專利名稱：處理基材的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種處理基材的設(shè)備和方法，更具體而言，涉及一種具有簇結(jié)構(gòu)的 基材處理設(shè)備和使用它的基材處理方法。
背景技術(shù)：
通過(guò)經(jīng)由幾種工藝來(lái)處理諸如硅晶片等基材并在經(jīng)處理的基材上形成電路圖案，從而制作半導(dǎo)體器件。一般地，這種半導(dǎo)體器件通過(guò)以下過(guò)程制作用于在基材上形成薄氧化物層的氧化過(guò)程、用于涂布光致抗蝕劑的光致抗蝕劑過(guò)程、用于將對(duì)應(yīng)于電路圖案的光照射到基材上的曝光過(guò)程、用于使照射光的層顯影的顯影過(guò)程、用于選擇性地除去不必要的部分以形成電路圖案的蝕刻處理、用于將雜質(zhì)注入基材的與電路圖案連接的部分中的注入過(guò)程、用于在基材的表面上沉積諸如氣體等化學(xué)物質(zhì)以形成絕緣層或?qū)щ妼拥幕瘜W(xué)氣相沉積(CVD)過(guò)程以及用于將配線與形成在基材表面上的電路連接的金屬化過(guò)程。上面各過(guò)程可以在腔室內(nèi)進(jìn)行。近年來(lái)，由于半導(dǎo)體器件的小型化和高密度集成的增加，需要執(zhí)行這些復(fù)雜壓縮的各種腔室。根據(jù)這種趨勢(shì)，要求半導(dǎo)體制作設(shè)備的腔室之間的布局能夠改善半導(dǎo)體器件的吞吐量并且有效地進(jìn)行半導(dǎo)體制作工藝。對(duì)于代表性的例子，具有簇結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體制作設(shè)備披露在韓國(guó)注冊(cè)專利No. 10-0839911中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠改善半導(dǎo)體器件的吞吐量的基材處理設(shè)備和方法。本發(fā)明還提供一種基材處理設(shè)備和方法，其中在固定空間內(nèi)能夠設(shè)置更大量的用于進(jìn)行處理工藝的腔室。本發(fā)明還提供一種能夠減少基材的轉(zhuǎn)移路線的基材處理設(shè)備和方法。本發(fā)明構(gòu)思的特征不限于上述內(nèi)容，相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員從這些描述中可以清楚地了解本文未描述的其他特征。本發(fā)明的實(shí)施例提供處理基材的設(shè)備。在一些實(shí)施例中，所述處理基材的設(shè)備可以包括裝載口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于處理所述基材的處理模塊；和轉(zhuǎn)移模塊，包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手，其中所述處理模塊可以包括轉(zhuǎn)移室，包括用于轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手；設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的裝載鎖閉室；用于進(jìn)行第一處理工藝的第一處理室，它與所述轉(zhuǎn)移模塊間隔開(kāi)并且設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)缓陀糜谶M(jìn)行第二處理工藝的第二處理室，它設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)Ｔ谄渌麑?shí)施例中，第二處理室可以設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間。在其他實(shí)施例中，第二處理室可以包括殼體，具有在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移室的側(cè)面中的第一開(kāi)口和在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移模塊的側(cè)面中的第二開(kāi)口 ；用于打開(kāi)或關(guān)閉第一開(kāi)口的第一門(mén)；用于打開(kāi)或關(guān)閉第二開(kāi)口的第二門(mén)；用于使所述殼體的內(nèi)部減壓的減壓件；設(shè)置在所述殼體內(nèi)以支撐所述基材的支撐件；和用于加熱放置在所述支撐件上的基材的加熱件。在其他實(shí)施例中，第二處理室可以包括殼體，具有面對(duì)所述轉(zhuǎn)移室的側(cè)面和另一擋住側(cè)，在所述側(cè)面中限定有第一開(kāi)口 ；用于打開(kāi)或關(guān)閉第一開(kāi)口的第一門(mén)；設(shè)置在所述殼體內(nèi)以支撐所述基材的支撐件；和用于加熱放置在所述支撐件上的基材的加熱件。在其他實(shí)施例中，第二處理室可以包括用于產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到所述殼體中的供應(yīng)管。 在其他實(shí)施例中，所述裝載鎖閉室可以包括用于提供緩沖空間的殼體，所述殼體具有在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移室的側(cè)面中的第一開(kāi)口和在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移模塊的側(cè)面中的第二開(kāi)口；用于打開(kāi)或關(guān)閉第一開(kāi)口的第一門(mén)；用于打開(kāi)或關(guān)閉第二開(kāi)口的第二門(mén)；和用于支撐所述基材以使所述基材設(shè)置在所述緩沖空間中的至少一個(gè)狹槽。在其他實(shí)施例中，所述裝載鎖閉室和第二處理室可以彼此疊置。在其他實(shí)施例中，第二處理室可以設(shè)置在所述裝載鎖閉室下方。在其他實(shí)施例中，其中第二處理室可以包括殼體，它設(shè)置在所述裝載鎖閉室下方；等離子體源，它設(shè)置在所述裝載鎖閉室上方，用于產(chǎn)生等離子體；和供應(yīng)管，它設(shè)置在所述裝載鎖閉室的外壁上，用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到所述殼體中。 在其他實(shí)施例中，所述處理模塊可以包括多個(gè)第二處理室。在其他實(shí)施例中，所述多個(gè)第二處理室中的每一個(gè)可以包括殼體；用于產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到所述殼體中的供應(yīng)管。在其他實(shí)施例中，所述處理模塊可以包括用于產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到多個(gè)第二處理室中的每一個(gè)的殼體中的供應(yīng)管，其中所述供應(yīng)管可以與所述等離子體源連接并分支到所述多個(gè)第二處理室中，閥門(mén)設(shè)置在每個(gè)分支的供應(yīng)管中。在其他實(shí)施例中，所述多個(gè)第二處理室可以彼此疊置。在其他實(shí)施例中，所述多個(gè)第二處理室可以在橫向上平行設(shè)置。在其他實(shí)施例中，第二處理室可以與第一處理室疊置。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，處理基材的設(shè)備包括裝載口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于處理所述基材的處理模塊；和轉(zhuǎn)移模塊，包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手，其中所述處理模塊可以包括轉(zhuǎn)移室，包括用于轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手；用于進(jìn)行第一處理工藝的第一處理室，它與所述轉(zhuǎn)移模塊間隔開(kāi)并且設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)辉O(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的裝載鎖閉室；和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的第二處理室，其中所述裝載鎖閉室和第二處理室具有彼此不同的結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，所述裝載鎖閉室和第二處理室可以彼此疊置。
在其他實(shí)施例中，第二處理室可以設(shè)置在所述裝載鎖閉室下方。在其他實(shí)施例中，所述裝載鎖閉室可以包括用于提供緩沖空間的第一殼體；和用于支撐所述基材以使所述基材設(shè)置在所述緩沖空間中的至少一個(gè)狹槽，其中第二處理室可以包括設(shè)置在第一殼體下方的第二殼體；設(shè)置在第二殼體內(nèi)以支撐所述基材的支撐件；設(shè)置在第一殼體上方以產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到第二殼體中的供應(yīng)管。 在其他實(shí)施例中，所述裝載鎖閉室和第二處理室可以在橫向上平行設(shè)置。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，提供一種使用基材處理設(shè)備處理基材的方法，所述基材處理設(shè)備包括其上放置用于收容所述基材的容器的裝載口、用于處理所述基材的處理模塊和轉(zhuǎn)移模塊，所述轉(zhuǎn)移模塊包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手，其中所述處理模塊可以包括轉(zhuǎn)移室、第一處理室、裝載鎖閉室和第二處理室，所述方法包括通過(guò)所述裝載鎖閉室將收容在所述容器中的基材從所述轉(zhuǎn)移模塊轉(zhuǎn)移到所述處理模塊中；在第一處理室中進(jìn)行第一處理工藝；在設(shè)置于所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的 第二處理室中進(jìn)行第二處理工藝；和將所述基材從所述處理模塊轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中。在一些實(shí)施例中，所述的將所述基材轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中可以包括在進(jìn)行第二處理工藝之后將所述基材從第二處理室直接轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中。在其他實(shí)施例中，所述方法還可以包括在將所述基材轉(zhuǎn)移到第二處理室中之前將第二處理室的內(nèi)部壓力減壓。在其他實(shí)施例中，所述的將所述基材轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中可以包括在進(jìn)行第二處理工藝之后通過(guò)所述轉(zhuǎn)移室的轉(zhuǎn)移機(jī)械手將所述基材從第二處理室轉(zhuǎn)移到所述裝載鎖閉室中；和通過(guò)所述轉(zhuǎn)移模塊的轉(zhuǎn)移機(jī)械手從所述裝載鎖閉室取出所述基材。在其他實(shí)施例中，第一處理工藝可以包括蝕刻處理、分層處理、灰化處理、剝離處理和沉積處理中的至少一種。在其他實(shí)施例中，第二處理工藝可以包括清潔處理、剝離處理、灰化處理和加熱處理中的至少一種。


