半導(dǎo)體器件測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件測試方法，包括：在襯底上形成柵絕緣介質(zhì)層；在柵絕緣介質(zhì)層上形成無應(yīng)力金屬屏蔽層；在無應(yīng)力金屬屏蔽層中形成柵極形狀的多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條構(gòu)成的凹槽陣列；在凹槽陣列中形成應(yīng)力金屬柵層；去除無應(yīng)力金屬屏蔽層頂部的應(yīng)力金屬柵層，余下的應(yīng)力金屬柵在襯底中形成多個溝道應(yīng)變區(qū)；采用Raman測量凹槽陣列中應(yīng)力金屬柵層下方的短溝道襯底應(yīng)變。依照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件測試方法，在無應(yīng)力金屬屏蔽薄膜中形成柵極形狀的凹槽陣列，通過較厚金屬屏蔽層屏蔽除應(yīng)力金屬柵材料正下方以外的Raman光波信號，實(shí)現(xiàn)短溝道應(yīng)變的Raman測量。
【專利說明】半導(dǎo)體器件測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件測試方法，特別是涉及一種通過Raman測量應(yīng)力金屬柵下短溝道(10納米?1000納米)應(yīng)變的方法，借此方法能夠通過光斑直徑約I微米的Raman測量任意短溝道中襯底應(yīng)變。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，電路的集成度不斷提高，CM0SFET器件的特征尺寸已經(jīng)到了 22nm以下的技術(shù)結(jié)點(diǎn)。事實(shí)上，當(dāng)進(jìn)入90nm的技術(shù)結(jié)點(diǎn)之后，單純的通過縮小柵長以滿足摩爾定律的要求已經(jīng)越來越困難了。因?yàn)殡S著柵長的縮短，被用來抑制短溝道效應(yīng)的溝道重?fù)诫s引入的溝道摻雜散射、強(qiáng)場效應(yīng)以及寄生電阻的增加，導(dǎo)致溝道載流子遷移率降低，影響了器件電學(xué)性能的提升。在這種背景下，應(yīng)變工程應(yīng)運(yùn)而生，它是提高溝道載流子遷移率的重要方法之一。
[0003]這種技術(shù)通過在器件制造過程中引入各種應(yīng)力源來對溝道施加應(yīng)力。其中應(yīng)力金屬柵在45nm以下結(jié)點(diǎn)得到了廣泛的應(yīng)用。然而不論是在工業(yè)界還是學(xué)術(shù)界，金屬柵下短溝道應(yīng)變的測量一直是個難題。
[0004]目前，短溝道應(yīng)變的測量主要基于透射電子顯微鏡(TEM)技術(shù)，如納米電子束衍射(NBD)和聚焦電子束衍射(CBED)。然而這兩種方法都有缺點(diǎn)，樣品制作非常復(fù)雜。Raman是測量晶格形變的常用方法，準(zhǔn)確度高，但是由于Raman光斑直徑一般約為I微米，所以Raman測量的空間分辨率比較差。一般不能夠用來直接測量短溝道(lOnnTlOOOnm)內(nèi)的襯底應(yīng)變。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]由上所述，本發(fā)明的目的在于通過一種特殊測試結(jié)構(gòu)和較厚的金屬屏蔽層解決了Raman空間分辨率差的問題，使金屬柵下短溝道應(yīng)變的測量變得簡單易行。
[0006]為此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件測試方法，包括:在襯底上形成柵絕緣介質(zhì)層；在柵絕緣介質(zhì)層上形成無應(yīng)力金屬屏蔽層；在無應(yīng)力金屬屏蔽層中形成柵極形狀的多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條構(gòu)成的凹槽陣列；在凹槽陣列中形成應(yīng)力金屬柵層；去除無應(yīng)力金屬屏蔽層頂部的應(yīng)力金屬柵層，余下的應(yīng)力金屬柵在襯底中形成多個溝道應(yīng)變區(qū)；采用Raman測量凹槽陣列中應(yīng)力金屬柵層下方的短溝道襯底應(yīng)變。
[0007]其中，無應(yīng)力金屬屏蔽層線條寬度在IOnm到IOOOnm范圍內(nèi)，凹槽陣列寬度大于Raman光斑直徑。Raman光斑直徑大于等于I微米。
[0008]其中，無應(yīng)力金屬屏蔽層厚度足以屏蔽除應(yīng)力金屬柵層正下方襯底以外的Raman光波信號，使得能夠通過Raman測量應(yīng)力金屬柵正下方短溝道襯底應(yīng)變。
[0009]其中，應(yīng)力金屬柵層的厚度既能夠不屏蔽、甚至增強(qiáng)Raman信號，又能夠引起其下方襯底晶格形變并記憶。其中，應(yīng)力金屬柵層的厚度小于10nm。
