本發(fā)明屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件領(lǐng)域，涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法。

背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LightEmittingDiode，LED)是一種將電能轉(zhuǎn)化為光能的電子器件，可以通過采用不同的化合物半導(dǎo)體材料使其波長可以覆蓋整個可視光區(qū)及部分紅外和紫外波段。LED具有節(jié)能、綠色環(huán)保、壽命長、重量輕、體積小、效率高、耐振動、響應(yīng)時間快、色彩鮮明和辨識性優(yōu)等優(yōu)點，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。尤其是利用大功率發(fā)光二極管可能實現(xiàn)半導(dǎo)體固態(tài)照明，引起人類照明史的革命,從而逐漸成為目前電子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點。為了獲得高亮度的LED，關(guān)鍵要提高器件的內(nèi)量子效率和外量子效率。目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因是外延材料、襯底材料以及空氣之間的折射率差別較大，導(dǎo)致有源區(qū)產(chǎn)生的光在不同折射率材料界面發(fā)生全反射而不能導(dǎo)出芯片。目前已經(jīng)提出了幾種提高芯片光提取效率的方法,主要包括：改變芯片的幾何外形，減少光在芯片內(nèi)部的傳播路程，降低光的吸收損耗，如采用倒金字塔結(jié)構(gòu)；控制和改變自發(fā)輻射，通常采用諧振腔或光子晶體等結(jié)構(gòu)；采用表面粗糙方法，使光在粗糙的半導(dǎo)體和空氣界面發(fā)生漫射，增加其投射的機(jī)會等。隨著亮度要求不斷的提高，現(xiàn)有技術(shù)已不能滿足要求。鑒于此，實有必要提供一種提高芯片亮度的方法，以制備出一種高效出光發(fā)光二極管芯片。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管芯片亮度不高的問題。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，所述發(fā)光二極管芯片的制造方法至少包括以下步驟：1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；2)對所述基板進(jìn)行部分刻蝕，在所述基板中形成一凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域底部到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層中；3)在步驟2)形成的結(jié)構(gòu)上沉積光反射層，并對所述光反射層進(jìn)行刻蝕，在所述P型半導(dǎo)體層上形成P電極區(qū)光反射層、在所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成N電極區(qū)光反射層，然后進(jìn)行退火處理；4)在其余P型半導(dǎo)體層及所述P電極區(qū)光反射層上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層覆蓋所述P電極區(qū)光反射層；5)在所述透明導(dǎo)電層上制作P電極及P電極引線，在所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上制作N電極及N電極引線；所述P電極與所述P電極區(qū)光反射層相對，所述N電極覆蓋所述N電極區(qū)光反射層并與N型半導(dǎo)體層接觸?？蛇x地，所述P電極與所述P電極區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為x1，其中80％≤x1≤190％，所述N電極區(qū)光反射層與所述N電極在水平面上的投影面積百分比為y2，其中50％≤y2≤80％。可選地，于所述步驟3)中沉積光反射層之后、進(jìn)行退火處理之前，還包括在所述P型半導(dǎo)體層上形成P電極引線區(qū)光反射層、在所述凹陷區(qū)域的N型半導(dǎo)體層上形成N電極引線區(qū)光反射層的步驟；于所述步驟5)中，所述P電極引線與所述P電極區(qū)光反射層相對，所述N電極引線與所述N電極連接的前段部分形成于所述N電極區(qū)光反射層上，后段部分形成于所述N型半導(dǎo)體層上?？蛇x地，所述P電極引線與所述P電極引線區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為x2，其中80％≤x2≤190％；位于所述N電極引線區(qū)光反射層上的N電極引線與所述N電極引線區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為y1，其中50％≤y1≤80％。可選地，所述光反射層的厚度范圍是600～8000埃。可選地，所述退火處理的溫度范圍是300～600℃，時間范圍是5～30min，氣氛為氮氣或氧氣?？