附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，且被并入說(shuō)明書(shū)中構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖顯示本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備的平面圖；圖2和圖3是顯示圖I的裝載鎖閉室的剖視圖；圖4和圖5是顯示圖I的第二處理室的剖視圖；圖61是顯示圖I的裝載鎖閉室和第二處理室之間的配置關(guān)系的立體圖；圖9是顯示圖I的裝載鎖閉室和第二處理室之間的配置關(guān)系的剖視圖；圖10和圖11是顯不圖I的第_■處理室和等尚子體源之間的連接關(guān)系的視圖；圖12是顯示彼此疊置的第二處理室的配置的立體圖；圖13是不與其他室疊置的第二處理室的立體圖；圖14是第一處理室和第二處理室彼此疊置的基材處理設(shè)備的平面圖；圖15是顯示第一處理室和第二處理室的配置的立體圖16是不與轉(zhuǎn)移模塊交換基材的第二處理室的剖視圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法的流程圖；
圖18是顯示在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法中基材的移動(dòng)路徑的視圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基材處理方法的流程圖；和圖20是顯示在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基材處理方法中基材的移動(dòng)路徑的視圖。
具體實(shí)施例方式提供本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例是為了使本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容清楚和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地表達(dá)本發(fā)明的范圍。然而，本發(fā)明可以體現(xiàn)為多種不同形式，并且不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明受限于在此提出的實(shí)施例。因此，顯然的是，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化。還可以理解的是，盡管使用了具體術(shù)語(yǔ)并且附圖容易地描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于這些術(shù)語(yǔ)和附圖。此外，為了避免不必要地混淆本發(fā)明的主題，未對(duì)與公知的功能或構(gòu)造有關(guān)的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。下面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000?；奶幚碓O(shè)備1000是一種從外部轉(zhuǎn)移基材S以進(jìn)行處理、然后經(jīng)處理的基材S再次轉(zhuǎn)移到外部的設(shè)備。這里，應(yīng)該理解的是，作為廣泛概念，基材S可以包括各種晶片，包括硅晶片、玻璃基材、有機(jī)基材和石墨烯等，以及用于制作半導(dǎo)體器件、顯示裝置、具有在其上形成電路的薄膜的產(chǎn)品等的基材。下面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000。圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000的平面圖。基材處理設(shè)備1000包括裝載口 1100、轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300。在其內(nèi)收容基材S的容器C設(shè)置在裝載口 1100中。轉(zhuǎn)移模塊1200在容器C和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移基材S。對(duì)基材S進(jìn)行的各種處理在處理模塊1300中進(jìn)行。在其內(nèi)收容基材S的容器C設(shè)置在裝載口 1100中。—個(gè)或多個(gè)基材S可以收容在容器C中。例如，25個(gè)基材S可以收容在容器C中。容器C的內(nèi)部空間可以從外部密封。例如，作為密封容器的前開(kāi)式晶片盒可以用作容器C。容器C的內(nèi)部空間可以被密封，以防止收容在容器C中的基材S被污染。容器C從外部轉(zhuǎn)移，然后裝載到裝載口 1100中。此外，容器C從裝載口 1100裝載，然后轉(zhuǎn)移到外部。例如，容器C可以通過(guò)諸如頂置式傳送器等轉(zhuǎn)移裝置從其他基材處理設(shè)備轉(zhuǎn)移，然后裝載到裝載口 1100中。此外，容器C可以從裝載口 1100卸載，然后轉(zhuǎn)移到其他基材處
理設(shè)備。容器C的轉(zhuǎn)移、裝載和卸載可以通過(guò)除了頂置式傳送器之外的諸如自動(dòng)導(dǎo)引車(chē)和軌道導(dǎo)引車(chē)等其他轉(zhuǎn)移裝置或者由工人進(jìn)行。
基材處理設(shè)備1000包括一個(gè)或多個(gè)裝載口 1100。裝載口 1100設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200的一側(cè)。如果裝載口 1100設(shè)有多個(gè)，則多個(gè)裝載口 1100可以彼此密集地設(shè)置。例如，如圖I所示，3個(gè)裝載口 1100可以在轉(zhuǎn)移模塊1200的長(zhǎng)度方向(X-方向)上平行地設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200的與面對(duì)處理模塊1300的一側(cè)相對(duì)的那側(cè)上。裝載口 1100的數(shù)量或布置可以不同于上述數(shù)量或布置。轉(zhuǎn)移模塊1200在容器C和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移基材S。例如，轉(zhuǎn)移模塊1200可以從容器C取出基材S以將基材S轉(zhuǎn)移到處理模塊1300，或者從處理模塊1300取出基材S以將基材S轉(zhuǎn)移到容器C。轉(zhuǎn)移模塊1200包括殼體1210和轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220。殼體1210提供與外部隔離的內(nèi)部空間。殼體1210可以呈大致長(zhǎng)方體形狀?？蛇x
擇地，殼體1210可以呈不同于長(zhǎng)方體形狀的形狀。殼體1210具有面對(duì)裝載口 1100的一側(cè)?；腟進(jìn)入和退出的開(kāi)口限定在殼體1210的該側(cè)。此外，用于打開(kāi)或關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D設(shè)置在殼體1210的該側(cè)。此外，殼體1210具有面對(duì)處理模塊1300的另一側(cè)?；腟進(jìn)入和退出的開(kāi)口限定在殼體1210的該另一側(cè)。此外，用于打開(kāi)或關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D設(shè)置在殼體1210的該另一側(cè)。該側(cè)和該另一側(cè)彼此相對(duì)。用于凈化殼體1210的內(nèi)部空間內(nèi)的空氣的風(fēng)機(jī)過(guò)濾器單元可以設(shè)置在殼體1210的頂面上。因此，在殼體1210的內(nèi)部空間內(nèi)凈化的空氣可以從上側(cè)向下流動(dòng)。因此，殼體1210的內(nèi)部空間可以保持比外部更清潔。用于打開(kāi)或關(guān)閉容器C的容器開(kāi)啟器可以設(shè)置在殼體1210內(nèi)。當(dāng)通過(guò)該容器開(kāi)啟器打開(kāi)容器C時(shí)，轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以從容器C取出基材S。此外，在通過(guò)轉(zhuǎn)移機(jī)械手1210轉(zhuǎn)移基材S以在容器C中收容基材S之后，該容器開(kāi)啟器可以關(guān)閉容器C。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220在設(shè)置于裝載口 1100上的容器C和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移基材S。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220設(shè)置在殼體1210內(nèi)。例如，轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以固定在殼體1210的中央部?？蛇x擇地，轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以在轉(zhuǎn)移模塊1200的長(zhǎng)度方向(X-方向)上沿著設(shè)置于殼體1210內(nèi)的轉(zhuǎn)移軌道移動(dòng)。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以垂直移動(dòng)。此外，轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以包括在平面上前后移動(dòng)或者轉(zhuǎn)動(dòng)的手部1225。