèn)?的一邊的長度(引線寬度LEW)、且小于等于(引線寬度LEW+(引線寬度LEW×0.1)×2)。如上述的引線寬度LEW為0.5mm時，突起部的寬度W1至少為0.5mm，且不超過0.6(＝0.5+(0.5×0.1)×2)mm。另外，上金屬模SU1槽部的寬度W2為固定值，且比下金屬模SD1的突起部的寬度W1大。另一方面，如圖22、圖23及圖25所示，將第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b進(jìn)行沖壓的下金屬模SD1的下金屬模固定部(第2固定部)FSD的沖壓面及上金屬模SU1的上金屬模固定部(第1固定部)FSU的沖壓面為平坦的狀態(tài)。接下來通過圖22～圖25來說明使用沖模進(jìn)行引線頂端對齊的步驟。首先，將下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的3個突起部的上表面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的背面、第2引線LE2的頂端部LE2c的背面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的背面為面對面。另外，將下金屬模SD1的下金屬模固定部FSD上設(shè)置的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的背面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的背面設(shè)為面對面。下金屬模SD1的沖壓面上放置第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3。接下來，將上金屬模SU1的上金屬模導(dǎo)引部GSU上設(shè)置的3個槽部的底面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的正面、第2引線LE2的頂端部LE2c的正面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的正面為面對面。另外，將上金屬模SU1的上金屬模固定部FSU上設(shè)置的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的正面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的正面設(shè)為面對面。接著對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行沖壓。如上所述，在將第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c進(jìn)行對齊時，不僅對第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c進(jìn)行沖壓，同時也對第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b進(jìn)行沖壓。由此，便可解決了導(dǎo)致第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c沒對齊的原因，即消除了(盡量使加工應(yīng)力變?yōu)樽钚?，或者抵?第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b的加工應(yīng)力。換言之即是，通過對第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b進(jìn)行沖壓，可使積累在各彎曲部LE2b、LE3b上的加工應(yīng)力強(qiáng)制性地擴(kuò)散到第2引線LE2及第3引線LE3內(nèi)，從而可盡量使加工應(yīng)力不影響到第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c。結(jié)果，可使第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c對齊，且可使第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距變得穩(wěn)定。上述的第1實(shí)施方式中，使用的沖模SDM1為如下結(jié)構(gòu)：在下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置3個突起部，在上金屬模SU1的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置有3個槽部，以與下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的上述3個突起部對應(yīng)，但也可為其他結(jié)構(gòu)的沖模。如圖26所示，也可使用如下結(jié)構(gòu)的沖模SDM1a：在下金屬模(第2金屬模)SD1a的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置3個槽部，且在上金屬模(第1金屬模)SU1a的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置3個突起部，以對應(yīng)于下金屬模SD1a的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的所述3個槽部。此時，首先，將下金屬模SD1a的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的3個槽部的底面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的背面、第2引線LE2的頂端部LE2c的背面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的背面為面對面。