蛇x地，所述光反射層的材料為SiO2或Si3N4。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層；所述基板上形成有一底部到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層上形成有P電極區(qū)光反射層；所述凹陷區(qū)域內(nèi)的N型半導(dǎo)體層上形成有N電極區(qū)光反射層；所述P電極區(qū)光反射層以及其余P型半導(dǎo)體層上覆蓋有透明導(dǎo)電層；所述透明導(dǎo)電層上形成有P電極及P電極引線；所述P電極與所述P電極區(qū)光反射層相對；所述N電極區(qū)光反射層上設(shè)有N電極，所述N電極覆蓋所述N電極區(qū)光反射層并與所述N型半導(dǎo)體層接觸，所述N電極連接有N電極引線。可選地，所述透明導(dǎo)電層內(nèi)還形成有P電極引線區(qū)光反射層，所述P電極引線區(qū)光反射層與所述P型半導(dǎo)體層接觸；所述P電極引線區(qū)光反射層與所述P電極引線相對；所述N電極引線與所述N電極接觸的前段部分下方形成有N電極引線區(qū)光反射層，所述N電極引線區(qū)光反射層與所述N型半導(dǎo)體層接觸?？蛇x地，所述P電極與所述P電極區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為x1，其中80％≤x1≤190％，所述N電極區(qū)光反射層與所述N電極在水平面上的投影面積百分比為y2，其中50％≤y2≤80％。如上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片及其制造方法，具有以下有益效果：P電極、N電極、P電極引線及N電極引線底部區(qū)域設(shè)有光反射層，該光反射層可以將發(fā)光層到達(dá)電極區(qū)域的光反射回去，再傳導(dǎo)到其它區(qū)域發(fā)射出去，防止發(fā)射到電極區(qū)域的光被電極及電極引線吸收掉，從而提高了發(fā)光二極管的出光效率，提高芯片的亮度。附圖說明圖1顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制造方法中基板的剖面示意圖。圖2顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制造方法中在基板中形成凹陷區(qū)域的示意圖。圖3顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制造方法中沉積光反射層的示意圖。圖4顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制造方法中對光反射層進(jìn)行刻蝕形成P電極區(qū)光反射層及N電極區(qū)光反射層的示意圖。圖5顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制造方法中形成透明導(dǎo)電層的示意圖。圖6顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的剖面示意圖。圖7顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片在實施例一中的俯視圖。圖8顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片在實施例二中的俯視圖。元件標(biāo)號說明1基板11襯底12N型半導(dǎo)體層13發(fā)光層14P型半導(dǎo)體層15凹陷區(qū)域2光反射層21P電極區(qū)光反射層22N電極區(qū)光反射層23P電極引線區(qū)光反射層24N電極引線區(qū)光反射層3透明導(dǎo)電層4P電極5N電極6P電極引線7N電極引線具體實施方式以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。實施例一請參閱圖1至圖8。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，所述發(fā)光二極管芯片的制造方法至少包括以下步驟：步驟1)，請參閱圖1，提供一基板1，所述基板自下而上依次包括襯底11、N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13及P型半導(dǎo)體層14；具體的，所述襯底11可以是藍(lán)寶石襯底，也可以是其它半導(dǎo)體襯底。所述N型半導(dǎo)體層12為N-GaN層，所述發(fā)光層13為多重量子阱，其材料可為In摻雜的GaN，所述P型半導(dǎo)體層14為P-GaN層。步驟2)，請參閱圖2，對所述基板1進(jìn)行部分刻蝕，在所述基板1中形成一凹陷區(qū)域15，所述凹陷區(qū)域15底部到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層12中；具體的，采用常規(guī)的MESA(平臺)刻蝕在所述基板1中形成所述凹陷區(qū)域15，所述N型半導(dǎo)體層12部分被刻蝕掉。