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220的手部1225可以設(shè)有一個(gè)或多個(gè)。處理模塊1300對(duì)基材S進(jìn)行處理工藝。處理模塊1300包括裝載鎖閉室1310、轉(zhuǎn)移室1320、第一處理室1330和第二處理室1340。裝載鎖閉室1310設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320和轉(zhuǎn)移模塊1200之間，以提供緩沖空間B，基材S通過(guò)該緩沖空間在轉(zhuǎn)移室1320和轉(zhuǎn)移模塊1200之間交換。轉(zhuǎn)移室1320包括用于轉(zhuǎn)移基材S以在容器C和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移基材S的機(jī)械手。第一處理室1330設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320周?chē)赃M(jìn)行第一處理工藝。第二處理室1340設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間以進(jìn)行第二處理工藝。下面，說(shuō)明處理模塊1300的構(gòu)成。由于不必須全部的上述部件，因此處理模塊1300可以選擇性地包括上述部件的一部分。裝載鎖閉室1310提供緩沖空間B，基材S通過(guò)該緩沖空間在容器C和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移。該緩沖空間可以通過(guò)限定裝載鎖閉室1310的外壁的殼體1210與外部隔離。在容器C和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移的基材S可以臨時(shí)地停留在緩沖空間B中。裝載鎖閉室1310設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間。至少一個(gè)裝載鎖閉室1310可以設(shè)置在處理模塊1300中。如果設(shè)置多個(gè)裝載鎖閉室1310，則多個(gè)裝載鎖閉室1310可以沿著轉(zhuǎn)移模塊1200的橫向(即，長(zhǎng)度方向(X-方向))平行配置，可以彼此疊置，或者可以通過(guò)平行配置和堆疊配置的組合而配置。例如，如圖I所示，兩個(gè)裝載鎖閉室1310可以設(shè)置成使得兩個(gè)裝載鎖閉室1310的一側(cè)面對(duì)轉(zhuǎn)移模塊1200，并且兩個(gè)裝載鎖閉室1310的另一側(cè)面對(duì)轉(zhuǎn)移室1320。圖2和圖3是顯示圖I的裝載鎖閉室1310的剖視圖。圖2是沿著圖I的線A-A的剖視圖，圖3是沿著圖I的線B-B的剖視圖。裝載鎖閉室1310通過(guò)其與轉(zhuǎn)移模塊1200交換基材的開(kāi)口限定在裝載鎖閉室1310的一側(cè)。此外，用于打開(kāi)或關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D設(shè)置在裝載鎖閉室1310的該側(cè)上。裝載鎖閉 室1310通過(guò)其與轉(zhuǎn)移室1320交換基材的開(kāi)口限定在裝載鎖閉室1310的另一側(cè)。此外，用于打開(kāi)和關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D限定在裝載鎖閉室1310的該另一側(cè)。該側(cè)和該另一側(cè)可以彼此相對(duì)。在其上放置基材S的至少一個(gè)緩沖狹槽1311設(shè)置在裝載鎖閉室1310內(nèi)。緩沖狹槽1311可以設(shè)有多個(gè)。例如，四個(gè)狹槽1311可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310內(nèi)。多個(gè)緩沖狹槽1311可以彼此垂直地間隔開(kāi)，并且設(shè)置在裝載鎖閉室1310的內(nèi)壁上。每個(gè)緩沖狹槽可以呈彼此間隔開(kāi)的板狀，以支撐基材S的邊緣。轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220和1325的手部1225和1326可以沿著在板之間間隔開(kāi)的空間垂直地移動(dòng)，以將基材S放置在緩沖狹槽1311上或拾取放置在緩沖狹槽1311上的基材S。因此，基材S可以通過(guò)裝載鎖閉室1310在轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移。裝載鎖閉室1310包括用于控制裝載鎖閉室1310的內(nèi)部壓力的減壓件1315。減壓件1315控制緩沖空間內(nèi)的壓力。減壓件1315可以通過(guò)減壓泵1316和泵管線1317實(shí)施。減壓泵1316使用外部電源抽吸空氣。減壓泵1316通過(guò)泵管線1317與裝載鎖閉室1310的內(nèi)部連接。用于控制空氣流動(dòng)的閥門(mén)V設(shè)置在泵管線1317中。一般地，處理模塊1300的內(nèi)部壓力可以保持在預(yù)設(shè)壓力下，以提供足以對(duì)基材S進(jìn)行處理的環(huán)境。因此，轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300可以具有彼此不同的壓力。例如，轉(zhuǎn)移模塊的內(nèi)部可以處于大氣壓力狀態(tài)下，處理模塊1300的內(nèi)部可以處于真空狀態(tài)下。然而，轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300不必須具有彼此不同的內(nèi)部壓力。也就是說(shuō)，轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300可以具有相同的內(nèi)部壓力。減壓件1315可以控制裝載鎖閉室1310的內(nèi)部壓力，以防止當(dāng)基材S在轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移時(shí)空氣從轉(zhuǎn)移模塊1200通過(guò)裝載鎖閉室1310引入處理模塊1300。例如，在基材S從具有大氣壓力狀態(tài)的轉(zhuǎn)移模塊1200轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310之后并且在基材S轉(zhuǎn)移到具有真空狀態(tài)的轉(zhuǎn)移室之前，減壓件1315可以使緩沖空間減壓到真空狀態(tài)。因此，可以保持處理模塊1300的內(nèi)部壓力?；腟在設(shè)置于轉(zhuǎn)移室1320周?chē)母魇抑g轉(zhuǎn)移。轉(zhuǎn)移室1320可以具有多邊形形狀。裝載鎖閉室1310、第一處理室1330和第二處理室1340設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320的周?chē)?。例如，如圖I所示，具有六邊形形狀的轉(zhuǎn)移室1320可以設(shè)置在處理模塊1300的中央部，并且裝載鎖閉室1310、第一處理室1330和第二處理室1340可以設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320的周?chē)Ｈ欢?，轉(zhuǎn)移室1320可以具有不同于上述形狀和位置的形狀和位置。轉(zhuǎn)移室1320包括用于轉(zhuǎn)移基材S的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325。轉(zhuǎn)移室1320可以使用轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325在設(shè)置于轉(zhuǎn)移室周?chē)母魇抑g轉(zhuǎn)移基材S。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320內(nèi)。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325可以固定在轉(zhuǎn)移室1320的中央部。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325可以垂直移動(dòng)。此外，轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325可以包括在平面上前后移動(dòng)或者轉(zhuǎn)動(dòng)的手部1326。轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325的手部1326可以設(shè)有一個(gè)或多個(gè)。第一處理室1330進(jìn)行第一處理工藝。例如，第一處理工藝可以包括蝕刻處理、分層處理、灰化處理、剝離處理和沉積處理。然而，第一處理工藝不限于上述處理。一個(gè)或多個(gè)第一處理室1330可以設(shè)置在處理模塊1300中。當(dāng)設(shè)有多個(gè)第一處理 室1330時(shí)，多個(gè)第一處理室1330中的一部分或全部可以進(jìn)行相同處理。可選擇地，多個(gè)第一處理室1330中的一部分或全部可以進(jìn)行彼此不同的處理。第一處理室1330設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320的周?chē)?。這里，第一處理室1330可以與轉(zhuǎn)移模塊1200間隔設(shè)置。第一處理室1330的內(nèi)部壓力可以保持在預(yù)設(shè)壓力下，以提供足以進(jìn)行第一處理工藝的環(huán)境。例如，內(nèi)部壓力可以保持在壓力小于大氣壓力的真空狀態(tài)。第一處理室1330可以具有用于進(jìn)行上述第一處理工藝的總體構(gòu)成和結(jié)構(gòu)。第二處理室1340進(jìn)行第二處理工藝。例如，第二處理工藝可以包括清潔處理、剝離處理、灰化處理、加熱處理和烘烤處理?；旧?，第二處理工藝可以是在進(jìn)行第一處理工藝之后進(jìn)行的后續(xù)工藝，或者是在進(jìn)行第一處理工藝之前進(jìn)行的在先工藝。例如，當(dāng)進(jìn)行蝕刻處理作為第一處理工藝時(shí)，第二處理工藝可以是用于除去在基材上產(chǎn)生的雜質(zhì)的清潔處理、剝離處理、灰化處理或烘烤處理。這里，可以使用等離子體P進(jìn)行上述各處理。對(duì)于另一個(gè)例子，當(dāng)?shù)谝惶幚砉に囀俏g刻處理時(shí)，第二處理工藝可以是用于改善光致抗蝕劑的粘合力的粘合處理或者軟烘烤處理。然而，第二處理工藝不限于上述處理。至少一個(gè)第二處理室1340設(shè)置在處理模塊1300中。如果第二處理室1340設(shè)有多個(gè)，則多個(gè)第二處理室1340可以進(jìn)行相同處理。