另外，將下金屬模SD1a的下金屬模固定部FSD上設(shè)置的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的背面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的背面設(shè)為面對面。而且，在下金屬模SD1a的沖壓面上放置第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3。接下來，將上金屬模SU1a的上金屬模導(dǎo)引部GSU上設(shè)置的3個突起部的上表面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的正面、第2引線LE2的頂端部LE2c的正面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的正面為面對面。另外，將在上金屬模SU1a的上金屬模固定部FSU上設(shè)定的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的正面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的正面設(shè)為面對面。接著，將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行沖壓。如上所述，對于在下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面及上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置突起部或是槽部并無特別限定。在上述的沖模SDM1中，如果在下金屬模SD1的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置突起部、在上金屬模SU1的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置槽部時，由于下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面?zhèn)纫矠橥黄鹦螤?，所以與為槽形狀時相比，在產(chǎn)生電鍍屑或異物時，電鍍屑或異物也難于堆積在下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上。結(jié)果，在對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行沖壓時，可減少吸入上述電鍍屑或異物的現(xiàn)象。另外，在上述的沖模SDM1a中，如果在下金屬模SD1a的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置槽部、在上金屬模SU1a的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置突起部時，由于下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面?zhèn)葹椴蹱?，所以與突起形狀相比，在安裝半導(dǎo)體器件PT1時，將能更好地將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行收線。結(jié)果，將可穩(wěn)定地使用下金屬模SD1a和上金屬模SU1a將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行沖壓。而且，在第1實(shí)施方式中，將第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b進(jìn)行沖壓的下金屬模SD1、SD1a的下金屬模固定部FSD及上金屬模SU1、SU1a的上金屬模固定部FSU的沖壓面為平面形狀，但并不僅限于此。例如，也可與下金屬模SD1、SD1a的下金屬模導(dǎo)引部GSD及上金屬模SU1、SU1a的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面一樣形成為梳型。將下金屬模SD1、SD1a的下金屬模固定部FSD及上金屬模SU1、SU1a的上金屬模固定部FSU的沖壓面設(shè)為梳型時，除了可獲得上述效果以外，還可提高第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b的平面方向上的彎曲精度。<篩選工序及外觀檢查工序>接著按照產(chǎn)品規(guī)格進(jìn)行篩選，并在進(jìn)行最終外觀檢查后完成產(chǎn)品(半導(dǎo)體器件PT1)的制造過程。<打包工序>接著將產(chǎn)品(半導(dǎo)體器件PT1)放進(jìn)載帶上預(yù)先形成的凹面內(nèi)。之后，如將載帶卷到卷軸上，并將卷軸放進(jìn)防濕袋后再出貨。如上所述，根據(jù)第1實(shí)施方式，可使第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c對齊為直線的形狀。由此，可使第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距穩(wěn)定化。(第2實(shí)施方式)本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于：在半導(dǎo)體器件的制造過程之一即引線頂端對齊工序中所使用的沖模的下金屬模(或者上金屬模)上形成的突起部及上金屬模(或者下金屬模)上形成的槽部的形狀不同。即，第1實(shí)施方式中，突起部的寬度及槽部的寬度任何一方都是固定的。而第2實(shí)施方式中，突起部的寬度及槽部的寬度任何一方都不固定，且突起部及槽部的剖面形狀為錐形。下面說明第2實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件的制造方法，由于引線頂端對齊工序以外的制造工序與第1實(shí)施方式一樣，所以下面僅對引線頂端對齊工序進(jìn)行說明。