步驟3)，先請參閱圖3，在步驟2)形成的結(jié)構(gòu)上沉積光反射層2，再請參閱圖4，對所述光反射層2進(jìn)行刻蝕，在所述P型半導(dǎo)體層14上形成P電極區(qū)光反射層21、在所述凹陷區(qū)域15的N型半導(dǎo)體層12上形成N電極區(qū)光反射層22，然后進(jìn)行退火處理；具體的，所述光反射層2的材料為SiO2或Si3N4，本實施例中，所述光反射層2的材料優(yōu)選為SiO2，所述光反射層2的厚度范圍是600～8000埃。采用BOE(BufferedOxideEtch)腐蝕工藝，將P電極區(qū)域及N電極區(qū)域的SiO2保留下來。具體的，所述退火處理的溫度范圍是300～600℃，時間范圍是5～30min，氣氛為氮氣或氧氣。退火處理的目的是為了提高P電極區(qū)光反射層21及N電極區(qū)光反射層22的粘附性，并改變其折射率，使得光更容易被反射回來。步驟4)，請參閱圖5，在其余P型半導(dǎo)體層14及所述P電極區(qū)光反射層21上形成透明導(dǎo)電層3，所述透明導(dǎo)電層3覆蓋所述P電極區(qū)光反射層21；具體的，所述透明導(dǎo)電層3的材料可為常規(guī)的ITO(IndiumTinOxide(In2O3+SnO2))，所述透明導(dǎo)電層3作為透明電極。在沉積所述透明導(dǎo)電層3之后通常還包括常規(guī)的透明電極刻蝕，此為本領(lǐng)域的公知常識，此處不再贅述。步驟5)，請參閱圖6，在所述透明導(dǎo)電層3上制作P電極4及P電極引線(未圖示，可參見后續(xù)俯視圖)，在所述凹陷區(qū)域15的N型半導(dǎo)體層12上制作N電極5及N電極引線(未圖示，可參見后續(xù)俯視圖)；所述P電極4與所述P電極區(qū)光反射層21相對，所述N電極5覆蓋所述N電極區(qū)光反射層22并與N型半導(dǎo)體層12接觸。具體的，所述P電極4及N電極5為金屬電極，本實施例中，所述為P電極4及N電極5均為Cr/Pt/Au三層結(jié)構(gòu)。所述P電極引線及N電極引線的材料亦為金屬。具體的，所述P電極4與所述P電極區(qū)光反射層21在水平面上的投影面積百分比為x1，其中80％≤x1≤190％，所述N電極區(qū)光反射層22與所述N電極5在水平面上的投影面積百分比為y2，其中50％≤y2≤80％。即所述P電極區(qū)光反射層21面積既可大于也可小于所述P電極4的面積(相對面)，本實施例中，所述P電極區(qū)光反射層21的面積優(yōu)選為大于所述P電極4的面積，更有利于電流擴(kuò)散。而所述N電極區(qū)光反射層22的面積要小于所述N電極的面積，所述N電極5覆蓋所述N電極區(qū)光反射層22的同時還有部分與N型半導(dǎo)體層12接觸，從而保證導(dǎo)電性。請參閱圖7，顯示為利用本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制作方法制作出的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。本實施例中，所述P電極引線6為一根，所述N電極引線7為兩根。需要指出的是，圖7側(cè)重顯示了P電極4、P電極區(qū)光反射層21、N電極5及N電極區(qū)光反射層22的相對位置，而對于其余部分的細(xì)節(jié)并沒有詳細(xì)展示，所述P電極引線6及N電極引線7的數(shù)量根據(jù)器件大小等因素可有所調(diào)整，此處特別說明，不應(yīng)過分限制本專利的保護(hù)范圍。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片，請參閱圖6，顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的剖面示意圖，所述發(fā)光二極管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底11、N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13及P型半導(dǎo)體層14；所述基板上形成有一底部到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層12中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層14上形成有P電極區(qū)光反射層21；所述凹陷區(qū)域內(nèi)的N型半導(dǎo)體層12上形成有N電極區(qū)光反射層22；所述P電極區(qū)光反射層21以及其余P型半導(dǎo)體層14上覆蓋有透明導(dǎo)電層3；所述透明導(dǎo)電層3上形成有P電極4及P電極引線(圖6中未顯示)；所述P電極4與所述P電極區(qū)光反射層21相對；所述N電極區(qū)光反射層22上設(shè)有N電極5，所述N電極5覆蓋所述N電極區(qū)光反射層22并與所述N型半導(dǎo)體層12接觸，所述N電極5連接有N電極引線(圖6中未顯示)。具體的，所述光反射層2的材料為SiO2或Si3N4，所述光反射層2的厚度范圍是600～8000埃。所述P電極與所述P電極區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為x1，其中80％≤x1≤190％，所述N電極區(qū)光反射層與所述N電極在水平面上的投影面積百分比為y2，其中50％≤y2≤80％。