第二處理室1340設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320和轉(zhuǎn)移模塊1200之間。第二處理室1340可以設(shè)置在與裝載鎖閉室1310相同或相似的位置上，但是具有不同于裝載鎖閉室1310的構(gòu)成。設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320和轉(zhuǎn)移模塊1200之間的第二處理室1340在轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移基材S。在進(jìn)行第二處理工藝之后，第二處理室1340可以將基材S直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。例如，第二處理室1340對(duì)利用轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325轉(zhuǎn)移到第二處理室1340的基材S進(jìn)行第二處理工藝。然后，進(jìn)行過(guò)第二處理工藝的基材可以從第二處理室1340轉(zhuǎn)移。轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以從第二處理室1340取出基材S以在容器C中收容基材S。下面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000的第二處理室1340的構(gòu)成。圖4和圖5是顯示圖I的第二處理室1340的剖視圖。第二處理室1340包括殼體1341、支撐件1342、加熱件1343、減壓件1345、等離子體源1348和供應(yīng)管1349。然而，由于不必須基本上設(shè)置全部的上述部件，因此第二處理室1340可以選擇性地包括上述部件的全部或一部分。因此，如果第二處理室1340設(shè)有多個(gè)，則各第二處理室1340可以具有彼此相同或不同的構(gòu)成。殼體1341提供與外部隔離的內(nèi)部空間。殼體1341具有面對(duì)轉(zhuǎn)移室1320的一側(cè)。基材S進(jìn)入和退出的開(kāi)口限定在殼體1341的該側(cè)。此外，用于打開(kāi)或關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D設(shè)置在殼體1341的該側(cè)。此外，殼體1341具有面對(duì)轉(zhuǎn)移模塊1200的另一側(cè)?；腟進(jìn)入和退出的開(kāi)口限定在殼體1341的該另一側(cè)。此外，用于打開(kāi)或關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D設(shè)置在殼體1341的該另一側(cè)。該側(cè)和該另一側(cè)彼此相對(duì)。支撐件1342設(shè)置在殼體1341內(nèi)以支撐基材S?；腟可以裝載到支撐件1342的頂面上。支撐件1342的頂面可以具有大于基材S的面積以及與基材S相似的形狀。
在安放基材S之前將要在其上放置基材S的提升銷(xiāo)可以設(shè)置在支撐件1342上。當(dāng)基材S被放置在提升銷(xiāo)上時(shí)，基材S可以安放在支撐件1342上。加熱件1343加熱裝載在支撐件1342上的基材S。例如，加熱件1343可以是接收外部電力以產(chǎn)生熱量的加熱器或者注射流體或氣體到基材S上的裝置。然而，加熱件1343不限于上述裝置。如果不必須加熱基材S以進(jìn)行第二處理工藝，則第二處理室1340可以不包括加熱件1343。加熱件1343可以設(shè)置在支撐件1342內(nèi)。加熱件1343可以產(chǎn)生熱量以將熱量經(jīng)由支撐件1342傳遞到基材S，從而在預(yù)定溫度下加熱基材S。支撐件1342可以由具有高熱導(dǎo)率和低熱變形性的材料形成。減壓件1345控制第二處理室1340的內(nèi)部壓力。減壓件1345可以包括減壓泵1346和泵管線1347。減壓泵1346可以使用外部電源抽吸空氣，泵管線1347可以將減壓泵1346連接到第二處理室1340。減壓件1345可以控制第二處理室1340的內(nèi)部壓力，以防止當(dāng)基材S在轉(zhuǎn)移模塊1200和處理模塊1300之間轉(zhuǎn)移時(shí)處理模塊1300內(nèi)的壓力變化。例如，在基材S轉(zhuǎn)移到具有大氣壓力的轉(zhuǎn)移模塊1200之后并且在基材S轉(zhuǎn)移到具有真空狀態(tài)的轉(zhuǎn)移室1320之前，減壓件1345可以對(duì)第二處理室1340施加真空壓力。因此，可以保持處理模塊1300的內(nèi)部壓力在真空狀態(tài)下。等離子體源1348設(shè)置在殼體1341外部以產(chǎn)生等離子體P。等離子體源1348包括氣體供應(yīng)部和等離子體發(fā)生器。該氣體供應(yīng)部供應(yīng)氣體，該等離子體發(fā)生器使用供應(yīng)的氣體產(chǎn)生等離子體P。該等離子體發(fā)生器可以是遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器。供應(yīng)管1349將在等離子體源1348中產(chǎn)生的等離子體P供應(yīng)到殼體1341。通過(guò)供應(yīng)管1349供應(yīng)到殼體1341的等離子體P可以通過(guò)淋浴噴頭注入。然而，等離子體源1348不必須設(shè)置在殼體1341外部。例如，氣體可以供應(yīng)到殼體1341中，電容耦合等離子體發(fā)生器(CCP)或電感耦合等離子體發(fā)生器(ICP)可以設(shè)置在殼體1341內(nèi)部，以使用供應(yīng)的氣體在殼體1341內(nèi)直接產(chǎn)生等離子體P。因此，第二處理室1340可以接收等離子體P以使用等離子體P進(jìn)行第二處理工藝。例如，第二處理室1340可以使用等離子體P進(jìn)行清潔處理。
然而，如果不必須使用等離子體P以進(jìn)行第二處理工藝，則第二處理室1340可以不包括等離子體源1348和供應(yīng)管1349?？蛇x擇地，進(jìn)行第二處理工藝所需的其他部件可以替換等離子體源1348和供應(yīng)管1349。例如，當(dāng)?shù)诙幚硎?340使用化學(xué)品進(jìn)行清潔處理時(shí)，用于供應(yīng)化學(xué)品的化學(xué)品供應(yīng)部可以替換等離子體源1348。參照?qǐng)D5，第二處理室1340不包括等離子體源1348和供應(yīng)管1349。下面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000的第二處理室1340的配置。圖6 8是顯示圖I的裝載鎖閉室1310和第二處理室1340的配置的立體圖。第二處理室1340與裝載鎖閉室1310設(shè)置在一起。 第二處理室1340和裝載鎖閉室1310可以彼此垂直疊置。然而，裝載鎖閉室1310和第二處理室1340可以設(shè)置成具有不同于上述配置的配置。第二處理室1340可以設(shè)置并疊置在裝載鎖閉室1310的下方。參照?qǐng)D6，一個(gè)第二處理室1340可以設(shè)置并疊置在裝載鎖閉室1310的下方，其他的裝載鎖閉室1310可以沿著轉(zhuǎn)移模塊1200的長(zhǎng)度方向(X-方向)彼此疊置。至少一個(gè)第二處理室1340可以設(shè)置在處理模塊1300中。如果第二處理室1340設(shè)有多個(gè)，則多個(gè)第二處理室1340可以沿著轉(zhuǎn)移模塊1200的長(zhǎng)度方向(X-方向)平行設(shè)置。參照?qǐng)D7，兩個(gè)第二處理室1340可以分別設(shè)置并疊置在裝載鎖閉室1310的下方。第二處理室1340可以設(shè)置并疊置在裝載鎖閉室1310的上方。這里，裝載鎖閉室1310可以疊置在第二處理室1340的下方，并且第二處理室1340的殼體1341可以疊置在裝載鎖閉室1310的上方。此外，等離子體源1348可以疊置在第二處理室1340的殼體1341的上方。參照?qǐng)D8，兩個(gè)第二處理室1340可以分別設(shè)置并疊置在裝載鎖閉室1310的上方。第二處理室1340的一部分可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310的上方，第二處理室1340的另一部分可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310的下方。例如，第二處理室1340的殼體1341可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310的上方或下方，其中裝載鎖閉室置于其間。此外，第二處理室1340的等離子體源1348可以設(shè)置在與殼體1341相對(duì)的一側(cè)上。圖9是顯示裝載鎖閉室1310和第二處理室1340之間的配置關(guān)系的剖視圖。參照?qǐng)D9，第二處理室1340的殼體1341可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310的下方，并且等離子體源1348可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310的上方。此外，供應(yīng)管1349可以埋在裝載鎖閉室1310的外壁中并從等離子體源1348連接到第二處理室1340的內(nèi)部。然而，等離子體源1348的位置和供應(yīng)管1349的形狀可以與上述位置和形狀不同。例如，等離子體源1348可以設(shè)置在裝載鎖閉室1310的側(cè)面上、在第二處理室1340的側(cè)面上或在第二處理室1340的下方。此夕卜，供應(yīng)管1349可以沿著裝載鎖閉室1310的外壁設(shè)置。彼此疊置的第二處理室1340和裝載鎖閉室1310可以共用減壓件1315或1345。裝載鎖閉室1310和第二處理室1340可以分別包括單獨(dú)的減壓泵1316和1346或者共用一個(gè)減壓泵1316或1346。當(dāng)裝載鎖閉室1310和第二處理室1340共用一個(gè)減壓泵1316或1346時(shí)，泵管線1317或1347可以從減壓泵1316或1346延伸出來(lái)，然后分支，使得分支的泵管線1317和1347分別與裝載鎖閉室1310和第二處理室1340連接。用于控制空氣流動(dòng)的閥門(mén)V設(shè)置在分支的泵管線1317和1347中。此外，如上所述，至少一個(gè)第二處理室1340可以設(shè)置在處理模塊1300中。如果第二處理室1340設(shè)有多個(gè)，則多個(gè)第二處理室1340可以分別包括多個(gè)等離子體源1348或共用一個(gè)等離子體源1348。圖10和圖11是顯示圖I的第二處理室1340和等離子體源1348之間的連接關(guān)系的視圖。