《半導(dǎo)體器件的制造方法》<引線頂端對齊(打模)工序>下面通過圖27～圖31來說明第2實(shí)施方式中的3端子的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖27所示的是引線頂端對齊工序中沖模的下金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖28所示的是引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模的上金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖29所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的頂端部的主要部分剖面圖，圖30所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的主要部分剖面圖。圖31所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的其他例的主要部分剖面圖。如上所述，在引線彎曲工序后的第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c中，由于彎曲的部分(彎曲部LE2b、LE3b)中產(chǎn)生的加工應(yīng)力的影響，有可能出現(xiàn)第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c沒對齊的現(xiàn)象。因此，為了使第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c對齊為直線的形狀，所以使用沖模使第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c、以及第3引線LE3的頂端部LE3c對齊。首先，通過圖27～圖30來說明沖模的上金屬模及下金屬模的形狀。使用具有圖27所示的下金屬模(第2金屬模)SD2及圖28所示的上金屬模(第1金屬模)SU2的沖模SDM2。將半導(dǎo)體器件PT1夾在下金屬模SD2的沖壓面和上金屬模SU2的沖壓面之間，并對第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的彎曲部LE2b和頂端部LE2c、以及第3引線LE3的彎曲部LE3b和頂端部LE3c進(jìn)行沖壓。由此，便可使第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c、以及第3引線LE3的頂端部LE3c對齊。1如圖27、圖28及圖29所示，將第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c以及第3引線LE3的頂端部LE3c進(jìn)行沖壓的下金屬模SD2的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面及上金屬模SU2的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面為梳型。具體地說就是，在下金屬模SD2的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置沿著第1方向延伸且彼此隔開的3個突起部(凸部)。另外，在上金屬模SU2的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置沿著第1方向延伸且彼此隔開的3個槽部(凹部)，以與下金屬模SD2的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的上述3個突起部對應(yīng)。下金屬模SD2突起部的寬度不是固定的，且其剖面形狀為錐形。放置第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c以及第3引線LE3的頂端部LE3c的突起部的上表面很平坦，但離突起部的上表面越遠(yuǎn)突起部的寬度就越寬。突起部上表面的寬度W4例如可設(shè)定為大于等于第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的剖面中的正面?zhèn)?或者背面?zhèn)?的一邊的長度(引線寬度LEW)，且小于等于(引線寬度LEW+(引線寬度LEW×0.1)×2)。例如，上述的引線寬度LEW為0.5mm時，突起部的上表面的寬度W4就為大于等于0.5mm且小于等于0.6(＝0.5+(0.5×0.1)×2)mm。另外，上金屬模SU2的槽部的寬度不是固定的，且其剖面形狀為與下金屬模SD2的突起部對應(yīng)的錐形。將第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c以及第3引線LE3的頂端部LE3c進(jìn)行沖壓的槽部的底面為平坦形狀，但離槽部的底面越遠(yuǎn)槽部的寬度就越寬。槽部底面的寬度W5設(shè)定為比引線寬度LEW寬。另外，下金屬模SD2的突起部的兩個側(cè)壁所形成的角度θ1、以及上金屬模SU2的槽部的兩個側(cè)壁所形成的角度θ2都設(shè)定為0度至90度之間。如上所述，通過使上金屬模SU2的槽部成為錐形，就可與第1實(shí)施方式中的沖模SDM1一樣，與槽部的側(cè)壁幾乎垂直于其底面的形狀相比，可使第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3更容易被引到槽部。另外，通過使下金屬模SD2的突起部成為錐形，在槽部和突起部進(jìn)行咬合時，可以很順利地將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3推送到上金屬模SU2的槽部的底面。這些特征在第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3的長度變長、且第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c的偏差(沒對齊)變大時特別有效。