[0010]其中，襯底包括單晶體硅或絕緣體上硅基底，或應(yīng)變硅襯底，或包括鍺硅襯底、II1-V族化合物、I1-VI族化合物、石墨烯的高遷移率襯底材料。
[0011]其中，柵絕緣介質(zhì)層包括選自HfO2, HfSiOx, HfSiON, HfAlOx, HfTaOx, HfLaOx,HfAlSiOx^HfLaSiOx及其組合的鉿基高K介質(zhì)材料，選自Zr02、La203、LaA103、Ti02、Y2O3及其組合的稀土基高K介質(zhì)材料，以及選自Si02、SiON, Si3N4, Al2O3的常用絕緣介質(zhì)材料，以及上述各類材料的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)。
[0012]其中，應(yīng)力金屬柵層包括氮化鈦、氮化鉭及其組合，淀積方法包括LPCVD、PECVD、蒸發(fā)、濺射、離子束沉積、PLD、ALD及其組合。
[0013]其中，無應(yīng)力金屬屏蔽層的厚度等于柵的高度。
[0014]其中，形成凹槽陣列的方法為槽形開口曝光/光刻。其中，由等離子刻蝕、RIE或濕法腐蝕實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，形成直角溝槽，溝槽深度為無應(yīng)力金屬屏蔽層厚度，溝槽寬度為溝道寬度。
[0015]其中，通過LPCVD、PECVD、蒸發(fā)、濺射、離子束沉積、PLD、ALD及其組合的方法淀積無應(yīng)力金屬屏蔽層，材料包括Al、T1、Cu、Mo及其組合，淀積厚度等于溝槽深度。
[0016]通過CMP、光刻/刻蝕的方法去除無應(yīng)力金屬屏蔽層上的部分應(yīng)力金屬柵層，形成獨(dú)立的應(yīng)力金屬柵。
[0017]其中，采用光斑直徑I微米的Raman測量應(yīng)力金屬柵下短溝道,通過Raman shift判斷溝道中襯底應(yīng)變。
[0018]此外，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，包括:襯底；襯底上的多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條構(gòu)成的凹槽陣列，凹槽陣列的寬度大于Raman光斑最小直徑；凹槽陣列中多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條之間的多個應(yīng)力金屬柵線條；應(yīng)力金屬柵線條下方襯底中的多個應(yīng)變溝道區(qū)。
[0019]依照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件測試方法，在無應(yīng)力金屬屏蔽薄膜中形成柵極形狀的凹槽陣列，通過較厚金屬屏蔽層屏蔽除應(yīng)力金屬柵材料正下方以外的Raman光波信號，使光斑直接約I微米的Raman測量時(shí)能夠測出應(yīng)力金屬柵正下方短溝道中應(yīng)變,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)短溝道應(yīng)變的Raman測量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]以下參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案，其中:
[0021]圖1是本發(fā)明的工藝流程圖；
[0022]圖2是本發(fā)明的在半導(dǎo)體襯底上形成柵絕緣介質(zhì)的示意圖；
[0023]圖3是本發(fā)明的在所示柵絕緣介質(zhì)上形成無應(yīng)力金屬屏蔽層薄膜的示意圖；
[0024]圖4是本發(fā)明的在無應(yīng)力金屬屏蔽層薄膜中形成柵極形狀的凹槽陣列的剖面示意圖；
[0025]圖5是本發(fā)明的在凹槽中淀積應(yīng)力金屬柵材料的示意圖；
[0026]圖6是本發(fā)明的去除無應(yīng)力金屬屏蔽層上應(yīng)力金屬柵材料后，形成獨(dú)立金屬柵陣列的不意圖；以及
[0027]圖7是本發(fā)明最終Raman測試的示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記:
[0029]1、襯底[0030]2、柵絕緣介質(zhì)層
[0031]3、無應(yīng)力金屬屏蔽層
[0032]4、應(yīng)力金屬柵材料
[0033]5、溝道應(yīng)變區(qū)
[0034]6、Raman 光斑
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下參照附圖并結(jié)合示意性的實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明技術(shù)方案的特征及其技術(shù)效果，公開了一種通過Raman測量應(yīng)力金屬柵下短溝道應(yīng)變的方法。需要指出的是，類似的附圖標(biāo)記表示類似的結(jié)構(gòu)，本申請中所用的術(shù)語“第一”、“第二”、“上”、“下”等等可用于修飾各種器件結(jié)構(gòu)或制造工序。這些修飾除非特別說明并非暗示所修飾器件結(jié)構(gòu)或制造工序的空間、次序或?qū)蛹夑P(guān)系。