例如，多個(gè)第二處理室1340可以包括多個(gè)等離子體源1348。參照?qǐng)D10，兩個(gè)第二處理室1340中的每一個(gè)可以包括單獨(dú)的等離子體源1348并且通過(guò)彼此不同的供應(yīng)管1349與第二處理室1340連接。對(duì)于另一個(gè)例子，多個(gè)第二處理室1340可以共用一個(gè)等離子體源1348。參照?qǐng)D11，兩個(gè)第二處理室1340共用一個(gè)等離子體源1348。此外，供應(yīng)管1349可以從等離子體源1348延伸出來(lái)，然后分支，使得分支的供應(yīng)管1349分別與第二處理室連接。用于控制等離子體P流動(dòng)的閥門(mén)V設(shè)置在每個(gè)分支的供應(yīng)管1349中。例如，主供應(yīng)管可以從等離子體源1348的側(cè)面延伸出來(lái)，然后分支成用于將等離子體P供應(yīng)到一個(gè)第二處理室1340的第一支管和用于將等離子體P供應(yīng)到另一個(gè)第二處理室1340的第二支管。此外，閥門(mén)V可以 設(shè)置在第一和第二支管的每一個(gè)中。等離子體P可以通過(guò)閥門(mén)V選擇性地供應(yīng)到多個(gè)第二處理室1340的在內(nèi)進(jìn)行第二處理工藝的那個(gè)室中。如果第二處理室1340設(shè)有多個(gè)，則減壓件1345可以具有與等離子體源1348類似的連接關(guān)系。多個(gè)第二處理室1340可以分別包括單獨(dú)的減壓泵1346或共用一個(gè)減壓泵1346。當(dāng)多個(gè)第二處理室共用減壓泵1346時(shí)，泵管線1347可以從減壓泵1346延伸出來(lái)，然后分支，使得分支的泵管線1347分別與第二處理室1340連接。用于控制空氣流動(dòng)的閥門(mén)V設(shè)置在分支的泵管線1347中。盡管在本實(shí)施例中第二處理室1340包括等離子體源1348和供應(yīng)管1349，但是第二處理室1340可以不包括等離子體源1348。也就是說(shuō)，等離子體源1348和供應(yīng)管1349可以設(shè)置在第二處理室1340的外部并且被設(shè)置作為處理模塊1300的部件。在根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000中，由于第二處理室1340與裝載鎖閉室1310疊置并設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間，因此更大量的第一處理室1330可以設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320的周?chē)?。此外，由于第二處理?340設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間以將基材S直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中，因此基材的轉(zhuǎn)移路線可以減少。因此，更大量的第一處理室1330可以設(shè)置在基材處理設(shè)備1000中。此外，由于基材S的不必須轉(zhuǎn)移減少，因此基材S的吞吐量可以得到改善。下面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000的改進(jìn)例。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000中，第二處理室1340與裝載鎖閉室1310疊置并設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間。然而，設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間的第二處理室1340不必須與裝載鎖閉室1310疊置。圖12是顯示彼此疊置的第二處理室1340的配置的立體圖。當(dāng)多個(gè)第二處理室1340設(shè)置在處理模塊1300中時(shí)，一個(gè)處理室1340可以疊置在另一個(gè)處理室1340上并且設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間。參照?qǐng)D12，兩個(gè)第二處理室1340可以彼此疊置，并且兩個(gè)裝載鎖閉室1310可以彼此疊置。當(dāng)?shù)诙幚硎?340彼此疊置時(shí)，各第二處理室1340可以分別包括減壓件1345或等離子體源1348或者共用一個(gè)減壓件1345或等離子體源1348。此外，設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間的第二處理室1340不必須與另一個(gè)第二處理室1340疊置。圖13是不與其他室疊置的第二處理室1340的立體圖。參照?qǐng)D13，可以僅有一個(gè)第二處理室1340設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間，并且彼此疊置的兩個(gè)裝載鎖閉室可以沿著轉(zhuǎn)移模塊1200的長(zhǎng)度方向(X-方向)平行設(shè)置。此外，第二處理室1340不必須設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間。例如，第二處理室1340可以設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320周?chē)⑴c轉(zhuǎn)移模塊1200間隔開(kāi)。例如，第二處理室1340可以與第一處理室1330疊置。

圖14是第一處理室1330和第二處理室1340彼此疊置的基材處理設(shè)備的平面圖，圖15是第一處理室1330和第二處理室1340的配置的立體圖。參照?qǐng)D14和圖15，第二處理室1340可以設(shè)置并疊置在第一處理室1330的上方。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000中，第二處理室1340將基材S直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。然而，第二處理室1340不必須將基材直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。例如，基材S可以不在第二處理室1340和轉(zhuǎn)移模塊1200之間轉(zhuǎn)移。圖16是不與轉(zhuǎn)移模塊1200交換基材S的第二處理室1340的剖視圖。開(kāi)口限定在第二處理室1340的殼體1341的面對(duì)轉(zhuǎn)移室1320的那側(cè)中。此外，用于打開(kāi)和關(guān)閉該開(kāi)口的門(mén)D設(shè)置在殼體1341的該側(cè)上。然而，除了殼體1341的該側(cè)之外，在第二處理室1340的殼體1341的其他側(cè)中未限定開(kāi)口。因此，未設(shè)置門(mén)D，并且其他側(cè)被擋住。因此，第二轉(zhuǎn)移室1340可以僅與轉(zhuǎn)移室1320交換基材S而不與轉(zhuǎn)移模塊1200交換基材S。當(dāng)?shù)诙幚硎?340和轉(zhuǎn)移模塊1200彼此未交換基材S時(shí)，不會(huì)發(fā)生由于在第二處理室1340和轉(zhuǎn)移模塊1200之間交換基材S引起的處理模塊1300的內(nèi)部壓力變化。因此，第二處理室1340可以不包括減壓件1345。此外，由于第二處理室1340未將基材直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中，因此可以通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325從第二處理室1340取出在第二處理室1340中被進(jìn)行第二處理工藝的基材S，然后轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中。然后，可以通過(guò)轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220再次取出轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中的基材S，然后收容到容器C中。如上所述，開(kāi)口可以僅限定在殼體1341的面對(duì)轉(zhuǎn)移室1320的一側(cè)中而其他側(cè)被擋住的第二處理室1340可以設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊1200和轉(zhuǎn)移室1320之間或者與轉(zhuǎn)移模塊1200間隔開(kāi)并設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320的周?chē)?。下面，說(shuō)明使用根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000的基材處理方法。在根據(jù)本發(fā)明的基材處理方法中，使用根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000僅僅是易于說(shuō)明的例子。因此，根據(jù)本發(fā)明的基材處理方法不受根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000的限制。因此，除了根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備1000之外，根據(jù)本發(fā)明的基材處理方法可以使用能夠執(zhí)行與基材處理設(shè)備1000相同或相似功能的其他基材處理設(shè)備進(jìn)行。圖17是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法的流程圖，圖18是顯示基材S的移動(dòng)路徑的視圖。參照?qǐng)D17，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法可以包括通過(guò)轉(zhuǎn)移模塊1200將收容在放置于裝載口 1100上的容器C中的基材S轉(zhuǎn)移到處理模塊1300中(SllO)、通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中(S120)、在第一處理室1330中進(jìn)行第一處理工藝(S130)、通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中(S140) 、在第二處理室1340中進(jìn)行第二處理工藝(S150)以及將基材S從第二處理室1340直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊 1200 中(S160)。