請參閱圖7，顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片及其制作方法在P電極及N電極底部區(qū)域設(shè)有光反射層，該光反射層可以將發(fā)光層發(fā)射的到達(dá)電極區(qū)域的光反射回去，再傳導(dǎo)到其它區(qū)域發(fā)射出去，防止發(fā)射到電極區(qū)域的光被電極吸收掉，從而提高了發(fā)光二極管的出光效率，提高芯片的亮度。實施例二請參閱圖8，本實施例采用與實施例一基本相同的方案，不同之處在于光反射層的設(shè)置不同。在實施例一中，只有P電極及N電極底部區(qū)域設(shè)有光反射層，而本實施例中，P電極、N電極、P電極引線及N電極引線底部區(qū)域均設(shè)有光反射層，可以進(jìn)一步提高芯片的出光效率。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，所述發(fā)光二極管芯片的制造方法至少包括以下步驟：步驟1)，提供一基板1，所述基板自下而上依次包括襯底11、N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13及P型半導(dǎo)體層14；具體的，所述襯底11可以是藍(lán)寶石襯底，也可以是其它半導(dǎo)體襯底。所述N型半導(dǎo)體層12為N-GaN層，所述發(fā)光層13為多重量子阱，其材料可為In摻雜的GaN。所述P型半導(dǎo)體層14為P-GaN層。步驟2)，對所述基板1進(jìn)行部分刻蝕，在所述基板1中形成一凹陷區(qū)域15，所述凹陷區(qū)域15底部到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層12中；具體的，采用常規(guī)的MESA(平臺)刻蝕在所述基板1中形成所述凹陷區(qū)域15，所述N型半導(dǎo)體層12部分被刻蝕掉。步驟3)，在步驟2)形成的結(jié)構(gòu)上沉積光反射層2，然后對所述光反射層2進(jìn)行刻蝕，在所述P型半導(dǎo)體層14上形成P電極區(qū)光反射層21及P電極引線區(qū)光反射層23、在所述凹陷區(qū)域15的N型半導(dǎo)體層12上形成N電極區(qū)光反射層22及N電極引線區(qū)光反射層24，再進(jìn)行退火處理；具體的，所述光反射層2的材料為SiO2或Si3N4，本實施例中，所述光反射層2的材料優(yōu)選為SiO2，所述光反射層2的厚度范圍是600～8000埃。采用BOE(BufferedOxideEtch)腐蝕工藝，將P電極區(qū)域及N電極區(qū)域的SiO2保留下來。具體的，所述退火處理的溫度范圍是300～600℃，時間范圍是5～30min，氣氛為氮氣或氧氣。退火處理的目的是為了提高P電極區(qū)光反射層21、N電極區(qū)光反射層22、P電極引線區(qū)光反射層23及N電極引線區(qū)光反射層24的粘附性，并改變其折射率，使得光更容易被反射回來。步驟4)，請參閱圖5，在其余P型半導(dǎo)體層14及所述P電極區(qū)光反射層21上形成透明導(dǎo)電層3，所述透明導(dǎo)電層3覆蓋所述P電極區(qū)光反射層21；具體的，所述透明導(dǎo)電層3的材料可為常規(guī)的ITO(IndiumTinOxide(In2O3+SnO2))，所述透明導(dǎo)電層3作為透明電極。在沉積所述透明導(dǎo)電層3之后通常還包括常規(guī)的透明電極刻蝕，此為本領(lǐng)域的公知常識，此處不再贅述。步驟5)，在所述透明導(dǎo)電層3上制作P電極4及P電極引線6，所述P電極引線6連接于所述P電極4，在所述凹陷區(qū)域15的N型半導(dǎo)體層12上制作N電極5及N電極引線7，所述N電極引線7連接于所述N電極5；所述P電極4與所述P電極區(qū)光反射層21相對，所述N電極5覆蓋所述N電極區(qū)光反射層22并與N型半導(dǎo)體層12接觸，所述P電極引線6與所述P電極區(qū)光反射層23相對，所述N電極引線7與所述N電極連接的前段部分形成于所述N電極區(qū)光反射層24上，后段部分形成于所述N型半導(dǎo)體層12上。具體的，所述P電極4及N電極5為金屬電極，本實施例中，所述為P電極4及N電極5均為Cr/Pt/Au三層結(jié)構(gòu)。所述P電極引線及N電極引線的材料亦為金屬。具體的，所述P電極4與所述P電極區(qū)光反射層21在水平面上的投影面積百分比為x1，其中80％≤x1≤190％，所述N電極區(qū)光反射層22與所述N電極5在水平面上的投影面積百分比為y2，其中50％≤y2≤80％。即所述P電極區(qū)光反射層21面積既可大于也可小于所述P電極4的面積(相對面)，本實施例中，所述P電極區(qū)光反射層21面積優(yōu)選為大于所述P電極4的面積，更有利于電流擴(kuò)散。而所述N電極區(qū)光反射層22的面積要小于所述N電極的面積，所述N電極5覆蓋所述N電極區(qū)光反射層22的同時還有部分與N型半導(dǎo)體層12接觸，從而保證導(dǎo)電性。具體的，所述P電極引線與所述P電極引線區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為x2，其中80％≤x2≤190％；位于所述N電極引線區(qū)光反射層上的N電極引線與所述N電極引線區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為y1，其中50％≤y1≤80％。