[0036]如圖1所示,一種通過Raman測量應(yīng)力金屬柵下短溝道應(yīng)變的方法,該方法包括如下步驟:
[0037]步驟1:在半導(dǎo)體襯底上形成柵絕緣介質(zhì)；
[0038]步驟2:在柵絕緣介質(zhì)上形成無應(yīng)力金屬屏蔽層；
[0039]步驟3:在無應(yīng)力金屬屏蔽層中形成柵極形狀的凹槽陣列；
[0040]步驟4:在凹槽陣列中淀積應(yīng)力金屬柵材料；
[0041]步驟5:去除無應(yīng)力金屬屏蔽層上應(yīng)力金屬柵材料；
[0042]步驟6:通過Raman測量柵陣列中應(yīng)力金屬柵下方的溝道應(yīng)變。
[0043]具體地，如圖2所示，在半導(dǎo)體襯底I上形成柵絕緣介質(zhì)層2。襯底I可選的包括單晶體娃或絕緣體上娃基底，或應(yīng)變娃襯底，或錯娃襯底，二五族，石墨稀等聞遷移率襯底材料。通過LPCVD、PECVD、HDPCVD、ALD等常規(guī)方法在半導(dǎo)體襯底I上沉積形成柵絕緣介質(zhì)層
2。柵絕緣介質(zhì)層2可選的包括鉿基高K介質(zhì)材料如HfO2、HfSi0x、HfSi0N、HfA10x、HfTa0x、HfLaOx, HfAlSiOx, HfLaSiOx 等，稀土基高 K 介質(zhì)材料 ZrO2, La2O3' LaAlO3' Ti02、Y2O3,以及SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3等各種常用絕緣介質(zhì)材料，以及上述各類材料的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)。此步驟中柵絕緣介質(zhì)層2與前柵工藝或者后柵工藝中實(shí)際使用的柵絕緣介質(zhì)是同時(shí)形成的，也即形成在整個器件(例如整個晶片)上，而不僅僅在測試區(qū)域。
[0044]如圖3所示，在所示柵絕緣介質(zhì)層2上形成無應(yīng)力金屬屏蔽層3。無應(yīng)力金屬屏蔽層3可選的材料包括Al、T1、Cu、Mo等及其組合，淀積方法包括LPCVD、PECVD, M0CVD、蒸發(fā)、濺射、離子束沉積、PLD、ALD等。無應(yīng)力金屬屏蔽層厚度足以屏蔽除應(yīng)力金屬柵層正下方襯底以外的Raman光波信號,使得能夠通過Raman測量應(yīng)力金屬柵正下方短溝道襯底應(yīng)變。其厚度約為柵的高度，例如為10?lOOnm。此步驟中無應(yīng)力金屬屏蔽層3可以僅形成在晶片上特意列出的測試區(qū)域中，例如在實(shí)際版圖中各個功能性集成電路模塊的邊緣(諸如晶片邊緣區(qū)域，但是位于工藝制造誤差的范圍之內(nèi)以保證測試區(qū)的材料結(jié)構(gòu)特性與實(shí)際工作區(qū)的相同)。在非測試區(qū)域中，無應(yīng)力金屬屏蔽層3例如對應(yīng)的是后柵工藝中偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的層間介質(zhì)層。
[0045]如圖4所示，在無應(yīng)力金屬屏蔽層3中形成柵極形狀的凹槽陣列。通過凹槽圖形曝光刻蝕(例如槽形開口曝光)，例如由等離子刻蝕、RIE或濕法腐蝕實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕形成多條基本(例如底部夾角在85至95度之間)或者完全為直角的溝槽而構(gòu)成柵凹槽陣列。溝槽深度為無應(yīng)力金屬屏蔽層膜厚。溝槽寬度為柵寬度(在后柵工藝中為偽柵極堆疊寬度)也即溝道寬度，以便同時(shí)與功能區(qū)(有源區(qū))中實(shí)際器件的柵極寬度相等以最大程度地模擬實(shí)際器件結(jié)構(gòu)，例如為10?lOOOnm。
[0046]值得注意的是，單個柵極線條大于I微米時(shí)，應(yīng)力釋放不明顯，無法引起溝道中硅襯底的明顯形變，故應(yīng)力金屬柵無法應(yīng)用于大尺寸器件，并且應(yīng)力金屬柵在后柵工藝中需要填充在柵極溝槽(凹槽陣列)中，不同于前柵工藝的直接刻蝕形成線條，取決于器件尺寸需要，單個溝槽一般小于I微米，因此，單個應(yīng)力金屬柵線條寬度要小于I微米，例如是10?lOOnm。另一方面，柵極陣列寬度小于Raman光斑最小直徑(例如I微米)時(shí)，Raman光斑有較大區(qū)域照射在測試結(jié)構(gòu)之外，信號強(qiáng)度變?nèi)酰焕诰_測量。