而且，優(yōu)選所述角度θ1及θ2小于90度。由此，便可確保誘引第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c及第3引線LE3的頂端部LE3c的特性。另外，如圖27、圖28及圖30所示，將第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b進(jìn)行沖壓的下金屬模SD2的下金屬模固定部FSD的沖壓面及上金屬模SU2的上金屬模固定部FSU的沖壓面為平坦?fàn)?。接下來，如圖27～圖30所示使用沖模進(jìn)行引線頂端對齊的步驟。首先，將下金屬模SD2的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的3個突起部的上表面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的背面、第2引線LE2的頂端部LE2c的背面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的背面為面對面。另外，還將下金屬模SD2的下金屬模固定部FSD上的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的背面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的背面設(shè)為面對面。接著，在下金屬模SD2的沖壓面上放置第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3。接著，將在上金屬模SU2的上金屬模導(dǎo)引部GSU上設(shè)置的3個槽部的底面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的正面、第2引線LE2的頂端部LE2c的正面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的正面為面對面的狀態(tài)。另外，將上金屬模SU2的上金屬模固定部FSU上的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的正面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的正面設(shè)為面對面。接著，對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行沖壓。如上所述，通過使用沖模SDM2，便可與第1實(shí)施方式同樣地，可消除(盡量使加工應(yīng)力變?yōu)樽钚?，或者抵?第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b的加工應(yīng)力。由此，便可分別將第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c進(jìn)行對齊，且可使第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、以及第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距變得穩(wěn)定。在以上的第2實(shí)施方式中，使用的沖模SDM2結(jié)構(gòu)如下：在下金屬模SD2的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置3個突起部，且在上金屬模SU2的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置有3個槽部，以對應(yīng)于下金屬模SD2的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的所述3個突起部，但也可為其他結(jié)構(gòu)的沖模。如圖31所示，也可使用如下結(jié)構(gòu)的沖模SDM2a：在下金屬模(第2金屬模)SD2a的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置3個槽部，且在上金屬模(第1金屬模)SU2a的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置3個突起部，以對應(yīng)于下金屬模SD2a的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的所述3個槽部。此時，首先要將下金屬模SD2a的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的3個槽部的底面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的背面、第2引線LE2的頂端部LE2c的背面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的背面為面對面。另外，將下金屬模SD2a的下金屬模固定部FSD上的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的背面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的背面設(shè)為面對面。接著，在下金屬模SD2a的沖壓面上放置第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3。接下來，將上金屬模SU2a的上金屬模導(dǎo)引部GSU上設(shè)置的3個突起部的上表面設(shè)定為分別與第1引線LE1的頂端部LE1c的正面、第2引線LE2的頂端部LE2c的正面、以及第3引線LE3的頂端部LE3c的正面為面對面。另外，將上金屬模SU2a的上金屬模固定部FSU上的平坦的沖壓面和第2引線LE2的彎曲部LE2b的正面及第3引線LE3的彎曲部LE3b的正面設(shè)為面對面。