在步驟SllO中，轉(zhuǎn)移模塊1200將收容在放置于裝載口 1100上的容器C中的基材S轉(zhuǎn)移到處理模塊1300中。轉(zhuǎn)移模塊1200從容器C取出收容的基材S。轉(zhuǎn)移模塊1200的容器開(kāi)啟器打開(kāi)容器C，并且轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手從容器C取出基材。如果轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220包括多個(gè)手部1225，則可以同時(shí)取出多個(gè)基材S。轉(zhuǎn)移模塊1200將從容器C取出的基材轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中。當(dāng)開(kāi)口限定在裝載鎖閉室1310的面對(duì)轉(zhuǎn)移模塊1200的殼體1210的一側(cè)中時(shí)，轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220將基材S轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中。當(dāng)基材S被引入裝載鎖閉室1310中時(shí)，基材S安放在緩沖狹槽1311上。如果裝載鎖閉室1310的緩沖狹槽1311設(shè)有多個(gè)，則多個(gè)基材S可以安放在裝載鎖閉室1310的緩沖狹槽1311上。在安放基材S之后，通過(guò)裝載鎖閉室1310的門(mén)D關(guān)閉該開(kāi)口，以將裝載鎖閉室1310內(nèi)的緩沖空間B與外部隔離。當(dāng)處理模塊1300的內(nèi)部壓力不同于轉(zhuǎn)移模塊1200的內(nèi)部壓力時(shí)，裝載鎖閉室1310的減壓件1315利用處理模塊1300的內(nèi)部壓力控制裝載鎖閉室1310的內(nèi)部壓力。例如，當(dāng)轉(zhuǎn)移模塊1200的殼體1210的內(nèi)部處于大氣壓力狀態(tài)下時(shí)，轉(zhuǎn)移室1320、第一處理室1330和第二處理室1340中的每一個(gè)的內(nèi)部處于真空狀態(tài)下，在引入基材S之后裝載鎖閉室1310可以關(guān)閉門(mén)D，使得減壓件1315將裝載鎖閉室1310的內(nèi)部減壓。當(dāng)減壓進(jìn)行充分時(shí)，裝載鎖閉室1310打開(kāi)限定在轉(zhuǎn)移室1320的面對(duì)殼體1210的另一側(cè)中的開(kāi)口，以將基材轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移室1320中。在步驟S120中，轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中。當(dāng)打開(kāi)限定在裝載鎖閉室1310的一側(cè)中的開(kāi)口時(shí)，轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325將基材S從裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中。如果轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325的手部1326和第一處理室1330設(shè)有多個(gè)，則可以同時(shí)轉(zhuǎn)移多個(gè)基材S。此外，當(dāng)根據(jù)處理方案對(duì)基材S進(jìn)行多個(gè)第一處理工藝時(shí)，基材S可以根據(jù)處理方案相繼地轉(zhuǎn)移到多個(gè)第一處理室1330中。在步驟S130中，第一處理室1330進(jìn)行第一處理工藝。在基材S被引入第一處理室1330中之后,第一處理室1330對(duì)基材S進(jìn)行第一處理工藝。第一處理工藝在上面的對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000的說(shuō)明中描述過(guò)。
在步驟S140中，轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中。在對(duì)基材S進(jìn)行第一處理工藝之后，轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325將基材S轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中。如果轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325的手部1326設(shè)有多個(gè)并且第二處理室1340設(shè)有多個(gè)或者一個(gè)第二處理室1340接收多個(gè)基材S，則可以同時(shí)轉(zhuǎn)移多個(gè)基材S。在基材S被引入第二處理室1340之前，第二處理室1340的減壓件1345可以控制第二處理室1340的內(nèi)部壓力。如上所述，處理模塊1300和轉(zhuǎn)移模塊1200可以具有彼此不同的內(nèi)部壓力。如下所述，第二處理室1340和轉(zhuǎn)移模塊1200可以彼此直接交換基材。在該過(guò)程中，空氣可以從轉(zhuǎn)移模塊1200引入第二處理室1340。因此，第二處理室1340的減壓件1345可以將第二處理室1340的內(nèi)部減壓，以在第二處理室1340與轉(zhuǎn)移室1320交換基材S之前保持處理模塊1300的內(nèi)部壓力以及轉(zhuǎn)移室1320的內(nèi)部壓力。例如，減壓件1345可以對(duì)第二處理室1340 施加真空壓力。在步驟S150中，第二處理室1340進(jìn)行第二處理工藝。在基材S被引入第二處理室1340中之后，第二處理室1340對(duì)基材S進(jìn)行第二處理工藝。第二處理工藝在上面的對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基材處理設(shè)備1000的說(shuō)明中描述過(guò)。當(dāng)基材S被引入第二處理室1340的殼體1341中時(shí)，基材S被安放在支撐件1342上。當(dāng)基材S被安放在支撐件1342上時(shí)，第二處理室1340進(jìn)行第二處理工藝。例如，第二處理室1340可以使用等離子體P進(jìn)行清潔處理。當(dāng)基材S被安放在支撐件1342上時(shí)，加熱件1343在預(yù)定溫度下加熱基材S。當(dāng)基材S被充分加熱時(shí)，在等離子體源1348中產(chǎn)生的等離子體P通過(guò)供應(yīng)管1349供應(yīng)到殼體1341中。然后，通過(guò)等離子體P可以除去基材S上的污染物或雜質(zhì)，從而清潔基材S。在步驟S160中，基材S可以從第二處理室1340直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。在進(jìn)行第二處理工藝之后，第二處理室1340將基材S直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。當(dāng)完成第二處理工藝時(shí)，打開(kāi)限定在殼體1341的面對(duì)轉(zhuǎn)移模塊1200的一側(cè)中的開(kāi)口，并且轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220從第二處理室1340取出基材。從第二處理室1340取出的基材S可以通過(guò)轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220收容在容器C中。在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法中，由于在對(duì)基材S進(jìn)行第二處理工藝之后基材S從第二處理室1340直接轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中，因此不必須將基材S從第二處理室1340轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中并且從裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。因此，基材S的吞吐量可以得到改善。此外，由于第二處理室1340和裝載鎖閉室1310彼此疊置，因此更大量的第一處理室1330可以設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320的周?chē)??？梢曰ㄙM(fèi)最長(zhǎng)的時(shí)間在第一處理室1330中進(jìn)行第一處理工藝。在這種情況下，由于第一處理工藝的數(shù)量增大，因此基材S的總吞吐量可以得到改善。因此，處理模塊1300可以包括更大量的第一處理室以改善基材S的總吞吐量。
圖19是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基材處理方法的流程圖，圖20是顯示基材S的移動(dòng)路徑的視圖。參照?qǐng)D19，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基材處理方法可以包括通過(guò)轉(zhuǎn)移模塊1200將收容在放置于裝載口 1100上的容器C中的基材S轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中(S210)、通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中(S220)、在第一處理室1330中進(jìn)行第一處理工藝(S230)、通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中(S240)、在第二處理室1340中進(jìn)行第二處理工藝(S250)、通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中(S260)以及將基材S轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中(S270)。將收容在放置于裝載口 1100上的容器C中的基材S轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中(S210)、通過(guò)轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第一處理室13 30中(S220)以及在第一處理室1330中進(jìn)行第一處理工藝(S230)可以通過(guò)與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法相同或相似的過(guò)程進(jìn)行。