[0047]因此，凹槽陣列(也即測試圖形結(jié)構(gòu))的寬度(陣列最外側(cè)的兩個無應(yīng)力金屬屏蔽層3線條之間的最大距離)要大于Raman光斑的最小直徑(例如大于等于I微米)，例如為I?100微米。同時(shí)，無應(yīng)力金屬屏蔽層3線條之間的單個凹槽寬度(對應(yīng)于稍后的應(yīng)力金屬柵4線條)要盡可能小，在提高單個線條下溝道區(qū)應(yīng)變的同時(shí)還使得凹槽陣列(測試結(jié)構(gòu))中應(yīng)力釋放區(qū)域的數(shù)目增多，增強(qiáng)了 Raman測試信號強(qiáng)度。
[0048]如圖5所示，通過LPCVD、PECVD、蒸發(fā)、濺射、離子束沉積、PLD、ALD等在凹槽陣列中淀積應(yīng)力金屬柵材料4,可選的包括TiN、TaN等,淀積厚度小于10納米以便提高Raman測試時(shí)的光斑的透過率(增強(qiáng)Raman信號)同時(shí)又能夠引起下方襯底晶格形變并記憶。應(yīng)力金屬柵材料4在非測試區(qū)域中對應(yīng)的結(jié)構(gòu)是后柵工藝中去除了偽柵極之后再次沉積的柵極功函數(shù)調(diào)節(jié)層，其材質(zhì)也包括TiN、TaN，因此可以同時(shí)形成。在前柵工藝的非測試區(qū)域中，應(yīng)力金屬柵材料4對應(yīng)的結(jié)構(gòu)是柵極導(dǎo)電金屬層，可以是Al、T1、Cu、Mo、W與TiN、TaN的疊層。
[0049]如圖6所示，通過CMP或光刻/刻蝕，去除無應(yīng)力金屬屏蔽層3上的那部分應(yīng)力金屬柵材料4，余下的部分形成獨(dú)立金屬柵。該步驟是為了進(jìn)一步釋放應(yīng)力金屬柵材料4的應(yīng)力，使溝道產(chǎn)生更大形變，這也是模仿后柵工藝中的CMP過程。此時(shí)，柵電極結(jié)構(gòu)下溝道區(qū)存在由應(yīng)力金屬柵4引入的應(yīng)變，也即圖中標(biāo)識出的溝道應(yīng)變區(qū)5。
[0050]如圖7所示，為通過光斑直徑約I微米的Raman測量柵陣列中應(yīng)力金屬柵4下方溝道應(yīng)變5的示意圖。由于無應(yīng)力金屬屏蔽層3較厚而可以屏蔽除了應(yīng)力金屬柵4正下方襯底以外的Raman光波信號，也即僅測量了凹槽部分——應(yīng)力金屬柵4的應(yīng)力。測量時(shí)，在溝道區(qū)具有壓應(yīng)力的區(qū)域，由于壓應(yīng)力使得襯底中晶體鍵長減小，Raman光波信號的峰位向高波數(shù)方向偏移；對應(yīng)的，在溝道區(qū)具有張應(yīng)力的區(qū)域，由于張應(yīng)力使得襯底中晶體鍵長變長，因而峰位向低波數(shù)方向偏移。通過判斷頻譜中峰位的偏移方向以及偏移程度，可以推斷出襯底溝道區(qū)中應(yīng)力類型以及大小。也即采用光斑直徑I微米的Raman測量應(yīng)力金屬柵下短溝道，通過Raman shift判斷溝道中襯底應(yīng)變。具體的Raman測試設(shè)備和詳細(xì)方法步驟在晶體形變測試中是本領(lǐng)域所熟知的，本發(fā)明側(cè)重點(diǎn)在于改進(jìn)的凹槽陣列測試結(jié)構(gòu)以及陣列測試方法，對于具體地單個線條應(yīng)力的測試設(shè)備和詳細(xì)方法步驟則不再贅述。
[0051]依照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件測試方法，在無應(yīng)力金屬屏蔽薄膜中形成柵極形狀的凹槽陣列，通過較厚金屬屏蔽層屏蔽除應(yīng)力金屬柵材料正下方以外的Raman光波信號，使光斑直接約I微米的Raman測量時(shí)能夠測出應(yīng)力金屬柵正下方短溝道中應(yīng)變,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)短溝道應(yīng)變的Raman測量。
[0052]盡管已參照一個或多個示例性實(shí)施例說明本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉無需脫離本發(fā)明范圍而對器件結(jié)構(gòu)做出各種合適的改變和等價(jià)方式。此外，由所公開的教導(dǎo)可做出許多可能適于特定情形或材料的修改而不脫離本發(fā)明范圍。因此，本發(fā)明的目的不在于限定在作為用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳實(shí)施方式而公開的特定實(shí)施例，而所公開的器件結(jié)構(gòu)及其制造方法將包括落入本發(fā)明范圍內(nèi)的所有實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件測試方法，包括: 在襯底上形成柵絕緣介質(zhì)層； 在柵絕緣介質(zhì)層上形成無應(yīng)力金屬屏蔽層； 在無應(yīng)力金屬屏蔽層中形成柵極形狀的多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條構(gòu)成的凹槽陣列； 在凹槽陣列中形成應(yīng)力金屬柵層； 