接著，對第1引線LE1、第2引線LE2及第3引線LE3進(jìn)行沖壓。如上所述，對于在下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面及上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置突起部或槽部并無特別限定。各自的效果請參考第1實(shí)施方式的內(nèi)容。另外，在第2實(shí)施方式中，敘述了將第2引線LE2的彎曲部LE2b及第3引線LE3的彎曲部LE3b進(jìn)行沖壓的下金屬模SD2、SD2a的下金屬模固定部FSD及上金屬模SU2、SU2a的上金屬模固定部FSU的沖壓面為平面形狀，但并不僅限于此。例如也可與下金屬模SD2、SD2a的下金屬模導(dǎo)引部GSD及上金屬模SU2、SU2a的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面一樣為梳型。其效果與第1實(shí)施方式中所說明的一樣?！蹲冃卫吩诘?實(shí)施方式中，以3端子的半導(dǎo)體器件為例說明了具有多條引線的半導(dǎo)體器件，并說明了形成3端子的半導(dǎo)體器件中所具有的3根引線的頂端部的引線頂端對齊工序。本實(shí)施方式中以形成5端子的半導(dǎo)體器件所具有的5根引線的頂端部的引線頂端對齊工序?yàn)樽冃卫M(jìn)行了說明。首先，通過圖32的(A)及(B)來說明5端子的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。圖32的(A)及(B)分別為5端子的半導(dǎo)體器件的正視圖及底視圖。如圖32的(A)及(B)所示，5端子的半導(dǎo)體器件PT2的結(jié)構(gòu)如下：在將半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝的樹脂封裝體RS的下表面有5根引線即第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4、以及第5引線LE5突出的結(jié)構(gòu)。第4引線LE4及第5引線LE5彼此隔開而從樹脂封裝體RS的下表面突出。而且，第1引線LE1位于第4引線LE4和第5引線LE5之間，且分別與所述第4引線LE4及所述第5引線LE5隔開而從樹脂封裝體RS的下表面突出。第2引線LE2位于第1引線LE1和第4引線LE4之間，且分別與所述第1引線LE1及所述第4引線LE4隔開而從樹脂封裝體RS的下表面突出。第3引線LE3位于第1引線LE1和第5引線LE5之間，且分別與所述第1引線LE1及所述第5引線LE5隔開而從樹脂封裝體RS的下表面突出。因此，第2引線LE2及第3引線LE3位于第1引線LE1的外側(cè)，而且，第4引線LE4及第5引線LE5位于第2引線LE2及第3引線LE3的外側(cè)。第1引線LE1由與樹脂封裝體RS的下表面接觸的直線形狀的根部(第1部分)LE1a、以及與根部LE1a連結(jié)的直線形狀的頂端部(第2部分)LE1c構(gòu)成。另一方面，第2引線LE2由根部(第1部分)LE2a、彎曲部(第2部分)LE2b、及頂端部(第3部分)LE2c構(gòu)成，第3引線LE3由根部(第1部分)LE3a、彎曲部(第2部分)LE3b、及頂端部(第3部分)LE3c構(gòu)成，第4引線LE4由根部(第1部分)LE4a、彎曲部(第2部分)LE4b、及頂端部(第3部分)LE4c構(gòu)成，第5引線LE5由根部(第1部分)LE5a、彎曲部(第2部分)LE5b、及頂端部(第3部分)LE5c構(gòu)成。第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4及第5引線LE5的剖面形狀為四邊形。在下文的說明中，將第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4及第5引線LE5的各個面稱為正面(第1面)、背面(第2面)、側(cè)面(第3面)以及底面(第4面)。正面即為圖32(B)中的符號F所示的面，背面為圖32(B)中的符號R所示的面(位于正面的相反側(cè)的面)、側(cè)面為圖32(A)及(B)中的符號S所示的面、底面為圖32(A)中的符號B所示的面。從剖面上看時，第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4以及第5引線LE5的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊囊贿叺拈L度(引線寬度)比從剖面上看時的第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4以及第5引線LE5的側(cè)面?zhèn)鹊囊贿叺拈L度(引線厚度(縱深))更長。例如，從剖面上看時，第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4以及第5引線LE5的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊囊贿叺拈L度(引線寬度)為0.5mm，而從剖面上看時，第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4以及第5引線LE5的側(cè)面?zhèn)鹊囊贿叺拈L度(引線厚度)為0.4mm。從樹脂封裝體RS的下表面突出的第1引線LE1的長度為在第1引線LE1的延伸方向上的樹脂封裝體RS的長度的2倍及2倍以上。例如，從樹脂封裝體RS的下表面突出的第1引線LE1的引線長度L1為12.5mm，而在第1引線LE1的延伸方向上的樹脂封裝體RS的封裝體長度L2為5.0mm。與上述3端子的半導(dǎo)體器件PT1同樣地，使用沖模分別將5端子的半導(dǎo)體器件所具有的第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4以及第5引線LE5各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c、LE4c及LE5c進(jìn)行對齊。