在步驟S240中，轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中。在第一處理室1330中進(jìn)行第一處理工藝之后，轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1325將基材從第一處理室1330轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中。這里，第二處理室1340設(shè)置在轉(zhuǎn)移室1320和轉(zhuǎn)移模塊1200之間。這里，開(kāi)口限定在殼體1341的面對(duì)轉(zhuǎn)移室1320的一側(cè)中，但開(kāi)口未限定在殼體1341的面對(duì)轉(zhuǎn)移模塊1200的一側(cè)中并且被擋住。如下所述，由于在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基材處理方法中第二處理室1340和轉(zhuǎn)移模塊1200之間未直接交換基材S，因此減壓件1345不會(huì)將殼體1341的內(nèi)部減壓。在步驟S250中，第二處理室1340進(jìn)行第二處理工藝。第二處理室1340可以進(jìn)行與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基材處理方法相同或相似的第二處理工藝。在步驟S260中，轉(zhuǎn)移室1320將基材S轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中。在進(jìn)行第二處理工藝之后，轉(zhuǎn)移室1320的轉(zhuǎn)移機(jī)械手從第二處理室1340取出基材S。轉(zhuǎn)移機(jī)械手將從第二處理室1340取出的基材S轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中。在裝載鎖閉室1310的面對(duì)轉(zhuǎn)移模塊1200的一側(cè)上設(shè)置的門(mén)D打開(kāi)以將基材S轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中之前，裝載鎖閉室1310的減壓件1315可以控制裝載鎖閉室1310的內(nèi)部壓力。在步驟S270中，基材S被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。通過(guò)轉(zhuǎn)移模塊1200的轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220取出基材S。因此，基材S可以從裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中，并且轉(zhuǎn)移機(jī)械手1220可以再次將基材S收容在容器C中。當(dāng)基材S收容在容器C中時(shí)，容器C可以通過(guò)諸如頂置式傳送器等設(shè)備轉(zhuǎn)移到外部。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一和第二實(shí)施例的基材處理方法中，第一處理工藝在第二處理工藝之前。這里，第二處理工藝相對(duì)于第一處理工藝而言可以是后續(xù)工藝。例如，當(dāng)?shù)诙幚砉に囀俏g刻處理時(shí)，第二處理工藝可以是清潔處理、剝離處理或灰化處理。然而，不必須在第二處理工藝之前進(jìn)行第一處理工藝。例如，第二處理工藝可以是第一處理工藝的在先工藝。例如，當(dāng)?shù)谝惶幚砉に囀俏g刻處理時(shí)，第二處理工藝可以是軟烘烤處理、清潔處理或粘合處理。當(dāng)?shù)诙幚砉に囋诘谝惶幚砉に囍白鳛樵谙裙に囘M(jìn)行的情況下，根據(jù)本發(fā)明的基材處理方法可以根據(jù)第一和第二實(shí)施例進(jìn)行改進(jìn)。
首先，根據(jù)第一實(shí)施例的基材處理方法可作如下修改。在步驟SllO中，收容在容器C中的基材S可以通過(guò)第二處理室1340而不是裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到處理模塊1300中。在該過(guò)程中，第二處理工藝在第二處理室1340中進(jìn)行。也就是說(shuō)，在步驟SllO進(jìn)行之后進(jìn)行步驟S150。因此，基材S可以從轉(zhuǎn)移模塊1200直接轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中而不經(jīng)過(guò)裝載鎖閉室1310，以立即進(jìn)行第二處理工藝，從而減少基材S的移動(dòng)路線。此外，可以對(duì)基材S的移動(dòng)路徑進(jìn)行處理，從而改善基材S的吞吐量。在進(jìn)行第二處理工藝之后，基材S從第二處理室1340轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中。也就是說(shuō)，在步驟S120中，基材S可以從第二處理室1340而不是裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中。此后，進(jìn)行步驟S130。在步驟S140中，基材S可以從第一處理室1330轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中而不是 轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中。由于之前進(jìn)行了步驟S150，因此立即進(jìn)行步驟S160。這里，基材S可以從裝載鎖閉室1310而不是第二處理室1340轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊1200中。接下來(lái)，根據(jù)第二實(shí)施例的基材處理方法可作如下修改。步驟S210按原樣進(jìn)行。進(jìn)行步驟S240而不是進(jìn)行步驟S220。也就是說(shuō)，基材S可以從裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到第二處理室1340中而不是轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中。然后，進(jìn)行步驟S250。在進(jìn)行第二處理工藝之后，進(jìn)行步驟S220。也就是說(shuō)，基材S可以從第二處理室1340而不是裝載鎖閉室1310轉(zhuǎn)移到第一處理室1330中。然后，進(jìn)行步驟S230。當(dāng)?shù)谝惶幚砉に囃瓿蓵r(shí)，進(jìn)行步驟S260和步驟S270。這里，在步驟S260中，基材S可以從第一處理室1330而不是第二處理室1340轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉室1310中。根據(jù)第一和第二實(shí)施例的上述改進(jìn)例，第二處理工藝可以作為第一處理工藝的在先工藝進(jìn)行。在根據(jù)本發(fā)明的上述基材處理方法中，在各實(shí)施例中進(jìn)行的處理不是必須的。因此，各實(shí)施例可以選擇性地包括上述處理。此外，各實(shí)施例可以彼此分離地或者彼此組合地實(shí)施。此外，在各實(shí)施例中進(jìn)行的處理可以通過(guò)與其他實(shí)施例中進(jìn)行的各處理彼此分離地或者彼此組合地實(shí)施。此外，不必須根據(jù)所述順序相繼地進(jìn)行各實(shí)施例中進(jìn)行的處理。例如，后面描述的處理可以先于之前描述的處理。此外，根據(jù)本發(fā)明的基材處理方法可以存儲(chǔ)在具有執(zhí)行所述基材處理方法的代碼或程序的計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)中。根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體器件的吞吐量可以改善。根據(jù)本發(fā)明，由于第二處理室設(shè)置在轉(zhuǎn)移模塊和轉(zhuǎn)移室之間，因此更大量的處理室可以設(shè)置在基材處理設(shè)備中。根據(jù)本發(fā)明，由于第二處理室疊置，因此更大量的處理室可以設(shè)置在基材處理設(shè)備中。根據(jù)本發(fā)明，由于基材從第二處理室轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移模塊中，因此基材的轉(zhuǎn)移路線可以減少。
本發(fā)明構(gòu)思的特征不限于上述內(nèi)容，相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員從這些描述中可以清楚地了解本文未描述的其他特征。雖然已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，其他修改、替換和變化對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的?？梢栽诓幻撾x本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)做出這樣的修改、替換和變化，并且不限于上述實(shí)施例和附圖。此外，上述實(shí)施例的部分或全部可以 選擇性地組合和構(gòu)造，使得可以做出各種修改，而不限于上述實(shí)施例的構(gòu)造和方案。
權(quán)利要求
1.一種處理基材的設(shè)備，所述設(shè)備包括 裝載口，其上放置用于收容所述基材的容器； 用于處理所述基材的處理模塊；和 轉(zhuǎn)移模塊，包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手， 其中所述處理模塊包括 轉(zhuǎn)移室，包括用于轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手； 設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的裝載鎖閉室； 用于進(jìn)行第一處理工藝的第一處理室，它與所述轉(zhuǎn)移模塊間隔開(kāi)并且設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)?；? 用于進(jìn)行第二處理工藝的第二處理室，它設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)?br> 2.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中第二處理室設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中第二處理室包括 殼體，具有在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移室的側(cè)面中的第一開(kāi)口和在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移模塊的側(cè)面中的第二開(kāi)口 ； 用于打開(kāi)或關(guān)閉第一開(kāi)口的第一門(mén)； 用于打開(kāi)或關(guān)閉第二開(kāi)口的第二門(mén)； 用于使所述殼體的內(nèi)部減壓的減壓件； 設(shè)置在所述殼體內(nèi)以支撐所述基材的支撐件；和 用于加熱放置在所述支撐件上的基材的加熱件。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中第二處理室包括 殼體，具有面對(duì)所述轉(zhuǎn)移室的側(cè)面和另一擋住側(cè)，在所述側(cè)面中限定有第一開(kāi)口 ； 用于打開(kāi)或關(guān)閉第一開(kāi)口的第一門(mén)； 設(shè)置在所述殼體內(nèi)以支撐所述基材的支撐件；和 用于加熱放置在所述支撐件上的基材的加熱件。