去除無應(yīng)力金屬屏蔽層頂部的應(yīng)力金屬柵層，余下的應(yīng)力金屬柵在襯底中形成多個溝道應(yīng)變區(qū)； 采用Raman測量凹槽陣列中應(yīng)力金屬柵層下方的短溝道襯底應(yīng)變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，無應(yīng)力金屬屏蔽層線條寬度在IOnm到1000nm范圍內(nèi)，凹槽陣列寬度大于Raman光斑直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，Raman光斑直徑大于等于I微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中，無應(yīng)力金屬屏蔽層厚度足以屏蔽除應(yīng)力金屬柵層正下方襯底以外的Raman光波信號，使得能夠通過Raman測量應(yīng)力金屬柵正下方短溝道襯底應(yīng)變。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，應(yīng)力金屬柵層的厚度既能夠不屏蔽、甚至增強(qiáng)Raman信號，又能夠引起其下方襯底晶格形變并記憶。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，應(yīng)力金屬柵層的厚度小于10nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，襯底包括單晶體硅或絕緣體上硅基底，或應(yīng)變硅襯底，或包括鍺硅襯底、II1-V族化合物、I1-VI族化合物、石墨烯的高遷移率襯底材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，柵絕緣介質(zhì)層包括選自Hf02、HfSiOx,HfSiON,HfAIOx,HfTaOx,HfLaOx,HfAISiOx,HfLaSiOx 及其組合的鉿基高 K 介質(zhì)材料，選自 Zr02、La203、LaA103、TiO2, Y2O3及其組合的稀土基高K介質(zhì)材料，以及選自Si02、SiON, Si3N4, Al2O3的常用絕緣介質(zhì)材料，以及上述各類材料的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，應(yīng)力金屬柵層包括氮化鈦、氮化鉭及其組合，淀積方法包括LPCVD、PECVD、蒸發(fā)、濺射、離子束沉積、PLD、ALD及其組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，無應(yīng)力金屬屏蔽層的厚度等于柵的高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成凹槽陣列的方法為槽形開口曝光/光刻。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，由等離子刻蝕、RIE或濕法腐蝕實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，形成直角溝槽，溝槽深度為無應(yīng)力金屬屏蔽層厚度，溝槽寬度為溝道寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中，通過LPCVD、PECVD、蒸發(fā)、濺射、離子束沉積、PLD、ALD及其組合的方法淀積無應(yīng)力金屬屏蔽層，材料包括Al、T1、Cu、Mo及其組合，淀積厚度等于溝槽深度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，通過CMP、光刻/刻蝕的方法去除無應(yīng)力金屬屏蔽層上的部分應(yīng)力金屬柵層，形成獨(dú)立的應(yīng)力金屬柵。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，采用光斑直徑I微米的Raman測量應(yīng)力金屬柵下短溝道，通過Raman shift判斷溝道中襯底應(yīng)變。
16.—種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu),包括: 襯底；襯底上的多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條構(gòu)成的凹槽陣列，凹槽陣列的寬度大于Raman光斑最小直徑； 凹槽陣列中多個無應(yīng)力金屬屏蔽層線條之間的多個應(yīng)力金屬柵線條； 應(yīng)力金屬柵線條下方襯底中的多個應(yīng)變溝道區(qū)。
【文檔編號】H01L23/544GK103512508SQ201210214365
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】付作振, 馬小龍, 殷華湘 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所