所述N電極引線7與所述N電極5連接的前段部分形成于所述N電極區(qū)光反射層24上，后段部分形成于所述N型半導(dǎo)體層12上的目的是為了將電流引導(dǎo)到N電極引線7的頂端(前段部分)，更有利于電流的擴(kuò)散，使得電流分布更均勻。請參閱圖8，顯示為利用本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的制作方法制作出的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。本實施例中，所述P電極引線6為一根，所述N電極引線7為兩根。需要指出的是，圖8側(cè)重顯示了P電極4、P電極引線6、P電極區(qū)光反射層21、P電極引線區(qū)光反射層23、N電極5、N電極引線7、N電極區(qū)光反射層22、N電極引線區(qū)光反射層24的相對位置，而對于其余部分的細(xì)節(jié)并沒有詳細(xì)展示，所述P電極引線6及N電極引線7的數(shù)量根據(jù)器件大小等因素可有所調(diào)整，此處特別說明，不應(yīng)過分限制本專利的保護(hù)范圍。對于一個電極連接多根電極引線的情況，可在其中至少一根電極引線底部區(qū)域設(shè)置光反射層，本實施例中，所述N電極引線7為兩根，本實施例中在其中較長的一根底部區(qū)域設(shè)置了光反射層，在其它實施例中，也可以在每根電極引線底部區(qū)域均設(shè)置光反射層。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底11、N型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13及P型半導(dǎo)體層14；所述基板上形成有一底部到達(dá)所述N型半導(dǎo)體層12中的凹陷區(qū)域；所述P型半導(dǎo)體層14上形成有P電極區(qū)光反射層21及P電極引線區(qū)光反射層23；所述凹陷區(qū)域內(nèi)的N型半導(dǎo)體層12上形成有N電極區(qū)光反射層22及N電極引線區(qū)光反射層24；所述P電極區(qū)光反射層21、P電極引線區(qū)光反射層23以及其余P型半導(dǎo)體層14上覆蓋有透明導(dǎo)電層3，即所述透明導(dǎo)電層內(nèi)還形成有P電極引線區(qū)光反射層，所述P電極引線區(qū)光反射層與所述P型半導(dǎo)體層接觸；所述透明導(dǎo)電層3上形成有P電極4及P電極引線；所述P電極4與所述P電極區(qū)光反射層21相對，所述P電極引線區(qū)光反射層與所述P電極引線相對；所述N電極區(qū)光反射層22上設(shè)有N電極5，所述N電極5覆蓋所述N電極區(qū)光反射層22并與所述N型半導(dǎo)體層12接觸，所述N電極5連接有N電極引線，所述N電極引線與所述N電極接觸的前段部分形成于所述N電極引線區(qū)光反射層上，后段部分與所述N型半導(dǎo)體層接觸。具體的，所述光反射層2的材料為SiO2或Si3N4，所述光反射層2的厚度范圍是600～8000埃。所述P電極與所述P電極區(qū)光反射層在水平面上的投影面積百分比為x1，其中80％≤x1≤190％，所述N電極區(qū)光反射層與所述N電極在水平面上的投影面積百分比為y2，其中50％≤y2≤80％。請參閱圖7，示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。請參閱表1，顯示為本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片樣品與常規(guī)樣品(P、N電極及引線底部區(qū)域無光反射層)的性能對比?？梢姡景l(fā)明的發(fā)光二極管芯片能夠提高6.46％的亮度表1本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片及其制作方法在P電極、N電極、P電極引線及N電極引線底部區(qū)域均設(shè)有光反射層，該光反射層可以將發(fā)光層發(fā)射的到達(dá)電極區(qū)域的光反射回去，再傳導(dǎo)到其它區(qū)域發(fā)射出去，防止發(fā)射到電極區(qū)域的光被電極及電極引線吸收掉，從而提高了發(fā)光二極管的出光效率，提高芯片的亮度。綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片及其制作方法采取在P電極、N電極、P電極引線及N電極引線底部區(qū)域設(shè)置光反射層的技術(shù)手段，將原本會被P、N電極及P、N電極引線吸收的光開發(fā)出來，達(dá)到提高芯片亮度的目的，并且本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片及其制作方法中，所述N電極引線只有前段部分形成于所述N電極區(qū)光反射層上，N電極區(qū)光反射層不導(dǎo)電，有利于將電流引導(dǎo)到N電極引線的頂端(前段部分)，更有利于電流的擴(kuò)散，使得芯片電流分布更均勻，提升芯片性能。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。