5.如權(quán)利要求3或4所述的設(shè)備，其中第二處理室包括 用于產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和 用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到所述殼體中的供應(yīng)管。
6.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述裝載鎖閉室包括 用于提供緩沖空間的殼體，所述殼體具有在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移室的側(cè)面中的第一開(kāi)口和在面對(duì)所述轉(zhuǎn)移模塊的側(cè)面中的第二開(kāi)口； 用于打開(kāi)或關(guān)閉第一開(kāi)口的第一門(mén)； 用于打開(kāi)或關(guān)閉第二開(kāi)口的第二門(mén)；和 用于支撐所述基材以使所述基材設(shè)置在所述緩沖空間中的至少一個(gè)狹槽。
7.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述裝載鎖閉室和第二處理室彼此疊置。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中第二處理室設(shè)置在所述裝載鎖閉室下方。
9.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中第二處理室包括 殼體，它設(shè)置在所述裝載鎖閉室下方； 等離子體源，它設(shè)置在所述裝載鎖閉室上方，用于產(chǎn)生等離子體；和供應(yīng)管，它設(shè)置在所述裝載鎖閉室的外壁上，用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到所述殼體中。
10.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述處理模塊包括多個(gè)第二處理室。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)第二處理室中的每一個(gè)包括 殼體； 用于產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和 用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到所述殼體中的供應(yīng)管。
12.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述處理模塊包括 用于產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和 用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到多個(gè)第二處理室中的每一個(gè)的殼體中的供應(yīng)管， 其中所述供應(yīng)管與所述等離子體源連接并分支到所述多個(gè)第二處理室中，閥門(mén)設(shè)置在每個(gè)分支的供應(yīng)管中。
13.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)第二處理室彼此疊置。
14.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)第二處理室在橫向上平行設(shè)置。
15.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中第二處理室與第一處理室疊置。
16.—種處理基材的設(shè)備,所述設(shè)備包括 裝載口，其上放置用于收容所述基材的容器； 用于處理所述基材的處理模塊；和 轉(zhuǎn)移模塊，包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手， 其中所述處理模塊包括 轉(zhuǎn)移室，包括用于轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手； 用于進(jìn)行第一處理工藝的第一處理室，它與所述轉(zhuǎn)移模塊間隔開(kāi)并且設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)? 設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的裝載鎖閉室；和 設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的第二處理室， 其中所述裝載鎖閉室和第二處理室具有彼此不同的結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述裝載鎖閉室和第二處理室彼此疊置。
18.如權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中第二處理室設(shè)置在所述裝載鎖閉室下方。
19.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述裝載鎖閉室包括 用于提供緩沖空間的第一殼體；和 用于支撐所述基材以使所述基材設(shè)置在所述緩沖空間中的至少一個(gè)狹槽， 其中第二處理室包括 設(shè)置在第一殼體下方的第二殼體； 設(shè)置在第二殼體內(nèi)以支撐所述基材的支撐件； 設(shè)置在第一殼體上方以產(chǎn)生等離子體的等離子體源；和 用于將所產(chǎn)生的等離子體供應(yīng)到第二殼體中的供應(yīng)管。
20.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述裝載鎖閉室和第二處理室在橫向上平行設(shè)置。
21.一種使用基材處理設(shè)備處理基材的方法，所述基材處理設(shè)備包括其上放置用于收容所述基材的容器的裝載口、用于處理所述基材的處理模塊和轉(zhuǎn)移模塊，所述轉(zhuǎn)移模塊包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手，其中所述處理模塊包括轉(zhuǎn)移室、第一處理室、裝載鎖閉室和第二處理室，所述方法包括 通過(guò)所述裝載鎖閉室將收容在所述容器中的基材從所述轉(zhuǎn)移模塊轉(zhuǎn)移到所述處理模塊中； 在第一處理室中進(jìn)行第一處理工藝； 在設(shè)置于所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的第二處理室中進(jìn)行第二處理工藝；和 將所述基材從所述處理模塊轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述的將所述基材轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中包括在進(jìn)行第二處理工藝之后將所述基材從第二處理室直接轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，還包括在將所述基材轉(zhuǎn)移到第二處理室中之前將第二處理室的內(nèi)部壓力減壓。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述的將所述基材轉(zhuǎn)移到所述轉(zhuǎn)移模塊中包括 在進(jìn)行第二處理工藝之后通過(guò)所述轉(zhuǎn)移室的轉(zhuǎn)移機(jī)械手將所述基材從第二處理室轉(zhuǎn)移到所述裝載鎖閉室中；和 通過(guò)所述轉(zhuǎn)移模塊的轉(zhuǎn)移機(jī)械手從所述裝載鎖閉室取出所述基材。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中第一處理工藝包括蝕刻處理、分層處理、灰化處理、剝離處理和沉積處理中的至少一種。
26.如權(quán)利要求21所述的方法，其中第二處理工藝包括清潔處理、剝離處理、灰化處理和加熱處理中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理基材的設(shè)備和方法，更具體而言，提供一種具有簇結(jié)構(gòu)的基材處理設(shè)備和使用它的基材處理方法。所述的處理基材的設(shè)備包括其上放置用于收容所述基材的容器的裝載口、用于處理所述基材的處理模塊和轉(zhuǎn)移模塊，所述轉(zhuǎn)移模塊包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手。所述處理模塊包括轉(zhuǎn)移室、設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室和所述轉(zhuǎn)移模塊之間的裝載鎖閉室、用于進(jìn)行第一處理工藝的第一處理室和用于進(jìn)行第二處理工藝的第二處理室，所述轉(zhuǎn)移室包括用于轉(zhuǎn)移所述基材的機(jī)械手，第一處理室與所述轉(zhuǎn)移模塊間隔開(kāi)并且設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)?，第二處理室設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移室周?chē)?br> 文檔編號(hào)H01L21/67GK102810499SQ20121017515
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者金炯俊 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司