接下來，通過圖33～圖37來說明使用沖模對5端子的半導(dǎo)體器件PT2的制造過程之一即引線頂端對齊工序進(jìn)行說明。圖33所示的是引線頂端對齊工序中沖模的下金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖34所示的是引線頂端對齊工序中透過上金屬模的沖模的上金屬模及半導(dǎo)體器件的主要部分平面圖，圖35所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的頂端部的主要部分剖面圖，圖36所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的主要部分剖面圖。圖37所示的是引線頂端對齊工序中被沖模沖壓后的各引線的彎曲部的其他例的主要部分平面圖使用具有圖33所示的下金屬模(第2金屬模)SD3及圖34所示的上金屬模(第1金屬模)SU3的沖模SDM3。將半導(dǎo)體器件PT2夾在下金屬模SD3和上金屬模SU3之間，并對第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的彎曲部LE2b和頂端部LE2c、第3引線LE3的彎曲部LE3b和頂端部LE3c、第4引線LE4的彎曲部LE4b和頂端部LE4c、以及第5引線LE5的彎曲部LE5b和頂端部LE5c進(jìn)行沖壓。由此，即可使第1引線LE1的頂端部LE1c、第2引線LE2的頂端部LE2c、第3引線LE3的頂端部LE3c、第4引線LE4的頂端部LE4c以及第5引線LE5的頂端部LE5c對齊。如圖33、圖34及圖35所示，在下金屬模SD3的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置沿著第1方向延伸的且彼此隔開的5個突起部(凸部)。另外，上金屬模SU3的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面上設(shè)置沿著第1方向延伸且彼此隔開的5個槽部(凹部)，且所述5個槽部(凹部)與在下金屬模SD3的下金屬模導(dǎo)引部GSD上設(shè)置的所述5個突起部對應(yīng)。下金屬模SD3的突起部的剖面形狀為錐形，而為了與所述下金屬模SD3的突起部對應(yīng)，上金屬模SU3的槽部的剖面形狀也為錐形。突起部的上表面的寬度W6例如設(shè)定為大于等于第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4及第5引線LE5的剖面中的正面?zhèn)?或者背面?zhèn)?的一邊的長度(引線寬度LEW)且小于等于(引線寬度LEW+(引線寬度LEW×0.1)×2)。槽部的底面的寬度W7設(shè)定為比引線寬度LEW大。另外，下金屬模SD3的突起部的兩個側(cè)壁形成的角度θ3、以及上金屬模SU3的槽部的兩個側(cè)壁所形成的角度θ4為0度至90度之間。另一方面，如圖33、圖34及圖36所示，將第2引線LE2的彎曲部LE2b、第3引線LE3的彎曲部LE3b、第4引線LE4的彎曲部LE4b及第5引線LE5的彎曲部LE5b進(jìn)行沖壓的下金屬模SD3的下金屬模固定部FSD的沖壓面及上金屬模SU3的上金屬模固定部FSU的沖壓面為平坦的狀態(tài)。如上所述，5端子的半導(dǎo)體器件中也與3端子的半導(dǎo)體器件同樣地，可消除(盡量使加工應(yīng)力變?yōu)樽钚。蛘叩窒?在第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4及第5引線LE5各自的彎曲部LE2b、LE3b，LE4b，LE5b上的加工應(yīng)力。由此，便可分別將第1引線LE1、第2引線LE2、第3引線LE3、第4引線LE4及第5引線LE5各自的頂端部LE1c、LE2c、LE3c、LE4c、LE5c對齊。結(jié)果，可使第1引線LE1的頂端部LE1c和第2引線LE2的頂端部LE2c之間的節(jié)距、第2引線LE2的頂端部LE2c和第4引線LE4的頂端部LE4c之間的節(jié)距、第1引線LE1的頂端部LE1c和第3引線LE3的頂端部LE3c之間的節(jié)距、以及第3引線LE3的頂端部LE3c和第5引線LE5的頂端部LE5c之間的節(jié)距變得穩(wěn)定。如上所述，在第2實(shí)施方式的變形例中，在下金屬模SD3的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置5個突起部時，且所述5個突起部與上金屬模SU3的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面及下金屬模SD3的下金屬模導(dǎo)引部GSD上所設(shè)置的5個突起部對應(yīng)，此時使用了設(shè)置有5個槽部的沖模SDM3，但并不僅限于此。如圖37所示，在下金屬模(第2金屬模)SD3a的下金屬模導(dǎo)引部GSD的沖壓面上設(shè)置5個槽部，且所述5個槽部與上金屬模(第1金屬模)SU3a的上金屬模導(dǎo)引部GSU的沖壓面及下金屬模SD3a的下金屬模導(dǎo)引部GSD上所設(shè)置的5個槽部對應(yīng)，此時也可使用設(shè)置有5個突起部的沖模SDM3a。以上根據(jù)實(shí)施方式具體地說明了本案發(fā)明人所作的發(fā)明，但是本發(fā)明并不受到所述實(shí)施方式的限定，在不超出其要旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行種種變更，在此無需贅言。例如，上述MOSFET為柵極絕緣膜由氧化硅(SiO2等)膜構(gòu)成的場效晶體管，但并不僅限于此，如柵極絕緣膜也可由氧化硅膜以外的絕緣膜構(gòu)成的場效晶體管(MISFET(MetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistor，金屬絕緣半導(dǎo)體場效晶體管))。